本(ben)公開涉(she)及紅(hong)(hong)外探測，尤其涉(she)及一種紅(hong)(hong)外偏(pian)振器(qi)件的制備方法(fa)及紅(hong)(hong)外偏(pian)振器(qi)件。

背景技術：

1、目(mu)前，紅外成像技(ji)術因(yin)其探測(ce)距離遠、探測(ce)靈(ling)敏度高以及能在(zai)夜(ye)間(jian)工作等優異(yi)的(de)性(xing)能而備受關(guan)注，并通常會(hui)與其他(ta)技(ji)術結(jie)合使(shi)(shi)用來拓(tuo)展用途。例如：由于不同的(de)物體或(huo)同一物體會(hui)產生出不同的(de)偏(pian)振狀態，通過將偏(pian)振技(ji)術與紅外成像技(ji)術結(jie)合使(shi)(shi)用，能夠實現(xian)在(zai)復(fu)雜的(de)背景中(zhong)輕松的(de)識別(bie)出目(mu)標對象。

2、在紅(hong)外偏(pian)振(zhen)(zhen)成像技術(shu)中，偏(pian)振(zhen)(zhen)片(pian)如(ru)光柵負責識別目(mu)標(biao)對象的偏(pian)振(zhen)(zhen)信息，其一同與膠體量子(zi)(zi)點構成紅(hong)外偏(pian)振(zhen)(zhen)器(qi)件中不可(ke)或(huo)缺的組(zu)成部分。但是(shi)，現有(you)的紅(hong)外偏(pian)振(zhen)(zhen)成像技術(shu)通常采用光刻工藝在膠體量子(zi)(zi)點表(biao)面制備(bei)偏(pian)振(zhen)(zhen)片(pian)，這種方式應用于(yu)膠體量子(zi)(zi)點表(biao)面會不可(ke)避(bi)免地對量子(zi)(zi)點的化(hua)學性質造成損害，從(cong)而導致紅(hong)外偏(pian)振(zhen)(zhen)器(qi)件的偏(pian)振(zhen)(zhen)探測(ce)性能下降。

技術實現思路

1、為(wei)了解決上(shang)述(shu)技術問題(ti)或(huo)者(zhe)至少部分地解決上(shang)述(shu)技術問題(ti)，本公開提供了一種紅外(wai)(wai)偏振器(qi)件的制備方法(fa)及紅外(wai)(wai)偏振器(qi)件。

2、本公(gong)開提供了一種紅(hong)外(wai)偏振器件的制備方法，包括：

3、提供基(ji)底；所述基(ji)底的一(yi)側形成有第一(yi)電極(ji)；

4、在所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)極背離所(suo)述基(ji)底的一(yi)(yi)側(ce)形成具有預設凹(ao)凸圖案的第(di)(di)一(yi)(yi)量(liang)子點探(tan)測(ce)結構(gou)(gou)；所(suo)述第(di)(di)一(yi)(yi)量(liang)子點探(tan)測(ce)結構(gou)(gou)為物理成型；

5、在所(suo)述(shu)第(di)一量(liang)子(zi)點探測結構背離所(suo)述(shu)第(di)一電極的一側沉(chen)積形(xing)成光柵陣(zhen)列結構；

6、其(qi)中，所述光(guang)柵(zha)陣列結(jie)構復用為第二電極(ji)。

7、可選(xuan)地，還包括：

8、在所述(shu)光柵(zha)陣列結(jie)構(gou)背離所述(shu)第一(yi)量子(zi)點探測結(jie)構(gou)的一(yi)側依次形成n型摻雜層、本(ben)征(zheng)型量子(zi)點層以(yi)及p型摻雜層，得到第二量子(zi)點探測結(jie)構(gou)；

9、在所述第二量子點探測結構(gou)背離所述光柵陣(zhen)列結構(gou)的(de)一側沉(chen)積形(xing)成第三(san)電極。

10、可選地，所(suo)述(shu)在(zai)所(suo)述(shu)第一電(dian)極背離所(suo)述(shu)基(ji)底的(de)一側形(xing)成具有(you)預設凹凸圖案的(de)第一量子點探測結構，包(bao)括：

11、采(cai)用旋涂或(huo)噴涂的工(gong)藝(yi)在所述第一電極(ji)背離所述基(ji)底的一側依次形成n型(xing)摻(chan)雜層和本征型(xing)量(liang)子點(dian)層；

