技術編號：39426805
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及集成電路領域，尤其涉及一種半導體結構及其制備方法。背景技術、淺溝槽隔離(shallow?trench?isolation；sti)有助于避免鄰近半導體元件之間的漏電流。在淺溝槽隔離中，一或多個溝槽是蝕刻至基材的表面，接著以介電材料作為溝槽隔離層填充，溝槽用來隔離多個半導體元件，溝槽隔離層有助于降低多個半導體元件之間的漏電流。、但是，現有的溝槽隔離層存在漏電的情況，并不能夠滿足需求。技術實現思路、本公開實施例所要解決的技術問題是，提供一種半導體結構及其制備方法，其能夠降低溝槽隔離層...
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