用于發光裝置的多孔膜的制作方法
【專利摘要】一些多孔膜，例如有機非聚合性多孔膜，可用于光輸出耦合以增加發光裝置的效率。多孔膜也可在其他裝置中用于光散射以及用于與光傳輸相關的其他應用。
【專利說明】用于發光裝置的多孔膜
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請根據35U. S. C. § 119(e)要求于2011年3月3日提交的美國臨時申請第61/449，032號的優先權，通過引用以整體方式將其公開內容并入本文。
[0003]發明背景
發明領域
[0004]一些實施方案涉及多孔膜，例如用于裝置（例如發光裝置）的多孔膜。
_5] 相關領域描述
[0006]有機發光裝置（OLED)可用于并入節能的照明儀器或裝置。可惜的是，OLED的效率可能會在產生發射光以及發射光離開裝置以提供照明的能力方面受到任何固有的效率不足的限制。發射光不能離開裝置也可稱為捕獲（trapping)。由于捕獲，裝置效率可能減少至發射效率的約10-30%。光提取（light extraction)可減少捕獲,從而基本上改善效率。
[0007]發明簡述
[0008]一些實施方案可包括多孔膜。多孔膜可包括：非聚合性有機化合物，其具有在約I. I至約I. 8的范圍內的折射率；多個不規則排列的納米突起物、納米顆粒或其聚集體；和/或多個空隙，其總體積為所述膜的體積的至少約50%，并且多個空隙中至少約10%具有在約O. 5 μ m至約5 μ m的范圍內的最長尺寸。多孔膜可具有在約500nm至約20 μ m的范圍內的厚度；和/或包括空隙的多孔膜的密度可為約O. 5皮克（picograms)/μ m3或更小。
[0009]一些實施方案可包括發 光裝置，其包括：多孔膜，所述多孔膜可包括：與發光裝置中部分內反射層的第一界面，其中部分內反射層的折射率可高于多孔膜的折射率；與折射率低于多孔膜的折射率的物質的第二界面；并且其中第二界面可包括多個不規則排列的納米突起物或納米顆粒。
[0010]一些實施方案可包括發光裝置，其包括：可布置在陽極或陰極上方的多孔膜；其中多孔膜可具有低于陽極折射率和陰極折射率的折射率。
[0011]一些實施方案包括發光裝置，包括：發光二極管，其包括：陽極；陰極；布置于陽極與陰極之間的發射層；以及多孔膜；其中多孔膜可布置在陽極上或陰極上；或發光裝置可還包括布置于陽極和多孔膜之間的透明層或是布置于陰極和多孔膜之間的透明層。
[0012]在一些實施方案中，可通過包括以下方法來制備多孔膜：沉積有機膜并以約100°C至約290°C的溫度加熱有機膜。
[0013]一些實施方案可包括發光裝置，包括：發光二極管，其包括多孔膜；其中將多孔膜布置在內反射層上，所述內反射層選自：陽極；陰極；布置于陽極和多孔膜之間的透明層，或布置于陰極和多孔膜之間的透明層；其中內反射層的折射率高于多孔膜的折射率；其中多孔膜可包括本文所述的化合物。
[0014]這些和其他實施方案詳細描述于本文中。
[0015]附圖簡述
[0016]圖I示出了輔助確定顆粒或突起物的X尺寸、y尺寸以及z尺寸。[0017]圖2A示出了可被描述為當在Xz平面觀察時為大致矩形的、準平面的或為納米片的顆粒的理想化實例。
[0018]圖2B示出了可被描述為曲形或波形納米片的顆粒的實例。
[0019]圖3示出了在平面中基本具有全部為大致直角的角的顆粒的理想化實例。
[0020]圖4示出了具有大致上不為直角的角的準平行四邊形顆粒的理想化實例。
[0021]圖5示出了為大致膠囊形的顆粒的理想化實例。
[0022]圖6示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0023]圖7示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0024]圖8示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0025]圖9示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0026]圖10示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0027]圖11示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0028]圖12示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0029]圖13示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0030]圖14示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0031]圖15示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0032]圖16示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0033]圖17示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0034]圖18示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0035]圖19示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0036]圖20示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0037]圖21示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0038]圖22示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0039]圖23示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0040]圖24示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0041]圖25示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0042]圖26示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0043]圖27示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0044]圖28示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0045]圖29示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0046]圖30示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0047]圖31示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0048]圖32示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0049]圖33示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0050]圖34示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0051]圖35示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0052]圖36示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0053]圖37示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0054]圖38示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。