技術編號：6939956
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及一種集成電路上的金屬薄膜電阻，本發明還涉及一種集成電路上的金 屬薄膜電阻的制作方法。背景技術金屬薄膜電阻材料如鉻硅、鎳鉻通過直流濺射或射頻濺射淀積到介質層上，通過 光刻和刻蝕形成金屬薄膜電阻。金屬薄膜電阻具有較高的方塊電阻和非常好的電阻溫度系 數經常應用于一些特殊的集成電路中。現有金屬薄膜電阻制作工藝中，先在介質層上濺射 淀積一層金屬薄膜電阻材料，然后通過光刻和刻蝕形成電阻圖形，以鉻硅(SiCr)作為金屬 薄膜電阻材料為例，如圖1所示。淀積一層鋁...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。