專利名稱：用于有機硅酸鹽玻璃低k介質腐蝕應用的用于o的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體或集成電路的制造。更具體地，本發明涉及在集成電路制造期間從晶片剝除光刻膠。本發明還具體地涉及通過從晶片剝除電介質來制造半導體器件，該半導體器件包含至少一層有機硅酸鹽玻璃電介質。
背景技術：
集成電路利用典型由二氧化硅SiO2形成的電介質層以便使半導體結構的各種層上的各導線絕緣。隨著半導體電路變得更快更緊湊，使得工作頻率不斷提高，半導體器件內部的各導線之間的距離不斷降低。這樣就導致了與電路耦合的電容的增加，耦合電容的增加存在使半導體器件的工作減慢的缺點。因此，利用能夠使各導線有效地絕緣而不增加耦合電容量的電介質層變得更加重要。
通常，集成電路中的耦合電容與用于形成電介質層的材料的介電常數k成正比。如上所述，在常規集成電路中的電介質層傳統地由SiO2形成，其介電常數為大約4.0。隨著半導體器件中的線密度和工作頻率的增加，由SiO2形成的電介質層就不能使各導線有效地絕緣至防止耦合電容增加所需的程度。
在減少集成電路中的耦合電容量的努力中，半導體工業致力于研究開發具有介電常數低于SiO2的介電常數的材料，這種材料適合于在集成電路中形成為電介質層。目前，已經開發出了有時稱為“低k材料”的有希望的多種材料。這些新介質材料的大多數是有機化合物。在說明書和權利要求書中，低k材料定義為介電常數k小于3的材料。
低k材料包括，但并不特別限定為苯并環丁烯(benzocyclobutene)或BCB；由Allied Signal of Morristown，NJ，a division of Honeywell，Inc.，Minneapolis，MN制造的FlareTM；由Union Carbide Corporation，Danbury CT可獲取的一種或多種聚對亞苯基二甲基二聚體(parylene dimers)；聚四氟乙烯或PTFE；以及SiLK。適合于IC電介質應用的一種PTFE是由W.L.Gore& Associates，Inc，Newark，DE可獲取的SPEEDFILMTM。由DowChemical Company，Midland，Michigan可獲取的SiLK是一種無硅BCB。
感興趣的一類有機低k材料是包含有機硅酸鹽玻璃或OSG的化合物。作為實施例，但并不限于此，這種有機硅酸鹽電介質包含Novellusof San Jose，CA制造的CORALTM；由Applied Materials of SantaClara，CA可獲取的Black DiamondTM；由Sumitomo ChemicalAmerica，Inc.，Santa Clara，CA可獲取的Sumika Film；以及由Allied Signal of Morristown，NJ可獲取的HOSPTM。有機硅酸鹽玻璃材料具有并入二氧化硅晶格中的碳和氫原子，這樣降低了該材料的介電常數。
在半導體晶片處理期間，利用公知的構圖和蝕刻工藝在晶片中限定出半導體器件的特征(feature)。在這些工藝中，在晶片上淀積光刻膠(PR)材料、然后用通過掩模板(reticle)過濾的光對光刻膠進行曝光。掩模板通常為構圖有典型特征的幾何圖形的玻璃板，該典型特征的幾何圖形阻擋光線穿過掩模板傳播。
在光穿過掩模板之后，光就接觸光刻膠材料的表面。光改變光刻膠材料的化學組分，使得曝光機可以去除光刻膠材料的一部分。在正性光刻膠材料的情況下，去除曝光部分；在負性光刻膠材料的情況下，去除非曝光部分。此后，蝕刻晶片以便去除不再受光刻膠材料保護的區域的下面的材料，由此在晶片中確定出所需的特征。通常，通過氧化(例如，基于氧的氧化)或還原(例如，基于氫的還原)化學工藝就可以蝕刻低k有機聚合物。使用與氧化物蝕刻化學方法有些類似的化學方法有利于蝕刻OSG電介質。
