專利名稱：封裝電構件的方法和由此封裝的表面波構件的制作方法
一種用于密閉地封裝一個構件的方法例如在WO99/43084中已知。在此文獻中用倒裝片技術(Flip-Chip-Technik)把構件、尤其是表面波構件安裝在設有可焊接的連接面的載體上。在此處把構件通過隆起(Bump)(焊點(Lotkugel))在到載體的內部間距中如此焊接在該載體上使得帶有構件結構的表面指向所述載體。為了密閉地封裝處在載體上的構件，最后把所述的構件連同一個金屬薄膜或者金屬覆層塑料薄膜從背側面起壓在載體上并且進行粘接或者加膜(laminieren)。在此所述的薄膜在構件之間并環繞地繞著該構件密封地對該載體進行封閉，從而對于所述構件結構產生密封的封裝。
也如此建議，通過例如用熱塑性塑料進行擠壓或者通過例如用環氧樹脂進行澆鑄進一步穩定和進一步密閉地封閉所述的封裝。接著可以通過拆開載體板而分開該構件。
已表明，使用金屬薄膜與使用金屬覆層的塑料薄膜一樣對于直接涂覆在一個構件的背側面上會出現問題，并且可能產生對其密封的封裝不滿意的構件。此外在加膜工序中還出現問題，因為尤其是在表面波構件中構件芯片是銳棱的，從而為了制造緊密封閉的封裝，不論是對薄膜還是對于加膜過程都提出高的要求。尤其是迄今的方法都只能用厚而昂貴的專用薄膜來實施。
本發明的任務是給出一種封裝一個電構件的方法，該方法在技術上可以簡單地實施并且尤其導致機械上穩定的封裝。
該任務根據本發明通過如權利要求1所述的一種方法來解決，本發明的優選方案以及可以用根據本發明的方法制造的一種構件在其它的權利要求中給出。
本發明的基本構思是，為了封裝以倒裝片技術安裝在一個載體上的電構件，首先把該電構件用一個薄膜從背側面開始加膜，但是在此不再使用昂貴的專用薄膜；更確切地說在第二步驟中把流體的塑料物料如此涂覆在帶有已安裝的構件和已加膜的薄膜的載體上使得塑料物料對于構件或對于位于其間的薄膜、以及對于載體或對于位于其間的薄膜產生至少一個跟隨構件周邊的緊密的接觸。在該方法中薄膜只用于沿芯片的邊緣如此隔開構件(芯片)與載體之間的間距使得流體地涂覆的塑料物料不能滲入到保護該構件結構的、在芯片與載體之間的中間空腔中。作為團狀頂部封蓋(Glob Top-Abdeckung)涂覆的塑料物料在此可以同時滿足多個功能。該塑料物料使涂覆在載體上的構件固定，保護該構件不受機械作用的影響并且已經可以產生對于構件充分的封閉，尤其是防潮和/或防止其它雜質的侵入。
流體的至黏稠的塑料物料在本發明的另一種方案中在硬化后圍繞芯片環形地鋸開，直到在此處露出載體的表面為止。由此產生一個環形的凹溝。在這種情況下，所述鋸開進行到距構件外緣一個所給出的間距處，從而在這里保留足夠寬或者厚的團狀頂部封蓋。通過在凹溝中露出載體使之可能在該團狀頂部封蓋上面涂覆一個用于進一步地封閉構件的金屬噴涂層，該金屬噴涂層為構件保證更加高的密封性。通過環形地繞著芯片露出的載體表面可以使金屬噴涂層與載體進行緊密封閉。以此方式對于構件實現密封的封裝，其中金屬噴涂層同時為構件提供一種高頻屏蔽(HF-Abschirmung)。這種高頻屏蔽可以保護敏感的構件不受外部輻射的影響，或者防止從一個以高頻工作的構件向外發射出不希望的高頻輻射。根據所希望的目的來選擇待沉淀的金屬噴涂層的厚度。用薄的封閉的金屬噴涂層就可以進行密封的封閉，而充足的高頻屏蔽要求另外的層厚。
