一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，包括第一電阻、第二電阻以及控制開關，通過合理設置第一電阻、第二電阻以及控制開關之間的連接關系以及選用合理阻值的第一電阻和第二電阻，進而使得通過控制控制開關的開通或者關斷以及第一電阻和第二電阻的分壓有效的控制了負壓輸出的電源芯片的開啟和關斷。
【專利說明】
一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路
技術領域
[0001]本實用新型涉及芯片的開關控制技術領域，特別是涉及一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路。
【背景技術】
[0002]大多數負壓輸出的電源芯片的連接方式如圖1所示，其工作原理為:當使能控制信號對地電壓高于電源芯片的打開門限電壓時，電源芯片開始工作；當使能控制信號對地電壓低于電源芯片的關斷門限電壓時，電源芯片關斷。但是由于負壓輸出的電源芯片的輸出為負壓，即地上的電壓為負而非正常所認為的OV，因此，即使使能腳上的電壓為OV，其相對于輸出端來說也是高電壓，若該壓差大于使能腳的打開門限電壓，也即使能關斷門限電壓-輸出電壓〉打開門限電壓，則芯片會處于一直開啟的狀態，無法關斷。
[0003]因此，如果能夠提供一種能夠有效控制負壓輸出的電源芯片的開啟和關斷是本領域技術人員目前需要解決的問題。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，有效控制了負壓輸出的電源芯片的開啟和關斷。
[0005]為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，包括第一電阻、第二電阻以及控制開關，其中:
[0006]所述第一電阻的I端口與所述電源芯片的輸入端連接，所述第一電阻的2端口分別與所述電源芯片的使能端以及所述控制開關的輸入端連接，所述控制開關的輸出端通過所述第二電阻與所述電源芯片的接地端連接，所述控制開關的使能端與使能控制信號輸入端連接，其中，在所述控制開關斷開時，所述第一電阻的阻值滿足使得所述電源芯片的使能端的電壓大于所述電源芯片的打開門限電壓;在所述控制開關關斷時，所述第一電阻與所述第二電阻的比值滿足使得所述電源芯片的使能端的電壓小于所述電源芯片的關斷門限電壓。
[0007]優選地，所述控制開關具體包括第一 NM0S、NPN型三極管、第三電阻以及第四電阻，所述第一NMOS為增強型N溝道MOSFET，其中:
[0008]所述第一匪OS的漏極作為所述控制開關的輸入端，所述第一NMOS的源極作為所述控制開關的輸出端，所述第一 NMOS的柵極分別與所述NPN型三極管的集電極以及通過所述第三電阻與所述電源芯片的輸入端連接，所述NPN型三極管的發射極接地，所述NPN型三極管的基極與所述第四電阻的I端口連接，所述第四電阻的2端口作為所述控制開關的使能端。
[0009]優選地，所述控制開關具體包括第二匪OS、非門、第五電阻以及第六電阻，所述第二NMOS為增強型N溝道MOSFET，其中:
[0010]所述第二匪OS的漏極作為所述控制開關的輸入端，所述第二NMOS的源極作為所述控制開關的輸出端，所述第二 NMOS的柵極分別與所述第六電阻的I端口以及通過所述第五電阻與所述電源芯片的輸入端連接，所述第六電阻的2端口與所述非門的輸出端連接，所述非門的輸入端作為所述控制開關的使能端。
[0011]優選地，所述控制開關具體包括PM0S、第七電阻以及第八電阻，所述PMOS為耗盡型P溝道MOSFET，其中:
[0012]所述PMOS的源極作為所述控制開關的輸入端，所述PMOS的漏極作為所述控制開關的輸出端，所述PMOS的柵極分別與所述第八電阻的I端口以及通過所述第七電阻與所述PMOS的漏極連接，所述第八電阻的2端口作為所述控制開關的使能端。
[0013]優選地，所述第一電阻和第二電阻均為滑動變阻器。
[0014]優選地，所述第一電阻和第二電阻均為可調電阻。
[0015]本實用新型提供了一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，包括第一電阻、第二電阻以及控制開關，在控制開關斷開時，第一電阻的阻值使得電源芯片的使能端的電壓大于電源芯片的打開門限電壓;在控制開關閉合時，第一電阻與第二電阻的比值使得電源芯片的使能端的電壓小于電源芯片的關斷門限電壓，可見，電源芯片的使能端是由電源芯片的輸入端與輸出端之間的分壓來控制的，當需要電源芯片工作時，使能控制信號控制控制開關斷開，利用輸入端的輸入電壓的分壓控制電源芯片開啟工作；當需要電源芯片斷開時，使能控制信號控制控制開關閉合，則電源芯片的使能端的信號會低于關斷門限電壓，從而控制電源芯片的關斷，本實用新型有效控制了負壓輸出的電源芯片的開啟和關斷。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對現有技術和實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為現有技術中的負壓輸出的電源芯片的連接結構示意圖；
[0018]圖2為本實用新型提供的一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖；
[0019]圖3為電源芯片工作時，圖2的等效圖；
[0020]圖4為電源芯片關斷時，圖2的等效圖；
[0021]圖5為本實用新型提供的一種具體的負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖；
