技術編號：6946842
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及具有由非晶氧化物形成的溝道層并具有適用于顯示器件等的晶體管 特性的場效應晶體管。背景技術場效應晶體管(在下文中有時稱為“FET”)具有柵電極、源電極、以及漏電極。另外，場效應晶體管是有源器件，其中，通過把電壓施加到柵電極來控制在溝道層中流動的電 流、即在源電極和漏電極之間流動的電流。具體地，使用在陶瓷、玻璃、或者塑料的絕緣基底 上形成的薄膜作為溝道層的FET被稱為薄膜晶體管(在下文中有時稱為“TFT” )。通過使用形成薄膜的技術，可以把TFT有益...
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