技術編號：8200931
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及晶體生長，尤其是涉及大口徑磷酸二氫鉀(KH2P04，簡稱KDP)單晶的快 速生長方法。背景技術KDP晶體是一種綜合性能比較優良的非線性光學材料，被廣泛地應用于激光變頻、 電光調制和光快速開關等高科技領域，是人工激光變頻系統的首選材料。傳統KDP晶體生 長方法只能沿Z軸方向一維生長，晶體利用率低，生長周期長。即使在非常純凈的溶液(原 料中Fe3+、Cr3+等三階金屬離子的含量控制在百萬分之幾)中要實現KDP晶體三維點狀生長 (快速生長)，只能提高生長溶液的過飽和度來實現。但在高過飽和度下實現點狀生長...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。