具有溫度補償的自適應柵極驅動電路的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種可為MOSFET生成具有溫度補償的柵極偏置電壓的自適應柵極驅動電路。該自適應柵極驅動電路可生成具有可變驅動能力的柵極偏置電壓以對抗MOSFET在較高溫度時較高的柵極漏泄電流。在一種設計中，一種裝置包括控制電路和柵極驅動電路。該控制電路生成具有可變頻率的至少一個控制信號，該可變頻率是基于MOSFET的感測溫度來確定的。例如，可基于MOSFET的感測溫度來確定時鐘分頻比，可基于該時鐘分頻比對輸入時鐘信號進行分頻以獲得可變時鐘信號，并且可基于該可變時鐘信號來生成控制信號。柵極驅動電路基于該控制信號來生成用于MOSFET的偏置電壓。
【專利說明】具有溫度補償的自適應柵極驅動電路
[0001] 根據35 U. S. C. § 119的優先權要求
[0002] 本專利申請要求于2012年7月26日提交的題為"Adaptive gate charge compensation for minimizing system quiescent current and thermal runaway(用于 最小化系統靜態電流和熱散逸的自適應柵極電荷補償）"的臨時申請No. 61/676, 094的優 先權，該臨時申請已轉讓給本申請受讓人并因此通過援引明確納入于此。
[0003] 背景
[0004] 領域
[0005] 本公開一般涉及電子器件，尤其涉及用于為晶體管生成偏置電壓的柵極驅動電 路。
[0006] 背景
[0007] 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)是一種常常被用作電源電路中的開關 以向負載提供電源電壓的晶體管。MOSFET在導通時在其漏極與源極之間具有電阻，該電阻 可被稱為RDS_0N電阻。MOSFET在導通時向負載提供電源電流，并且該電源電流經由MOSFET 的RDS_0N電阻耗散。柵極驅動電路可為MOSFET生成柵極偏置電壓，以使得可在MOSFET導 通時為其獲得充分低的RDS_0N電阻以限制MOSFET的功率耗散。
[0008] 概述
[0009] 本文公開了一種自適應柵極驅動電路，該自適應柵極驅動電路為MOSFET或某種 其他類型的晶體管生成具有溫度補償的柵極偏置電壓。該自適應柵極驅動電路可生成具有 可變驅動能力的柵極偏置電壓，以對抗MOSFET在較高溫度時較高的柵極漏泄電流。這可確 保MOSFET隨溫度具有充分低的RDS_0N電阻。
[0010] 在一示例性設計中，一種裝置包括控制電路和柵極驅動電路。控制電路生成具有 可變頻率的至少一個控制信號，該可變頻率是基于耦合在電源電壓與負載之間的MOSFET 的感測溫度來確定的。柵極驅動電路基于該至少一個控制信號來生成用于MOSFET的偏置 電壓。該裝置還可包括溫度傳感器以感測MOSFET的溫度。
[0011] 在一示例性設計中，控制電路包括溫度補償電路、時鐘分頻器、以及控制信號生成 器。溫度補償電路接收指示MOSFET的感測溫度的輸入信號并且基于該輸入信號來確定時 鐘分頻比。時鐘分頻器基于該時鐘分頻比來對輸入時鐘信號進行分頻以獲得具有可變頻率 的可變時鐘信號。控制信號生成器基于可變時鐘信號來生成該至少一個控制信號。
[0012] 以下更加詳細地描述本公開的各種方面和特征。
[0013] 附圖簡述
[0014] 圖1示出具有固定柵極驅動的電源電路的示意圖。
[0015] 圖2示出MOSFET的RDS_0N電阻的標繪。
[0016] 圖3示出具有自適應柵極驅動的電源電路的示意圖。
[0017] 圖4示出溫度傳感器的示意圖。
[0018] 圖5示出控制電路的框圖。
[0019] 圖6A和6B示出溫度補償電路的兩個示例性設計。
[0020] 圖7示出可變時鐘信號和控制信號的時序圖。
[0021] 圖8示出柵極驅動電路的示意圖。
