技術編號：11136402
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體和微電子機械系統器件制造技術領域，具體涉及一種刻蝕半導體基片的方法及裝置。背景技術外延生長Si、SiGe、TiSi2和Si3N4薄膜沉積之前，需要對硅片表面的原位SiO2就行去除。在一些應用中，如Si外延生長，高溫烘烤是去除原位氧化硅的一種方法。然而，在許多情況下，需要低溫環境進行處理，因為高溫可能會破壞器件的結構。在這種情況下，一般是采用HF化學液濕法浸沒，但是這種HF溶液浸沒仍然有許多缺點，如去除SiO2后，硅片的表面為憎水性，HF溶液中的雜質容易在表面吸附，形成污染。微電子...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。