專利名稱：具有電流引導結構的立式發光二極管的制作方法
技術領域：
本發明的實施例一般是關于半導體處理，具體而言，本發明的實施例是關于發光二極管(LED)結構的形成。
背景技術：
在制造發光二極管(light-emitting diode, LED)時，可能形成“LED堆迭”的外延結構，例如，“LED堆迭”包括P摻雜GaN層及N摻雜GaN層。圖1是一示意圖，說明現有的LED 元件102的一例，其具有N摻雜層106和P摻雜層110，此兩層被多量子井(multi-quantum well, MQff)層108隔開。一般來說，元件102沉積在合適材料的載體/成長支撐基板(未顯示)上，例如C-平面(c-plane)碳化硅或c_平面藍寶石，且通過接合層204與導熱導電基板101接合。反射層202可加強亮度。各別地經由N電極117和傳導基板101，可以在N 摻雜層106和P摻雜層110之間施加電壓。在某些例子中，希望能控制通過N電極117而到基板101的電流量，例如，以用來限制功率損耗及/或防止元件102的損壞。因此在P摻雜層110之下、反射層202之中形成電絕緣層206，以增加N電極117下的接觸電阻并且限制電流。絕緣層206可類似于 "Photonics Spectra,December 1991,pp. 64-66by H. Kaplan” 中所描述的電流限制層。在標題為 “Wafer Bonding of Light Emitting Diode Layers” 的美國專利第 5，376，580 號中，Kish等人揭示了刻蝕圖案化半導體晶片以形成一凹部，并且使該晶片與單獨的LED結構接合，使得凹部在該結合結構中形成一空洞。當通過施加電壓使該結合結構為正向偏壓時，電流將在LED結構中流動，但因為空氣是電絕緣體，所以沒有電流將流過該空洞或流到直接在該空洞之下的區域。因此，該空氣空洞當作另一種型式的電流限制結構。可惜的是，這些電流引導的方法有一些缺點。例如，電絕緣層206、空氣空洞、以及其它的現有電流限制結構可能限制了導熱性，因此可能增加操作中的溫度，并減損了元件可靠度及/或壽命。此外，現有的LED元件，例如圖1中的元件102，容易被靜電放電(ESD)及其它高電壓暫態所破壞。ESD尖峰可能發生，例如，于元件的處理期間，不論是在LED元件本身的制造時、在運送時、或是在置放于印刷電路板或其它合適的電連接用固定表面之上時。過電壓暫態可能發生于LED元件的用電操作過程中。這樣的高電壓暫態可能破壞元件的半導體層， 甚至可能導致元件故障，因此減少LED元件的壽命及可靠度。因此，需要一種用來引導電流通過LED元件的改良方法。

發明內容
本發明的實施例提出用來引導半導體元件(例如發光二極管，LED)中的電流的方法和元件。本發明的一實施例提出一種LED。該LED通常包括一金屬基板；一配置在該金屬基板上的發光用LED堆迭，其中該LED堆迭包括一 P型半導體層和一 N型半導體層；一配置在該N型半導體層上的N電極；以及一導電材料，接設于該金屬基板和該N型半導體層之間， 并與該N型半導體層形成一非歐姆接觸。本發明的另一實施例提出一種LED。該LED通常包括一金屬基板；一配置在該金屬基板上的發光用LED堆迭，其中該LED堆迭包括一 P型半導體層和一 N型半導體層；一配置在該N型半導體層上的N電極；一配置在該N型半導體上的保護元件；以及一導電材料， 接設于該金屬基板和該保護元件之間。本發明的再一實施例提出一種LED。該LED通常包括一金屬基板；一配置在該金屬基板上并且具有第一和第二接觸的P電極，其中該第一接觸的電阻高于該第二接觸的電阻；一配置在該P電極上的發光用LED堆迭，其中該LED堆迭包括一 P型半導體層，該P型半導體層連接到該P電極和一 N型半導體層；以及一配置在該N型半導體層上的N電極。