[0022] 圖9示出用于生成用于MOSFET的柵極偏置電壓的過程。
[0023] 詳細描述
[0024] 以下闡述的詳細描述旨在作為本公開的示例性設計的描述，而無意表示可在其中 實踐本公開的僅有設計。術語"示例性"在本文中用于表示"用作示例、實例或解說"。本文 中描述為"示例性"的任何設計不必被解釋為優于或勝過其他設計。本詳細描述包括具體 細節以提供對本公開的示例性設計的透徹理解。對于本領域技術人員將明顯的是，沒有這 些具體細節也可實踐本文描述的示例性設計。在一些實例中，公知的結構和器件以框圖形 式示出以免湮沒本文中給出的示例性設計的新穎性。
[0025] 本文所公開的自適應柵極驅動電路可用在（i)向負載提供電源電壓的電源電路 和/或（ii)其他電路中。自適應柵極驅動電路可用于各種電子設備，諸如無線通信設備 (例如，蜂窩電話、智能電話等）、平板計算機、個人數字助理（PDA)、手持式設備、無線調制 解調器、膝上型計算機、智能本、上網本、無繩電話、無線本地環路（WLL)站、藍牙設備、消費 電子設備、等等。
[0026] 圖1示出具有固定柵極驅動的電源電路100的示意圖。電源電路100包括N溝道 M0SFET(nM0SFET)110和柵極驅動電路150。nM0SFET110的漏極耦合至系統電源電壓（V系 I ^js)且其源極耦合至電子電路/負載180并向負載180提供電源電壓（Vw)。負載180 可包括基于V ws電壓來操作的數字電路和/或模擬電路。柵極驅動電路150具有接收控制 信號的輸入端以及耦合至nMOSFET 110的柵極的輸出端。
[0027] nMOSFET 110用作向負載180遞送系統電源電壓的傳輸晶體管。柵極驅動電路150 生成用于nMOSFET 110的柵極偏置電壓，以使得nMOSFET 110在期望的工作區域中操作。
[0028] nMOSFET(諸如nMOSFET 110)常常用在電源電路中，因為對于給定的器件大小， nMOSFET可提供比P溝道MOSFET (pMOSFET)低的導通電阻。然而，nMOSFET 110需要比源 極電壓或漏極電壓高的柵極偏置電壓才能導通。柵極驅動電路150可包括電荷泵，該電荷 泵可生成充分高的柵極偏置電壓，以使得nMOSFET 110在期望的工作區域中操作。具體地， 可生成比nMOSFET 110的源極電壓高的柵極偏置電壓，以使得在nMOSFET 110導通時該 nMOSFETllO的RDS_0N電阻小于目標電阻。這可確保nMOSFET 110的功率耗散落在容限內。
[0029] nMOSFET 110具有柵極漏泄電流，其是從nMOSFET 110的柵極漏泄到源極的電流。 nMOSFET 110的柵極漏泄電流在較高溫度時可顯著增加。
[0030] 圖2示出在不同溫度時nMOSFET 110的RDS_0N電阻相對于柵極放電時間的標繪。 在圖2中，橫軸表示時間并且是以分鐘為單位來給出的。縱軸表示RDS_0N電阻并且是以歐 姆（Ω)為單位來給出的。在時間〇:〇〇,由柵極驅動電路150在nMOSFET 110的柵極處施加 合適的柵極偏置電壓。柵極驅動電路150隨后與nMOSFET 110的柵極斷開，并且柵極偏置 電壓由于nMOSFETllO的柵極漏泄電流而減小。nMOSFET 110的RDS_0N電阻隨著柵極偏置 電壓的減小而增大。
[0031] 標繪210示出了在25°C的標稱溫度/室溫時nMOSFET 110的RDS_0N電阻相對于 柵極偏置電壓的放電時間。如圖2中所示，RDS_0N電阻保持相對較低直至時間4:00,并且 隨后由于因柵極漏泄電流導致的較低柵極偏置電壓而快速增大。標繪220示出了在52°C 的中等溫度時nMOSFET 110的RDS_ON電阻相對于柵極偏置電壓的放電時間。如圖2中所 示，RDS_0N電阻保持相對較低直至時間0:40,并且隨后由于因漏泄導致的較低柵極偏置電 壓而快速增大。標繪230示出了在85°C的較高溫度時nMOSFET 110的RDS_0N電阻相對于 柵極偏置電壓的放電時間。如圖2中所示，柵極驅動電路150 -斷開，RDS_0N電阻就由于 因漏泄導致的較低柵極偏置電壓而快速增加。圖2表明柵極漏泄電流隨著逐漸升高的溫度 而變得更成問題。