12、采用納米壓(ya)印工藝對所述本征(zheng)型量(liang)子點層(ceng)進行壓(ya)印處理(li)，形成具(ju)有預(yu)設凹凸圖案(an)的所述本征(zheng)型量(liang)子點層(ceng)；

13、采(cai)用旋涂或噴涂的(de)工藝(yi)在所述本(ben)征型(xing)量子(zi)點層背離所述n型(xing)摻雜(za)(za)層的(de)一側形(xing)成(cheng)p型(xing)摻雜(za)(za)層。

14、本公開還提供了一種(zhong)紅外偏振器件(jian)，包括(kuo)：

15、基底；

16、第一電極(ji)，設(she)置于所(suo)述基(ji)底的一側；

17、第一(yi)(yi)量子(zi)點(dian)探測結構(gou)，設(she)(she)置于所述第一(yi)(yi)電(dian)極背離(li)所述基底的(de)一(yi)(yi)側；所述第一(yi)(yi)量子(zi)點(dian)探測結構(gou)具有預設(she)(she)凹凸圖案，且為物理成型(xing)；

18、光柵(zha)陣(zhen)列結構，設(she)置于所述第一(yi)量子點(dian)探(tan)測結構背離所述第一(yi)電極的一(yi)側；

19、其中，所述光柵陣列結構復(fu)用為(wei)第二電極。

20、可選地，該(gai)紅外偏振器件還包括：

21、第二量子點(dian)探測結構，設(she)置于所(suo)述(shu)光柵陣列(lie)結構背離所(suo)述(shu)第一量子點(dian)探測結構的一側；

22、第(di)三電極，設置于(yu)所(suo)述(shu)第(di)二量子點探測結構背離(li)所(suo)述(shu)光柵(zha)陣(zhen)列結構的一側。

23、可選(xuan)地(di)，所述第二(er)量子(zi)點探測(ce)(ce)結構(gou)與(yu)所述第一量子(zi)點探測(ce)(ce)結構(gou)均(jun)包括：

24、沿所(suo)述(shu)第一電(dian)極(ji)指向(xiang)所(suo)述(shu)第三(san)電(dian)極(ji)的(de)方向(xiang)依次層(ceng)疊(die)設置的(de)n型(xing)摻(chan)雜層(ceng)、本征型(xing)量子點層(ceng)以(yi)及p型(xing)摻(chan)雜層(ceng)。

25、可選地，所述n型摻(chan)雜層的厚(hou)度為：10nm~50nm；

26、所(suo)述本征型(xing)量子點(dian)層的(de)厚度為：400nm~500nm；

27、所述(shu)p型摻雜層的厚度為：10nm~50nm。

28、可選(xuan)地，所(suo)述(shu)光柵陣列結構(gou)包(bao)括陣列排布的(de)光柵單(dan)元，且(qie)沿垂直于(yu)所(suo)述(shu)基底所(suo)在平面的(de)方向，每個所(suo)述(shu)光柵單(dan)元包(bao)括在第(di)一高度和(he)第(di)二高度處交(jiao)替設(she)置(zhi)的(de)光柵線條；

29、相鄰預設(she)數量的所述(shu)(shu)光(guang)(guang)柵單元形成一光(guang)(guang)柵組；同(tong)一所述(shu)(shu)光(guang)(guang)柵組中各所述(shu)(shu)光(guang)(guang)柵單元的光(guang)(guang)柵線條延伸(shen)方向(xiang)不同(tong)；不同(tong)光(guang)(guang)柵線條延伸(shen)方向(xiang)的所述(shu)(shu)光(guang)(guang)柵單元用(yong)于透射不同(tong)偏振方向(xiang)的紅外光(guang)(guang)。

30、可選(xuan)地(di)，同一所述(shu)光柵組的各所述(shu)光柵單(dan)元(yuan)的光柵線條延伸方向依次間隔相同角(jiao)度。

31、可選地，所(suo)述基底(di)包括信(xin)(xin)號(hao)讀出電(dian)路(lu)(lu)；所(suo)述信(xin)(xin)號(hao)讀出電(dian)路(lu)(lu)包括陣列排(pai)布的像素區域；

