技術編號：9632570
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 隨著集成電路技術的不斷發展，在進入深亞微米特征尺寸后，由半導體器件后道 互連帶來的RC延遲已成為影響器件性能的重要因素之一，其限制了集成電路頻率性能的 提高。為突破運一限制，不斷有新的互連材料被應用到半導體后道工藝中，例如低電阻率的 銅金屬和低介電常數介質的結合就可W有效改善互連線的性能。關于銅互連技術的研究及 開發迄今已有幾十年，為逐步降低電容C，不斷有新的低介電常數介質材料進入應用領域， 由此需要對各種不同的介質材料進行針對性的工藝優化及新工藝開發。...
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