影像傳感器封裝及其逃氣槽結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種影像傳感器封裝及其逃氣槽結構，該影像傳感器封裝包括依次安裝的電路基板、CMOS傳感器、底座，該底座上設有逃氣槽結構。該影像傳感器封裝的逃氣槽結構包括連通外界的沉槽，連通傳感器內部的T型槽，該沉槽與T型槽相連通。經由沉槽流入的空氣，通過T型槽再進入傳感器內部，空氣中所攜帶的灰塵碎屑等經過T型槽的分流沉淀，不會直接進入傳感器內部，有效隔離灰塵、碎屑，該結構能夠大大提高封裝測試良率，并且該結構封裝堆疊簡單。
【專利說明】
影像傳感器封裝及其逃氣槽結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及通訊領域，尤其是涉及一種影像傳感器封裝及其逃氣槽結構。【【背景技術】】
[0002]過去CMOS影像傳感器基本是采用芯片級封裝(CSP，chip scale package;)，投資大，成本高。隨著平板電腦，智慧手機的應用，像素微小化以及先進制程的技術突破，帶動了CMOS影像傳感器大舉進軍高像素(像素500萬以上)應用市場，而芯片級封裝(CSP:ChipScale Package)在高像素CMOS影像傳感器封裝會有技術的缺陷與瓶頸，板上芯片(COB:Chip On Board)封裝必定是趨勢，在500萬像素以上CSP封裝已無能為力，必須采用板上芯片封裝(C0B:Chip On Board)。隨著科技的發展，手機及平板電腦越來越小越薄，對潔凈度越來越高，目前絕大部分高像素CMOS影像傳感器COB板上芯片封裝結構的底座所設置的逃氣孔或逃氣槽，如圖1和圖2所示，現有技術的逃氣槽110或逃氣孔120結構直通芯片內部，沒能有效防止外界對影像傳感器的污染，外界的灰塵、微粒、碎肩等會通過逃氣槽110或逃氣孔120進入芯片內部，這樣就會造成芯片不良、污點不良，造成整體封裝良率低。
[0003]因此，提供一種能有效阻隔外界污染、封裝良率高的影像傳感器封裝及其逃氣槽結構實為必要。
【
【發明內容】
】
[0004]本實用新型的目的在于提供一種能有效阻隔外界污染、封裝良率高的影像傳感器封裝的逃氣槽結構。
[0005]本實用新型的目的在于提供一種能有效阻隔外界污染、封裝良率高的影像傳感器封裝。
[0006]為實現本實用新型目的，提供以下技術方案:
[0007]本實用新型提供一種影像傳感器封裝的逃氣槽結構，其包括連通外界的沉槽，連通傳感器內部的T型槽，該沉槽與T型槽相連通。經由沉槽流入的空氣，通過T型槽再進入傳感器內部，空氣中所攜帶的灰塵碎肩等經過T型槽的分流沉淀，不會直接進入傳感器內部，有效隔離灰塵、碎肩跑到CMOS影像傳感器上面，該結構能夠大大提高封裝測試良率，并且該結構封裝堆疊簡單。
[0008]優選的，該T型槽包括主氣道和相連通的分流氣道。經由沉槽流入的空氣，通過T型槽的主氣道，然后再改變氣流方向進入分流氣道，最后才進入傳感器內部，空氣中所攜帶的灰塵碎肩等經過T型槽的分流沉淀，得到有效阻隔，不會進入傳感器內部。
[0009]優選的，該T型槽的主氣道下方設置凹形結構，該相連通的分流氣道分布在該凹形結構兩側。經由沉槽、T型槽主氣道進入的氣流，在凹形結構改變氣流方向再進入分流氣道，氣體所攜帶的灰塵碎肩等在凹形結構得以沉淀，大大提高氣流的潔凈度，有效阻止這些灰塵碎肩進入傳感器內部。
[0010]優選的，該逃氣槽結構的T型槽包括兩個所述主氣道、兩個設置在主氣道下方的凹形結構，以及三個所述分流氣道，該三個分流氣道分布在該兩個凹形結構的兩側以及中間。該實施方式有效利用空間，兩個凹形結構之間的分流氣道共用，使結構簡單緊湊。
[0011]本實用新型還提供一種影像傳感器封裝，其包括依次安裝的電路基板、CMOS傳感器、底座，該底座上設有如上所述的逃氣槽結構。該影像傳感器封裝能有效阻隔外界污染、封裝良率高。
[0012]優選的，該電路基板上設有驅動馬達芯片和電容。
[0013]優選的，該影像傳感器封裝還包括有濾光玻璃片，該濾光玻璃片安裝在底座上，部分遮蔽逃氣槽結構，該逃氣槽結構的沉槽與外界連通。
[0014]該影像傳感器封裝的組裝過程為:將CMOS傳感器貼裝在已經安裝好電容、驅動馬達芯片的電路基板上，快速固化;隨后將金線焊接，并進行清洗;然后在電路基板上安裝底座，進行清洗;最后將濾光玻璃片貼裝在底座上，進行高溫固化。
[0015]濾光玻璃片貼裝在底座上，高溫固化時，T型槽與沉槽能有效排氣;高溫固化后，型槽與沉槽能阻礙外界的灰塵，臟污直接進入CMOS傳感器表面，避免造成測試污點不良。
[0016]對比現有技術，本實用新型具有以下優點:
[0017]本實用新型影像傳感器封裝能有效阻隔外界污染、封裝良率高;本實用新型逃氣槽結構通過沉槽與T型槽結構，有效隔離灰塵、碎肩，經由沉槽流入的空氣，通過T型槽再進入傳感器內部，空氣中所攜帶的灰塵碎肩等經過T型槽的分流沉淀，不會直接進入傳感器內部，有效隔離灰塵、碎肩跑到CMOS影像傳感器上面，該結構能夠大大提高封裝測試良率，并且該結構封裝堆疊簡單。
