本發明涉(she)(she)及(ji)二維陣列換能器技術領域(yu)，尤其(qi)涉(she)(she)及(ji)一種二維陣列換能器的制(zhi)造方法及(ji)二維陣列換能器。

背景技術：

當前，超(chao)(chao)聲(sheng)診斷(duan)裝置在(zai)醫療領域有著廣泛的(de)應用(yong)，通(tong)過(guo)將超(chao)(chao)聲(sheng)波發(fa)射至對象體內并根據(ju)接收的(de)回聲(sheng)進(jin)行(xing)體內檢查，通(tong)過(guo)測(ce)量(liang)了解生理或(huo)組織(zhi)結(jie)構形(xing)態發(fa)現(xian)人體疾病。而目前三(san)維超(chao)(chao)聲(sheng)成(cheng)像(xiang)(xiang)是(shi)超(chao)(chao)聲(sheng)醫學發(fa)展的(de)重要方向(xiang)之一(yi)(yi)。在(zai)三(san)維超(chao)(chao)聲(sheng)成(cheng)像(xiang)(xiang)中，三(san)維圖像(xiang)(xiang)采集一(yi)(yi)般(ban)需(xu)要通(tong)過(guo)二(er)維陣列換能器來實現(xian)。

目前(qian)，二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)(zhen)列換(huan)能器(qi)根據陣(zhen)(zhen)(zhen)元(yuan)的(de)(de)排列方(fang)(fang)式可以(yi)分為矩(ju)形陣(zhen)(zhen)(zhen)列和圓環陣(zhen)(zhen)(zhen)列，臨床上(shang)常(chang)用(yong)(yong)二(er)(er)維(wei)矩(ju)形陣(zhen)(zhen)(zhen)列。而目前(qian)制(zhi)作(zuo)(zuo)二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)(zhen)列換(huan)能器(qi)面臨諸多困難，特別是(shi)(shi)對陣(zhen)(zhen)(zhen)元(yuan)切割技(ji)術和陣(zhen)(zhen)(zhen)元(yuan)之(zhi)間(jian)的(de)(de)電子連接(jie)(jie)技(ji)術要求非常(chang)高。近年來(lai)，隨著陣(zhen)(zhen)(zhen)元(yuan)切割技(ji)術從機械(xie)切割、激光切割過渡到(dao)微(wei)型制(zhi)模階段，電子連接(jie)(jie)技(ji)術從手(shou)工焊接(jie)(jie)、彎曲多層電路到(dao)超大規模專用(yong)(yong)集成(cheng)電路與激光打孔結合，已經能夠方(fang)(fang)便地(di)制(zhi)作(zuo)(zuo)包含幾千個陣(zhen)(zhen)(zhen)元(yuan)的(de)(de)二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)(zhen)列，但是(shi)(shi)距(ju)離上(shang)萬陣(zhen)(zhen)(zhen)元(yuan)的(de)(de)陣(zhen)(zhen)(zhen)列制(zhi)作(zuo)(zuo)仍(reng)有較(jiao)大距(ju)離。可見，如何(he)高效快捷的(de)(de)制(zhi)造二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)(zhen)列換(huan)能器(qi)成(cheng)為了當前(qian)亟待解決的(de)(de)問題。

技術實現要素：

本發明的(de)實施例提供一種二(er)維陣列(lie)換能(neng)器的(de)制造方法及二(er)維陣列(lie)換能(neng)器，以解決(jue)如何高效快捷的(de)制造二(er)維陣列(lie)換能(neng)器的(de)問題。