32、所(suo)(suo)述光柵單元在所(suo)(suo)述基底上的垂直投影與(yu)所(suo)(suo)述像素區(qu)域一(yi)一(yi)對應。

33、本(ben)公開(kai)實施例提供的(de)技術方案與現有技術相比(bi)具有如下優點：

34、本(ben)公開實施例提(ti)供的(de)(de)(de)紅外(wai)(wai)偏振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)制備方法，包括：提(ti)供基(ji)底(di)；基(ji)底(di)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)；在第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)背離(li)基(ji)底(di)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)形(xing)成(cheng)(cheng)具(ju)有(you)預設凹凸(tu)圖(tu)案(an)(an)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)量子點(dian)探(tan)測(ce)結(jie)構(gou)；第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)量子點(dian)探(tan)測(ce)結(jie)構(gou)為(wei)物理成(cheng)(cheng)型；在第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)量子點(dian)探(tan)測(ce)結(jie)構(gou)背離(li)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)側(ce)(ce)沉(chen)積形(xing)成(cheng)(cheng)光柵(zha)陣(zhen)列結(jie)構(gou)；其中，光柵(zha)陣(zhen)列結(jie)構(gou)復(fu)用為(wei)第(di)二電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)。如此，通過在具(ju)有(you)預設凹凸(tu)圖(tu)案(an)(an)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)量子點(dian)探(tan)測(ce)結(jie)構(gou)上沉(chen)積形(xing)成(cheng)(cheng)光柵(zha)陣(zhen)列結(jie)構(gou)，不會對第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)量子點(dian)探(tan)測(ce)結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)化學性質造成(cheng)(cheng)損害，利于提(ti)升紅外(wai)(wai)偏振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)偏振(zhen)(zhen)探(tan)測(ce)性能。

技術特征：

1.一種(zhong)紅外(wai)偏振器件的制備方法，其特(te)征在于(yu)，包括(kuo)：

2.根據權利要求1所(suo)述(shu)的(de)紅外(wai)偏振器件的(de)制(zhi)備方(fang)法，其特(te)征在于，還包括：

3.根據權利要求1所述(shu)的(de)紅(hong)外(wai)偏振器件的(de)制備方法，其(qi)特(te)征(zheng)在于，所述(shu)在所述(shu)第一電極(ji)背離(li)所述(shu)基底的(de)一側形成(cheng)具有預設凹凸圖案的(de)第一量子點探測(ce)結構，包括：

4.一種紅外偏振器件，其特征在(zai)于，包(bao)括：

5.根據(ju)權利要求4所述的紅外偏(pian)振器(qi)件，其特征在于，還包括：

6.根據權(quan)利要求5所(suo)述(shu)的紅外(wai)偏振器件(jian)，其(qi)特征(zheng)在于(yu)，所(suo)述(shu)第(di)二量子點探(tan)測(ce)結構(gou)與所(suo)述(shu)第(di)一量子點探(tan)測(ce)結構(gou)均包括：

7.根據權利要(yao)求6所述的(de)紅(hong)外偏振(zhen)器件，其特征在于(yu)，

8.根據(ju)權(quan)利(li)要(yao)求4所(suo)述(shu)的紅外偏振器件，其特征在于，所(suo)述(shu)光(guang)柵陣(zhen)列結(jie)構包括陣(zhen)列排(pai)布的光(guang)柵單元(yuan)，且沿(yan)垂直于所(suo)述(shu)基底所(suo)在平(ping)面的方向(xiang)，每(mei)個所(suo)述(shu)光(guang)柵單元(yuan)包括在第一高(gao)度和第二高(gao)度處交替設(she)置的光(guang)柵線條；

9.根據權利(li)要求8所述的(de)紅外偏振器件(jian)，其特征(zheng)在于，同一所述光(guang)柵組(zu)的(de)各所述光(guang)柵單(dan)元的(de)光(guang)柵線條延伸方向依次間隔(ge)相同角度。

10.根據權利要求8所(suo)述的(de)紅外偏(pian)振器件，其特征(zheng)在于，所(suo)述基(ji)底(di)包括信(xin)號(hao)讀出電路(lu)；所(suo)述信(xin)號(hao)讀出電路(lu)包括陣列(lie)排(pai)布的(de)像素區域；

技術總結
本公開涉及一種紅外偏振器件的制備方法及紅外偏振器件，該制備方法包括：提供基底；基底的一側形成有第一電極；在第一電極背離基底的一側形成具有預設凹凸圖案的第一量子點探測結構；第一量子點探測結構為物理成型；在第一量子點探測結構背離第一電極的一側沉積形成光柵陣列結構；其中，光柵陣列結構復用為第二電極。如此，通過在具有預設凹凸圖案的第一量子點探測結構上沉積形成光柵陣列結構，不會對第一量子點探測結構的化學性質造成損害，利于提升紅外偏振器件的偏振探測性能。

技術研發人員：劉雁飛,陳雯雯
受保護的技術使用者：中芯熱成科技（北京）有限責任公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/29