技術編號：8119363
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及P型Zn0納米線的制備技術，砷摻雜制備p型Zn0納米線的方 法，屬于半導體材料領域，特別涉及一種采用化學氣相沉積方法利用砷的化合 物做為摻雜源，進行P型ZnO納米線的制備方法。 背景技術ZnO是繼GaN之后又一新型的寬帶隙半導體材料，具有較GaN材料更高的 激子束縛能，可以在室溫甚至于更高溫度下實現高效的與激子相關的發射。 與體材料或薄膜材料相比，ZnO納米線由于其在維度上受限，使激子束縛能 進一步增加，使其具有更高效的激子發射性能。為了實現其光電器件的應用， p型ZnO納米線的摻雜成為目前最重要...
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