[0055]圖39示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0056]圖40示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0057]圖41示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0058]圖42示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0059]圖43示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0060]圖44示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0061]圖45示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0062]圖46示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0063]圖47示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0064]圖48示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0065]圖49示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0066]圖50示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0067]圖51示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0068]圖52示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0069]圖53示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0070]圖54示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0071]圖55為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0072]圖56為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0073]圖57A至圖57B為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0074]圖58為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0075]圖59為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0076]圖60為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0077]圖61為示出制備發光裝置的方法的實施方案中某些步驟的流程圖。
[0078]圖62A為涉及本文所述的裝置的實施方案的示意圖。
[0079]圖63B為示出制備發光裝置的方法的實施方案中某些步驟的流程圖。
[0080]圖63為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0081]圖64為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0082]圖65為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0083]圖66為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0084]圖67示出了裝置的多孔膜的表面SEM圖像。
[0085]圖68為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0086]圖69為本文所述的裝置的一些實施方案的示意圖。
[0087]圖70為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0088]圖71為包括本文所述化合物的多孔膜的功率效率與厚度的函數的圖表。
[0089]圖72為用于測定在透明襯底的實施方案中的捕獲的方法的示意圖。
[0090]圖73為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0091]圖74A至圖74B為本文所述的裝置的一些實施方案的照片。
[0092]圖75為本文所述的多孔膜的一些實施方案的照片。
[0093]圖76示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。[0094]圖77示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0095]圖78示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0096]圖79示出了多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。
[0097]圖80為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0098]圖81示出了本文所述的多孔膜的一實施方案的照片。
[0099]圖82為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0100]圖83為本文所述的裝置的一些實施方案的功率效率與亮度的函數的圖表。
[0101]發明詳述
[0102]本文所述的多孔膜可用于涉及將光從一層傳送至另一層的多種裝置，例如發光二極管、光伏電池、檢測器等。在一些實施方案中，多孔膜可向用于例如照明的有機發光二極管提供有效的光輸出耦合。對一些裝置，可實現接近90%或可能更大的從襯底的光提取。多孔膜可提供易于加工性以及潛在低成本地改善裝置效率。
[0103]在一些實施方案中，本文所述的多孔膜可通過降低裝置的層中的全內反射(totalinternal reflection)量來改善裝置的效率。全內反射可能是捕獲的主因。當光從高折射率材料進入低折射率材料時，光可能以偏離界面的法線角的方向偏折。如果較高折射率材料中的光抵達與較低折射率材料的界面且角度基本偏離90度時，則光的偏折可大于光接近界面的角度，以致于光可折回進入較高折射率的材料，而非傳出較高折射率的材料。這可稱為全內反射。因為空氣可具有低于許多材料的折射率，所以裝置與空氣之間的界面可能會由于全內反射而遭受損失。此外，由于全內反射引起的捕獲可發生在裝置的任何界面處(光自較高折射率層行進至較低折射率層的界面處)。包括本文所述的多孔膜的裝置可減少全內反射或捕獲，因此具有改善的效率。
[0104]在一些實施方案中，本文所述的多孔膜可向涉及光自一種材料行進至另一種材料的多種裝置提供光散射，所述裝置包括吸收光或發射光的裝置。光散射可用于裝置中以提供視角色彩一致性(viewing angle color consistency),以致于無論從什么角度觀察光，色彩基本類似。不具有光散射層的裝置可以以觀察者根據觀看光的角度而觀察到不同色彩的方式發光。
