技術編號：6866204
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明通常涉及化學氣相沉積法，更具體而言，涉及非晶態硅和形成薄膜的化學氣相沉積法。等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法，是一種廣泛用于在各種基質上沉積電子材料層的半導體器件的制造方法。在PECVD方法中，基質被放置在一個真空沉積室里，在該室里配備有一對平行板極或其它的偶合電能裝置，例如旋線圈。這基質通常被安裝在還作為下部電極的感受器上。反應氣體流通過氣體進口歧管引入沉積室，該氣體進口歧管還用作上部電極。射頻(RF)電壓施加在上述兩個電極之間，此電壓產...
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