雙頻電容耦合(DFC)電介質腐蝕系統有利于進行電介質的蝕刻。這樣的一種系統是可從Lam Research Corporation，Fremont CA獲得的Lam Research model Exelan-HPTM系統。在一個系統中，Exelan-HPTM系統需處理非常復雜的電介質腐蝕組合(portfolio)。處理包括接觸和通孔、兩層(bilevel)接觸、無邊界接觸、氮化物和氧化物隔離物以及鈍化物。
在同一系統中，先進的蝕刻系統如4520XLRTM可以進行幾種處理。通過在單一系統中執行多種不同的半導體制造步驟，就可以提高晶片產量。甚至期望更加先進的系統在同一設備中具有附加步驟的性能。再次作為舉例，但不限于此，Lam Research公司的ExelanTM系統是一種能夠在單一設備中進行多種處理步驟的干法腐蝕系統。ExelanTM能夠在單一反應室原位執行硬掩模開口、無機和有機ARC蝕刻以及光刻膠剝除。這種系統的大量工藝組合包括在亞0.18微米環境下所需的摻雜的和未摻雜的氧化物以及低k電介質中的所有雙鑲嵌結構、接觸、通孔、隔離物和飩化物的蝕刻。當然，各種各樣的半導體制造系統中可以采用在此列舉的原理，并且這些原理期望特別適合所有的這些替換。
在此使用的術語“原位”指不用從設備中移出襯底的情況下，在半導體制造設備的相同部分中、在給定的襯底例如硅晶片上進行的一種工藝或多種工藝。
在半導體器件的制造期間，在組成器件的各種薄膜層的重復構圖、蝕刻和淀積期間必須在蝕刻或淀積步驟之后去除圖形化了的光刻膠。雖然已經提出了多種光刻膠的去除技術和方法，為了保持目前的半導體制造商所要求的高產量，在蝕刻設備內從半導體晶片剝除光刻膠是非常期望的。
由于OSG材料基本上是有機摻雜的氧化物，最流行的光刻膠材料趨向于具有與OSG材料的有機組分相似的化學特性。此外，流行的利用O2剝除的外部工藝可以采用順流等離子體，其中襯底可以被加熱到高于200℃的溫度。因此，當利用公知的基于氧的一套方法以便從晶片的表面處的蓋板去除有機材料例如光刻膠時，在高于200℃的溫度下、公知的O2剝除工藝就不僅能夠從晶片的表面上去除有機材料和氫，而且還可能從蝕刻的特征的側壁或任何其它暴露的表面上有害地去除有機材料。而且，當OSG材料在高溫下暴露于氧等離子體時，OSG材料易于氧化。氧從OSG膜去除碳和氫，由此致使膜不穩定并導致了薄膜的介電常數增加。當然，與多數其它剝除化學方法相比，O2還提供了對有機光刻膠具有顯著更好的剝除速度。
因此，需要一套方法，利用基于氧的剝除工藝，用于進行OSG材料的干法光刻膠剝除，而沒有與這種剝除化學方法相關的上述討論的有害影響。
下游微波等離子體灰化已經采用的一套方法是利用N2/H2來使這些設備與OSG適應。這種方法的主要制約表現為低的剝除速度和必須進行外部剝離。
因此，進一步需要一套蝕刻后剝除方法，用于含銅的器件，其能夠有與上述討論的基于氧的剝除工藝相同的剝除速度，但不存在通常與氧剝除方法相關的銅損傷問題。這套方法應當能夠具有足夠高的剝除速度以致在目前高產量的世界中使這套方法切實可行，由此降低最終用戶的設備所有權的總成本。
為了維持晶片的高產量，還需要一套方法，該方法能夠在用于形成晶片的制造設備中原位實施該方法。
最后，需要一種工藝，執行該工藝而在剝除后的薄膜表面上沒有或最小化剩余剝除后的殘余物。
通過閱讀以下詳細的描述并研究各個附圖，本發明的這些和其它優點將變得明顯。

