技術編號：9201891
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在近室溫環境下，短波紅外銦鎵砷探測器就擁有良好的性能，這使得其在民用、軍事和航空航天領域有著廣泛的應用價值。在銦鎵砷短波紅外探測器芯片的制備工藝中，P+n結的制備是最關鍵的工藝之一。因為成結工藝能給芯片帶入比較大的損傷，所以，對短波紅外銦鎵砷探測器來說，優化成結方法對實現高性能、高可靠性等方面有著至關重要的作用。銦鎵砷探測器芯片的剖面結構如附圖3所示，它由InP襯底1、InP緩沖層2、InGaAs吸收層3、InP帽層4、光敏區5、氮化硅鈍化層6、P電極7和...
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