如果不論在團狀頂部封蓋和構件之間還是在團狀頂部封蓋與載體之間都能夠產生直接的接觸，那么即使沒有附加的金屬噴涂層也可以改善對于構件的封閉。為此在本發明的另一種方案中，在涂覆塑料物料以前在一個封閉的條帶部位上環繞芯片地去除掉薄膜。在此如此選擇所述條帶至芯片周邊的距離使得在條帶與芯片之間總保留一個加膜邊緣，薄膜在該加膜邊緣中與載體相連接。在涂覆團狀頂部封蓋以后，可以如此在環繞的條帶的部位上使塑料物料與載體密切接觸。這導致團狀頂部封蓋在載體上更好的固定，并且導致對于可能存在于薄膜與載體之間的細的縫隙的封閉。所述縫隙尤其會在這些位置處出現薄膜蓋住載體上的隆起的結構處，薄膜、結構與載體之間的密切的形狀配合連接的接觸難于達到之處。在團狀頂部封蓋與薄膜之間的封閉與此相反，在薄膜與塑料物料的合適的材料結合的條件下可以毫無問題地解決。在薄膜上固定塑料物料也是毫無問題的。
在本發明的另一種方案中，如果可以附加地使團狀頂部封蓋與構件或者說芯片進行直接接觸，就可以在沒有附加的金屬噴涂層的情況下實現對于該構件的進一步改善的密封，以防止外部影響的侵入。為此在涂覆塑料物料之前在芯片的側壁處、例如在芯片側壁上圍繞芯片的條形區域內去除掉所述薄膜。以此方式可以實現，在涂覆塑料物料以后封閉已被密閉的構件的其它潛在的未密封處。不論這種較好地粘附還是在膠合材料物料與芯片本身之間的形狀配合連接的密切接觸，在密封性方面與芯片、薄膜之間的連接相比是有利的。以有利的方式在載體上并且在芯片的側表面上設置兩個條帶形的結構，以便使團狀頂部封蓋對于芯片和載體進行密封。
該方法可以用于任意的電構件，但是最好用于在一個表面上承載有敏感的構件結構的構件。尤其是適合于不得蓋住其構件結構的構件、例如表面波構件和其它的以聲波進行工作的構件，譬如FBAR諧振器或者BAW構件就是這種情況。一種覆蓋在這里會導致以不可靠的或者以不可準確復制的方式引起構件特性的改變。因此對于這樣的構件優選倒裝片安裝技術，其中構件結構指向載體并且可靠地布置在芯片與載體之間的中間空腔中。使用根據本發明的封裝可以對這種構件附加地實現與其有效性相關的可調節的密閉的密封。這里倒裝片技術指得是，該構件例如通過隆起、也就是說借助于焊接連接安裝在載體上。最好通過所述的隆起同時進行構件的電接觸，從而不論是在芯片上還是載體上都對隆起設有可焊接的電連接面。載體具有相應的印制導線，并且最好設計為至少雙層，其中就可以在兩層之間布置布線平面。對于封裝的構件的電連接處于載體的沒有裝備的下側面上。包括印制導線的不同的平面在這里相互之間通過敷鍍通孔(Durchkontaktierung)進行連接。根據本發明封裝的構件最好不設置沿一條直線穿過整個載體的全部平面的敷鍍通孔。在此處敷鍍通孔最好根據位置相互錯開，從而排除了由于在某些情況下對于穿過載體的敷鍍通孔沒有完全封閉而造成的不密封性。
機械以及電匹配的材料或者該材料的組合對于載體是合適的。這樣優選地具有足夠的機械強度，并且最好對氣體和潮濕是嚴密地密封的。適合于載體的材料例如是氧化鋁、玻璃、HTCC、LTCC或者有機的載體，例如PCB或者如Kapton或者Mylar的箔片材料。為了在使構件不斷地小型化的同時還可以例如通過隆起實現可靠的接觸，用LTCC陶瓷是有利的，所述的LTCC陶瓷由于其在燒結時很小的減縮可以具有金屬噴涂層的準確地可預先確定的幾何尺寸。盡管用有機材料制造的載體同樣也可以以準確的幾何尺寸進行制造，然而對于環境影響卻只有很小的密封性。
與已知方法(該方法需要高價的用于覆蓋構件的薄膜)相反，根據本發明的方法可以用許多常規的、而且更薄的薄膜可靠地實施。可以使用熱塑性的或者熱固性的薄膜。所述的薄膜可以在B狀態，其中約1至10微米的厚度是有利的。可以用厚的薄膜，但是不需要，厚的薄膜可能在后續的結構化中為了選擇地去除掉而需要較高的費用，并且導致在構件與薄膜之間較強的連接。這至少在OFW構件和在FBAR諧振器中是不希望的。
