一種基于缺陷地的傳輸線補償結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于缺陷地的傳輸線補償結構，包括焊盤本體，傳輸線，阻抗補償結構，所述傳輸線連接所述焊盤本體，通過所述焊盤本體進行傳輸，所述傳輸線下具有第一介質層，所述阻抗補償結構包括在所述第一介質層下部增加的預定厚度的第二介質層，用于通過增加第二介質層的厚度以增加所述傳輸線補償結構的阻抗。本實用新型采用缺陷地方式來進行阻抗補償，將第二介質層增加預定厚度，來改善由于突變引起的阻抗減小，通過這種方式增加了傳輸線的有效參考厚度、有效介電常數，從而減小了插入損耗、改善了噪聲抖動、增大了帶寬、減小了噪聲。
【專利說明】
一種基于缺陷地的傳輸線補償結構
技術領域
[0001]本實用新型涉及電路傳輸線領域，特別涉及一種基于缺陷地的傳輸線補償結構。
【背景技術】
[0002]目高速互聯電路中為獲得最佳功率傳輸和最小損耗的平衡，一般會將傳輸線的特征阻抗設定到固定的一個值，如50 Ω，這使得系統中的傳輸線必須保持固定的走線尺寸，但系統中的各集成元器件封裝上的焊盤如BGA球形焊盤，QFN矩形焊盤、傳輸上上串并聯耦合元件；以及各種互聯器件:插座、SMA轉接頭、排陣，過孔、金手指等，使得傳輸線很難與這些器件電氣尺寸匹配，即使尺寸上能匹配，焊接過程中，錫焊層對導體厚度的厚度增加也必然導致阻抗不連續，產生阻抗突變，進而影響系統中的信號質量。
[0003]圖1是現有技術的一種傳輸線方案，由于傳輸線上走線經過各種焊盤，導致系統中器件焊盤、過孔或互連器件的橫向尺寸增大；圖2是現有技術的另一種傳輸線方案，由于對互連器件進行焊接、封裝、裝配等，導致系統的導體厚度增加;綜上，現有的方案均會具有如下缺陷:插入損耗增大、抖動劣化、帶寬減小、系統噪聲增大。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型在于克服現有技術的上述不足，提供一種能夠減小插入損耗、改善噪聲抖動、增大帶寬、減小噪聲的基于缺陷地的傳輸線補償結構。
[0005]為了實現上述實用新型目的，本實用新型采用的技術方案是:
[0006]—種基于缺陷地的傳輸線補償結構，包括焊盤本體，傳輸線，阻抗補償結構，所述傳輸線連接所述焊盤本體，通過所述焊盤本體進行傳輸，所述傳輸線下具有第一介質層，所述阻抗補償結構包括在所述第一介質層下部增加的預定厚度的第二介質層，用于通過增加第二介質層的厚度以增加所述傳輸線補償結構的阻抗。
[0007]在本實用新型一個具體實施例方式中，所述第一介質層的介電常數大于所述第二介質層的介電常數。
[0008]在本實用新型一個具體實施例方式中，所述傳輸線為微帶線、平面耦合微帶線、帶狀線、耦合帶狀線中的一種。
[0009]在本實用新型一個具體實施例方式中，還包括回流過孔，所述回流過孔設置于所述阻抗補償結構的前端或/和后端，用于減少所述第二介質層引起的寄生電容效應。
[0010]與現有技術相比，本實用新型的有益效果
[0011 ]本實用新型采用缺陷地方式來進行阻抗補償，將第二介質層增加預定厚度，來改善由于突變引起的阻抗減小，通過這種方式增加了傳輸線的有效參考厚度、有效介電常數，從而減小了插入損耗、改善了噪聲抖動、增大了帶寬、減小了噪聲。
【附圖說明】
[0012]圖1所示是現有技術一個方案中的傳輸線突變缺陷示意圖。
[0013]圖2所示是現有技術另一個方案中的傳輸線突變缺陷示意圖。
[0014]圖3所示是本實用新型的基于缺陷地的傳輸線補償結構示意圖。
[0015]圖4所示是本實用新型的阻抗補償結構原理圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結合【具體實施方式】對本實用新型作進一步的詳細描述。但不應將此理解為本實用新型上述主題的范圍僅限于以下的實施例，凡基于本【實用新型內容】所實現的技術均屬于本實用新型的范圍。
[0017]實施例1:
