技術編號：9617273
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。通常，在半導體器件的制造工序中，使用對晶片等襯底進行成膜處理等工藝處理的襯底處理裝置。作為襯底處理裝置，隨著襯底的大型化、工藝處理的高精度化等，每次處理一片襯底的單片式裝置逐漸普及。在單片式裝置中，為了提高氣體的使用效率，是例如從襯底處理面的上方供給氣體，從襯底的側方將氣體排氣的結構。設置有用于在從側方排氣時使排氣均勻的緩沖室。在上述的排氣緩沖室被供給殘留氣體等，存在由于該殘留氣體而在緩沖室的壁附著膜的隱患。這樣的膜在處理室中逆向生長，可能會對襯底的膜特性...
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