[0105]在一些實施方案中，本文所述的多孔膜可用作涉及光自一種材料行進至另一種材料的各種裝置的過濾器(filter)，所述各種裝置包括吸收光或發射光的裝置。
[0106]多孔膜可包括任何包括多個孔的膜。舉例而言，多孔膜可包括不規則取向的交錯納米結構。
[0107]在一些實施方案中，可將多孔膜布置于透明襯底上,這可以降低襯底內的光的全內反射。
[0108]在一些實施方案中，多孔膜可包括第一表面和第二表面，其中第一表面的共面面積基本大于第二表面的共面面積。雖然“共面面積”為廣義的術語，但一種確定表面的共面面積的方式可以是將目標表面放置在平滑平面上，并且測量與平滑平面接觸的表面的面積。
[0109]多孔膜可具有各種結構。在一些實施方案中，多孔膜可具有包括多個不規則排列的突起物、顆粒或其聚集體的表面。突起物或顆粒可以是納米突起物，包括一個或多個尺寸為納米至微米的范圍的納米結構。舉例而言，納米突起物或納米顆粒可具有:為約400nm、約500nm、約lOOOnm、約1500nm、約2000nm、約2500nm、約3000nm或以任何這些長度為界的或在任何這些長度之間的范圍中的任何值的平均X尺寸；為約50nm、約lOOnm、約300nm、約500nm、約 700nm、約 lOOOnm、約 1200nm、約 1500nm、約 1800nm、約 2000nm 或以任何這些長度為界的或在任何這些長度之間的范圍中的任何值的平均y尺寸；和/或為約10nm、約30nm、約50nm、約70nm、約90nm、約IOOnm或以任何這些長度為界的或在任何這些長度之間的范圍中的任何值的平均z尺寸。在一些實施方案中，膜中至少一個顆粒可具有，或膜中顆粒平均可具有約 5nm、約 0.01 μ m、約 0.02 μ m、約 0.05 μ m、約 0.1 μ m、約 0.5 μ m、約 I μ m、約2 μ m、約 5 μ m、約 10 μ m、約 20 μ m、約 50 μ m、約 100 μ m、約 150 μ m、約 200 μ m、約 500 μ m、約1000 μ m或以任何這些長度為界或在任何這些長度之間的長度的X尺寸、y尺寸或z尺寸。在一些實施方案中，納米突起物或納米顆粒可具有:在約400nm至約3000nm、約IOOOnm至約3000nm或約2000nm至3000nm的范圍內的平均x尺寸；在約IOOnm至約2000nm、約IOOnm至約1500nm或約IOOnm至IOOOnm的范圍內的平均y尺寸；和/或在約IOnm至約100nm、約30nm至約90nm或約30nm至70nm的范圍內的平均z尺寸。在一些實施方案中，膜中至少一顆粒可具有，或膜中顆粒平均可具有在約5nm至約1000 μ m、約0.02 μ m至約I μ m、或約I μ m至約200 μ m的范圍內的x尺寸、y尺寸或z尺寸。
[0110]在一些實施方案中，突起物、顆粒或其聚集體可基本為透明或基本為半透明的。
[0111]雖然顆粒、突起物或空隙可為不規則形狀，但可量化三個尺寸Ouy以及Z)，如圖1所示。若在顆粒110周圍形成矩形棱柱形的箱體120，或在突起物周圍形成矩形棱柱形的開放式箱體，使得箱體盡可能地小但仍將顆粒包含于其中(或在不改變箱體的開口端的尺寸的情況下，使突起物盡可能大)，則X尺寸為箱體的最長尺寸，y尺寸為箱體的第二長尺寸，且z尺寸為箱體的第三長尺寸。
[0112]可通過描述顆粒或突起物當在特定平面觀察時的形狀來表征顆粒或突起物的三維形狀。舉例而言，當在二維的xy、xz或yz平面觀察時，顆粒或突起物可為大致矩形的、大致正方形的、大致橢圓形的、大致圓形的、大致三角形的、大致平行四邊形的等。顆粒形狀不需要在幾何上為完美的，僅需可被辨識出合理地相似于已知形狀。也可使用其他術語來表征或描述顆粒或突起物的三維形狀。
[0113]圖2A示出顆粒210的理想化實例，當在Xz平面觀察時，顆粒210基本為矩形220。如此圖所示，顆粒看起來為完美的矩形，但當在XZ平面或任何其他平面觀察時，此形狀僅需要可被辨識為相似于矩形，從而基本為矩形的。
[0114]對于圖2A，當在xy平面觀察時，因為X尺寸遠大于z尺寸，所以也可將顆粒210描述為基本線形的。如此圖所示，顆粒的X尺寸看起來為完美直線的，但當在XZ平面觀察或任何其他平面時，該形狀僅需要可被辨識為相似于線形，從而基本為線形的。
[0115]也可將顆粒210描述為納米片(nanoflake)。術語“納米片”為廣義的術語，其包括形狀像片狀且任何尺寸在納米至微米的范圍的顆粒。這可包括一維度(例如z)中相對薄且在另外兩個維度(例如xy)中具有相對大的面積的顆粒。
[0116]較大面積的表面僅需為可辨認的，但不需為平面的。舉例而言,較大面積的表面可基本處于xy平面(例如顆粒210)，但也可為曲形或波形的，以致于大部分表面不在平面中。
[0117]也可將顆粒210描述為準平面(pseudoplanar)。術語“準平面”為廣義的術語，其包括本質上為平面的顆粒。舉例而言，準平面顆粒可具有與基本在xy平面中的顆粒的xy面積相比，相對不明顯的Z尺寸。
[0118]在圖2B中，顆粒250為曲形或波形的納米片的實例。若大部分表面不在平面中，則納米片可包括具有大的曲形或波形表面260以及小厚度270的顆粒，所述厚度270垂直于表面上的給定點280。
[0119]對于任何納米片或準平面顆粒或突起物(包括顆粒210、顆粒250等)，較大面積或表面的平方根與垂直于大表面上的點的最小尺寸或厚度之比(例如:xy面積的平方根與z尺寸之比)可以是:約3、約5、約10、約20、約100、約1000、約10，000、約100，000或以任何這些長度為界的或在任何這些長度之間的范圍中的任何值。在一些實施方案中，較大面積或表面的平方根與垂直于大表面上的點的最小尺寸或厚度之比可以是約3至約100，000、約5至約1000、或約1000至10，000。
[0120]圖3示出顆粒310的理想化實例，其中顆粒310在xy平面中基本具有全部為大致直角的角。雖然未示于此圖中，一些顆粒可以不具有基本全部為大致直角的角，但可具有至少一個大致為直角的角。也可將此圖中的顆粒310描繪為準平行四邊形。準平行四邊形顆粒可包括顆粒的外邊緣的兩個基本線性部分，其中在xy平面、Xz平面或yz平面的二維中觀察時所述外邊緣的兩個基本線性部分為基本平行的。
[0121 ] 顆粒的外邊緣主要可基本由多個線性邊緣部份組成。
[0122]準平行四邊形顆粒可具有大致為直角的角(例如，圖3所示的那些)，或者準平行四邊形顆粒可具有大致不為直角的角。
[0123]圖4為準平行四邊形顆粒410的理想化實例，其中準平行四邊形顆粒具有大致不為直角的角。
[0124]若顆粒或突起物的形狀可合理地被辨認為相似于針的形狀，則可將顆粒或突起物描述為針狀。
[0125]若顆粒或突起物的形狀可合理地被辨認為相似于纖維的形狀，則可將顆粒或突起物描述為纖維形。
[0126]若顆粒或突起物的形狀可合理地被辨認為相似于帶的形狀，可將顆粒或突起物描述為帶形。這可包括具有沿著一個維度伸長且在另一維度為薄的平坦矩形表面的顆粒或突起物。帶形也可為彎曲或扭轉的，以致于顆粒不需要為了成為帶形而為基本共面的。
[0127]圖5示出基本為膠囊形的顆粒1010的理想化實例。當在xy或Xz平面觀察時,也可將顆粒1010描述為大致卵形的。當在yz平面觀察時，也可將顆粒1010描述為大致圓形的。
[0128]若顆粒或突起物的形狀可合理地被辨認為相似于棒的形狀，可將顆粒或突起物描述為棒形的。此形狀可包括沿著一個維度伸長的顆粒或突起物。棒形顆粒或突起物可基本為直線的，或可具有一些曲率或彎曲。
[0129]若x、y以及z尺寸相似,例如在一個數量級或另一個數量級內，可將顆粒或突起物描述為基本粒狀的。