【【附圖說明】】
[0018]圖1為現有技術傳感器封裝結構的逃氣槽示意圖；
[0019]圖2為現有技術傳感器封裝結構的逃氣孔示意圖；
[0020]圖3為本實用新型影像傳感器封裝結構的爆炸圖；
[0021]圖4為圖3中a部分的局部放大示意圖；
[0022]圖5為本實用新型的立體結構不意圖；
[0023]圖6為本實用新型的逃氣槽的結構正面示意圖；
[0024]圖7為圖6中b部分的局部放大不意圖；
[0025]圖8為圖6的A-A方向剖視圖；
[0026]圖9為圖8中c部分的局部放大示意圖；
[0027]圖10為本實用新型的封裝步驟一結構示意圖；
[0028]圖11為本實用新型的封裝步驟二結構示意圖；
[0029]圖12為本實用新型的封裝步驟三結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0030]請參閱圖3?9，本實用新型影像傳感器封裝包括依次安裝的電路基板210、CMOS傳感器220、底座230、濾光玻璃片240，在電路基板210上安裝有驅動馬達芯片250、電容260，該CMOS傳感器220也安裝在電路基板210上。
[0031]該底座230上設有逃氣槽結構300，該濾光玻璃片240與底座230上的窗口相匹配安裝。
[0032]該逃氣槽結構300內設置有連通外界的沉槽310和連通傳感器內部的T型槽320，該沉槽310與T型槽320相連通。該T型槽320包括主氣道321和相連通的分流氣道322。該濾光玻璃片240安裝在底座230上，部分遮蔽該逃氣槽結構300，同時該逃氣槽結構的沉槽310與外界連通。
[0033]在本實施例中，該T型槽320設有兩個所述主氣道321以及三個所述分流氣道322，該兩個所述主氣道321的下方分別設置有凹形結構323，該相連通的分流氣道322分布在該凹形結構323兩側以及中間。
[0034]如圖4和圖7所示，經由沉槽310流入的空氣流d、e，通過T型槽320的主氣道321，在凹形結構323流轉，然后分流并改變氣流方向，再進入分流氣道322，分成三股氣流f、g、h，最后才進入傳感器內部，氣體所攜帶的灰塵碎肩等在凹形結構323得以沉淀，大大提高氣流的潔凈度，經過T型槽的分流沉淀，得到有效阻隔，有效阻止這些灰塵碎肩進入傳感器內部，該結構能夠大大提高封裝測試良率，并且該結構封裝堆疊簡單。
[0035]請一并參閱圖10?12，本實用新型影像傳感器封裝的組裝過程為:
[0036]1、將電容260、驅動馬達芯片250安裝在電路基板210上，將CMOS傳感器220貼裝在已經安裝好電容260、驅動馬達芯片250的電路基板210上，快速固化；
[0037]2、隨后對CMOS傳感器220與電路基板210之間進行金線焊接，并進行清洗；
[0038]3、然后在基板上安裝底座230，進行清洗；
[0039]4、最后將濾光玻璃片240貼裝在底座230上，進行高溫固化，完成封裝過程。
[0040]將濾光玻璃片240貼裝在底座230上，高溫固化時，T型槽320與沉槽310能有效排氣;高溫固化后，T型槽與沉槽能阻礙外界的灰塵，臟污直接進入CMOS傳感器表面，避免造成測試污點不良。
[0041]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何基于本實用新型技術方案上的等效變換均屬于本實用新型保護范圍之內。
【主權項】
1.一種影像傳感器封裝的逃氣槽結構，其特征在于，其包括連通外界的沉槽，連通傳感器內部的T型槽，該沉槽與T型槽相連通。2.如權利要求1所述的影像傳感器封裝的逃氣槽結構，其特征在于，該T型槽包括主氣道和相連通的分流氣道。3.如權利要求2所述的影像傳感器封裝的逃氣槽結構，其特征在于，該T型槽的主氣道下方設置凹形結構，該相連通的分流氣道分布在該凹形結構兩側。4.如權利要求2所述的影像傳感器封裝的逃氣槽結構，其特征在于，該逃氣槽結構的T型槽包括兩個所述主氣道、兩個設置在主氣道下方的凹形結構，以及三個所述分流氣道，該三個分流氣道分布在該兩個凹形結構的兩側以及中間。5.一種影像傳感器封裝，其包括依次安裝的電路基板、CMOS傳感器、底座，其特征在于，該底座上設有如權利要求1?4任一項所述的逃氣槽結構。6.如權利要求5所述的影像傳感器封裝，其特征在于，該電路基板上設有驅動馬達芯片和電容。7.如權利要求6所述的影像傳感器封裝，其特征在于，該影像傳感器封裝還包括有濾光玻璃片，該濾光玻璃片安裝在底座上，部分遮蔽逃氣槽結構，該逃氣槽結構的沉槽與外界連通。
【文檔編號】H01L23/13GK205645790SQ201620410138
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月9日
【發明人】勞景益, 劉振茂
【申請人】深圳市森邦半導體有限公司