為達到上述(shu)目的，本發明采用如(ru)下技術方案：

一(yi)種(zhong)二維(wei)陣列換能器的制造方(fang)法，包括(kuo)：

通過3D打印技術打印第一匹配層和第二匹配層；

將所述第一(yi)(yi)匹配(pei)(pei)層(ceng)(ceng)粘接到壓(ya)電晶片(pian)的地(di)電極面上，并將第二(er)匹配(pei)(pei)層(ceng)(ceng)粘接到第一(yi)(yi)匹配(pei)(pei)層(ceng)(ceng)，使(shi)得(de)壓(ya)電晶片(pian)、第一(yi)(yi)匹配(pei)(pei)層(ceng)(ceng)和(he)第二(er)匹配(pei)(pei)層(ceng)(ceng)形(xing)成一(yi)(yi)第一(yi)(yi)整體部件；

將(jiang)所述第(di)一整體部件從側(ce)面切(qie)割成(cheng)縱橫正交(jiao)的二維陣(zhen)列；

將(jiang)所(suo)述(shu)縱橫正交的(de)二維陣列在成型模具上成型為平(ping)面；

根據成(cheng)型為平面的縱橫正交的二(er)維陣列，生成(cheng)公共電極引線和信(xin)號傳輸通(tong)路(lu)，形成(cheng)第(di)二(er)整體部件；

通過3D打印技術，采用一背(bei)襯灌注模具將(jiang)所(suo)述第(di)二整體部件外部打印成背(bei)襯；

通過3D打印(yin)技術(shu)，采(cai)用一聲透(tou)鏡(jing)灌注模具(ju)，在(zai)背(bei)襯(chen)固化成型后(hou)的(de)部件外側打印(yin)聲透(tou)鏡(jing)。

具(ju)體的，將所述第一整體部件從(cong)側(ce)面切割成縱橫正(zheng)交的二維陣列，包括(kuo)：

將(jiang)所述第(di)一整(zheng)體部件從側面切(qie)(qie)割成(cheng)具有橫向切(qie)(qie)割槽(cao)和縱向切(qie)(qie)割槽(cao)的二維陣列(lie)，使得所述二維陣列(lie)形成(cheng)多個陣元；

所(suo)述(shu)橫向(xiang)切割(ge)槽(cao)(cao)從(cong)所(suo)述(shu)壓電(dian)(dian)晶(jing)片(pian)切透(tou)至(zhi)所(suo)述(shu)第二匹配(pei)層；所(suo)述(shu)縱向(xiang)切割(ge)槽(cao)(cao)從(cong)所(suo)述(shu)壓電(dian)(dian)晶(jing)片(pian)切割(ge)，且未切透(tou)所(suo)述(shu)壓電(dian)(dian)晶(jing)片(pian)。

具(ju)體(ti)的，所述二(er)維(wei)陣列(lie)的陣元(yuan)數(shu)目為(wei)625個(ge)，陣元(yuan)面積為(wei)1.3cm×1.3cm，陣元(yuan)之間的間隙為(wei)0.1mm。

具體(ti)的(de)，根據成(cheng)(cheng)(cheng)型為平(ping)面的(de)縱橫正交的(de)二維陣列，生成(cheng)(cheng)(cheng)公共(gong)電(dian)極引線(xian)和信號傳(chuan)輸通(tong)路(lu)，形成(cheng)(cheng)(cheng)第二整體(ti)部件，包括(kuo)：

將成型為平(ping)面的縱橫正交的二維陣(zhen)列的地電極連接導(dao)線(xian)焊(han)接在一起(qi)，形成公(gong)共電極引線(xian)；

用(yong)FPC板逐層將(jiang)所述壓(ya)電晶片的信(xin)號電極引線與(yu)PCB板的信(xin)號引線焊接點焊接在一起，形成(cheng)信(xin)號傳輸(shu)通路。

一(yi)(yi)種(zhong)二(er)維陣列(lie)換能(neng)器，包括：壓(ya)(ya)電晶(jing)片(pian)、采用3D打印獲(huo)得的第(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)和第(di)(di)二(er)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)；所述第(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)粘接在壓(ya)(ya)電晶(jing)片(pian)的地電極面(mian)上，所述第(di)(di)二(er)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)粘接在第(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)；所述壓(ya)(ya)電晶(jing)片(pian)、第(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)和第(di)(di)二(er)匹(pi)(pi)(pi)配層(ceng)形成一(yi)(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)整體部件(jian)；