發明內容
本發明講授一種工藝，用于利用在腐蝕設備中形成的等離子體所進行的反應，從形成有至少一層OSG電介質的半導體晶片上剝除光刻膠。相對于其它集成電路制造工藝，可以原位或在外部進行剝除工藝。這種反應可以是本質上的氧化反應或還原反應。本發明期望的氧化反應利用氧等離子體。還原反應利用氨等離子體。與以前公知的剝除方法相比，在此描述的一套方法產生更快的灰化速度且幾乎不損傷OSG電介質。在這種工藝中，半導體晶片的溫度保持在-10℃和60℃的溫度之間。
通過閱讀以下詳細的描述并研究各個附圖，本發明的這些和其它優點將變得明顯。


為了更加完整地理解本發明，在本發明以下詳細的描述中參考附圖。在附圖中圖1是本發明的流程圖。
圖2是可在本發明的一個優選實施例中使用的一種等離子體處理室的示意圖。
在附圖的幾個圖中，參考數字表明本發明的相同或相似部分。
具體實施例方式
本發明講授一種利用一種在腐蝕設備中形成的等離子體實現的反應，用于從形成有至少一層OSG電介質的半導體晶片剝除光刻膠的原位或外部工藝。相對于其它集成電路制造工藝，可以原位或在外部形成剝除工藝。這種反應本質上可以是氧化反應或還原反應。本發明期望的氧化反應利用氧等離子體。還原反應利用氨等離子體。
現在參照圖1，根據本發明的一個實施例，提供一種方法100，用于從合并至少一層有機硅酸鹽電介質的半導體晶片剝除光刻膠。形成有至少一層OSG的半導體晶片被放置在雙頻電容耦合(DFC)電介質腐蝕系統的反應容器中。為了易于討論，圖2是在本發明的一個優選實施例中采用的等離子體處理室200的示意圖。等離子體處理室200包括限定環(confinement rings)202、上電極204、下電極208、氣體源216和排氣泵220。在等離子體處理室200中，半導體晶片224位于下電極208之上。下電極208組合一個用于支撐半導體晶片224的適合的襯底吸盤裝置(例如，靜電吸盤、機械夾等)。反應室頂部228組合與下電極208完全相對設置的上電極204。上電極204、下電極208和限定環202限定了受限等離子體的容積240。通過氣體源216將氣體提供到受限等離子體容積240，并通過排氣泵220使氣體穿過限定環202和排氣口從受限等離子體容積240排出。第一RF源244電連接到上電極204。第二RF源248電連接到下電極208。將RF功率連接到電極的不同組合都是可能的。在由Lam Research Corporation，Fremont CA可獲取的Lam Research model Exelan-HPTM的情況下，兩個RF源都連接到下電極，而上電極接地。反應室壁252包圍限定環202、上電極204和下電極208。第一RF源244和第二RF源248可以包括一個27MHz的功率源和一個2MHz的功率源。隔開的上電極204和下電極優選分隔開大約1.35cm的距離，但可以具有到達2.0cm的間隔。冷凍器260可以連接到底端電極208。冷卻器264可以連接到晶片224的背面。冷卻器264可以采用氯來提供冷卻。晶片224可以是覆蓋有在光刻膠掩模270之下的至少一層OSG電介質268的一個襯底266。晶片224可以具有銅接觸272。