[0018]圖3、圖4示出了本實用新型的基于缺陷地的傳輸線補償結構示意圖，包括焊盤本體I，傳輸線2，阻抗補償結構3，所述傳輸線2連接所述焊盤本體I，通過所述焊盤本體I進行傳輸，所述傳輸線2下具有第一介質層4，所述阻抗補償結構3包括在所述第一介質層4下部增加的預定厚度的第二介質層31，用于通過增加第二介質層31的厚度以增加所述傳輸線補償結構的阻抗。
[0019]通過對現有技術方案的分析，傳輸線突變一般是寬度上的突變或厚度上的突變，當突變發生時，線電流密度減小，磁能減小并導致電勢能增加，這使得傳輸線上的寄生電容增加呈容性，由特征阻抗的定義可知，上述突變將造成特征阻抗的減小，因此，本實用新型通過缺陷地的方式來增加傳輸線的有效參考厚度、填充有效介電常數的介質。
[0020]具體的，在一個實施例中，補償前的傳輸線模型的介電常數為Erl，參考厚度為hi，采用本實用新型的方案，原有介質層下面增加介電常數為Er2，參考厚度為h2的第二介質層，因此，補償后的有效介電常數變為Ere=(Erl*Er2)~l/2，有效參考厚度變為he=hl+h2。
[0021]具體的厚度設計與介質層的設計根據傳輸線模型而確定，或者也可以借助全三維電磁場仿真工具來進行建模分析及掃描獲得最佳修改尺寸，這屬于現有技術，在此不再贅述。
[0022]本實用新型采用缺陷地方式來進行阻抗補償，將第二介質層增加預定厚度，來改善由于突變引起的阻抗減小，通過這種方式增加了傳輸線的有效參考厚度、有效介電常數，從而減小了插入損耗、改善了噪聲抖動、增大了帶寬、減小了噪聲。
[0023]在本實用新型一個具體實施例方式中，所述第一介質層的介電常數大于所述第二介質層的介電常數。
[0024]在本實用新型一個具體實施例方式中，所述傳輸線為微帶線、平面耦合微帶線、帶狀線、耦合帶狀線中的一種。
[0025]由于傳輸線的不同，其模型也就不同，在實際應用于中需要根據具體的傳輸線針對性的設計補償中第二介質層的介電常數、厚度。
[0026]在本實用新型一個具體實施例方式中，還包括回流過孔，所述回流過孔設置于所述阻抗補償結構的前端或/和后端，用于減少所述第二介質層引起的寄生電容效應。
[0027]上面結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進行了詳細說明，但本實用新型并不限制于上述實施方式，在不脫離本申請的權利要求的精神和范圍情況下，本領域的技術人員可以作出各種修改或改型。
【主權項】
1.一種基于缺陷地的傳輸線補償結構，其特征在于，包括焊盤本體，傳輸線，阻抗補償結構，所述傳輸線連接所述焊盤本體，通過所述焊盤本體進行傳輸，所述傳輸線下具有第一介質層，所述阻抗補償結構包括在所述第一介質層下部增加的預定厚度的第二介質層，用于通過增加第二介質層的厚度以增加所述傳輸線補償結構的阻抗。2.根據權利要求1所述的基于缺陷地的傳輸線補償結構，其特征在于，所述第一介質層的介電常數大于所述第二介質層的介電常數。3.根據權利要求1所述的基于缺陷地的傳輸線補償結構，其特征在于，所述傳輸線為微帶線、平面耦合微帶線、帶狀線、耦合帶狀線中的一種。4.根據權利要求1-3任一項所述的基于缺陷地的傳輸線補償結構，其特征在于，還包括回流過孔，所述回流過孔設置于所述阻抗補償結構的前端或/和后端，用于減少所述第二介質層引起的寄生電容效應。
【文檔編號】H05K1/11GK205681691SQ201620610765
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月21日 公開號201620610765.1, CN 201620610765, CN 205681691 U, CN 205681691U, CN-U-205681691, CN201620610765, CN201620610765.1, CN205681691 U, CN205681691U
【發明人】江桓, 彭奇, 田永猛
【申請人】索爾思光電（成都）有限公司