技術編號：6131186
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體薄膜材料透過率測試技術，具體是指一種半導體薄膜材 料紫外透過率均勻性測試系統，它用于對半導體薄膜材料透過率均勻性的檢測 和評價。 背景技術GaN基半導體光子探測器代替真空管進行紫外探測，有其重大的應用背 景。同時AlxGa^N作為GaN基的三元化合物，也是一種優異的寬禁帶半導體 材料，具有直接帶隙、截止波長可調，使之成為制備高性能半導體紫外探測器 的優選材料。然而，材料質量是制約GaN基光電器件進一步提高的瓶頸，由 于缺少和AlxGai.x...
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