所述第一(yi)整體(ti)部件上(shang)分布有縱橫正交的二維(wei)陣列；

所(suo)述縱橫正交的二(er)(er)維(wei)陣列上連接有公共電極引線和信號(hao)傳輸(shu)通(tong)路(lu)；連接有公共電極引線和信號(hao)傳輸(shu)通(tong)路(lu)的縱橫正交的二(er)(er)維(wei)陣列構成一第二(er)(er)整體部件；

所述第二(er)整體部件外部通過3D打(da)印技(ji)術打(da)印有背(bei)襯；

在所述背襯外側通過3D打印技術打印有聲透鏡。

具體的(de)，所(suo)述(shu)(shu)縱橫正交的(de)二維陣列上具有(you)(you)多個橫向切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)和縱向切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)，使得所(suo)述(shu)(shu)二維陣列上形(xing)成有(you)(you)多個陣元；所(suo)述(shu)(shu)橫向切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)從所(suo)述(shu)(shu)壓電晶片(pian)切(qie)(qie)透至所(suo)述(shu)(shu)第二匹配(pei)層(ceng)；所(suo)述(shu)(shu)縱向切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)從所(suo)述(shu)(shu)壓電晶片(pian)切(qie)(qie)割(ge)，且(qie)未切(qie)(qie)透所(suo)述(shu)(shu)壓電晶片(pian)；在所(suo)述(shu)(shu)二維陣列的(de)邊緣位置(zhi)設置(zhi)有(you)(you)電極隔(ge)離(li)槽(cao)。

此外，所(suo)述(shu)二維陣(zhen)(zhen)列(lie)的陣(zhen)(zhen)元(yuan)數(shu)目為625個，陣(zhen)(zhen)元(yuan)面積為1.3cm×1.3cm，陣(zhen)(zhen)元(yuan)之間的間隙為0.1mm。

此外，所述縱橫正交的二(er)維陣列的地(di)電(dian)(dian)極(ji)(ji)連接有(you)地(di)電(dian)(dian)極(ji)(ji)連接導線，各(ge)地(di)電(dian)(dian)極(ji)(ji)連接導線焊接在一起，形成(cheng)公(gong)共電(dian)(dian)極(ji)(ji)引線；

所(suo)述壓電晶(jing)片的(de)信(xin)號電極連(lian)接有信(xin)號電極引線，所(suo)述信(xin)號電極引線通過FPC板(ban)逐(zhu)層與PCB板(ban)的(de)信(xin)號引線焊(han)接點焊(han)接在一起，形(xing)成(cheng)信(xin)號傳輸通路。

本發明實(shi)施例提供的(de)(de)一(yi)(yi)種二(er)維(wei)陣(zhen)列(lie)(lie)換(huan)能(neng)器(qi)(qi)的(de)(de)制造(zao)(zao)方法及二(er)維(wei)陣(zhen)列(lie)(lie)換(huan)能(neng)器(qi)(qi)，由于第一(yi)(yi)匹配(pei)層、第二(er)匹配(pei)層、背襯及聲(sheng)透鏡均采(cai)用3D打印技術成型，使得整個二(er)維(wei)陣(zhen)列(lie)(lie)換(huan)能(neng)器(qi)(qi)制造(zao)(zao)簡單且快(kuai)捷，可以解(jie)決當前二(er)維(wei)陣(zhen)列(lie)(lie)換(huan)能(neng)器(qi)(qi)面臨的(de)(de)陣(zhen)元(yuan)(yuan)切割技術和陣(zhen)元(yuan)(yuan)之間的(de)(de)電子(zi)連(lian)接(jie)技術問題(ti)。

