技術編號：2947645
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體器件的形成。更具體地，本發明涉及三維閃存結構半導體器件的形成。背景技術在半導體晶片工藝中有時需要高深寬比的通孔。例如，在三維閃存存儲器件中，在多個雙層堆疊中形成通孔。該器件的一個實例為東芝BiCS (Bit Cost Scalable)。發明內容為了實現上述需求并且依照本發明的目的，提供一種在等離子體處理腔室中在晶片上形成堆疊的多個硅基雙層上蝕刻特征的方法。使主蝕刻氣體流入該等離子體處理腔室中。使該主蝕刻氣體形成等離子體，同時提供第一壓強。...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。