技術編號：39426976
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于半導體激光器領域，具體涉及一種單模激射微腔激光器及其制備方法。背景技術、信息時代大數據、物聯網和云計算快速發展，對數據的處理和傳輸速度提出了更高的要求。光通信具有高帶寬、低能耗以及高信噪比等優勢，是后摩爾時代解決電子通信能耗和互連瓶頸的理想選擇。半導體微腔激光器作為光通信芯片上的光源器件，是光通信芯片的核心器件。特別地，硅基iii-v微腔激光器兼具易與cmos大規模集成的突出優勢，得到了學術界和產業界極高的關注。然而，受限于衍射極限、異質集成光損耗等，硅基iii-v微腔激光器在激射波...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。