技術編號：2814912
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明關于一種光刻工藝(Photolithography Process)，且特別是關于一種預測曝光能量(Exposure Energy)的方法。背景技術 隨著集成電路的集成程度的提高，整個集成電路的元件尺寸也必須隨之縮小。而在半導體工藝中最舉足輕重的可說是光刻工藝，凡是與金屬氧化物半導體(Metal-Oxide-Semiconductor；MOS)元件結構相關的，例如各層薄膜的圖案(Pattern)，及摻有雜質(Dopants)的區域，都是由光刻這個步驟...
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