技術編號：2779432
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及測量由透鏡的象差引起的畸變的方法，更詳細地說，涉及用來測量由用于縮影投影曝光的投影光學系統的透鏡的象差引起的象點的位置移動和畸變的方法和裝置。在用以制造半導體元件、液晶顯示元件或薄膜磁頭的曝光(光刻技術)的工藝中，使用一種縮影投影曝光裝置，后者利用具有預定放大率的光網(reticle)作為掩模(光掩模)，通過投影光學系統投影一個縮小到原始尺寸的圖案，并且將它曝光。在這種縮影投影曝光裝置中，為了在基片的光致抗蝕劑上精確地形成光網的圖案圖象并且將它曝...
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