作為基本特征，所述薄膜最好具有一種可加膜性，并且在可能影響的熱處理的條件下可粘接，并且可形變或可膨脹。例如由Mylar制成的厚度約為0.1微米的薄膜是合適的。為了加膜，可以將所述的薄膜通過熱效應軟化并且從而使其進入到一種較為膠粘的狀態。還可以使用膠合薄膜，所述的膠合薄膜的一面涂有一種膠粘材料，或者涂有一種相應作用的材料。
在壓力和較高的溫度下進行加膜。為了在薄膜、載體和構件之間實現特別良好的的形狀配合連接的封閉，對于在薄膜與載體之間的空腔抽真空，在薄膜上方的正常的空氣壓力足夠把薄膜緊密地壓在載體以及安裝在其上的構件上。如果在一定的情況下邊緣鋒銳的芯片表面出現對薄膜的局部損傷時，那么對于所述的方法是不要緊的。這對于根據本發明的方法是不令人擔心的，因為密封取決于緊密涂覆的薄膜。只以氣動的高壓或低壓工作的加膜方法可以通過紅外線輻射器支持，從而所述整個加膜方法可以近于無接觸地進行。
在加膜以后可以直接進行塑料物料的涂覆，以便產生團狀頂部封蓋。在此以流體狀態使用材料團，其中通過加熱到適當的溫度而達到所希望的粘度。所述的涂覆可以用一個簡單的分料器進行，例如通過滴注或者澆鑄。只要能夠通過適當高的粘度防止塑料物料的流失，圍繞芯片涂覆塑料物料就足夠了，從而使它形狀配合連接地貼在芯片外緣和載體上，當然在一定情況下還與中間布置的薄膜進行形狀配合連接。
在本發明的一個優選的實施形式中，把多個構件安裝在同一個載體上，并且在封裝制造完成后通過分割載體該構件分為獨立的。在此情況下可以在整個平面上涂覆塑料物料直到達到所希望的高度。在此對于團狀頂部封蓋的最低高度是載體與芯片之間的間距加上一個可靠區域，在該區域中團狀頂部封蓋與芯片重疊。可能并且有利地還有，團狀頂部封蓋涂覆到芯片上緣的高度，或者略高于此。
除了把塑料物料涂覆到未結構化的、以整個平面緊貼的薄膜上，如上所述還可以如此對薄膜進行結構化使得在所希望的部分區域內露出芯片和載體的表面。在此優選地如此進行結構化使得至少在兩個前文已經說明了的條帶的部位上去除掉所述薄膜。這例如可以用一個激光器來完成。在此該激光器例如可以跟隨所希望的結構化線在載體或者薄膜上引導。除了所述條帶形地去除掉薄膜區域外還可以去除掉另一個薄膜區域，例如在芯片的背側面上、在框形地圍繞芯片的條帶的外部。在此重要的是，總使芯片下緣與載體之間的內部間距由一個薄膜條帶所封閉，該薄膜條帶不論是在芯片上還是在載體上都有足夠寬的加膜邊緣。對此例如還可以使用一種薄膜，該薄膜借助于一種輻射轉變成化學和物理穩定的形狀，例如利用光致抗蝕劑的技術。以此方式可以通過幅射對于在該部位中的全平面加膜的薄膜進行硬化該部位隨后應該保留在構件或者構件和載體的裝置上。其余的未硬化的部位然后可以在一個第二步驟中去除掉，例如借助于等離子體，尤其是含氧的等離子體。在結構化薄膜的情況下接著如所說明地也涂覆塑料物料。由于通過結構化可能在塑料物料與芯片和塑料物料與載體之間有直接的接觸，使得塑料物料如同一個緊密貼放的并且有自粘性的密封環。最好將熱固的反應樹脂、譬如環氧樹脂作為塑料物料進行涂覆。除了足夠的機械強度之外，最好如此優化所述塑料物料，使其熱膨脹系數與隆起連接(Bump Verbindung)的熱膨脹系數相匹配，并且最好近似一致。以此方式保證在溫度波動時不會由于不同的熱膨脹而出現應力，從而不論是團狀頂部封蓋還是隆起連接都不會因此受到負荷。膨脹系數的匹配最好借助于無機填料而實現，利用所述的填料可以把已硬化的反應樹脂物料例如調節到一個約為22ppm/k的熱膨脹系數。這準確地相應于一種已知的、并為隆起連接所采用的材料所具有的膨脹系數。
