技術編號：8547894
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 本發明設及一種用于測量多層半導體層的層的厚度變化的方法，W及一種能夠應 用所述方法的系統。背景技術 在電子器件領域，經常使用多層半導體結構。 該結構的具體示例是絕緣體上半導體（SeOI)型結構。 SeOI型結構從其底部到其表面通常包括支撐襯底、電絕緣層和薄半導體層（所謂 的有源層），通常期望在該薄半導體層中或上形成電子元件。 當所述薄半導體層為娃時，所述結構被指定為術語S0I，即"絕緣體上娃"的縮寫。 所述電絕緣層為介電材料，特別是所述支撐襯底和/或薄半...
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