一種透明顯示面板及其制備方法
【專利摘要】本發明提供了一種透明顯示面板及其制備方法。所述透明顯示面板包括基板和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區和非顯示區，所述非顯示區由透光材料制成，且所述非顯示區的透光率為50?80％；所述顯示區設置有發光元器件，所述發光元器件包括依次設置的半透明半反射電極、發光層、透明電極和光取出層，且所述顯示區的透光率為20?50％。
【專利說明】
一種透明顯示面板及其制備方法
技術領域
[0001]本發明屬于平板顯示技術領域，尤其涉及一種透明顯示面板及其制備方法。
【背景技術】
[0002]在信息社會的當代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進一步加強，為了在未來占據主導地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質量的趨勢發展。有機電致發光二極管(OLED)由于其具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、輕薄等優點，其潛在的市場前景被業界看好。量子點發光二極管(QLED)由于其光色純度高、發光量子效率高、發光顏色易調等優點，近年來成了OLED的有力競爭者。因此，這兩種顯示技術是目前顯示領域發展的兩個主要方向。
[0003]由于0LED、QLED具有自主發光特性，其不需要背光源，因此可以實現透明顯示。透明OLED或QLED顯示器，具有可自發光同時光線可穿透的優點，有望成為未來新型顯示技術的主流。現有的透明顯示裝置主要通過在非發光像素區域采用透光材料實現透明顯示，而發光像素單元本身由于采用了反射電極，反射電極的非透光性導致整個透明顯示面板的透光性較弱，其結構如圖la、圖1b所示，其中，圖1a為頂發射型顯示器件，圖1b為底發射型顯示器件(圖la、圖1b中，標號1’-4’依次表示基板、反射電極、發光層和透明電極)。此外，也有發光像素單元的陰、陽電極均采用透明材料制備，此時得到的顯示面板透光性較強，但同時也會造成顯示端的亮度大幅降低，從而導致透明顯示面板的對比度降低。因此，現有技術有待進一步改進和發展。
【發明內容】
[0004]本發明的目的在于提供一種透明顯示面板，旨在解決現有技術提供的透明顯示面板的透光性和對比度不能兼顧的問題。
[0005]本發明的另一目的在于提供一種透明顯示面板的制備方法。
[0006]本發明是這樣實現的，一種透明顯示面板，包括基板和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區和非顯示區，所述非顯示區由透光材料制成，且所述非顯示區的透光率為50-80%;所述顯示區設置有發光元器件，所述發光元器件包括依次設置的半透明半反射電極、發光層、透明電極和光取出層，且所述顯示區的透光率為20-50%。
[0007]以及，一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]提供一具有TFT陣列的TFT基板，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0009]在所述基板上制作半透明半反射電極，且所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0010]在所述半透明半反射電極上依次沉積發光層和透明電極；
[0011]在所述透明電極上制作光取出層。
[0012]或，一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0013]提供一具有TFT陣列的TFT基板；
[0014]在所述基板上制作光取出層，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0015]在所述光取出層上沉積透明電極，且所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0016]在所述透明電極上依次沉積發光層和半透明半反射電極。
[0017]本發明提供的透明顯示面板，在所述發光元器件(發光像素單元)的出光側設置透明電極結合光取出層的結構來提高出光效率，同時在非出光側采用半反射半透明電極實現發光像素單元的半透光性，進而增強整個透明顯示面板的透光性。本發明提供的透明顯示面板，所述透明電極疊加光取出層、以及所述半反射半透明電極的同時設置，可以在增強透明顯示面板透光性的同時，不降低顯示端的亮度以及對比度，使得所述透明顯示面板兼具較好的透光性和對比度。本發明提供的透明顯示面板的制備方法，簡單易控，易于實現產業化。
【附圖說明】
[0018]圖1a是現有技術提供的頂發射型顯示器件的結構示意圖；
[0019]圖1b是現有技術提供的底發射型顯示器件的結構示意圖；
[0020]圖2a是本發明實施例提供的頂發射型透明顯示面板的結構示意圖；
[0021]圖2b是本發明實施例提供的底發射型透明顯示面板的結構示意圖；
[0022]圖3是本發明實施例提供的頂發射型透明顯示面板的制備工藝流程圖；
[0023]圖4是本發明實施例提供的底發射型透明顯示面板的制備工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0024]為了使本發明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0025]結合圖2a、圖2b，本發明實施例提供了一種透明顯示面板，包括基板I和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區a和非顯示區b，所述非顯示區b由透光材料制成，且所述非顯示區b的透光率為50-80 % ；所述顯示區a設置有發光元器件，所述發光元器件包括依次設置的半透明半反射電極2、發光層3、透明電極4和光取出層5，且所述顯示區a的透光率為20-50 %。
[0026]本發明實施例所述透明顯示面板可以設置成頂發射型透明顯示基板或底發射型顯示面板。