[0032] 柵極驅動電路150可被設計成在標稱條件（例如，室溫）下為nMOSFETl 10的柵極 偏置電壓提供充分的驅動。柵極驅動電路150可具有用于計及nMOSFET 110在標稱條件下 的柵極漏泄電流以及其他漏泄電流源的充分驅動能力。然而，柵極驅動電路150可能不能 夠提供用于計及nMOSFET 110在較高溫度時顯著較高的柵極漏泄電流的充分驅動。這可能 導致在較高溫度時該柵極偏置電壓低于為獲得nMOSFET 110的目標RDS_0N電阻所必需的 柵極偏置電壓。較高溫度時較大的RDS_0N電阻可增加 nMOSFET 110的功率耗散，這可進一 步增高溫度并且加重柵極漏泄。nMOSFET 110在較高溫度時較大的RDS_0N電阻可能因此導 致熱散逸和其他問題。
[0033] 柵極驅動電路150可被設計成在最壞情形條件（例如，為電源電路100指定的最 高溫度）下為nMOSFET 110的柵極偏置電壓提供充分的驅動能力。然而，用于柵極偏置電 壓的較高驅動能力可能是以柵極驅動電路150的較高功耗為代價來獲得的。這可能導致柵 極驅動電路150甚至在標稱條件下也要消耗更多的電池功率。
[0034] 在本公開的一方面，自適應柵極驅動電路可為nMOSFET生成具有可變驅動能力的 柵極偏置電壓，以對抗nMOSFET在較高溫度時較高的柵極漏泄電流。這可通過檢測nMOSFET 的溫度并且提供用于計及nMOSFET在較高溫度時較高的柵極漏泄電流的較大驅動能力來 達成。
[0035] 柵極驅動電路可包括電荷泵，該電荷泵接收一個或多個控制信號并且提供用于 nMOSFET的柵極偏置電壓。電荷泵可具有取決于提供給該電荷泵的控制信號的頻率（例如， 與之成比例）的驅動能力。在一示例性設計中，電荷泵可按可變頻率來操作，該可變頻率可 取決于檢測到的nMOSFET的溫度。具體地，電荷泵可（i)在較高溫度時以較高頻率操作以 提供用于柵極偏置電壓的較大驅動能力，或者（ii)在較低溫度時以較低頻率操作以在柵 極漏泄電流較小時減少柵極驅動電路的功耗。
[0036] 圖3示出具有自適應柵極驅動的電源電路300的示例性設計的示意圖。電源電路 300包括nMOSFET 310和自適應柵極驅動電路320。nMOSFET 310的漏極耦合至系統電源 電壓且其源極耦合至電子電路/負載380并向負載380提供電源電壓（V_)。 負載380可包括基于V 電壓來操作的數字電路和/或模擬電路。柵極驅動電路350具有 接收輸入時鐘信號的輸入端以及耦合至nMOSFET 310的柵極的輸出端。
[0037] 在圖3所示的示例性設計中，自適應柵極驅動電路320包括溫度傳感器330、控制 電路340、以及柵極驅動電路350。溫度傳感器330感測nMOSFET 310的溫度（或者nMOSFET 310附近的溫度）并且向控制電路340提供感測溫度信號。感測溫度信號指示由溫度傳感 器330感測到的溫度。控制電路340接收輸入時鐘信號和感測溫度信號并且生成用于柵極 驅動電路350的控制信號。柵極驅動電路350生成具有基于該控制信號所確定的可變驅動 能力的柵極偏置電壓并且向nMOSFET 310的柵極提供該柵極偏置電壓。柵極驅動電路350 可以能夠向nMOSFET 310的柵極提供較高的柵極偏置電壓和/或較多的偏置電流以計及較 高溫度時較大的柵極漏泄電流。
[0038] 圖3示出了其中自適應柵極驅動電路320包括溫度傳感器330、控制電路340和柵 極驅動電路350的示例性設計。自適應柵極驅動電路還可按其他方式來實現。例如，自適 應柵極驅動電路可包括直接耦合至柵極驅動電路的溫度傳感器。自適應柵極驅動電路還可 包括圖3中未示出的其他電路。