在塑料物料硬化后，圍繞該芯片地鋸開團狀頂部封蓋，在此露出薄膜表面或者載體表面。如此進行鋸開使得圍繞芯片地將載體及布置在其上的薄膜進行封閉的團狀頂部的邊緣保留足夠的寬度。如果只露出薄膜，可以在一個附加的步驟中、例如通過等離子體的作用將該薄膜去除掉。還可以鋸到載體內部中。用所述的鋸開可以一方面支持將多個在使用中安裝在一個共同的載體上的構件分開成單個的構件。在鋸開時載體的露出的表面還可以用于產生與另一個封蓋層、尤其是前述的金屬噴涂層的緊密接觸。
在此金屬噴涂層可以以多個階段和相應不同的方法產生。用于對于粘附支持的基礎金屬噴涂層可以以較小的層厚例如通過噴涂產生。對此例如鎳和鉻合適。基礎金屬噴涂層還可以通過無電流的沉淀進行，例如用適當的含銅的鍍池。把基礎金屬噴涂層加厚到所希望的厚度最好用電鍍工藝進行，然而也可以同樣地無電流地進行。為了加厚基礎金屬噴涂層，銅特別合適。可以涂覆一層封閉的金屬噴涂層，例如鎳或者金的覆蓋層，用于產生可焊接性或者耐氧化性。可選擇地還可以使用其它的金屬噴涂方法。如果利用構件封蓋還要同時達到對電磁場的屏蔽，那么就特別地采用鎳或者其它的磁性金屬。在本發明的另一個方案中采用導電的團狀頂部封蓋，所述封蓋例如含有導電顆粒。在所述封蓋上現在可以直接地進行適用于金屬噴涂層的金屬的沉淀，從而在此不必進行分為兩個階段的金屬噴涂。
所述的金屬噴涂層可以如所述地起高頻屏蔽的作用。對此有利的是，金屬噴涂層與芯片背側面上的或者載體表面上的接地端進行連接。最好為此在鋸開時露出載體上的電連接面，金屬噴涂層可以與該電連接面相接觸。
如果要在一個共同的載體上安裝和封裝平行的多個構件，可以在這個階段將該構件分開為單個的。然而還可以采用根據本發明的方法，用于在一個共同的載體上封裝多個可能不同的構件，該構件可以接著保留在載體上并且例如是一個模塊。根據本發明的方法不僅以其簡單而低成本的實施為特征，還以較小的構造高度為特征，因為通過本發明所保證的密封性和機械強度以較小的團狀頂部封蓋高度就可以達到。在已知的方法中，所述封裝例如是通過用熱塑性塑料進行壓力注塑包封而完成的，這導致相當高的結構高度。
下面借助于實施例和附圖詳細地說明本發明。


圖1至8用示意性的橫剖面圖示出根據本發明的封裝方法的不同方法階段，或者該方法的不同的變型的可能性。
從一個載體T著手，在此該載體具有分層T1和T2的雙層結構。在該載體的表面上存在用于與構件結構連接的連接金屬噴涂層(Anschlussmetallisierung)A，而在載體的下側面上存在可焊接的連接面L，該連接面L適合于與外部的電路連接。在分層T1和T2之間布置一個布線平面V，而不同的金屬噴涂平面通過敷鍍通孔T1和T2連接。
圖2現在在倒裝片安裝中借助于所述隆起把一個構件(芯片)焊接在載體T上。借助于隆起連接B同時把在芯片C的前側面的構件結構BS與載體T上的連接金屬噴涂層A進行電連接。
圖3在載體T和芯片C的全部表面上如此加薄膜F，使它緊密地既貼靠在芯片C的側壁面上也貼放在該芯片C的背側面上。構件結構BS以此方式布置在一個空腔H中，該空腔H基本上由載體T的表面、芯片C的前側面并且在與側面交界處由薄膜F構成。
圖4現在在整個裝置上涂覆一個團狀頂部封蓋G，對于該封蓋在載體T的表面上選擇達到芯片的上緣以上的填充高度。然而也可以是較小的填充高度。