附圖說明

為(wei)了更清楚地(di)說明(ming)(ming)本(ben)發明(ming)(ming)實施(shi)例或(huo)現(xian)有(you)(you)技術(shu)(shu)中的(de)技術(shu)(shu)方(fang)案(an)，下面將對實施(shi)例或(huo)現(xian)有(you)(you)技術(shu)(shu)描述中所需要(yao)使用的(de)附(fu)(fu)(fu)圖(tu)作簡單地(di)介紹，顯而易(yi)見地(di)，下面描述中的(de)附(fu)(fu)(fu)圖(tu)僅僅是(shi)本(ben)發明(ming)(ming)的(de)一(yi)些實施(shi)例，對于本(ben)領域普通技術(shu)(shu)人(ren)員來講，在不付出創造性勞動性的(de)前提(ti)下，還可以根據這些附(fu)(fu)(fu)圖(tu)獲(huo)得其他的(de)附(fu)(fu)(fu)圖(tu)。

圖1為本(ben)發(fa)明實施(shi)例提供一種二維陣列換能器的(de)制造方法的(de)流程(cheng)示意圖；

圖(tu)2為本發明實施例提供一種二(er)維(wei)陣列換能器的結構示意(yi)圖(tu)一；

圖(tu)3為(wei)本(ben)發明實(shi)施例提供一種(zhong)二維陣(zhen)列換能(neng)器的結構示意圖(tu)二；

圖(tu)4為本發明實施例中(zhong)的二維陣列及切(qie)割(ge)槽示意圖(tu)。

具體實施方式

下面將(jiang)結合本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)中的(de)附圖(tu)，對本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)中的(de)技術方案進(jin)行清楚、完整地描述，顯(xian)然，所(suo)描述的(de)實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)僅僅是本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)一部分實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)，而不是全部的(de)實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)。基于本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)中的(de)實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)，本(ben)(ben)領域普(pu)通(tong)技術人(ren)員在沒有做出創造性勞動前提下所(suo)獲得的(de)所(suo)有其(qi)他實(shi)(shi)施例(li)(li)(li)，都屬于本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)保護的(de)范圍(wei)。

如(ru)圖1所(suo)示，本發明實施例提(ti)供一種二維陣(zhen)列換能器的制造方(fang)法，包括：

步驟101、通過3D打印技術打印第(di)一匹配(pei)層和第(di)二(er)匹配(pei)層。

步驟102、將(jiang)所述第(di)(di)(di)一匹配層(ceng)粘接到壓電(dian)晶片的地電(dian)極(ji)面上，并將(jiang)第(di)(di)(di)二(er)匹配層(ceng)粘接到第(di)(di)(di)一匹配層(ceng)，使得(de)壓電(dian)晶片、第(di)(di)(di)一匹配層(ceng)和第(di)(di)(di)二(er)匹配層(ceng)形(xing)成一第(di)(di)(di)一整體部件。

步驟103、將(jiang)所述第(di)一整體部件從側面(mian)切割成縱橫正交(jiao)的(de)二維陣列。

此處，該步驟103可以采用如下方(fang)式：將(jiang)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一整體部件從側面切(qie)(qie)割(ge)(ge)成具有橫向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)槽(cao)和縱(zong)向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)槽(cao)的二維陣列(lie)，使(shi)得所(suo)述(shu)(shu)(shu)二維陣列(lie)形(xing)成多(duo)個(ge)陣元；所(suo)述(shu)(shu)(shu)橫向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)槽(cao)從所(suo)述(shu)(shu)(shu)壓(ya)電晶片切(qie)(qie)透(tou)至所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二匹配(pei)層(ceng)；所(suo)述(shu)(shu)(shu)縱(zong)向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)槽(cao)從所(suo)述(shu)(shu)(shu)壓(ya)電晶片切(qie)(qie)割(ge)(ge)，且未切(qie)(qie)透(tou)所(suo)述(shu)(shu)(shu)壓(ya)電晶片。

