技術編號:39426787
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體工藝,尤其涉及一種soi襯底的制備方法及制備得到的soi襯底。背景技術、soi全稱為silicon-on-insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術通過在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層,可使上下兩層硅層之間實現介質隔離,將寄生電容降低一倍。因此采用soi襯底制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢。同時在工藝上還可以省略部分光掩模以節省成本,因此不論在工藝上或是電路上都有其優勢。因此soi襯底將成為深亞微...
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