本說明書涉及(ji)制造半(ban)導體(ti)器(qi)件。本文所述的(de)解決方案(an)可應用于功率(lv)集成電(dian)路(ic)半(ban)導體(ti)器(qi)件，例如(ru)汽車或工業產品的(de)功率(lv)四方扁(bian)平(ping)無引(yin)線(qfn)封裝件。

背景技術：

1、在(zai)(ic)半導體器件的當前(qian)制造工(gong)藝(yi)中，多個器件被并行處理并且最終將其分(fen)割(ge)為單獨器件。

2、在處(chu)理期(qi)間，使用包(bao)括沿著(zhu)每一器(qi)件(jian)的(de)(de)外圍(wei)延(yan)伸的(de)(de)(犧(xi)牲)連接桿的(de)(de)金屬連接結構將用于(yu)多(duo)個單獨器(qi)件(jian)的(de)(de)多(duo)個襯底(引線框(kuang)架)固持在引線框(kuang)架條中。

3、在(zai)分割步(bu)驟之前，可執(zhi)行鍍覆步(bu)驟以便用例如(ru)由錫制成的金屬(可焊(han)接)層來鍍覆引(yin)線框(kuang)架底表面。

4、通過提供(gong)在鍍(du)覆(fu)步(bu)驟期間(jian)被(bei)暴露(lu)的(de)相(xiang)對大(da)的(de)連(lian)接桿(gan)(例如，比200微米更(geng)寬)可(ke)以促(cu)進(jin)某(mou)些(xie)器件的(de)處理。這導致(zhi)連(lian)接桿(gan)在鍍(du)覆(fu)步(bu)驟中被(bei)鍍(du)覆(fu)，從而在連(lian)接桿(gan)上(shang)積聚相(xiang)當大(da)量的(de)金屬。

5、在(zai)(zai)分割步驟中(zhong)，刀片被(bei)使用以移除連接(jie)(jie)桿(gan)和鍍在(zai)(zai)其(qi)上(shang)的可焊接(jie)(jie)金屬(shu)層。由(you)于積(ji)聚(ju)在(zai)(zai)連接(jie)(jie)桿(gan)上(shang)的金屬(shu)量，在(zai)(zai)分割步驟期(qi)間(jian)刀片的動作可能產生薄片或細(xi)絲(si)，這些薄片或細(xi)絲(si)不希望地(di)“橋接(jie)(jie)”相鄰引線，從(cong)而引起在(zai)(zai)其(qi)之間(jian)的短(duan)路。

6、這種不希望的電(dian)耦合(短(duan)路)導致器件作廢(fei)(rejection)和/或(huo)故障(zhang)。

7、在本(ben)領域中需要(yao)旨(zhi)在解(jie)決前述問題(ti)的解(jie)決方(fang)案。

技術實現思路

1、一個或多個實(shi)施(shi)例涉(she)及一種(zhong)方法。

2、一個(ge)或(huo)多個(ge)實施例涉及對應的(集成電路)半導體器件(jian)。

3、在本(ben)文(wen)所(suo)述(shu)的解決方案中，提供處(chu)理步驟以抵消可能導致器(qi)件失效(xiao)的細絲/薄片形成。

4、在(zai)如本文所(suo)述的解決方案中，在(zai)切割(ge)步(bu)驟之(zhi)前移除在(zai)鍍覆步(bu)驟期間積聚在(zai)連接(jie)桿的后表(biao)面(mian)/底表(biao)面(mian)上的金屬材料(liao)，以便抵消薄(bo)片/細(xi)絲的形成。

5、在本文所述的(de)解決方(fang)案中(zhong)，可通過(guo)激光(guang)燒蝕來從連(lian)接桿(gan)的(de)后(hou)表面/底表面移(yi)除金屬材料。

技術特征：

1.一種方法，包括：

2.根據權利要求1所(suo)述(shu)的方法(fa)，其中所(suo)述(shu)可焊(han)接(jie)金屬(shu)層包括錫。

3.根據權利(li)要求1所述的方(fang)法(fa)，還包括經由鍍覆(fu)在所述公共導電(dian)襯(chen)底的所述第二表(biao)面(mian)上提供所述可焊接金屬層(ceng)。

