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使用六甲基乙硅氮烷的液體源薄膜的形成的制作方法技術資料下載

技術編號:6816892

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本發明的背景1、本發明的領域本發明涉及一種用液體原形成薄膜的方法,較具體地涉及制作具有適當薄度(thinness)和適用于集成電路的品質的金屬氧化物薄膜。2、存在問題的說明已經知道,如發布于1995年10月10日的美國專利No.5,456,945所說明的液體源霧化淀積處理和發布于1995年6月13日的美國專利No.5,423,285所說明的旋鍍(spin on)處理等液體淀積處理在制作集成電路品質的薄膜中是有用的。還知道霧化淀積處理于集成電路的常規制造具有...
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