圖5示出在涂覆塑料物料之前對于薄膜F進行結構化的可能性。此時在與芯片C間隔距離的第一條帶ST中，例如用一個激光器去除框形地圍繞芯片的薄膜F，接下來去除芯片的外緣。第二種所選擇地采取的結構化的線SC處于該芯片的側壁上。在此處也是在圍繞整個芯片C的條帶中去除掉薄膜F。第二結構化的線SC也可以包圍芯片背側面或者只在芯片背側面上延伸。可選擇的是，必要時只露出整個芯片的背側面。接著如此涂覆團狀頂部封蓋G使該團狀頂部封蓋G至少在結構化條帶SC的部位上與芯片C相接觸、并在結構化條帶ST的部位上與載體T的表面相接觸。另外可選擇的是，取代團狀頂部封蓋G也可以直接將一層金屬噴涂層涂覆在圖5中所示的或者可選擇地在背側面上已結構化的裝置上。
圖8示出薄膜F結構化的另一種可能性，其中把整個薄膜直到一個適合于一個條帶的寬度處如此寬地去除掉使得空腔H保持封閉并且在此后封蓋過程中防止塑料物料的滲入。對于用塑料物料來覆蓋(例如團狀頂部封蓋)的替換方案，還可以在圖8所示的裝置上直接涂覆金屬噴涂層。
圖6在優選地熱硬化團狀頂部物料G后在另一個結構化步驟中在結構化線SL的部位上例如通過鋸開團狀頂部物料G而露出載體T的上表面。在此最好如此選擇結構化線SL使得它比結構化線ST遠離芯片C。以此方式保證，在鋸開后在團狀頂部封蓋G與載體T的表面之間還保留足夠的邊界面。圖6示出鋸開后的裝置。
接著可以在整個表面上例如以10微米的厚度涂覆金屬噴涂層M。在此金屬噴涂層M在結構化線SL的部位上封閉載體T的表面。由于結構化線SL框形地封閉芯片C，從而出現了全方位封閉的金屬覆蓋層，該金屬覆蓋層圍繞地封閉載體T。只要將填充高度選擇直到芯片的背側面處，所述金屬覆蓋層就緊密地位于團狀頂部物料上。在團狀頂部物料G較低的填充高度時還可以使金屬噴涂層M緊貼在薄膜F上，或者在如圖8所示的結構化的情況下也可使其緊貼在芯片C的背側面上。
本發明的另一個方案在圖7中示出。為了改善金屬噴涂層M的高頻屏蔽作用，把該金屬噴涂層M進行接地電連接。對此在載體T的上表面上制成一個接地端MA，該接地端MA經過敷鍍通孔D3與多層載體T的內部中的布線平面連接，并且通過另一個敷鍍通孔與外部的焊接連接面L相連接。在此實施方式中最好如此實施敷鍍通孔D3使該敷鍍通孔或者在芯片前側面和載體表面之間的空腔H中進行，或者在薄膜F的加膜部位中進行，該加膜部位在去除結構化線ST部位上的薄膜以后也保持由一條留在載體T上加膜的薄膜條帶所覆蓋。以此方式把用于團狀頂部封蓋G的塑料物料的滲入改變到敷鍍通孔D3的方向。
附圖只示意地再現本發明，以便能夠較好地說明本發明。在此處附圖并非是按比例的，并且示意性地給出外部的幾何結構。本發明也不局限于附圖中所示出的細節，而是還包含已經說明的變型的可能性、以及其它的可以在權利要求范圍內設想的實施形式。
權利要求
1.用于封裝一個包含一個芯片的電構件的方法，該芯片在前側面上具有構件結構，-其中用倒裝片技術把該構件安裝在載體的表面上，并且與存在于此處的電連接面連接，從而使芯片前側面對著載體并且與該載體間隔開地布置，-其中在安裝有芯片的載體表面上整個表面地加一層薄膜層，-其中在載體上圍繞構件地涂覆和硬化一個流體形態的塑料物料。
2.如權利要求1所述的方法，其中在硬化后環形地繞著芯片鋸開塑料物料，并在此處露出載體的表面。
3.如權利要求1或2所述的方法，其中在涂覆塑料物料以前在圍繞芯片的第一個條帶的部位上去除掉加膜的區域內的薄膜。
4.如權利要求1至3之一所述的方法，其中在涂覆塑料物料之前，在第二個跟隨芯片的全部周邊的條帶中去除掉芯片側面上的薄膜，然后如此涂覆塑料物料使該塑料物料在第二個條帶的部位上環繞地緊貼在芯片上并且緊密地封閉該芯片。
5.如權利要求1至4之一所述的方法，其中，在鋸開硬化的塑料物料之后對于載體的整個表面連同所產生的結構進行金屬噴涂。
6.如權利要求1至5之一所述的方法，其中，在鋸開硬化的塑料物料之后去除掉在全部沒有由塑料物料覆蓋的部位上的薄膜。