此處，所述二維陣(zhen)列的陣(zhen)元數目可以為(wei)25×25＝625個，陣(zhen)元面積為(wei)1.3cm×1.3cm，陣(zhen)元之間的間隙為(wei)0.1mm。

步驟104、將所述縱橫正交(jiao)的二維(wei)陣列在成(cheng)型模(mo)具上成(cheng)型為(wei)平面。

步驟(zou)105、根據成型為平(ping)面的縱橫正交的二(er)維陣列，生(sheng)成公共電極引線和信號(hao)傳輸通路，形成第二(er)整體部件。

此(ci)處，該步(bu)驟105可(ke)以通過如下方(fang)式實(shi)現(xian)：將成(cheng)型為平(ping)面的(de)縱橫正交(jiao)的(de)二維(wei)陣列的(de)地電極連接(jie)(jie)導線(xian)焊接(jie)(jie)在一(yi)起，形(xing)成(cheng)公共(gong)電極引(yin)(yin)線(xian)；用FPC板(柔性(xing)電路板，Flexible Printed Circuit)逐層將所述壓電晶片(pian)的(de)信號(hao)電極引(yin)(yin)線(xian)與PCB板(印制(zhi)電路板，Printed Circuit Board)的(de)信號(hao)引(yin)(yin)線(xian)焊接(jie)(jie)點(dian)焊接(jie)(jie)在一(yi)起，形(xing)成(cheng)信號(hao)傳(chuan)輸通路。

步驟106、通過(guo)3D打印技(ji)術，采用一背(bei)襯灌注模具將所述(shu)第二整體部件外部打印成背(bei)襯。

步驟(zou)107、通過3D打印技術，采用(yong)一聲(sheng)透鏡(jing)灌注模具，在背(bei)襯(chen)固化成型后的部(bu)件外側打印聲(sheng)透鏡(jing)。

本發(fa)明實施例提供的(de)一(yi)種(zhong)二維(wei)陣列(lie)換能器(qi)的(de)制造方(fang)法，由(you)于第(di)一(yi)匹配層、第(di)二匹配層、背(bei)襯及聲透鏡均采用3D打印技(ji)(ji)術(shu)成型，使(shi)得整個二維(wei)陣列(lie)換能器(qi)制造簡(jian)單且(qie)快捷，可以解決當前二維(wei)陣列(lie)換能器(qi)面臨的(de)陣元切(qie)割技(ji)(ji)術(shu)和陣元之(zhi)間的(de)電子連接技(ji)(ji)術(shu)問題(ti)。

對應于上(shang)述的(de)方法實施(shi)例，如圖2和圖3所(suo)示，本發(fa)明(ming)實施(shi)例提供一(yi)(yi)種二(er)維陣(zhen)列換能器(qi)20，包括：壓電(dian)晶片(pian)201、采(cai)用(yong)3D打印獲(huo)得的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層202和第(di)(di)(di)二(er)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層203；所(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層202粘接在(zai)壓電(dian)晶片(pian)201的(de)地電(dian)極面上(shang)，所(suo)述第(di)(di)(di)二(er)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層203粘接在(zai)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層202；所(suo)述壓電(dian)晶片(pian)201、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層202和第(di)(di)(di)二(er)匹(pi)(pi)配(pei)(pei)(pei)(pei)層203形成一(yi)(yi)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)整(zheng)體部件(jian)。

所述第一整體部件上分布有縱橫正交的(de)二維(wei)陣(zhen)列204。

所述縱橫正交(jiao)的(de)二維陣列204上(shang)連接(jie)有公共電極引(yin)(yin)線(xian)205和(he)信號傳輸(shu)通(tong)路206。連接(jie)有公共電極引(yin)(yin)線(xian)和(he)信號傳輸(shu)通(tong)路的(de)縱橫正交(jiao)的(de)二維陣列構成一第二整體(ti)部件(jian)。