[0039] 圖3還示出了其中基于輸入時鐘信號和感測溫度信號來生成用于柵極驅動電路 350的控制信號的示例性設計。用于柵極驅動電路350的控制信號還可以用其他信號和/ 或以其他方式來生成。
[0040] 自適應柵極驅動電路320內的溫度傳感器330、控制電路340和柵極驅動電路350 可按各種方式來實現。以下描述溫度傳感器330、控制電路340和柵極驅動電路350的一些 示例性設計。
[0041] 圖4示出圖3中的自適應柵極驅動電路320內的溫度傳感器330的示例性設計的 示意圖。在此設計中，溫度傳感器330包括電流源410和PN二極管420。電流源410的一 端耦合至電源電壓（Vdd)且另一端耦合至節點X。PN二極管420的陽極耦合至節點X且其 陰極耦合至電路接地。節點X是溫度傳感器330的輸出端并且提供感測溫度信號，其可以 是電壓信號（V ss)。
[0042] 電流源410可提供固定的偏置電流，該偏置電流可獨立于溫度或者可以隨溫 度盡可能小地變化。PN二極管420傳導來自電流源410的偏置電流并且具有取決于各種 因素（諸如由PN二極管420傳導的電流量、PN二極管420的大小、以及溫度）的壓降。對 于給定的偏置電流量和給定的PN二極管大小，跨PN二極管420的壓降（并且因此V s度電 壓）與溫度逆相關。例如，用于三個不同溫度的Vss可以如下：
[0043] 在l〇(TC，V溫度=V高溫（例如，V高溫=0· 6V)，
[0044]在25 c，V溫度=V標稱溫度（例如，V標稱溫度=0· 75V)，以及
[0045] 在-40 C，V溫度=V低溫（例如，V低溫=0· 88V)。
[0046] Vss還可在不同溫度時具有其他電壓，這可取決于以上所列出的因素。
[0047] 圖4示出了基于PN二極管的溫度傳感器330的示例性設計。溫度傳感器330還 可按本領域技術人員已知的其他方式來實現。
[0048] 圖5示出圖3中的自適應柵極驅動電路320內的控制電路340的示例性設計的框 圖。在此設計中，控制電路340包括溫度補償電路510、時鐘分頻器520、控制信號生成器 530和柵極驅動電路540。溫度補償電路510從溫度傳感器330接收感測溫度信號（或即 Vs?信號）并且生成用于時鐘分頻器520的時鐘分頻比。時鐘分頻器520基于該時鐘分頻 比來對輸入時鐘信號進行分頻并且向控制信號生成器530提供可變時鐘信號。生成器530 基于該可變時鐘信號來生成用于柵極驅動電路350的控制信號。該控制信號的頻率是由該 可變時鐘信號的頻率來確定的（例如，等于該可變時鐘信號的頻率）。柵極驅動電路350接 收該控制信號并且生成用于nMOSFET 310的柵極偏置電壓。
[0049] 柵極驅動電路350可包括電荷泵，該電荷泵具有基于該控制信號的頻率所確定的 驅動能力。電荷泵對于較快的控制信號可具有較高的驅動能力并且對于較慢的控制信號可 具有較低的驅動能力。可能需要較高的驅動能力以計及較高溫度時較大的柵極漏泄電流， 而較低的驅動能力可能對于較低溫度時較小的柵極漏泄電流而言是充分的。
[0050] 溫度補償電路510可基于感測溫度信號來生成時鐘分頻比，并且可（i)針對較高 的感測溫度提供較小的時鐘分頻比或者（ii)針對較低的感測溫度提供較大的時鐘分頻 t匕。時鐘分頻器520可按該時鐘分頻比來對輸入時鐘信號進行分頻并且提供可變時鐘信 號，該可變時鐘信號可（i)針對在感測到較高溫度時的較小時鐘分頻比具有較快速率/較 高頻率，或者（ii)針對在感測到較低溫度時的較大時鐘分頻比具有較慢速率/較低頻率。 控制信號生成器530可基于該可變時鐘信號來生成控制信號，并且可（i)在針對較低感測 溫度的較慢時鐘信號下提供較慢的控制信號，或者（ii)在針對較高感測溫度的較快時鐘 信號下提供較快的控制信號。柵極驅動電路350內的電荷泵可（i)基于針對較高感測溫度 的較快控制信號生成具有較高驅動能力的柵極偏置電壓，或者（ii)基于針對較低感測溫 度的較慢控制信號生成具有較低驅動能力的柵極偏置電壓。