圖1是一示意圖，說明現有的具有電流引導結構的例示性發光二極管(LED)元件。圖2是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有電流弓丨導結構的例示性LED元件。圖3是一示意圖，說明圖2中的LED元件的等效電路。圖4是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有第二電流路徑的例示性LED元件。圖5是一示意圖，說明圖4中的LED元件的等效電路。圖6是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有電流引導結構和第二電流路徑的例示性LED元件。圖7是一示意圖，說明圖6中的LED元件的等效電路。圖8是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有第二電流路徑的例示性LED元件， 該第二電流路徑具有保護元件。圖9是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有電流引導結構和第二電流路徑的例示性LED元件，該第二電流路徑具有保護元件。圖10是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有第二電流路徑、且為芯片型式的例示性LED元件。圖11是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有第二電流路徑、且為封裝型式的例示性LED元件。圖12是一示意圖，說明例示性電流對電壓(I-V)曲線圖，該曲線圖是比較具有/ 不具有第二電流路徑的LED元件。圖13是一例示性圖表，說明具有/不具有第二電流路徑的LED元件的存活率與 ESD電壓間的對應關系。主要元件符號說明101 基板102LED 元件104LED 堆迭106N 摻雜層108多量子井層IlOP 摻雜層
117N 電極119上表面201 基板202反射層204接合層206電絕緣層207P 電極208阻隔金屬層211高接觸電阻區213低接觸電阻區220保護層300等效電路302、304 電阻器306 二極管400LED 元件402第二電流路徑404電絕緣層411第二導電材料412非歐姆接觸500等效電路502電阻器504 理想 LED506暫態電壓抑制二極管700等效電路810保護元件1002 焊接層1102封裝陽極引線1104、1108 焊接線1106陰極封裝引線1200 曲線圖1202、1204電流對電壓曲線1300 圖表1302具有第二電流路徑的LED元件1304、1306、1308、1310、1312 不具有第二電流路徑的 LED 元件
具體實施例方式本發明的實施例通常提出用來控制通過半導體元件(例如LED) 法。該控制可能通過電流引導結構、第二電流路徑、或此兩者的結合。下文中，例如“在...之上”、“在...之下”、“鄰接于...”、“在..
的電流流動的方 底下”等的相對用詞，僅是為了方便說明，通常并不需要特定的方向。電流引導結構的范例圖2是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有電流弓丨導結構的例示性LED元件。 該元件包括一已知為LED堆迭的元件結構，而LED堆迭包括任何合適的發光用半導體材料， 例如AlhGaN。LED堆迭包括異質接面，而異質接面由P型半導體層110、發光用活性層108、 及N型半導體層106組成。LED堆迭具有上表面119，而上表面119是經粗糙化的，如圖2 所示。LED元件包括形成于上表面119之上的N電極117，以及位于P型半導體層110上的 P電極(反射層202和阻隔金屬層208可以起P電極的作用)，其中N電極117電連接到N 型半導體層106。反射層202配置為鄰接到P型層110，且插設有阻隔金屬層208，以分別形成低接觸電阻區213和高接觸電阻區211。對于某些實施例，低接觸電阻區213的體積大于高接觸電阻區211。可導電、但電阻比低接觸電阻區213高的高接觸電阻區211，可利用如下所述的金屬材料形成。利用具有不同接觸電阻的區域，并且小心地加以控制，可用來引導電流， 以從期望區域中的活性層發光，例如，發光主要來自于不在N電極117 (用來增加發光)下的區域的活性層。根據這種方式，與具有常見的電流限制或其它電流引導結構的現有LED元件(如圖1中具有電絕緣層206的LED元件)相比，圖2中具有完全導電的電流引導結構的LED 元件有較大的導熱性。因此，和現有的LED元件相比，圖2及本發明的其它實施例的具有導電電流引導結構的LED元件，可享有降低的操作溫度與增加的元件可靠度及/或壽命。圖3是一示意圖，說明圖2中的LED元件的等效電路300。