在步驟102中，在晶片224上進行利用光刻膠掩模270的至少一個半導體制造步驟或形成步驟。作為實施例，但不限于此，這種形成或制造步驟包含光刻膠構圖、蝕刻和淀積。在制造步驟之后，在步驟104中，將光刻膠剝除氣體的氣流引入到反應容器中。通過第一RF源244和第二RF源248提供能量，該能量激勵氣體并使氣體電離，由晶片224上面的剝除氣體形成等離子體(步驟106)。將等離子體部分限定到晶片224之上的受限等離子體容積240，此處等離子體能夠剝除晶片上的光刻膠(步驟108)，而不會損傷有機硅酸鹽電介質，并且不會使有機硅酸鹽的電介質特性退化。然后，等離子體穿過限定環202排出到排氣泵220。限定環202減小等離子體與反應室壁252的相互作用。光刻膠剝除氣體是含有例如氮氣的基本惰性稀釋劑和活性剝除劑的氣體混合物。根據本發明，這種活性剝除劑是氧氣或氨氣之一。可以采用具有相同功能的可替換的稀釋劑。在剝除氣體之中的剝除劑濃度隨應用而變化，如下面所述。可以采用冷凍器260和冷卻器來使晶片保持在-10℃至60℃之間的溫度。更加優選地，晶片保持在-10℃至40℃之間的溫度。晶片最好保持在大約20℃的溫度。在完成步驟108的剝除之后，該晶片準備好在步驟110中的進一步的處理或制造。
本發明期望改變多個工藝參數以便在各種各樣的晶片疊層上獲得滿意的結果，以至對各種各樣的半導體設計產生效果。包含所期望的效果、產量和系統能力的各種因素將限定完成所要求設計的工藝參數的最優化組合。通過本發明，特別期望適合由此采用的每一種組合。
為了檢驗改變幾種工藝參數對本發明的影響，制備并處理一組測試晶片。硅測試晶片包括晶片疊層，該疊層包括由SiO或SiC形成的阻擋層，在該阻擋層上淀積一層OSG電介質。在OSG電介質上提供構圖的深UV(deep-UV)光刻膠層。一種被測試的電介質是Novellus、Coral。從Arch Chemicals、Inc.、North Kingstown、RI可得到深UV光刻膠。另一種被測試的電介質是來自Applied Materials ofSanta Clara，CA的Black DiamondTM(黑金剛石)。在測試晶片中蝕刻出包含通孔和溝槽的特征。這些測試晶片的設計僅僅為了實驗目的。正如本領域普通技術人員所公知的，在襯底和OSG之間以及在OSG和光刻膠之間可以插入中間層，可以通過利用相同的設備實現可替換的薄膜和膜厚以獲得所需的設計目的。一種這樣的薄膜是在光刻膠之下淀積的硬掩模。當然，這些可替換物中的每一種都是本發明所期望的。
在半導體制造系統，例如Lam Research model 4520XLETM雙頻電容耦合(DFC)電介質腐蝕系統或其它適合的設備的反應室或反應容器中放置每一個測試晶片。在實際集成電路制造中，這里一個或多個半導體制造步驟將是任選執行的。這些步驟包括，但并不特別限于構圖、蝕刻、淀積、平坦化、摻雜、金屬化以及本領域普通技術人員所公知的其它半導體形成步驟。
然后，基本上所有的光刻膠都按以下步驟從晶片上被剝除將27和2MHz的雙頻功率提供到系統。然后，將包含上述討論的活性剝除劑之一的剝除氣體的氣流引入到反應室中并觸發等離子體。在執行每種測試之后，分析測試晶片以便確定剝除速度或灰化速度、晶片表面上的灰化或剝除的均勻性、并且通過Fourier Transform InfraredSpectroscopy(FTIR)(傅立葉變換紅外頻譜儀)來測量OSG電介質層的碳含量的百分比變化。因此，提供以下優選實施例。這些優選實施例將作為實例以便與采用現有的N2/H2的眾所周知的方法的實例比較。
實施例現有技術的實施例在眾所周知的方法或BKM(公知的最好方法)中，結合H2作為活性剝除劑的剝除工藝，在LamTMResearch model Exelan-HPTM雙頻電容耦合(DFC)的電介質腐蝕系統中放置晶片。然后，基本上所有的光刻膠都按以下步驟從晶片上被剝除將N2/H2剝除氣體的氣流引入到反應室中。將27和2MHz的雙頻功率提供到系統。提供大約400W、27MHz的高頻率的功率源。提供大約400W、2MHz的較低頻率的功率源。以600sccm將H2提供到反應室。以1900sccm將N2提供到反應室。反應室壓力維持在大約470mTorr(毫乇)。通過此工藝，當測試電介質為Coral時，通過FTIR測量的覆蓋膜中的SiC/SiO比的百分比變化為5％；當測試電介質為Black Diamond時，為5.01％。測量的灰化速度為4150/min(埃/分鐘)。
