技術編號：6901894
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及用于基板處理室的多端口抽氣系統。 背景技術現代半導體器件制造中的主要步驟之一是在基板或晶片上形成諸如氧化 硅層的層。如眾所周知的，可以通過化學氣相沉積(CVD)來沉積這種層。在 常規熱CVD處理中，將反應氣體供應到基板表面，在此處發生形成所需薄膜 的熱致化學反應。在常規等離子體CVD處理中，使用用于分解和/或活化反應 氣體中的反應種類的例如射頻(RF)能量或微波能量來形成受控等離子體， 以便產生所需薄膜。在這種CVD處理期間，還發生在諸如處理室側...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。