技術編號：39333278
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明屬于納米光電器件制備，涉及一種納米錐結構氮化鎵基光電極制備方法。背景技術、氮化鎵作為下一代光催化材料，具有良好的物理和化學穩定性，這導致氮化鎵基材料和典型藍寶石襯底對苛刻電解質的惰性，而引起了人們的廣泛關注。最近，大量的研究集中在如何解決氮化鎵光電極的強光學反射和載流子壽命的組織問題，以實現高效的光催化。氮化鎵納米錐表面納米結構有利于增加氮化鎵表面的表面體積比，導致水分解中的活性表面積增加。目前在低成本制備大面積氮化鎵納米錐結構陣列方面還沒有一個很好的方法。技術實現思路、本發明的目的是...
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