[0130]圖6至圖53示出實際多孔膜的SEM圖像。所有SEM圖像是使用FEI x TnfInspectF"SEM ；2007型，3.3.2版本記錄的。在這些圖中，“mag”表示這些圖像的放大等級，“mode”表示用來產生圖像的檢測器的類型，其中“SE”代表二次電子模式，“HV”表示用于產生圖像的電子束的加速電壓，“WD”表示檢測器與實際被拍攝的表面之間的工作距離，“spot”表示電子束直徑的無單位指針，以及“pressure”表示在圖像采集時顯微鏡室內的壓力(以帕斯卡計)O
[0131]圖6示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下的描述至少可適用于在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:準平行四邊形的，至少一個為大致直角的角，以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下的描述至少可適用于在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于在該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。
[0132]在SEM中指出5μηι的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸在約I μ m至約20 μ m的范圍內。大量顆粒的xy面積的平方根與ζ尺寸之比在約10至約100的范圍內。舉例而言，假設可見邊緣的長度約等于面積的平方根，則圖中圈起來的顆粒可以具有約40的如下
比例:[Xy#<R】W此方法可用于膜，例如本文示出的一個膜，其中基于圖中可見的其他納米
2ο
片，大面積或xy面積約等于從yz平面觀察的一側的長度。此外,表面上至少約50%、約70%或約90%的顆粒可具有在約10至約1000的范圍內的xy面積的平方根與ζ尺寸之比。
[0133]圖7也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:準平行四邊形的以及大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。
`[0134]在圖7的SEM中指出50 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約Ιμπι至約500 μ m的范圍內。大量顆粒的xy面積的平方根與ζ尺寸之比在約5至約100的范圍內。
[0135]圖8也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:準平行四邊形的以及大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線性的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。
[0136]在圖8的SEM中指出ΙΟΟμπι的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:多個顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約I μ m至約500 μ m的范圍內。大量顆粒的xy面積的平方根與ζ尺寸之比也可在約5至約100的范圍內。
[0137]圖9也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:準平行四邊形的以及大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于此圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。[0138]在圖9的SEM中指出50 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸在約I μ m至約500 μ m的范圍內。
[0139]圖10也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面。
[0140]在圖10的SEM中指出4μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約Ιμπι至約20 μ m的范圍內。
[0141]圖11也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但當在xy平面、Xz平面和/或yz平面觀察時，以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及針狀的。
[0142]在圖11的SEM中指出ΙΟΟμπι的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或Z尺寸可在約20 μ m至約1000 μ m的范圍內。
[0143]圖12也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，準平行四邊形的以及大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，準平行四邊形的以及大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及針狀的。
[0144]在圖12的SEM中指出10 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或Z尺寸可在約Ιμπι至約100 μ m的范圍內。
[0145]圖13也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形、針狀以及準平面的。
[0146]在圖13的SEM中指出20 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約2μπι至約100 μ m的范圍內。
[0147]圖13也呈現出具有準花形(pseudofloral)排列的聚集體的顆粒和突起物。舉例而言，一些顆粒從共同中心區域突出的方式提供了可被辨識為與花相似的外觀。大量的這些準花形聚集體可具有在約10 μ m至約50 μ m的范圍內的直徑。
[0148]圖14也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致平行四邊形的以及準平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致平行四邊形的以及準平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形、針狀以及準平面的。
[0149]在圖15的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.5 μ m至約50 μ m的范圍內。
[0150]圖15也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:準平面的。
[0151]在圖15的SEM中指出I μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約5μπι的范圍內。
[0152]圖16也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:針狀以及準平面的。
[0153]在圖16的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0154]圖17也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，準平行四邊形的，大致平行四邊形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，準平行四邊形的，大致平行四邊形，至少一為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、纖維形以及準平面的。