所述(shu)第(di)二整體部件外部通(tong)過3D打(da)印技(ji)術打(da)印有背襯207。

在所述背(bei)襯(chen)207外(wai)側(ce)通過(guo)3D打(da)印(yin)技術打(da)印(yin)有聲透鏡208。

具體的(de)，如圖(tu)4所(suo)(suo)示，所(suo)(suo)述(shu)(shu)縱(zong)橫(heng)正交的(de)二(er)維陣(zhen)列204上(shang)具有(you)多個橫(heng)向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)209和縱(zong)向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)210，使得所(suo)(suo)述(shu)(shu)二(er)維陣(zhen)列204上(shang)形成(cheng)有(you)多個陣(zhen)元211；所(suo)(suo)述(shu)(shu)橫(heng)向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)209從(cong)(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)壓(ya)電(dian)晶片(pian)201切(qie)(qie)透(tou)至所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)匹配層(ceng)203；所(suo)(suo)述(shu)(shu)縱(zong)向(xiang)切(qie)(qie)割(ge)槽(cao)210從(cong)(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)壓(ya)電(dian)晶片(pian)201切(qie)(qie)割(ge)，且未切(qie)(qie)透(tou)所(suo)(suo)述(shu)(shu)壓(ya)電(dian)晶片(pian)201；在所(suo)(suo)述(shu)(shu)二(er)維陣(zhen)列204的(de)邊緣位置設置有(you)電(dian)極隔離(li)槽(cao)212。

此處，所述二維陣(zhen)列的陣(zhen)元數目可(ke)以為25×25＝625個，陣(zhen)元面積可(ke)以為1.3cm×1.3cm，陣(zhen)元之間(jian)的間(jian)隙可(ke)以為0.1mm。

此外，如圖2所(suo)示，所(suo)述縱橫正交的二維陣列204的地電極(ji)連(lian)接有地電極(ji)連(lian)接導線213，各地電極(ji)連(lian)接導線213焊接在一起，形成公共電極(ji)引線205。

此外，如圖(tu)2和圖(tu)3所(suo)示(shi)，所(suo)述壓電(dian)(dian)晶片201的信號電(dian)(dian)極連接有信號電(dian)(dian)極引線(xian)214，所(suo)述信號電(dian)(dian)極引線(xian)214通過FPC板215逐層與(yu)PCB板216的信號引線(xian)焊接點(dian)217焊接在(zai)一起(qi)，形成信號傳輸通路206。

本發明(ming)實施例提供的(de)(de)(de)一(yi)種(zhong)二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)列(lie)換(huan)(huan)能器的(de)(de)(de)制造方法及二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)列(lie)換(huan)(huan)能器，由于第一(yi)匹配層、第二(er)(er)匹配層、背襯及聲透(tou)鏡均采用3D打印技術(shu)(shu)成型，使得整個二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)列(lie)換(huan)(huan)能器制造簡單且快捷(jie)，可以解決當(dang)前二(er)(er)維(wei)陣(zhen)(zhen)列(lie)換(huan)(huan)能器面(mian)臨的(de)(de)(de)陣(zhen)(zhen)元切(qie)割技術(shu)(shu)和陣(zhen)(zhen)元之(zhi)間的(de)(de)(de)電子連接(jie)技術(shu)(shu)問題。

本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)中應用了(le)具體實(shi)(shi)施例對(dui)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)原理及(ji)實(shi)(shi)施方式進行(xing)了(le)闡述，以上(shang)實(shi)(shi)施例的(de)說明(ming)(ming)只是(shi)用于幫助(zhu)理解本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)方法及(ji)其核心思(si)想；同時，對(dui)于本(ben)(ben)領域的(de)一般(ban)技術人員，依據本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)思(si)想，在具體實(shi)(shi)施方式及(ji)應用范圍上(shang)均會有改變(bian)之處，綜上(shang)所述，本(ben)(ben)說明(ming)(ming)書內容不應理解為對(dui)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)限(xian)制。