本技術(shu)涉(she)及印刷(shua)電路，具體(ti)而言，涉(she)及一(yi)種用于減小esd實驗影響的電路板裝置。

背景技術：

1、國產(chan)化芯(xin)(xin)片(pian)進行(xing)esd實驗(yan)時(shi)(shi)，發現放靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)力(li)相(xiang)較進口芯(xin)(xin)片(pian)有(you)所不(bu)足，為提升(sheng)國產(chan)化芯(xin)(xin)片(pian)其(qi)防(fang)靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)的(de)能(neng)(neng)(neng)力(li)，在(zai)(zai)電(dian)(dian)子產(chan)品(pin)(pin)(pin)設計過程(cheng)中，大部(bu)(bu)(bu)(bu)分產(chan)品(pin)(pin)(pin)都需要(yao)依(yi)靠螺(luo)絲(si)將(jiang)pcba（貼有(you)元器件(jian)(jian)的(de)pcb板(ban)(ban)）與結構組裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)固定在(zai)(zai)一(yi)(yi)起(qi)，目前的(de)方(fang)案都是(shi)直接(jie)在(zai)(zai)pcb板(ban)(ban)上開一(yi)(yi)個(ge)與螺(luo)絲(si)尺寸(cun)一(yi)(yi)致的(de)孔(kong)，用(yong)于定位組裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)，現有(you)的(de)方(fang)案可以實現產(chan)品(pin)(pin)(pin)的(de)定位組裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)功能(neng)(neng)(neng)，但(dan)在(zai)(zai)產(chan)品(pin)(pin)(pin)設計過程(cheng)中會(hui)進行(xing)一(yi)(yi)項(xiang)esd試驗(yan)，靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)槍會(hui)通(tong)過直接(jie)接(jie)觸(chu)(chu)螺(luo)絲(si)的(de)方(fang)式將(jiang)高電(dian)(dian)壓打到螺(luo)絲(si)上，靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)會(hui)通(tong)過螺(luo)絲(si)進入(ru)(ru)產(chan)品(pin)(pin)(pin)內部(bu)(bu)(bu)(bu)，此時(shi)(shi)若是(shi)產(chan)品(pin)(pin)(pin)內部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)pcba靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)防(fang)護(hu)能(neng)(neng)(neng)力(li)不(bu)足，部(bu)(bu)(bu)(bu)分器件(jian)(jian)就會(hui)失(shi)效(xiao)(xiao)，導致產(chan)品(pin)(pin)(pin)功能(neng)(neng)(neng)全部(bu)(bu)(bu)(bu)或部(bu)(bu)(bu)(bu)分失(shi)效(xiao)(xiao)，此時(shi)(shi)就需要(yao)額(e)外(wai)增(zeng)加專門扛esd的(de)器件(jian)(jian)來保護(hu)其(qi)他器件(jian)(jian)不(bu)會(hui)被打壞，增(zeng)加成(cheng)本(ben)；當(dang)產(chan)品(pin)(pin)(pin)進行(xing)組裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)時(shi)(shi)，在(zai)(zai)運輸環節，生(sheng)產(chan)的(de)各工(gong)位進行(xing)安裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)時(shi)(shi)難免也(ye)會(hui)接(jie)觸(chu)(chu)到靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)，當(dang)靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)也(ye)會(hui)通(tong)過螺(luo)絲(si)進入(ru)(ru)產(chan)品(pin)(pin)(pin)內部(bu)(bu)(bu)(bu)，若是(shi)產(chan)品(pin)(pin)(pin)內部(bu)(bu)(bu)(bu)的(de)pcba靜(jing)(jing)(jing)電(dian)(dian)防(fang)護(hu)能(neng)(neng)(neng)力(li)不(bu)足，部(bu)(bu)(bu)(bu)分器件(jian)(jian)就會(hui)失(shi)效(xiao)(xiao)，導致產(chan)品(pin)(pin)(pin)功能(neng)(neng)(neng)全部(bu)(bu)(bu)(bu)或部(bu)(bu)(bu)(bu)分失(shi)效(xiao)(xiao)，影響車輛的(de)正常行(xing)駛(shi)。

技術實現思路

1、本(ben)實(shi)用新型的(de)(de)主要目的(de)(de)在于(yu)(yu)提供一種(zhong)用于(yu)(yu)減小esd實(shi)驗(yan)影響的(de)(de)電(dian)路板裝置(zhi)，以解(jie)決現有技術中電(dian)路板的(de)(de)靜(jing)電(dian)防護能力不足的(de)(de)問題。