[0155]在圖17的SEM中指出I μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約5μπι的范圍內。
[0156]圖18也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，準平行四邊形的，大致平行四邊形的以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致矩形的，大致平行四邊形的以及準平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:準平面的。
[0157]在圖19的SEM中指出I μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.Ιμπι至約20 μ m的范圍內。
[0158]圖19也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。[0159]在圖19的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約Ιμπι至約20 μ m的范圍內。
[0160]圖20也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。
[0161]在圖20的SEM中指出30μπι的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或Z尺寸可在約Ιμπι至約50 μ m的范圍內。
[0162]圖21也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:準平面的。
[0163]在圖21的SEM中指出50 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或Z尺寸可在約Ιμπι至約200 μ m的范圍內。
[0164]圖22也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:準平面的。
[0165]在圖22的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約5μπι的范圍內。
[0166]圖23也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:準平面的。
[0167]在圖23的SEM中指出500nm的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約50nm至約5μπι的范圍內。
[0168]圖24也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但當在xy平面、Xz平面或yz平面觀察時，以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:大致卵形的，大致橢圓形的以及大致圓形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:棒形的以及大致膠囊形的。
[0169]在圖24的SEM中指出3 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約Ιμπι的范圍內。
[0170]圖25也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物、顆粒和/或其聚集體:纖維形的。
[0171]在圖25的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約20 μ m的范圍內。
[0172]圖25也包括具有纖維束組態的納米顆粒或納米突起物的聚集體。在一些實施方案中，可將聚集體描述為具有中心束縛纖維束(center-bound fiber bundle)組態,因為聚集體可類似于如下的一束纖維，即在束的中心具有套帶或束縛物以使其捆在一起，以致于末端與束的中心相比更分散。
[0173]圖26也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物、顆粒和/或其聚集體:纖維形的。
[0174]在圖26的SEM中指出2 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0175]圖26也包括具有纖維束組態和/或中心束縛纖維束組態的納米顆粒或納米突起物的聚集體。
[0176]圖27也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物、顆粒和/或其聚集體:纖維形以及準平面的。
[0177]在圖27的SEM中指出500nm的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約5nm至約5μπι的范圍內。
[0178]圖28也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:針狀以及纖維形的。
[0179]在圖28的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約100 μ m的范圍內。
[0180]圖29也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致平行四邊形的，至少一為大致直角的角以及大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:針狀以及纖維形的。
[0181]在圖29的SEM中指出50 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或Z尺寸可在約Ιμπι至約500 μ m的范圍內。
[0182]圖30也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:準平行四邊形的，大致平行四邊形的以及大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:針狀以及纖維形的。
[0183]在圖30的SEM中指出20 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約150 μ m的范圍內。
[0184]圖31也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形的。
[0185]在圖31的SEM中指出500nm的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約IOnm至約5μπι的范圍內。
[0186]圖32也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但當在xy平面、Xz平面或yz平面觀察時，以下描述可適用于此圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角，基本全部為大致直角的角以及大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致平行四邊形的以及準平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:粒狀的。
[0187]在圖32的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約5 μ m的范圍內。