[0027]作為一個優選實施例，所述透明顯示面板為頂發射型透明顯示基板，所述半透明半反射電極2設置在所述基板I上，所述半透明半反射電極2、發光層3、透明電極4和光取出層5從下往上依次設置。作為具體優選實施例，如圖2a所示，所述透明顯示面板包括基板I和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區a和非顯示區b，所述非顯示區b由透光材料制成，且所述非顯示區b的透光率為50-80%;所述顯示區a設置有發光元器件，所述發光元器件包括從下往上依次設置的半透明半反射電極2、發光層3、透明電極4和光取出層5，且所述顯示區a的透光率為20-50%。
[0028]作為另一個優選實施例，所述透明顯示面板為底發射型顯示面板，所述光取出層5設置在所述基板I上，所述光取出層5、透明電極4、發光層3和半透明半反射電極2從下往上依次設置。作為具體優選實施例，如圖2b所示，所述透明顯示面板包括基板I和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區a和非顯示區b，所述非顯示區b由透光材料制成，且所述非顯示區b的透光率為50-80%;所述顯示區a設置有發光元器件，所述發光元器件包括從下往上依次設置的光取出層5、透明電極4、發光層3和半透明半反射電極2，且所述顯示區a的透光率為20-50 %。
[0029]具體的，本發明實施例中，所述TFT基板I上具有用于驅動所述發光元器件的TFT陣列，且所述TFT陣列為本領域常規結構的TFT陣列。
[0030]所述發光元器件為OLED器件或QLED器件，包括依次設置的半透明半反射電極2、發光層3、透明電極4和光取出層5。
[0031]其中，所述半透明半反射電極2優選為導電金屬薄膜，進一步的，所述半透明半反射電極2的厚度優選為10-25nm。該優選厚度的所述半透明半反射電極2，既能透過部分外部自然光，又能反射部分內部發射的光，從而增強整個透明顯示面板的透光性。
[0032]所述發光層3至少包括光發射層，所述發光層3可以根據發光器件類型的不同，選擇有機發光材料或量子點發光材料，即所述發光層3為有機發光層或量子點發光層。優選的，為了提高所述發光器件的發光效率，所述發光層3還可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層中的至少一層。作為較佳實施例，所述發光層3為包括空穴注入層、空穴傳輸層、光發射層、電子傳輸層、電子注入層、空穴阻擋層、電子阻擋層的多層層疊結構。
[0033]所述透明電極4優選為導電金屬氧化物或金屬薄膜。作為具體優選實施例，所述透明電極4由導電金屬氧化物、金屬和導電金屬氧化物疊層形成，該優選的所述透明電極4，即保證了透光性，又具有良好的導電性。
[0034]所述光取出層5的設置，能夠增強出光側的出光量，減小所述半透明半反射電極2帶來的出光側出光量降低的影響，從而實現增強顯示面板透光性的同時、減緩或者避免出光側出光量降低導致的顯示面板對比度下降。
[0035]進一步的，作為一個優選實施例，所述光取出層5在出光側面疊加微納結構，從而減小全反射，提高出光效率;作為另一個優選實施例，所述光取出層5在出光側面疊層設置折射率遞變層，從而減小全反射，提高出光效率;作為又一個優選實施例，所述光取出層5在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜，從而減小全反射，提高出光效率。
[0036]本發明實施例，所述光取出層5的材料根據具體結構的不同，可采用本領域常規的用于形成光取出層的材料，如當所述光取出層5在出光側面疊加微納結構時，所述光取出層5可采用有機或無機材料制備形成；當所述光取出層5在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜時，所述光取出層5可采用有機材料摻雜無機散射顆粒形成。
[0037]本發明實施例中，所述非顯示區b為透明區，可透過自然光，且透光率為50-80%，可以有效保證所述非顯示區b的透光性;所述顯示區a為半透明區，可透光部分自然光，透光率為20%-50%，既能具備一定的透光性，同時，可以有效避免顯示端亮度的大幅降低。
[0038]本發明實施例提供的透明顯示面板，在發光像素單元的出光側設置透明電極結合光取出層的結構來提高出光效率，同時在非出光側采用半反射半透明電極實現發光像素單元的半透光性，進而增強整個透明顯示面板的透光性。本發明實施例提供的透明顯示面板，所述透明電極疊加光取出層、以及所述半反射半透明電極的同時設置，可以在增強透明顯示面板透光性的同時，不降低顯示端的亮度以及對比度，使得所述透明顯示面板兼具較好的透光性和對比度。
[0039]本發明實施例提供的透明顯示面板，可以通過下述方法制備獲得。
[0040]相應地，結合圖3，本發明實施例提供了一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0041 ] S01.提供一具有TFT陣列的TFT基板，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0042]S02.在所述基板上制作半透明半反射電極，且所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0043]S03.在所述半透明半反射電極上依次沉積發光層和透明電極；
[0044]S04.在所述透明電極上制作光取出層。
[0045]具體的，上述步驟SOl中，所述TFT基板上具有用于驅動所述發光元器件的TFT陣列，且所述TFT陣列為本領域常規結構的TFT陣列。優選的，所述TFT陣列表面可以覆蓋有保護層，所述保護層為鈍化層。進一步的，所述保護層上可設置平坦層。應當理解，上述步驟SOl還包括在所述TFT陣列上方挖孔、制作用于實現所述TFT陣列的S/D電極和所述半透明半反射電極之間電連接的連接孔。所述連接孔的設置位置和實現方式，均可采用本領域常規方式。
[0046]上述步驟S02中，在所述基板上制作半透明半反射電極的方法沒有嚴格限制，可通過常規制備電極的方法實現。本發明實施例中，為了實現有效的電連接，所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連。