如圖所示，等效電路300 包括平行的電阻器& 302和& 304，電阻器& 302和& 304模擬圖2的高/低接觸電阻區211/213的等效電阻。雖然只顯示一個電阻器當作低接觸電阻區，電阻器&302可能代表一個以上的平行低接觸電阻區的集總等效物，例如圖2中所示的兩個區域213。類似地，電阻器& 304可能代表一個以上的平行高接觸電阻區211的集總等效物。對于某些實施例， 等效高接觸電阻可能至少是兩倍的等效低接觸電阻。如圖所示，平行的電阻器& 302和& 304與二極管306串聯，該二極管306代表無串聯電阻的理想LED。—層以上的金屬或金屬合金基板201配置為鄰接到P電極(由圖2中的反射層 202和阻隔金屬層208所組成)。傳導基板201可能是單一層或多重層，該單一層或多重層包括金屬或金屬合金，例如 Cu、Ni、Ag、Au、Al、Cu-Co、Ni-Co、Cu-W、Cu-Mo、Ge、Ni/Cu、及 Ni/ Cu-Mo。傳導基板201的厚度范圍系從大約10 μ m到400 μ m。可利用任何合適的薄膜沉積法進行傳導基板201的沉積，例如電化學沉積法(ECD)、無電化學沉積法(Eless CD)、化學氣相沉積法(CVD)、有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)、及物理氣相沉積法(PVD)。對于某些實施例，可使用無電化學沉積法沉積晶種金屬層，然后使用電鍍法在晶種金屬層上沉積傳導基板的一層以上的額外金屬層。反射層202可能包括單一層或多重層，該單一層或多重層包括任何合適的材料， 該材料用來反射光、并且和用來產生高接觸電阻區211的材料相比具有相當低的電阻。例如，反射層 202 可能包括例如 Ag、Au、Al、Ag-Al、Mg/Ag、Mg/Ag/Ni、Mg/Ag/Ni/Au、AgNi、Ni/ Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、Ti/Al、Ni/Al、AuBe、AuGe, AuPd, AuPt, AuZn、或使用包含 Ag、Au、Al、Ni、Cr、Mg、Pt、Pd、Rh、或 Cu 的合金。
對于某些實施例，低接觸電阻區213包含全向反射(omni-directional reflective, 0DR)系統。ODR包括透明傳導層及反射層，該透明傳導層由例如銦錫氧化物 (ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等材料所組成。ODR可能插設有電流限制結構或其它用來引導電流的合適結構。例示性的ODR系統已揭示于共同擁有的美國專利申請案第11/682,780 號，其申請日為 2007 年 3 月 6 日、且標題為 “Vetrical Light-Emitting Diode Structure with Omni-Directional Reflector”，其全文合并于此作為參考文獻。N電極117(也稱為接觸焊墊或N焊墊)可能是單一金屬層或多重金屬層，該單一金屬層或多重金屬層由任何適合用來導電的材料所組成，例如Cr/AU、Cr/Al、Cr/Pt/AU、Cr/ Ni/Au, Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、Ti/Al、Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Al、Al/Pt/ Au、Al/Pt/Al、Al/Ni/Au、Al/Ni/Al、Al/W/Al、Al/W/Au、Al/TaN/Al、Al/TaN/Au、Al/Mo/Au。 N電極117的厚度約0. 1 μ m到50 μ m。N電極117可利用沉積、濺鍍、蒸鍍、電鍍、無電電鍍、 涂布、及/或印刷等方法形成于LED堆迭的上表面119之上。阻隔金屬層208可能是單一層或多重層，該單一層或多重層包括任何適合用來形成高接觸電阻區211的材料。例如，阻隔金屬層208可能包括例如Ag、Au、Al、Mo、Ti、Hf、 Ge、Mg、ai、Ni、Pt、Ta、W、W-Si、W/Au、Ni/Cu、Ta/Au、Ni/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Ti/Al、Ni/ A1、Cr/A1、AuGe、Αι η、T i/Ni/Au、W-S i/Au、Cr/ff/Au、Cr/Ni/Au、Cr/ff-Si/Au、Cr/P t/Au、T i/ Pt/Au、Ta/Pt/Au、ΙΤ0、以及 IZO 等的材料。