O2剝除的實施例在眾所周知的方法或BKM中，結合O2作為活性剝除劑的優選實施例，在LamTMResearch model Exelan-HPTM雙頻電容耦合(DFC)的電介質腐蝕系統中放置晶片。然后，基本上所有的光刻膠都按以下步驟從晶片上被剝除將O2/N2剝除氣體的氣流引入到反應室中。將27和2MHz的雙頻功率提供到系統。提供大約200W、27MHz的較高頻率的功率源。提供大約100W、2MHz的較低頻率的功率源。以1000sccm將O2提供到反應室。以200sccm將N2提供到反應室。反應室壓力維持在大約330mTorr。通過此工藝，當測試電介質為Coral時，通過FTIR測量的覆蓋膜中的SiC/SiO比的百分比變化為4.1％；當測試電介質為Black Diamond時，為3.6％。測量的灰化速度為10600/min。
這些測試證實，進行基于氧的剝除工藝與現有的基于氫的工藝相比基本上具有更高的灰化速度、較低的OSG碳含量變化速率并對OSG具有最小的損傷。
本發明的這個方面的可替換的實施例期望從大約100W至大約2000W的高頻率的功率源的功率。更具體地，較高頻率的功率源的功率可以從大約50W至大約1000W。還更加具體地，較高頻率的功率源的功率可以從大約150W至大約500W。還更加具體地，較高頻率的功率源的功率可以從大約175W至大約350W。較高頻率的功率源的功率最好為上述討論的大約200W。較高頻率的功率源優選具有15MHz-40MHz范圍的頻率。更加優選地，較高頻率的功率源具有20MHz-35MHz范圍的頻率。較高頻率的功率源最好具有25MHz-30MHz范圍的頻率。
本發明的這個方面的可替換的實施例期望從大約0W至大約2000W的較低頻率的功率源的功率。更具體地，較低頻率的功率源的功率從大約50W至大約1000W。還更加具體地，較低頻率的功率源的功率可以從大約50W至大約500W。還更加具體地，較低頻率的功率源的功率可以從大約75W至大約350W。較低頻率的功率源的功率最好為上述討論的大約100W。較低頻率的功率源優選具有0.3MHz-10MHz范圍的頻率。更加優選地，較低頻率的功率源具有1MHz-5MHz范圍的頻率。較低頻率的功率源最好具有1.5MHz-4MHz范圍的頻率。
在本發明的這個方面的可替換的實施例期望稀釋氣體的流量從大約50sccm至大約2000sccm。更加具體地，稀釋氣體的流量為從大約100sccm至大約1500sccm。還更加具體地，稀釋氣體的流量為從大約150sccm至大約500sccm，并且稀釋氣體的流量最好為大約200sccm。
在本發明的這個方面的可替換的實施例還期望O2活性剝除劑的流量從大約150sccm至大約3500sccm。更加具體地，O2的流量為從大約500sccm至大約2500sccm。還更加具體地，稀釋氣體的流量為從大約700sccm至大約1500sccm，并且最好為大約1000sccm。
類似地，可替換的實施例期望反應室壓力從大約50mTorr至大約1000mTorr。更加具體地從大約100mTorr至大約500mTorr。更加具體地從大約300mTorr至大約400mTorr，并且最好為大約330mTorr。
本領域普通技術人員應當清楚，上述討論的工藝變量的一種或多種對應于具體應用必須進行修改。
