技術編號：6996101
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及包含在電容絕緣膜中使用由金屬氧化物構成的強電介質或高電介質的電容元件的。但是，在一個半導體襯底(晶片)上形成電容元件時，必須經過多個制造步驟，通常在多個制造裝置間輸送的輸送期間或輸送前的期間或輸送后的待機期間中，制造中的半導體襯底儲存在由可塑性樹脂材料(塑料)構成的儲存容器中。本發明人在所述以往的包含由強電介質膜或高電介質膜構成的電容元件的中，發現了以下的問題點。即設置在半導體襯底上的電容元件和布線層之間的層間絕緣膜在從一個步驟向接著該步驟的其他...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。