2、為(wei)了(le)實(shi)(shi)現上述目的(de)，提供了(le)一(yi)種用于減(jian)(jian)小esd實(shi)(shi)驗(yan)(yan)影(ying)響的(de)電(dian)(dian)路(lu)(lu)板裝(zhuang)置。用于減(jian)(jian)小esd實(shi)(shi)驗(yan)(yan)影(ying)響的(de)電(dian)(dian)路(lu)(lu)板裝(zhuang)置包(bao)括電(dian)(dian)路(lu)(lu)板本(ben)體，電(dian)(dian)路(lu)(lu)板本(ben)體上設置有(you)多個(ge)測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)，多個(ge)測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)包(bao)括滿(man)足實(shi)(shi)驗(yan)(yan)要求的(de)第一(yi)類測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)和(he)不滿(man)足實(shi)(shi)驗(yan)(yan)要求的(de)第二(er)類測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)，第二(er)類測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)的(de)外周設置有(you)禁止覆(fu)銅(tong)區域(yu)(yu)，禁止覆(fu)銅(tong)區域(yu)(yu)的(de)外徑與第二(er)類測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)的(de)幾(ji)何(he)中(zhong)心之間具(ju)有(you)預設距離，其(qi)中(zhong)，測試(shi)(shi)點(dian)位(wei)(wei)(wei)用于連接待進行esd實(shi)(shi)驗(yan)(yan)的(de)螺絲，禁止覆(fu)銅(tong)區域(yu)(yu)用于增加電(dian)(dian)氣間隙(xi)。

3、進一步地，預設距離設為h，其中h≥10mm。

4、進一步地(di)，第一類測試(shi)點(dian)位(wei)的(de)直徑(jing)、第二類測試(shi)點(dian)位(wei)的(de)直徑(jing)與螺絲的(de)直徑(jing)相等地(di)設置。

5、進一(yi)步地，電路板本體上(shang)還設(she)置(zhi)有覆(fu)(fu)銅(tong)區(qu)域(yu)(yu)，覆(fu)(fu)銅(tong)區(qu)域(yu)(yu)與禁止覆(fu)(fu)銅(tong)區(qu)域(yu)(yu)相鄰(lin)地設(she)置(zhi)，覆(fu)(fu)銅(tong)區(qu)域(yu)(yu)上(shang)設(she)有多(duo)個電子元器件(jian)(jian)，禁止覆(fu)(fu)銅(tong)區(qu)域(yu)(yu)與多(duo)個電子元器件(jian)(jian)有距離(li)地設(she)置(zhi)。

6、進一步(bu)地，測(ce)試點(dian)(dian)位(wei)(wei)為四(si)(si)個(ge)，四(si)(si)個(ge)測(ce)試點(dian)(dian)位(wei)(wei)分別設置于(yu)電路板裝置的四(si)(si)個(ge)折(zhe)角(jiao)處。

7、進(jin)一(yi)步(bu)地，電路板本體至少(shao)兩層地設置。

8、進一步地，電路板(ban)本體包括頂(ding)層(ceng)和(he)底(di)層(ceng)，頂(ding)層(ceng)和(he)底(di)層(ceng)上(shang)都設(she)有(you)覆銅區(qu)(qu)域(yu)和(he)禁止覆銅區(qu)(qu)域(yu)，頂(ding)層(ceng)上(shang)的覆銅區(qu)(qu)域(yu)與(yu)底(di)層(ceng)上(shang)的覆銅區(qu)(qu)域(yu)重(zhong)合(he)地設(she)置，頂(ding)層(ceng)上(shang)的禁止覆銅區(qu)(qu)域(yu)與(yu)底(di)層(ceng)上(shang)的禁止覆銅區(qu)(qu)域(yu)重(zhong)合(he)地設(she)置。

9、進(jin)一步地(di)，禁止覆銅區(qu)域(yu)的形狀(zhuang)為(wei)多邊形地(di)設置。

10、應用本實(shi)用新型的(de)技術方案，通過在(zai)不滿足(zu)esd試驗(yan)標準(zhun)的(de)第二(er)類測試點位(wei)(wei)的(de)外(wai)周設(she)置禁(jin)止(zhi)覆(fu)銅區(qu)域，測試點位(wei)(wei)用于連(lian)接待進行esd實(shi)驗(yan)的(de)螺(luo)絲(si)(si)，禁(jin)止(zhi)覆(fu)銅區(qu)域用于增加電(dian)(dian)氣(qi)間(jian)隙(xi)，使得當靜(jing)電(dian)(dian)打到螺(luo)絲(si)(si)上時，能(neng)(neng)量能(neng)(neng)夠在(zai)電(dian)(dian)氣(qi)間(jian)隙(xi)中彌散，減(jian)少電(dian)(dian)路板本體收到靜(jing)電(dian)(dian)損(sun)害(hai)的(de)風險，提高了該電(dian)(dian)路板裝置的(de)靜(jing)電(dian)(dian)防(fang)護能(neng)(neng)力。

