技術編號：7253594
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明揭示一種設備，其包含襯底，其具有平面頂部表面；晶體半導體層序列，其位于所述平面表面上；以及第一及第二組電極，其位于所述序列上方。所述晶體半導體層序列在其中具有2D量子阱。所述第一組電極界接所述序列的橫向區域的相對側且為可控制的，以使所述量子阱的非耗盡部分的寬度沿著所述頂部表面變化。所述第二組電極界接所述序列的所述橫向區域與第一及第二鄰近橫向區之間的第一及第二溝道且為可控制的，以使所述量子阱的非耗盡分段的寬度在所述溝道中變化。所述電極經定位成使得經由所...
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