[0188]圖33也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片以及準平面的。
[0189]在圖33的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約20 μ m的范圍內。
[0190]圖34也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的以及大致矩形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及帶形的。
[0191]在圖34的SEM中指出2 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0192]圖35也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及粒狀的。
[0193]在圖35的SEM中指出I μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0194]圖36也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及準平面的。
[0195]在圖36的SEM中指出I μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或Z尺寸可在約0.01 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0196]圖37也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:棒形以及纖維形的。
[0197]在圖37的SEM中指出4 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.05μηι至約10 μ m的范圍內。
[0198]圖38也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:棒形以及纖維形的。
[0199]在圖38的SEM中指出4μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.05μηι至約10 μ m的范圍內。
[0200]圖39也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:帶形、納米片以準平面的。
[0201]在圖39的SEM中指出I μ m比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量`顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約20 μ m的范圍內。
[0202]圖40也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，準平行四邊形的，大致平行四邊形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒--大致線形的，大致平行四邊形的以及準平行四邊形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:帶形、纖維形以及準平面的。
[0203]在圖40的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0204]圖41也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:帶形以及纖維形的。
[0205]在圖41的SEM中指出10 μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約10 μ m的范圍內。
[0206]圖42也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及帶形的。
[0207]在圖42的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約5μπι的范圍內。
[0208]圖43也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、帶形以及準平面的。
[0209]在圖43的SEM中指出500nm的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約50nm至約2μπι的范圍內。
[0210]圖44也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:帶形、納米片以及準平面的。
[0211]在圖44的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約Ιμπι的范圍內。
[0212]圖45也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:帶形、納米片以及準平面的。
[0213]在圖45的SEM中指出I μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約0.1 μ m至約20 μ m的范圍內。
[0214]圖46也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，大致線形的以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:帶形、纖維形以及準平面的。
[0215]在圖46的SEM中指出4μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.05μηι至約10 μ m的范圍內。[0216]圖47也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形的。
[0217]在圖47的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.05μηι至約10 μ m的范圍內。
[0218]圖48也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，以及至少一個為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的以及大致矩形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、帶形以及準平面的。
[0219]在圖48的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約5 μ m的范圍內。
[0220]圖49也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，以及至少一個為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的以及大致矩形的。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、帶形以及準平面的。
[0221]在圖49的SEM中指出I μ m的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.02μηι至約10 μ m的范圍內。
[0222]圖50也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:纖維形以及帶形的。
[0223]在圖50的SEM中指出5 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約20 μ m的范圍內。
