技術編號：8019415
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發明涉及一種半導體基片及其制造方法，特別涉及一種具有低氧濃度層的單晶硅(Si)基片以及該基片的制造方法。在近年來，使用單晶硅基片進行半導體集成電路(IC)的集成和小型化不斷地發展。在這種情況下，對精確地控制摻雜區(如，阱區和源/漏區)的濃度和截面分布的要求越來越強烈。另一方面，該摻雜區通常是通過離子注入工藝形成的。為了精確控制摻雜區的濃度和截面分布，這就要求通過離子注入工藝導入硅基片的摻雜原子不會在后續的制造集成電路的工藝中引起所不期望的擴散。通常，通過離子注入工藝導入的摻雜原子為非電活性的。因此，為了使...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。