4.根據權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的(de)方法，其中(zhong)使用激(ji)光燒蝕來(lai)執行移(yi)除所(suo)述(shu)可焊接金屬層。

5.根據權利要求1所(suo)述(shu)的方(fang)法，其中(zhong)使(shi)用選(xuan)擇性蝕刻來執行移除所(suo)述(shu)可焊(han)接金屬(shu)層。

6.根(gen)據權利要求(qiu)1所(suo)述(shu)(shu)的(de)方法，其(qi)中移(yi)除所(suo)述(shu)(shu)可焊接金屬層(ceng)包括在沿所(suo)述(shu)(shu)長(chang)度分布(bu)的(de)所(suo)選擇的(de)位置處移(yi)除所(suo)述(shu)(shu)細(xi)長(chang)犧牲連接桿(gan)。

7.根據權(quan)利要(yao)求1所(suo)(suo)述的(de)方(fang)法，其中移(yi)除所(suo)(suo)述可(ke)焊接(jie)(jie)金屬層(ceng)包括在系(xi)桿處從所(suo)(suo)述細長(chang)犧牲(sheng)連接(jie)(jie)桿移(yi)除所(suo)(suo)述可(ke)焊接(jie)(jie)金屬層(ceng)，所(suo)(suo)述系(xi)桿將所(suo)(suo)述細長(chang)犧牲(sheng)連接(jie)(jie)桿耦合到(dao)所(suo)(suo)述公(gong)共導電襯(chen)底中的(de)相鄰(lin)襯(chen)底部分。

8.根據權利要求1所述的(de)方(fang)法，其(qi)中移(yi)除所述可(ke)焊(han)接(jie)金屬層包括從所述系桿的(de)遠端移(yi)除所述可(ke)焊(han)接(jie)金屬層，所述系桿將所述細(xi)長(chang)犧牲連接(jie)桿耦合到所述公共導電(dian)襯底中的(de)相鄰襯底部分。

9.一種半導體器件，通過(guo)根據權利要求(qiu)1所述的方法獲(huo)得。

10.一種方法，包括：

11.根據(ju)權利要求(qiu)10所述的方法，其中所述可(ke)焊(han)接(jie)金屬層(ceng)包括(kuo)錫。

12.根據權利要求(qiu)10所述的方法，其中在所選擇的位(wei)置處(chu)使用激光燒蝕來執行移除所述可焊接金屬層。

13.根(gen)據權利要求10所述的方法，其中在所選(xuan)擇的位置處使用選(xuan)擇性蝕刻來執行移除所述可焊接金屬層。

14.根據權利要求10所述的(de)方法，其中所選擇的(de)位置沿所述犧牲連(lian)接(jie)桿(gan)的(de)所述長度分布。

15.根(gen)據權利要(yao)求10所(suo)述(shu)的方法，其中所(suo)述(shu)引線通(tong)過系桿被耦合到所(suo)述(shu)犧牲性(xing)連接(jie)桿，并且其中所(suo)選擇(ze)的位置(zhi)是在(zai)所(suo)述(shu)系桿處的位置(zhi)。

16.一種半導體器(qi)件(jian)，通過根據權利要求10所述的(de)方(fang)法(fa)獲得。

17.一(yi)種半(ban)導體器件(jian)，包括：

技術總結
本公開涉及制造半導體器件的方法和對應的半導體器件。半導體芯片被布置在公共導電襯底的第一表面上，公共導電襯底具有與第一表面相對的第二表面。襯底包括具有相互面對的側面的相鄰襯底部分，犧牲連接桿在相鄰的相互面對的側面之間延伸。可焊接金屬層存在于在犧牲連接桿上延伸的第二表面上。從犧牲連接桿的長度的至少一部分上選擇性地移除(例如，通過激光燒蝕或蝕刻)可焊接金屬層。然后沿著細長犧牲連接桿的長度切割公共導電襯底，以提供分割的單獨半導體器件。阻止了在旨在被彼此隔離的襯底的導電細絲或薄片的不期望的形成。

技術研發人員：A·貝利齊,G·卡塔拉諾
受保護的技術使用者：意法半導體國際公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/10