如圖2所示，保護層220形成于鄰接到LED元件的側表面。保護層220可作為護層(passivation layer)，以保護LED元件(特別是異質接面)使其不受周遭環境的電和化學狀況所影響。例如，通過任何合適的處理(如電化學沈積法或無電化學沉積法)沉積做為反射層202的一或多層，可形成高/低接觸電阻區。再通過任何合適的處理(如濕刻蝕或干刻蝕)，將反射層202中被指定為高接觸電阻區211的區域加以去除。在去除指定區域之后， 在反射層202內的空白空間中形成阻隔金屬層208。對于如圖2所示的某些實施例，構成高接觸電阻區211的阻隔金屬層208可填入反射層202內的空白空間、并且覆蓋反射層的表對于某些實施例，當與具有平滑上表面的LED堆迭相比，為了增加光提取，可以將 LED堆迭的上表面119加以圖案化或粗糙化。上表面119的圖案化或粗糙化可利用任何合適的技術(例如濕或干刻蝕)。對于某些實施例，本文中所描述的電流引導結構可與圖6和圖9中所示的第二電流路徑相結合。在與圖4有關的下文中，將會更詳細地對第二電流路徑加以敘述。第二電流路徑的范例圖4是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有第二電流路徑402的例示性LED 元件400。如圖所示，LED元件400包括導熱導電基板201、配置于傳導基板201上的P電極 207、配置于P電極207上的LED堆迭104、以及配置于LED堆迭104上的N電極117。LED 堆迭104包括異質接面，該異質接面包括P型半導體層110、發光用活性層108、及N型半導體層106。第二導電材料411連接到傳導基板201和N型半導體層106，并與N型半導體層 106形成非歐姆接觸412，以在傳導基板201和N型半導體層106之間提供第二電流路徑 402。第二導電材料411的形成可通過任何合適的處理，例如電子束沉積法、濺鍍法、及/或印刷法。如圖所示，電絕緣層404將第二導電材料411和至少一部份的LED堆迭104分隔開來。絕緣層404包括任何合適的電絕緣材料，例如Si02、Si3N4、Ti02、Al203、Η 2、Τει205、旋轉涂布玻璃(8 化-01111￡1%，3( )、1%0、高分子、聚酰亞胺、光阻、聚對二甲苯基、3化8、聚亞酰胺、聚對二甲苯、熱塑性塑膠及熱塑性塑膠。對于某些實施例，保護層220可當作絕緣層 404。如上所述，傳導基板201可能是單一層或多重層，該單一層或多重層包括金屬或金屬合金，例如 Cu、Ni、Ag、Au、Al、Cu-Co、Ni-Co, Cu-ff, Cu-Mo, Ge、Ni/Cu、及 Ni/Cu-Mo。傳導基板201的厚度大約10 μ m到400 μ m。圖5是一示意圖，說明圖4中的LED元件的等效電路500。如圖所示，等效電路500 包括兩個平行的電流路徑。第一電流路徑包括等效電阻器&502，等效電阻器&502與理想 LED 504串聯，以形成從傳導基板201到N電極117的順向電流路徑。第二電流路徑402表示為雙向暫態電壓抑制(transient voltage suppression, TVS) 二極管506。TVS 二極管 506的操作類似于兩個相對串聯的齊納二極管，并可用來保護電阻器502和理想LED 504以避免高電壓暫態。相較于其它常見的過電壓保護元件(例如變阻器、或氣體放電管)，TVS 二極管506對過電壓的反應較快速，使得TVS 二極管506可用于防護非常快速且頻繁的有害電壓暫態，例如靜電放電(ESD)。圖4中的第二導電材料411可形成圖5中的TVS 二極管 506。當感應電壓超過齊納崩潰電壓，第二導電材料411可以將任一方向的過量電流加以分流。圖6是根據本發明的實施例的示意圖，說明另一個具有第二電流路徑402的例示性LED元件。如圖所示，具有第二電流路徑402的LED元件也包括由各別的高/低接觸電阻區211/213所組成的電流引導結構。例如，如同前文中有關圖2的描述，通過在反射層202 中插設阻隔金屬層208，可形成這些不同的接觸區。圖7是一示意圖，說明圖6中的LED元件的等效電路700。