[0051] 溫度補償電路510、時鐘分頻器520、控制信號生成器530、以及柵極驅動電路540 可按各種方式來實現。以下描述溫度補償電路510、時鐘分頻器520、控制信號生成器530 和柵極驅動電路540的一些示例性設計。
[0052] 圖6A示出了溫度補償電路510a的框圖，該溫度補償電路510a是圖3中的控制電 路340內的溫度補償電路510的一個示例性設計。在此設計中，溫度補償電路510a包括量 化器610和查找表620。量化器610從溫度傳感器330接收感測溫度信號（V ss信號），量 化此信號以獲得數字值，并將該數字值提供給查找表620。查找表620從量化器610接收該 數字值并且提供時鐘分頻比。每個數字值可對應于感測溫度信號在特定時刻的量化值，并 且該量化值可指示該時刻的感測溫度。查找表620可將每個數字值映射到合適的時鐘分頻 t匕，從而能為與該數字值相對應的感測溫度獲得控制信號的期望/目標頻率。
[0053] -般而言，量化器610可將感測溫度信號量化成具有任何位數的分辨率的數字 值。較多位的數字值可允許以較大的查找表620為代價用較精細的粒度來調整柵極驅動電 路350的驅動能力。
[0054] 圖6B示出了溫度補償電路510b的示意圖，該溫度補償電路510b是圖3中的控制 電路340內的溫度補償電路510的另一示例性設計。在此設計中，溫度補償電路510b包括 兩個比較器630和632以及查找表640。比較器630在非反相輸入端接收V ss信號以及在 反相輸入端接收Vss電壓，并且提供第一量化信號（A)。比較器632在非反相輸入端接收V 信號以及在反相輸入端接收Viaiss電壓，并且提供第二量化信號（B)。
[0055] 在一個示例中，V高溫電壓可以等于0· 6V，這可對應于KKTC時的V溫度電壓。V標稱溫度 電壓可以等于〇. 75V，這可對應于25°C時的Vss電壓。當信號超過0. 6V時，比較器630 可在A信號上輸出（i)邏輯高（'1'）（這可以是感測溫度低于KKTC時的情形），否則輸 出（ii)邏輯低（'〇'）。當信號超過〇. 75V時，比較器632可在B信號上輸出⑴邏 輯高（'1'）（這可以是感測溫度低于25°C時的情形），否則輸出（ii)邏輯低（'0'）。
[0056] 對于圖6B中所示的示例性設計，表1列出了來自比較器630和632的A和B信 號的三種可能的狀態、每種狀態的溫度范圍、每種狀態的時鐘分頻比、以及對每種狀態的描 述。在該設計中，比較器630和632被用于感測三個范圍內的溫度，這三個范圍包括大于 l〇〇°C的第一溫度范圍、在25°C與KKTC之間的第二溫度范圍、以及小于25°C的第三溫度范 圍。感測溫度落在這三個溫度范圍之一內。如表1中所示，通過A和B信號的邏輯值來反 映覆蓋感測溫度的溫度范圍。每個溫度范圍與特定的時鐘分頻比相關聯。如表1中所示， 逐漸升高的溫度范圍與逐漸降低的時鐘分頻比相關聯，逐漸降低的時鐘分頻比對應于提供 給柵極驅動電路350的控制信號的逐漸增大的時鐘速度以及柵極驅動電路350的逐漸增大 的柵極驅動能力。
[0057] 表 1
[0058]
【權利要求】
1. 一種裝置，包括： 控制電路，配置成生成具有可變頻率的至少一個控制信號，所述可變頻率是基于耦合 在電源電壓與負載之間的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)的感測溫度來確定 的；以及 柵極驅動電路，配置成基于所述至少一個控制信號來生成用于所述MOSFET的偏置電 壓。
2. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括： 溫度傳感器，配置成感測所述MOSFET的溫度。
3. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述控制電路包括： 控制信號生成器，配置成接收具有所述可變頻率的可變時鐘信號并且基于所述可變時 鐘信號來生成所述至少一個控制信號。