[0047]上述步驟S03中，在所述半透明半反射電極上依次沉積發光層和透明電極的方法不受限制，可采用本領域常規方法實現。
[0048]上述步驟S04中，在所述透明電極上沉積光取出層，所述光取出層可以進一步進行結構改進，以減小全反射，提高出光效率。作為一個優選實施例，所述光取出層在出光側面疊加微納結構;作為另一個優選實施例，所述光取出層在出光側面疊層設置折射率遞變層；作為又一個優選實施例，所述光取出層在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜。
[0049]進一步的，還包括對透明顯示面板進行封裝處理。
[0050]結合圖4，本發明實施例還提供了一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟:[0051 ] DOl.提供一具有TFT陣列的TFT基板；
[0052]D02.在所述基板上制作光取出層，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔；
[0053]D03.在所述光取出層上沉積透明電極，且所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連；
[0054]D04.在所述透明電極上依次沉積發光層和半透明半反射電極。
[0055]具體的，上述步驟DOl中，所述TFT基板上具有用于驅動所述發光元器件的TFT陣列，且所述TFT陣列為本領域常規結構的TFT陣列。優選的，所述TFT陣列表面可以覆蓋有保護層，所述保護層為鈍化層。進一步的，所述保護層上可設置平坦層。
[0056]上述步驟D02中，在所述基板上沉積光取出層，所述光取出層可以進一步進行結構改進，以減小全反射，提高出光效率。作為一個優選實施例，所述光取出層在出光側面疊加微納結構;作為另一個優選實施例，所述光取出層在出光側面疊層設置折射率遞變層;作為又一個優選實施例，所述光取出層在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜。
[0057]進一步的，上述步驟D02還包括在所述TFT陣列上方挖孔、制作用于實現所述TFT陣列的S/D電極和所述透明電極之間電連接的連接孔。所述連接孔的設置位置和實現方式，均可采用本領域常規方式。
[0058]上述步驟D03中，在所述光取出層上沉積透明電極的方式不受限制，可采用本領域常規方法實現。本發明實施例中，為了實現有效的電連接，所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連。
[0059]上述步驟D04中，在所述透明電極上依次沉積發光層和半透明半反射電極的方式不受限制，可采用本領域常規方法實現。
[0060]進一步的，還包括對透明顯示面板進行封裝處理。
[0061]本發明實施例提供的透明顯示面板的制備方法，簡單易控，易于實現產業化。
[0062]以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種透明顯示面板，包括基板和設置在基板上的顯示單元，所述顯示單元分為顯示區和非顯示區，其特征在于，所述非顯示區由透光材料制成，且所述非顯示區的透光率為50-80%;所述顯示區設置有發光元器件，所述發光元器件包括依次設置的半透明半反射電極、發光層、透明電極和光取出層，且所述顯示區的透光率為20-50%。2.如權利要求1所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明顯示面板為頂發射型透明顯示基板，所述半透明半反射電極設置在所述基板上，所述半透明半反射電極、發光層、透明電極和光取出層從下往上依次層疊設置。3.如權利要求1所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明顯示面板為底發射型顯示面板，所述光取出層設置在所述基板上，所述光取出層、透明電極、發光層和半透明半反射電極從下往上依次層疊設置。4.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述光取出層在出光側面設置微納結構;或 所述光取出層在出光側面疊層設置折射率遞變層;或 所述光取出層在出光側面引入含光散射顆粒的光取出薄膜。5.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述半透明半反射電極為導電金屬薄膜，且所述導電金屬薄膜的厚度為10_25nm。6.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明電極為導電金屬氧化物或導電金屬薄膜。7.如權利要求1所述的透明顯示面板，其特征在于，所述透明電極由導電金屬氧化物、金屬和導電金屬氧化物疊層形成。8.如權利要求1-3任一所述的透明顯示面板，其特征在于，所述發光層為有機發光層或量子點發光層。9.一種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有TFT陣列的TFT基板，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔； 在所述基板上制作半透明半反射電極，且所述半透明半反射電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連； 在所述半透明半反射電極上依次沉積發光層和透明電極； 在所述透明電極上制作光取出層。10.—種透明顯示面板的制備方法，包括以下步驟: 提供一具有TFT陣列的TFT基板； 在所述基板上制作光取出層，在所述TFT陣列上方挖孔、形成連接孔； 在所述光取出層上沉積透明電極，且所述透明電極通過所述連接孔與所述TFT陣列相連； 在所述透明電極上依次沉積發光層和半透明半反射電極。
【文檔編號】H01L21/77GK106024835SQ201610390763
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月2日
【發明人】陳亞文
【申請人】Tcl集團股份有限公司