如圖所示，圖5的單一等效電阻器& 502被& 304和& 302的平行組合所取代，Rh 304和&302代表圖6中鄰接的高/低接觸電阻區211/213。電路700的其余部份和圖5的電路500相同。也就是說， 圖6的LED元件具有電流引導和暫態抑制的優點。圖8是根據本發明的實施例的示意圖，說明另一個具有第二電流路徑402的例示性LED元件。在此實施例中，在第二電流路徑402中形成保護元件810。如圖所示，保護元件810形成于N型半導體層106之上，用來增加暫態電壓保護或電流能力，因此增加LED 元件的可靠度及/或壽命。保護元件810包括任何合適的材料，例如&ι0、ZnS, TiO2, NiO、 SrTi03> SiO2, Cr2O3、以及聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)。保護元件810的厚度范圍從大約Inm 至Ij 10 μ m0如圖9所示，具有第二電流路徑402和保護元件810的LED元件(如圖8所示)， 也可以包括由各別的高/低接觸電阻區211/213所組成的電流引導結構。例如，如同前文中有關圖2的描述，通過在反射層202中插設阻隔金屬層208，可形成這些不同的接觸區。圖10是根據本發明的實施例的示意圖，說明具有第二電流路徑、且為芯片型式的例示性LED元件。如圖所示，電連接用的焊接金屬層1002沉積在第二電流路徑中的保護元件810之上。焊接層1002包括任何適合用做電連接的材料，例如Al、Au、Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Au、Cr/Au、Cr/Al、Ni/Au、Ni/Al、或 Cr/Ni/Au。焊接層 1002 的厚度范圍從 0. 5 μ m 到 10 μ m。對于某些實施例，可以擴大N電極117以允許焊接到封裝，如同下文中關于圖11的說明。圖11是根據本發明實施例的示意圖，說明圖10的LED元件的封裝型式。如圖所示，傳導基板201接合于共用封裝陽極引線1102。通過連接到焊接金屬1002的焊接線 1104，焊接層1002連接到陽極引線1102，因此形成第二電流路徑。通過另一條焊接線1108， N電極117連接到陰極封裝引線1106。圖12是一曲線圖1200，分別描繪具有/不具有第二電流路徑的LED元件的例示性電流對電壓曲線1204、1202。如電流對電壓曲線1204所示，在沒有過量電流的情況下，第二電流路徑使得LED元件能夠承受較高的電壓，因而可以防止損壞及/或延長元件壽命。圖13是一例示性圖表1300，說明具有/不具有第二電流路徑的LED元件的存活率與ESD電壓間的對應關系。不具有第二電流路徑的LED元件1304、1306、1308、1310、1312在不同的ESD電壓、以不同的存活率通過測試。反之，具有第二電流路徑的LED元件1302甚至在大于2000伏特的較大ESD電壓、以等于或接近于100%的比例通過測試。雖然本文中所述的電流引導結構在應用于立式發光二極管(VLED)元件時具有優點，熟悉此項技術領域者應當了解，通常，這樣的優點適用于大部份的半導體元件。因此，對于具有PN接面的任何類型的半導體元件，使用本文中所述的結構將有助于形成低電阻接觸及/或暫態抑制物。雖然前文是針對本發明的實施例，但在不偏離本發明的基本范圍下可設計出其它及另外的實施例，本發明的范圍由權利要求所界定。
權利要求
1.一種發光二極管LED，包括一金屬基板；一發光用LED堆迭，配置在該金屬基板上，其中該LED堆迭包括一 P型半導體層及一 N 型半導體層；一 N電極，配置在該N型半導體層上；一保護元件，配置在該N型半導體層上；及一導電材料，接設于該金屬基板和該保護元件之間。
2.如權利要求1所述的LED，其中該保護元件包括ZnO,ZnS, TiO2, NiO, SrTiO3> SiO2, Cr2O3、或聚甲基丙烯酸甲脂其中至少一者。
3.如權利要求1所述的LED，其中該保護元件的厚度范圍是從Inm到10μ m。
4.如權利要求1所述的LED，更包括一P電極，該P電極插設于該金屬基板和該LED堆迭之間，其中該P電極包括第一和第二接觸，該第一接觸的電阻高于該第二接觸的電阻。
5.如權利要求4所述的LED，其中該P電極包括一全向反射系統。
6.如權利要求1所述的LED，其中該導電材料包括多重金屬層。