[0022]圖6為本實用新型提供的另一種具體的負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖；
[0023]圖7為本實用新型提供的另一種具體的負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0024]本實用新型的核心是提供一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，有效控制了負壓輸出的電源芯片的開啟和關斷。
[0025]為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0026]請參照圖2，圖2為本實用新型提供的一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構不意圖，該開關控制電路包括:
[0027]第一電阻R1、第二電阻R2以及控制開關I，其中:
[0028]第一電阻Rl的I端口與電源芯片UI的輸入端連接，第一電阻Rl的2端口分別與電源芯片Ul的使能端以及控制開關I的輸入端連接，控制開關I的輸出端通過第二電阻R2與電源芯片Ul的接地端連接，控制開關I的使能端與使能控制信號輸入端連接，其中，在控制開關I斷開時，第一電阻Rl的阻值滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓大于電源芯片Ul的打開門限電壓;在控制開關I關斷時，第一電阻Rl與第二電阻R2的比值滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓小于電源芯片Ul的關斷門限電壓。
[0029]首先需要說明的是，這里的接地端是指電源芯片Ul的GND端，實際上它是作為電源芯片Ul的輸出端(輸出負壓)的。
[0030]作為優選地，第一電阻Rl和第二電阻R2均為滑動變阻器。
[0031]作為優選地，第一電阻Rl和第二電阻R2均為可調電阻。
[0032]當然，這里的第一電阻Rl和第二電阻R2還可以為其他類型的電阻，能夠滿足在控制開關I斷開時，第一電阻Rl的阻值滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓大于電源芯片Ul的打開門限電壓;在控制開關I閉合時，第一電阻Rl與第二電阻R2的比值滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓小于電源芯片Ul的關斷門限電壓即可。
[0033]可以理解的是，當需要電源芯片Ul工作時，則使能控制信號控制控制開關I斷開，此時的等效圖如圖3所示，圖3為電源芯片工作時，圖2的等效圖，因為要求在控制開關I斷開時，第一電阻Rl的阻值滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓大于電源芯片Ul的打開門限電壓，因此，此時電源芯片Ul將會開啟工作。
[0034]另外，這里的第一電阻Rl的阻值是可調的，如果剛開始第一電阻Rl的阻值不能滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓大于電源芯片Ul的打開門限電壓，則可對第一電阻Rl進行調節，直至其阻值能夠使得電源芯片Ul的使能端的電壓大于電源芯片Ul的打開門限電壓。此外，在實際應用中，如果需要調節第一電阻Rl和第二電阻R2，也可以直接更換。
[0035]當需要電源芯片Ul關斷時，則使能控制信號控制控制開關I閉合，此時的等效圖如圖4所示，圖4為電源芯片關斷時，圖2的等效圖，可以理解的是，使能端的電位由第一電阻Rl和第二電阻R2的比值決定，是由第一電阻Rl和第二電阻R2共同控制的，可以對第一電阻Rl和第二電阻R2進行適當調節，從而使得電源芯片Ul的使能端的電壓小于電源芯片Ul的關斷門限電壓，因此，此時的電源芯片Ul將會關斷。
[0036]另外，這里的第一電阻Rl和第二電阻R2的阻值是可調的，如果剛開始第一電阻Rl和第二電阻R2的比值不能滿足使得電源芯片Ul的使能端的電壓小于電源芯片Ul的關斷門限電壓，則可對第一電阻Rl和/或第二電阻R2進行調節，直至其比值能夠使得電源芯片Ul的使能端的電壓小于電源芯片Ul的關斷門限電壓。
[0037]作為優選地，控制開關I具體包括第一 NMOS 11、即~型三極管12、第三電阻1?3以及第四電阻R4，第一NMOS 11為增強型N溝道MOSFET，其中:
[0038]第一NMOS 11的漏極作為控制開關I的輸入端，第一 NMOS 11的源極作為控制開關I的輸出端，第一NMOS 11的柵極分別與NPN型三極管12的集電極以及通過第三電阻R3與電源芯片Ul的輸入端連接，NPN型三極管12的發射極接地，NPN型三極管12的基極與第四電阻R4的I端口連接，第四電阻1?4的2端口作為控制開關I的使能端。
[0039]具體地，請參照圖5所示，圖5為本實用新型提供的一種具體的負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖。
[0040]需要說明的是，圖5以及包括下面將提到的圖6和圖7中，電源芯片UlUl中的RUN弓I腳即為圖2-圖4中的EN使能端。
[0041]作為優選地，控制開關I具體包括第二 NMOS 13、非門14、第五電阻R5以及第六電阻R6，第二 NMOS 13為增強型N溝道MOSFET，其中:
[0042]第二NMOS 13的漏極作為控制開關I的輸入端，第二 NMOS 13的源極作為控制開關I的輸出端，第二NMOS 13的柵極分別與第六電阻R6的I端口以及通過第五電阻R5與電源芯片Ul的輸入端連接，第六電阻1?6的2端口與非門14的輸出端連接，非門14的輸入端作為控制開關I的使能端。
[0043]具體地，請參照圖6所示，圖6為本實用新型提供的另一種具體的負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖。
[0044]作為優選地，控制開關I具體包括PMOS 15、第七電阻R7以及第八電阻R8，PM0S 15為耗盡型P溝道MOSFET，其中:
[0045]PMOS 15的源極作為控制開關I的輸入端，PMOS 15的漏極作為控制開關I的輸出端，PMOS 15的柵極分別與第八電阻R8的I端口以及通過第七電阻R7與PMOS 15的漏極連接，第八電阻R8的2端口作為控制開關I的使能端。
[0046]具體地，請參照圖7所示，圖7為本實用新型提供的另一種具體的負壓輸出的電源芯片的開關控制電路的結構示意圖。
[0047]可以理解的是，這里的控制開關I還可以是其他結構，本實用新型在此不做特別的限定，能實現本實用新型的目的即可。
[0048]綜上所述，本實用新型中，通過開關控制電路的引入，將原來電源芯片Ul的使能控制信號作為開關控制電路的使能控制信號，然后通過開關控制電路控制電源芯片Ul使能端的電壓，從而達到控制電源芯片Ul通斷的作用。在此效果下，即使電源芯片Ul輸出為負電壓，使能控制信號依然可以控制電源芯片Ul的通斷。
[0049]本實用新型提供了一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，包括第一電阻、第二電阻以及控制開關，在控制開關斷開時，第一電阻的阻值使得電源芯片的使能端的電壓大于電源芯片的打開門限電壓;在控制開關閉合時，第一電阻與第二電阻的比值使得電源芯片的使能端的電壓小于電源芯片的關斷門限電壓，可見，電源芯片的使能端是由電源芯片的輸入端與輸出端之間的分壓來控制的，當需要電源芯片工作時，使能控制信號控制控制開關斷開，利用輸入端的輸入電壓的分壓控制電源芯片開啟工作；當需要電源芯片斷開時，使能控制信號控制控制開關閉合，則電源芯片的使能端的信號會低于關斷門限電壓，從而控制電源芯片的關斷，本實用新型有效控制了負壓輸出的電源芯片的開啟和關斷。
[0050]需要說明的是，在本說明書中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0051]對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其他實施例中實現。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權項】
1.一種負壓輸出的電源芯片的開關控制電路，其特征在于，包括第一電阻、第二電阻以及控制開關，其中: 所述第一電阻的I端口與所述電源芯片的輸入端連接，所述第一電阻的2端口分別與所述電源芯片的使能端以及所述控制開關的輸入端連接，所述控制開關的輸出端通過所述第二電阻與所述電源芯片的接地端連接，所述控制開關的使能端與使能控制信號輸入端連接，其中，在所述控制開關斷開時，所述第一電阻的阻值滿足使得所述電源芯片的使能端的電壓大于所述電源芯片的打開門限電壓;在所述控制開關關斷時，所述第一電阻與所述第二電阻的比值滿足使得所述電源芯片的使能端的電壓小于所述電源芯片的關斷門限電壓。2.如權利要求1所述的開關控制電路，其特征在于，所述控制開關具體包括第一NMOS、NPN型三極管、第三電阻以及第四電阻，所述第一NMOS為增強型N溝道MOSFET，其中: 所述第一匪OS的漏極作為所述控制開關的輸入端，所述第一 NMOS的源極作為所述控制開關的輸出端，所述第一匪OS的柵極分別與所述NPN型三極管的集電極以及通過所述第三電阻與所述電源芯片的輸入端連接，所述NPN型三極管的發射極接地，所述NPN型三極管的基極與所述第四電阻的I端口連接，所述第四電阻的2端口作為所述控制開關的使能端。3.如權利要求1所述的開關控制電路，其特征在于，所述控制開關具體包括第二NM0S、非門、第五電阻以及第六電阻，所述第二NMOS為增強型N溝道MOSFET，其中: 所述第二匪OS的漏極作為所述控制開關的輸入端，所述第二 NMOS的源極作為所述控制開關的輸出端，所述第二 NMOS的柵極分別與所述第六電阻的I端口以及通過所述第五電阻與所述電源芯片的輸入端連接，所述第六電阻的2端口與所述非門的輸出端連接，所述非門的輸入端作為所述控制開關的使能端。4.如權利要求1所述的開關控制電路，其特征在于，所述控制開關具體包括PM0S、第七電阻以及第八電阻，所述PMOS為耗盡型P溝道MOSFET，其中: 所述PMOS的源極作為所述控制開關的輸入端，所述PMOS的漏極作為所述控制開關的輸出端，所述PMOS的柵極分別與所述第八電阻的I端口以及通過所述第七電阻與所述PMOS的漏極連接，所述第八電阻的2端口作為所述控制開關的使能端。5.如權利要求1-4任一項所述的開關控制電路，其特征在于，所述第一電阻和第二電阻均為滑動變阻器。6.如權利要求1-4任一項所述的開關控制電路，其特征在于，所述第一電阻和第二電阻均為可調電阻。
【文檔編號】H03K17/687GK205545189SQ201620197456
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年3月15日
【發明人】陽立, 王德剛
【申請人】湖南基石通信技術有限公司