[0224]圖51也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:矩形、膠囊形、纖維形、帶形以及棒形的。
[0225]在圖51的SEM中指出3 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.01 μ m至約5 μ m的范圍內。
[0226]圖52也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、準平面、帶形以及粒狀的。
[0227]在圖52的SEM中指出4μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或ζ尺寸可在約0.05μηι至約10 μ m的范圍內。
[0228]圖53也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、準平面、帶形以及粒狀的。
[0229]在圖53的SEM中指出3 μ m的比例尺,該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的X、y和/或Z尺寸可在約0.05μηι至約10 μ m的范圍內。
[0230]圖54也示出多孔膜的實施方案的表面的SEM圖像。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在xy平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下描述可適用于當在yz平面觀察時該圖中的至少一突起物或顆粒:大致線形的，大致矩形的，至少一個為大致直角的角以及基本全部為大致直角的角。雖然并非詳盡的描述，但以下其他描述也可適用于該圖中的至少一突起物或顆粒:納米片、帶形以及準平面的。
[0231]在圖54的SEM中指出400nm的比例尺，該比例尺可提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆粒或空隙的x、y和/或ζ尺寸可在約50nm至約 2000nm。
[0232]本文陳述了與多孔膜的各種實例相關的圖像以及附圖的多個實例的各種形狀以及尺寸。提供這些形狀以及尺寸僅是為了幫助理解所使用的術語，并非意欲用成為任何特定實例或附圖的全面描述。因此，針對任何特定實例或附圖未使用任何特定術語，這并不意味著特定術語不適用于特定實例或附圖。
[0233]在一些實施方案中，各納米結構的平面與膜之間的角度可以是在O度到90度之間的任何值且具有相同的概率，和/或有可能沒有優選的特定角度。換言之，此膜的納米結構有可能沒有特定的大體排列或大致取向。
[0234]多孔膜的厚度可改變。在一些實施方案中，多孔膜的厚度可在納米至微米的范圍。舉例而言，膜的厚度可以是約500nm、約0.1 μ m、約I μ m、約1.3 μ m、約3 μ m、或約4 μ m、約5 μ m、約7 μ m、約ΙΟμπκ約20μπκ約100 μ m或以任何這些值為界的或任何這些值之間的范圍內的厚度。在一些實施方案中，膜的厚度可以是約500nm至約100 μ m、約0.1 μ m至約
10μ m> I μ m 5 μ m。
[0235]多孔膜可包括多個孔洞或空隙。舉例而言，多孔膜可包括多個空隙，其總體積可為包括空隙的膜的體積的約50%、約70%、約80%、約85%、約90%、約95%或約99%，或以任何這些值為界的或在任何這些值之間的范圍內的百分比。因此，若空隙的總體積為膜體積的50%，則膜體積的50%為膜材料且膜體積的50%為多個空隙。在一些實施方案中，多孔膜可包括多個空隙，其總體積可以是膜體積的約50%至約99%、約70%至約99%、約80%至約99%、或約90% 至約 99%。
[0236]在一些實施方案中，膜可包括多個空隙，其的數量及尺寸使得膜的厚度與不具有空隙的相同材料的膜的厚度相比可為約2倍、約10倍、高達50倍或約100倍，或以任何這些值為界的或任何這些值之間的范圍內的厚度比。舉例而言，當相同材料的膜在不具有空隙的情況下具有800nm的厚度時，膜可具有約5 μ m的厚度。在一些實施方案中，膜的厚度可為沒有空隙的相同材料的膜的厚度的約2倍至約100倍或約2倍至約10倍。
[0237]空隙的尺寸可改變。對于顆粒或突起物，空隙的尺寸可如上所述的那樣來量化。在一些實施方案中，至少約10%的空隙的最大尺寸或X尺寸為約0.5 μ m、約I μ m、約2 μ m、約3 μ m、約4 μ m、約5 μ m或以任何這些值為界的或任何這些值之間的范圍內的任何長度。在一些實施方案中，膜中至少一個空隙可以具有的，或膜中的空隙可以平均具有的X尺寸、y 尺寸或 ζ 尺寸為:約 5nm、約 0.01 μ m、約 0.02 μ m、約 0.05 μ m、約 0.1 μ m、約 0.5 μ m、約I U m、約 2 μ m、約 5 μ m、約 10 μ m、約 20 μ m、約 50 μ m、約 100 μ m、約 150 μ m、約 200 μ m、約500μπι、約ΙΟΟΟμπι或以任何這些值為界的或任何這些值之間的范圍內的任何長度。在一些實施方案中，膜中至少一個空隙可以具有的，或膜中的空隙可以平均具有的X尺寸、y尺寸或ζ尺寸為:約0.Ο?μπι至約5 μ m、約0.01 μ m至約I μ m、約0.01 μ m至約10 μ m、約0.01 μ m 至約 20 μ m、約 0.01 μ m 至約 5 μ m、約 0.02 μ m 至約 10 μ m、約 0.05 μ m 至約 10 μ m、約 0.1 μ m 至約 10 μ m、約 0.1 μ m 至約 100 μ m、約 0.1 μ m 至約 150 μ m、約 0.1 μ m 至約 20 μ m、約0.1 μ m至約5 μ m、約0.5 μ m至約50 μ m、約I μ m至約100 μ m、約I μ m至約20 μ m、約
Iμ m至約200 μ m、約I μ m至約50 μ m、約I μ m至約500 μ m、約10 μ m至約50 μ m、約IOnm至約5 μ m、約2 μ m至約100 μ m、約20 μ m至約1000 μ m、約5nm至約5 μ m、約50nm至約2 μ m或約50mn至約5μπι。多孔膜的密度可以改變，且可受到空隙、材料以及其他因素的影響。在一些實施方案中，包括空隙的膜的密度可以是約0.005皮克/ μ m3、約0.05皮克/ μ m3、約
0.1皮克/ μ m3、約0.3皮克/ μ m3、約0.5皮克/ μ m3、約0.7皮克/ μ m3、約0.9皮克/ μ m3或以任何這些值為界的或任何這些值之間的范圍內的任何密度。在一些實施方案中，所包括的空隙可約在如下的范圍內:約0.005皮克/ μ m3至約0.9皮克/ μ m3、約0.05皮克/ μ m3至約0.7皮克/ μ m3、或約0.1皮克/ μ m3至約0.5皮克/ μ m3。
[0238]多孔膜材料的折射率可改變。在一些實施方案中，多孔膜材料的折射率可大于或等于襯底的折射率。在一些實施方案中，陽極的折射率、陰極的折射率、在陽極與多孔層之間的透明層的折射率和/或在陰極與多孔層之間的透明層的折射率可大于多孔層的折射率。舉例而言，折射率可以是約1.1、約1.5、約1.7、約1.8或以任何這些值為界的或任何這些值之間的范圍內的任何折射率。在一些實施方案中，折射率可以是在約1.1至約1.8、約
1.1至約1.7或約1.1至約1.5的范圍內。
[0239]在一些實施方案中，膜中至少100%、至少50%或至少90%的顆粒、突起物或空隙可具有如下范圍內的x、y或ζ尺寸:約0.01 μ m至約5 μ m、約0.01 μ m至約I μ m、約0.01 μ m至約 10 μ m、約 0.01 μ m 至約 20 μ m、約 0.01 μ m 至約 5 μ m、約 0.02 μ m 至約 10 μ m、約 0.05 μ m至約 10 μ m、約 0.1 μ m 至約 10 μ m、約 0.1 μ m 至約 100 μ m、約 0.1 μ m 至約 150 μ m、約 0.1 μ m至約20 μ m、約0.1 μ m至約5 μ m、約0.5 μ m至約50 μ m、約Iym至約100 μ m、約Iym至約