7.如權利要求1所述的LED，其中該導電材料包括Ni、Ag、Au、Al、Mo、Pt、W、W-Si、Ta、 Ti,Hf,Ge,Mg,Zn,ff/Au,Ta/Au,Pt/Au,Ti/Au,Ti/Al,Ti/Pt/Au,Ti/Ni/Au,Ta/Pt/Au,ff-Si/ Au、Cr/Au、Cr/Al、Ni/Au, Ni/Al、Cr/Ni/Au, Cr/ff/Au, Cr/ff-Si/Au, Cr/Pt/Au、AuGe, AuZn, ITO、或IZO其中至少一者。
8.如權利要求1所述的LED，更包括一電絕緣材料，介于該LED堆迭和該導電材料之間。
9.如權利要求8所述的LED，其中該絕緣材料包括Si02、Si3N4、Ti02、Al203、Hf02、Ta205、 旋轉涂布玻璃、MgO、高分子、聚酰亞胺、光阻、聚對二甲苯基、SU-8、聚亞酰胺、聚對二甲苯、 熱塑性塑膠及熱塑性塑膠其中至少一者。
10.如權利要求1所述的LED，更包括一焊接層，插設于該導電材料和該保護元件之間。
11.如權利要求10所述的LED，其中該導電材料為一線，接設于該金屬基板和該焊接層之間。
12.如權利要求10所述的LED，其中該焊接層包括多重金屬層。
13.如權利要求10所述的LED，其中該焊接層包括Ti/Au、Ti/Al、Ti/Pt/Au、Cr/Au、Cr/ Al、Al、Au、Ni/Au, Ni/Al、或 Cr/Ni/Au 其中至少一者。
14.如權利要求10所述的LED，其中該焊接層的厚度范圍是從0.5到10 μ m。
15.如權利要求1所述的LED，其中該N型半導體層的表面是經圖案化或粗糙化的，以用來增加來自該LED的光提取。
16.一種發光二極管LED，包括一金屬基板；一 P電極，配置在該金屬基板上，且具有第一和第二接觸，其中該第一接觸的電阻高于第二接觸；一發光用LED堆迭，配置在該P電極上，其中該LED堆迭包括一連接到該P電極的P型半導體層及一 N型半導體層；及一 N電極，配置在該N型半導體層上。
17.如權利要求16所述的LED，其中該第一接觸包括一阻隔金屬層。
18.如權利要求16所述的LED，其中該第一接觸包括多重金屬層。
19.如權利要求16所述的LED，其中該第一接觸包括Pt、Ta、W、W-Si、Ni、Cr/Ni/Au、W/ Au、Ta/Au、Ni/Au、Ti/Ni/Au、W-Si/Au、Cr/W/Au、Cr/W-Si/Au、Pt/Au、Cr/Pt/Au、或 Ta/Pt/Au 其中至少一者。
20.如權利要求16所述的LED，其中該第二接觸包括一反射層。
21.如權利要求16所述的LED，其中該第二接觸包括Ag、Au、Al、Ag-Al、Mg/Ag、Mg/Ag/ Ni、Mg/Ag/Ni/Au、AgNi、Ni/Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、Ti/Al、Ni/Al、AuBe、AuGe, AuPd, AuPt, AuZn, ITO、IZO、或合金其中至少一者，其中該合金包括Ag、Au、Al、Ni、Mg、Cr、 Pt、Pd、Rh、或Cu其中至少一者。
22.如權利要求16所述的LED，其中該P電極包括一全向反射ODR系統。
23.如權利要求16所述的LED，其中該第二接觸的區域大于該第一接觸的區域。
24.如權利要求16所述的LED，其中該第一接觸配置在該第二接觸的一空白空間內。
25.如權利要求16所述的LED，其中該第一接觸的電阻是該第二接觸的電阻的至少兩倍。
26.如權利要求16所述的LED，其中該金屬基板的厚度范圍是從10到400μ m。
27.如權利要求16所述的LED，其中該LED是一立式發光二極管。
全文摘要
一種發光二極管LED，包括一金屬基板；一發光用LED堆迭，配置在該金屬基板上，其中該LED堆迭包括一P型半導體層及一N型半導體層；一N電極，配置在該N型半導體層上；一保護元件，配置在該N型半導體層上；一導電材料，接設于該金屬基板和該保護元件之間。本發明的發光二極管LED元件可享有降低的操作溫度與增加的元件可靠度及/或壽命。
文檔編號H01L33/44GK102185072SQ20111011203
公開日2011年9月14日 申請日期2008年6月11日 優先權日2007年6月12日
發明者劉文煌, 張源孝, 朱俊宜, 朱振甫, 樊峰旭, 鄭兆禎, 鄭好鈞 申請人:旭明光電股份有限公司