技術編號：9762537
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 FZ法作為培養娃等單晶的方法之一而為人所知。在FZ法中，將多晶的原料棒的一 部分加熱而制作烙融區域，將分別位于烙融區域的上方及下方的原料棒及單晶慢慢拉下， 由此，使單晶逐漸生長。FZ法中因為不使用支撐烙融液的相蝸，所W單晶的品質不受相蝸的 影響，可W培養比CZ法更高品質的單晶。 氣體滲雜法作為控制FZ法中的單晶的電阻率下簡稱為電阻率）的方法而為人 所知（參照專利文獻1~3)。氣體滲雜法是通過向烙融區域供給包含滲雜劑的氣體(滲雜氣 體)來培養具有所希望的電...
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