NH3剝除的實施例在眾所周知的方法或BKM中，結合NH3作為活性剝除劑的優選實施例，在LamTMResearch model Exelan-HPTM雙頻電容耦合(DFC)的電介質腐蝕系統中放置晶片。然后，基本上所有的光刻膠都按以下步驟從晶片上被剝除將NH3剝除氣體的氣流引入到反應室中。將27和2MHz的雙頻功率提供到系統。提供大約600W、27MHz的較高頻率的功率源。提供無功率、2MHz的較低頻率的功率源。以1500sccm將NH3提供到反應室。反應室壓力維持在大約350mTorr。通過此工藝，當測試電介質為Coral時，通過FTIR測量的覆蓋膜中的SiC/SiO比的百分比變化為2.5％；當測試電介質為Black Diamond時，為1.64％。測量的灰化速度為5470/min。
這些測試證實，進行基于氨的剝除工藝與現有的基于氫的工藝相比基本上具有更高的灰化速度、較低的OSG碳含量變化速率并對OSG具有最小的損傷。
本發明的這個方面的可替換的實施例期望從大約100W至大約2000W的較高頻率的功率源的功率。更具體地，較高頻率的功率源的功率為從大約50W至大約1000W。還更加具體地，較高頻率的功率源的功率可以從大約250W至大約750W。還更加具體地，高頻率的功率源的功率為從大約500W至大約750W。較高頻率的功率源的功率最好為上述討論的大約600W。較高頻率的功率源優選具有15MHz-40MHz范圍的頻率。更加優選地，較高頻率的功率源具有20MHz-35MHz范圍的頻率。較高頻率的功率源最好具有25MHz-30MHz范圍的頻率。
本發明的這個方面的可替換的實施例期望從大約0W至大約2000W、2MHz的較低頻率的功率源的功率。更具體地，較低頻率的功率源的功率從大約0W至大約1000W。還更加具體地，較低頻率的功率源的功率可以從大約0W至大約500W。還更加具體地，較低頻率的功率源的功率可以從大約0W至大約350W。較低頻率的功率源的功率最好為上述討論的大約0W。較低頻率的功率源優選具有0.3MHz-10MHz范圍的頻率。更加優選地，較低頻率的功率源具有1MHz-5MHz范圍的頻率。較低頻率的功率源最好具有1.5MHz-4MHz范圍的頻率。
本發明的這個方面的可替換的實施例期望活性NH3剝除劑的流量從大約150sccm至大約3500sccm。更加具體為從大約500sccm至大約2500sccm。還更加具體為從大約750sccm至大約2000sccm，并且最好為大約1500sccm。
本發明的這個方面的可替換的實施例還期望稀釋氣體的流量從大約0sccm至大約3500sccm。更加具體為從大約0sccm至大約500sccm。還更加具體為從大約0sccm至大約250sccm，并且最好為大約0sccm。還可以采用本領域普通技術人員公知的可替換的稀釋氣體。
類似地，可替換的實施例期望反應室壓力從大約50mTorr至大約1000mTorr。更加具體地，反應室的壓力可以為從大約100mTorr至大約500mTorr。還更加具體地，反應室的壓力可以為從大約300mTorr至大約400mTorr，并且最好為大約350mTorr。
與上述討論的BKM氫剝除相比，NH3工藝產生具有較小損傷、更好的剝除速度。
在需要使用等離子體的另一個半導體制造步驟例如蝕刻步驟之后進行上述定義的剝除工藝，在此提出的一套方法能夠由例如蝕刻改變為光刻膠剝除而不用依賴于中斷反應容器中的真空。此外，本發明的工藝期望在同一個反應容器中氣體的氣流由腐蝕氣體氣流改變為光刻膠剝除氣體的氣流。