4. 如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述控制電路進一步包括： 溫度補償電路，配置成接收指示所述MOSFET的所述感測溫度的輸入信號并且基于所 述輸入信號來確定時鐘分頻比；以及 時鐘分頻器，配置成基于所述時鐘分頻比對輸入時鐘信號進行分頻以獲得所述可變時 鐘信號。
5. 如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述溫度補償電路包括： 量化器，配置成量化所述輸入信號并且提供數字值；以及 查找表，配置成接收所述數字值并且提供所述時鐘分頻比。
6. 如權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述溫度補償電路包括： 至少一個比較器，配置成將所述輸入信號與至少一個閾值作比較并且提供至少一個輸 出信號；以及 查找表，配置成接收所述至少一個輸出信號并且提供所述時鐘分頻比。
7. 如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述控制電路包括： 振蕩器，配置成接收指示所述MOSFET的所述感測溫度的輸入信號并且提供所述可變 時鐘信號。
8. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柵極驅動電路包括： 電荷泵，配置成接收所述至少一個控制信號并且提供用于所述MOSFET的所述偏置電 壓。
9. 如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述電荷泵被配置成接收參考電壓并且在 所述MOSFET的柵極處提供所述偏置電壓，所述偏置電壓比所述MOSFET的源極電壓高出由 所述參考電壓確定的量。
10. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柵極驅動電路包括： 電容器，配置成由參考電壓來充電并且向所述MOSFET提供所述偏置電壓。
11. 如權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述至少一個控制信號包括第一控制信 號和第二控制信號，并且所述柵極驅動電路進一步包括： 耦合在所述參考電壓與所述電容器之間并且由所述第一控制信號控制的第一開關，以 及 耦合在所述電容器與所述MOSFET之間并且由所述第二控制信號控制的第二開關。
12. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柵極驅動電路具有針對第一感測溫度 的第一驅動能力并且具有針對比所述第一感測溫度高的第二感測溫度的比所述第一驅動 能力大的第二驅動能力。
13. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柵極驅動電路針對第一感測溫度基于 第一頻率的所述至少一個控制信號來生成所述偏置電壓，并且針對比所述第一感測溫度高 的第二感測溫度基于比所述第一頻率高的第二頻率的所述至少一個控制信號來生成所述 偏置電壓。
14. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述MOSFET在第一溫度時具有第一柵極漏 泄電流并且在比所述第一溫度高的第二溫度時具有比所述第一柵極漏泄電流高的第二柵 極漏泄電流，所述柵極驅動電路在所述第一溫度時提供第一偏置電流并且在所述第二溫度 時提供比所述第一偏置電流高的第二偏置電流以計及較高的所述第二柵極漏泄電流。
15. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述MOSFET包括N溝道MOSFET。