20μ m、約 I μ m 至約 200 μ m、約 I μ m 至約 50 μ m、約 I μ m 至約 500 μ m、約 10 μ m 至約 50 μ m、約IOnm至約5 μ m、約2 μ m至約100 μ m、約20 μ m至約1000 μ m、約5nm至約5 μ m、約50nm至約2 μ m或約50nm至約5 μ m。
[0240]可通過在表面(例如襯底)上沉積有機膜來制備多孔膜。舉例而言，沉積可以是氣相沉積，其可在高溫和/或高真空條件下實施；或可通過滴鑄法(drop casting)或旋鑄法(spin casting)來沉積多孔膜。在一些實施方案中,可將材料沉積在基本透明的襯底上。沉積和/或退火條件可影響膜的特性。
[0241]表面上的材料的沉積速率可改變。舉例而言，可以以如下速率沉積有機膜:約
0.1A /秒、約0.2 A /秒、約IA /秒、約IOA秒、約20A /秒、約60A /秒、約100A /秒、約
500A /秒、約1000人/秒或以任何這些沉積速率為界的或在任何這些沉積速率之間的范圍內的任何值。在一些實施方案中，可以以如下速率沉積有機膜:約0.1A/秒至約1000A/秒、約IA /秒至約IOOA /秒或約2A /秒至約60A /秒。
[0242]可在各種表面上沉積材料以形成多孔膜或有機膜。對于一些裝置，可將材料沉積在陽極、陰極或透明層上。
[0243]可進一步通過加熱或退火來處理已沉積在表面上的有機膜。加熱溫度可改變。舉例而言，可以在如下溫度加熱有機膜:約80°C、約100°C、約110°C、約120°C、約130°C、約150°C、約180°C、約200°C、約240°C、約260°C、約290°C或以任何這些值為界的或在任何這些值之間的范圍內的任何溫度。在一些實施方案中，可以在如下范圍中的溫度加熱有機膜:約 100°C至約 290°C、約 100°C至約 260°C、約 80°C至約 240°C、約 80°C至約 200°C、約 200°C至約260°C或約200°C至約240°C。
[0244]加熱時間也可以改變。舉例而言，可加熱有機膜約5分鐘、約15分鐘、約30分鐘、約60分鐘、約2小時、約5小時、約10小時、約20小時或以任何這些值為界的或在任何這些值之間的范圍內的任何量。在一些實施方案中，可加熱有機膜約5分鐘至約20小時、約4分鐘至約2小時或約5分鐘至約30分鐘。在一些實施方案中，可以以約100°C至約260°C加熱材料5分鐘至約30分鐘。
[0245]多孔膜或有機膜可包括含非聚合性有機化合物的材料，且可包括任選地取代的芳香環。在一些實施方案中，多孔膜或有機膜可包括以下化合物中的至少之一:
[0246]
【權利要求】
1.發光裝置，包括： 多孔膜，布置于陽極或陰極的上方；并且 其中所述多孔膜的折射率低于所述陽極的折射率以及所述陰極的折射率。
2.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述多孔膜布置于所述陽極或所述陰極上。
3.如權利要求2所述的發光裝置，其中所述陽極的折射率以及所述陰極的折射率高于所述多孔層的折射率。
4.如權利要求1所述的發光裝置，還包括透明層，其位于所述多孔膜與所述陽極之間，或者位于所述多孔膜與所述陰極之間。
5.如權利要求4所述的發光裝置，其中所述透明層的折射率高于所述多孔層的折射率。
6.如權利要求1-5中任一項所述的發光裝置，其中所述多孔膜包括選自以下的至少一種化合物：
7.如權利要求1-6中任一項所述的發光裝置，其中所述多孔膜包括：
8.如權利要求1-6中任一項所述的發光裝置，其中所述多孔膜包括：
9.發光裝置，包括： 多孔膜，其包括： 與所述發光裝置中的部分內折射層的第一界面，其中所述部分內折射層的折射率高于所述多孔膜的折射率； 與折射率低于所述多孔膜的折射率的物質的第二界面；并且 其中所述第二界面包括多個不規則排列的納米突起物或納米顆粒。
10.如權利要求9所述的發光裝置，其中所述納米突起物或所述納米顆粒具有在約400nm至約3000nm的范圍內的平均x尺寸。
11.如權利要求9或10所述的發光裝置，其中所述納米突起物或所述納米顆粒具有在約IOnm至約IOOnm的范圍內的平均z尺寸。
12.如權利要求11所述的發光裝置，其中所述納米突起物或所述納米顆粒具有在約IOOnm至約2000nm的范圍內的平均y尺寸。
13.如權利要求9所述的發光裝置，其中所述納米突起物或所述納米顆粒包括納米片。
14.如權利要求9所述的發光裝置，其中所述多孔膜的厚度在約0.1μπι至約ΙΟμπι的范圍內。
15.如權利要求9所述的發光裝置，其中所述多孔膜的厚度在約Iμ m至約5 μ m的范圍內。
16.如權利要求9-15中任一項所述的發光裝置，其中所述多孔固體包括多個孔洞，所述孔洞的總體積為所述多孔固體的體積的約50%至約99%。
17.發光裝置，包括： 發光二極管，其包括： 陽極；陰極；以及 布置于所述陽極與所述陰極之間的發射層；以及 多孔膜； 其中所述多孔膜布置于所述陽極或所述陰極上；或者 所述發光裝置還包括透明層，所述透明層布置于所述陽極與所述多孔膜之間，或所述陰極與所述多孔膜之間； 其中所述多孔膜由包括以下的方法而制備： 沉積有機膜；并且 在約10(TC至約290°C的溫度加熱所述有機膜。
18.如權利要求17所述的發光裝置，其中在約200°C至約260°C的溫度加熱所述有機膜。
19.如權利要求17所述的發光裝置，其中以約O.IA /秒至1000人/秒的速率沉積所述有機膜。
20.多孔膜，包括： 非聚合性有機化合物，其具有在約I. I至約I. 8的范圍內的折射率； 其中所述多孔膜包括： 多個不規則排列的納米突起物、納米顆粒或其聚集體； 多個空隙，所述空隙的總體積為所述膜的體積的至少約50%，且至少約10%的所述多個空隙具有在約O. 5 μ m至約5 μ m的范圍內的最長尺寸； 其中所述多孔膜具有在約500nm至約20 μ m的范圍內的厚度；并且 其中包括所述空隙的所述多孔膜的密度為約O. 5皮克/ μ m3或更小。
21.如權利要求20所述的多孔膜，其中所述非聚合性有機化合物包含芳香環。
22.如權利要求20所述的多孔膜，其中當在xy平面觀察時，所述納米突起物、納米顆粒或其聚集體的至少一部分為大致矩形的、大致正方形的、大致平行四邊形的、準平行四邊形的，或具有至少一個為大致直角的角。
23.如權利要求20所述的多孔膜,其中當在xy平面、xy平面或yz平面觀察時,所述納米突起物、納米顆粒或其聚集體的至少一部分為大致橢圓形的、大致圓形的或大致卵形的。
24.如權利要求20所述的多孔膜，其中當在yz平面觀察時，所述納米突起物、納米顆粒或其聚集體的至少一部分為大致線形的。
25.如權利要求20所述的多孔膜，其中所述納米突起物、納米顆粒或其聚集體的至少一部分為納米片、準平面或帶形的。
26.如權利要求20所述的多孔膜，其中所述納米突起物、納米顆粒或其聚集體的至少一部分為針狀或纖維形的。
27.如權利要求20所述的多孔膜，其中所述納米突起物、納米顆粒或其聚集體的至少一部分為棒形或膠囊形的。
28.如權利要求20所述的多孔膜，其中所述納米突起物、所述納米顆粒或其聚集體的至少一部分為粒狀的。
【文檔編號】H01L51/52GK103503570SQ201280019193
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2012年3月2日 優先權日:2011年3月3日
【發明者】望月周, 馬立平, 鄭世俊, 薩扎杜爾·拉曼·卡恩, 李勝, 賴倩茜, 大衛·T·希斯克, 布雷特·哈丁 申請人:日東電工株式會社