可選擇地，改變晶片背面冷卻以便提供最優的影響PR剝除的晶片溫度。不用受理論的約束，應當相信，將晶片冷卻到大約60℃以下的溫度有助于在光刻膠剝除期間防止OSG層的損傷。特別地，當剝除氣體采用O2時。還應當相信，等離子體的限定，例如通過限定環提供的限定將防止或減少粒子的產生，例如通常與O2或NH3的蝕刻相關的粒子的產生。氨氣剝除工藝具有進一步的優點，即氨氣不會氧化集成電路器件中的銅元件，由此使此工藝更加與基于銅的集成電路制造相適應。
已經對應于本發明的特征的某些優選實施例具體地展示并描述了本發明。然而，本領域普通技術人員應當易于理解，在不脫離所附的權利要求書提出的本發明的精神和范圍的情況下可以進行形式上和細節上的各種變化和修改。具體地，本發明的原理特別期望各種各樣的晶片疊層、電介質、硬掩模、阻擋材料、工藝設備、晶片襯底和光刻膠上結合此處講授的一個或多個不同的特征和優點。而且，討論的頻率、功率、流速和壓力是說明對給定應用下發現的最優的那些頻率、功率、流速和壓力。本發明期望其它應用需要這些變量的可選擇值。本發明的原理，特別期望這些替換中的每一個。
權利要求
1.一種用于從包含至少一層有機硅酸鹽玻璃電介質的晶片上剝除光刻膠的方法，該方法包括將該晶片放入一反應室；將剝除氣體的氣流引入該反應室，該剝除氣體包含一種活性剝除劑，其中該活性剝除劑選自由氧氣和氨氣組成的組；以及使用該剝除氣體，在該反應室中形成等離子體，由此從晶片上剝除該光刻膠。
2.如權利要求1所述的方法，還包括在使用剝除氣體期間將晶片冷卻到低于60℃的溫度。
3.如權利要求2所述的方法，其中剝除氣體還包括惰性稀釋劑。
4.如權利要求3所述的方法，其中惰性稀釋劑是氮氣。
5.如權利要求4所述的方法，還包括用等離子體環限制等離子體。
6.如權利要求1所述的方法，其中活性剝除劑是氨氣。
7.如權利要求6所述的方法，其中晶片包括至少一個銅接觸。
8.如權利要求7所述的方法，還包括在使用剝除氣體期間將晶片冷卻到低于60℃的溫度。
9.如權利要求8所述的方法，其中剝除氣體還包括惰性稀釋劑。
11.如權利要求1所述的方法，其中活性剝除劑是氧氣。
12.如權利要求11所述的方法，還包括在使用剝除氣體期間將晶片冷卻到低于60℃的溫度。
13.如權利要求12所述的方法，其中剝除氣體還包括惰性稀釋劑。
14.一種集成電路，包括在一個晶片上的有機硅酸鹽玻璃的至少一個特征，該集成電路由一種方法形成，該方法包括在該有機硅酸鹽玻璃之上形成光刻膠掩模；將該晶片放入一反應室；將剝除氣體的氣流引入該反應室，該剝除氣體包含一種活性剝除劑，其中該活性剝除劑選自由氧氣和氨氣組成的組；以及使用該剝除氣體，在該反應室中形成等離子體，由此從該晶片上剝除該光刻膠。
15.如權利要求14所述的集成電路，還包括在使用剝除氣體期間將晶片冷卻到低于60℃的溫度。
16.如權利要求15所述的集成電路，其中剝除氣體還包括惰性稀釋劑。
17.如權利要求16所述的集成電路，其中惰性稀釋劑是氮氣。
18.如權利要求17所述的集成電路，其中活性剝除劑的流速在150sccm和3500sccm之間。
全文摘要
提供一種用于從形成有至少一層的OSG電介質的半導體晶片上剝除光刻膠的工藝。與其它集成電路制造工藝相應地原位或在外部構成剝除工藝。該工藝包括一種本質上為氧化反應或還原反應的反應。氧化反應利用氧等離子體。還原反應利用氨等離子體。本發明的工藝與以前公知的剝除方法相比產生更快的灰化速率且幾乎對OSG電介質沒有損傷。
文檔編號H01L21/311GK1633701SQ02808158
公開日2005年6月29日 申請日期2002年1月30日 優先權日2001年2月12日
發明者R·V·安娜普拉加達, I·J·莫里, C·W·何 申請人:蘭姆研究有限公司