7.如權利要求3至6之一所述的方法，其中，用一個激光器去除掉第一條帶部位上的或者兩個條帶部位上的薄膜。
8.如權利要求1至6之一所述的方法，-其中采用一種能夠通過一個激光器的作用實現硬化的薄膜，-其中在加膜以后在一個部位上用一個激光器硬化所述的薄膜，該部位的內緣圍繞地緊密貼靠在芯片上、而其外緣緊密地貼靠在載體上，-其中在涂覆塑料物料之前把薄膜未硬化的部位用等離子工藝去除掉。
9.如權利要求1至8之一所述的方法，其中在較高溫度軟化薄膜的條件下進行加膜，并且通過在載體與薄膜之間的空腔中抽真空地支持所述加膜。
10.如權利要求1至9之一所述的方法，其中使用厚度為1至10微米的薄膜。
11.如權利要求5至10之一所述的方法，其中以兩個階段進行金屬噴涂，其中首先通過噴涂產生基礎金屬噴涂層，隨后在第二個與之不同的工藝中進行強化。
12.如權利要求11所述的方法，其中對于所述基礎金屬噴涂層的強化通過電鍍工藝進行。
13.如權利要求1至12之一所述的方法，其中采用一種必要時填充的環氧樹脂作為所述塑料物料。
14.如權利要求1至13之一所述的方法，其中采用一種LTCC陶瓷作為所述載體。
15.如權利要求1至14之一所述的方法，其中在去除掉薄膜的第一條帶中如此安排在載體中存在的開口的敷鍍通孔保持由薄膜所封閉，并且防止塑料物料滲入。
16.如權利要求1至15之一所述的方法，其中，全平面地以這樣一種高度涂覆塑料物料使得芯片的背側面也被覆蓋。
17.如權利要求1至16之一所述的方法，其中在載體上布置用于芯片的間隔結構，該間隔結構保證芯片前側面到載體的間距，并且其中將芯片借助于隆起緊貼在該間隔結構上地固定在載體上。
18.如權利要求15所述的方法，其中在基底上產生一個封閉的框形的、圍繞所述構件結構的、用塑料制成的框架結構作為所述間隔結構。
19.用聲波工作的構件、尤其是表面波構件、FBAR諧振器、BAW諧振器或者由這樣的諧振器構成的濾波器，所述構件以倒裝片裝置借助于隆起連接與一個載體有內部間距地安裝在該載體上，其中至少在構件的下緣的部位上的、構件與載體之間的中間空腔用一層薄膜進行封閉，其中至少圍繞該構件將作為團狀頂部封蓋的塑料物料涂覆到一個給出的高度，其中沿著圍繞該構件的條帶直到載體的表面上地去除掉塑料物料。
20.如權利要求19所述的構件，其中直接在所述的薄膜上布置一層薄金屬層形式的金屬噴涂層。
21.如權利要求19或20所述的構件，其中全平面地在構件上覆蓋所述塑料物料地涂覆一層金屬噴涂層，該金屬噴涂層在所述條帶的部位上封閉載體的表面。
22.如權利要求19至21之一所述的構件，其中所述塑料物料在一個封閉該構件的條帶形的薄膜段的兩側一方面封閉構件的表面，另一方面封閉載體的表面。
23.如權利要求19至22之一所述的構件，其中塑料物料的熱膨脹系數匹配于所述隆起連接的材料的熱膨脹系數。
24.如權利要求23所述的構件，其中團狀頂部封蓋包括一個用一種無機填料填充的塑料物料。
全文摘要
提出一種用于封裝敏感的構件的方法，其中通過用一個用倒裝片裝置安裝在一個載體上的構件全平面地加一層薄膜層、尤其是一層塑料薄膜。為了進一步地封閉并機械地穩定化，接下來封閉芯片地涂覆流體形態的塑料物料并且使其硬化。可選擇地可以在涂覆塑料物料前在結構化線的范圍內如此去除掉薄膜使得塑料物料既可以與載體接觸也可以與芯片表面相接觸。
文檔編號H01L21/60GK1561574SQ02819130
公開日2005年1月5日 申請日期2002年8月6日 優先權日2001年9月28日
發明者A·施泰爾茨爾, H·克呂格爾, G·費爾塔格 申請人:埃普科斯股份有限公司