16. 如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述控制電路和所述柵極驅動電路被配置 成生成所述偏置電壓以在預定的溫度范圍上使所述MOSFET的導通電阻保持在目標電阻范 圍內。
17. -種方法，包括： 生成具有可變頻率的至少一個控制信號，所述可變頻率是基于向負載提供電源電壓的 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)的感測溫度來確定的；以及 基于所述至少一個控制信號來生成用于所述MOSFET的偏置電壓。
18. 如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述生成至少一個控制信號包括基于具 有所述可變頻率的可變時鐘信號來生成所述至少一個控制信號。
19. 如權利要求18所述的方法，其特征在于，所述生成至少一個控制信號進一步包括： 基于指示所述MOSFET的所述感測溫度的輸入信號來確定時鐘分頻比；以及 基于所述時鐘分頻比對輸入時鐘信號進行分頻以獲得所述可變時鐘信號。
20. 如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述確定時鐘分頻比包括： 量化所述輸入信號以獲得數字值；以及 基于所述數字值和查找表來確定所述時鐘分頻比。
21. 如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述生成偏置電壓包括基于所述至少一 個控制信號和電荷泵來生成所述偏置電壓。
22. 如權利要求17所述的方法，其特征在于，所述生成偏置電壓包括基于針對第一感 測溫度的第一驅動能力以及基于針對比所述第一感測溫度高的第二感測溫度的比所述第 一驅動能力大的第二驅動能力來生成所述偏置電壓。
23. -種設備，包括： 用于生成具有可變頻率的至少一個控制信號的裝置，所述可變頻率是基于用于向負載 提供電源電壓的裝置的感測溫度來確定的；以及 用于基于所述至少一個控制信號來生成用于所述用于提供的裝置的偏置電壓的裝置。
24. 如權利要求23所述的設備，其特征在于，所述用于生成至少一個控制信號的裝置 包括用于基于具有所述可變頻率的可變時鐘信號來生成所述至少一個控制信號的裝置。
25. 如權利要求24所述的設備，其特征在于，所述用于生成至少一個控制信號的裝置 進一步包括： 用于基于指示所述用于提供的裝置的所述感測溫度的輸入信號來確定時鐘分頻比的 裝置；以及 用于基于所述時鐘分頻比對輸入時鐘信號進行分頻以獲得所述可變時鐘信號的裝置。
26. 如權利要求25所述的設備，其特征在于，所述用于確定時鐘分頻比的裝置包括： 用于量化所述輸入信號以獲得數字值的裝置；以及 用于基于所述數字值來確定所述時鐘分頻比的裝置。
27. 如權利要求23所述的設備，其特征在于，所述用于生成偏置電壓的裝置包括用于 基于所述至少一個控制信號和電荷泵來生成所述偏置電壓的裝置。
28. 如權利要求23所述的設備，其特征在于，所述用于生成偏置電壓的裝置包括用于 基于針對第一感測溫度的第一驅動能力以及基于針對比所述第一感測溫度高的第二感測 溫度的比所述第一驅動能力大的第二驅動能力來生成所述偏置電壓的裝置。
29. -種計算機程序產品，包括： 非瞬態計算機可讀介質，包括： 用于使至少一臺計算機指導生成具有可變頻率的至少一個控制信號的代碼，所述可變 頻率是基于向負載提供電源電壓的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)的感測溫度 來確定的；以及 用于使所述至少一臺計算機指導基于所述至少一個控制信號來生成用于所述MOSFET 的偏置電壓的代碼。
【文檔編號】H03K17/14GK104396143SQ201380034402
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年7月26日 優先權日:2012年7月26日
【發明者】N·S·梅達, L·K-A·馬特 申請人:高通股份有限公司