技術特征：

1.一種用于(yu)減小esd實驗(yan)影響的(de)電路板裝(zhuang)置，其特(te)征(zheng)在于(yu)，包括：

2.根據(ju)權利要(yao)求(qiu)1所述(shu)的用于減小(xiao)esd實驗影響(xiang)的電路板裝(zhuang)置，其特征在于，所述(shu)預設(she)(she)距離設(she)(she)為(wei)h，其中h≥10mm。

3.根(gen)據(ju)權利要(yao)求1所述(shu)(shu)的用于(yu)減(jian)小esd實驗影(ying)響(xiang)的電路板裝(zhuang)置(zhi)，其特(te)征在于(yu)，所述(shu)(shu)第(di)一類測(ce)試點位（31）的直徑(jing)、所述(shu)(shu)第(di)二類測(ce)試點位（32）的直徑(jing)與螺絲的直徑(jing)相(xiang)等地設置(zhi)。

4.根據權(quan)利要求1所(suo)述(shu)的用于(yu)減小esd實(shi)驗影響的電路板裝置(zhi)，其特(te)征在于(yu)，所(suo)述(shu)電路板本體（100）上(shang)還設置(zhi)有覆銅區(qu)域（20），所(suo)述(shu)覆銅區(qu)域（20）與所(suo)述(shu)禁止覆銅區(qu)域（10）相(xiang)鄰地設置(zhi)，所(suo)述(shu)覆銅區(qu)域（20）上(shang)設有多(duo)個電子元(yuan)(yuan)器件，所(suo)述(shu)禁止覆銅區(qu)域（10）與多(duo)個電子元(yuan)(yuan)器件有距(ju)離地設置(zhi)。

5.根據權利要(yao)求(qiu)1所(suo)述(shu)的用于減小esd實驗(yan)影響的電路(lu)板裝置(zhi)，其特征在于，所(suo)述(shu)測(ce)試(shi)點位(wei)為四個(ge)，四個(ge)所(suo)述(shu)測(ce)試(shi)點位(wei)分別設置(zhi)于所(suo)述(shu)電路(lu)板本體（100）的四個(ge)折角處(chu)。

6.根據權利要求4所(suo)述(shu)(shu)的用于(yu)減小(xiao)esd實驗影響(xiang)的電路板裝置，其(qi)特征在于(yu)，所(suo)述(shu)(shu)電路板本體（100）至少兩層(ceng)地設置。

7.根據權利要求6所(suo)述(shu)(shu)(shu)的(de)(de)用于減小esd實(shi)驗(yan)影響的(de)(de)電(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)裝置，其特征(zheng)在(zai)于，所(suo)述(shu)(shu)(shu)電(dian)路(lu)(lu)板(ban)(ban)本體（100）包(bao)括(kuo)頂層（101）和(he)底(di)層（102），所(suo)述(shu)(shu)(shu)頂層（101）和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)底(di)層（102）上(shang)都(dou)設有所(suo)述(shu)(shu)(shu)覆銅區域（20）和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)禁(jin)(jin)止(zhi)覆銅區域（10），所(suo)述(shu)(shu)(shu)頂層（101）上(shang)的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)覆銅區域（20）與(yu)(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)底(di)層（102）上(shang)的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)覆銅區域（20）重(zhong)(zhong)合(he)地設置，所(suo)述(shu)(shu)(shu)頂層（101）上(shang)的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)禁(jin)(jin)止(zhi)覆銅區域（10）與(yu)(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)底(di)層（102）上(shang)的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)禁(jin)(jin)止(zhi)覆銅區域（10）重(zhong)(zhong)合(he)地設置。

8.根據權(quan)利要求1所述(shu)的用于(yu)減(jian)小esd實驗(yan)影響的電路板裝置，其特征(zheng)在(zai)于(yu)，所述(shu)禁止覆銅區(qu)域（10）的形狀為多(duo)邊(bian)形地(di)設置。

技術總結
本技術提供了一種用于減小ESD實驗影響的電路板裝置，涉及印刷電路技術領域。用于減小ESD實驗影響的電路板裝置包括電路板本體，電路板本體上設置有多個測試點位，多個測試點位包括滿足實驗要求的第一類測試點位和不滿足實驗要求的第二類測試點位，第二類測試點位的外周設置有禁止覆銅區域，禁止覆銅區域的外徑與第二類測試點位的幾何中心之間具有預設距離，其中，測試點位用于連接待進行ESD實驗的螺絲，禁止覆銅區域用于增加電氣間隙。這樣設置使得當靜電打到螺絲上時，能量能夠在電氣間隙中彌散，減少電路板本體收到靜電損害的風險，提高了該電路板裝置的靜電防護能力。

技術研發人員：王德平,劉元治,李明霞,彭小亮,張鑫
受保護的技術使用者：中國第一汽車股份有限公司
技術研發日：20240718
技術公布日：2024/9/17