專利名稱：用于調節導電流體的流動的電磁流動調節器、系統及方法
技術領域：
本申請一般涉及調節導電流體的流動。

發明內容
所公開的實施 例包括用于調節導電流體的流動的電磁流動調節器、調節導電流體的流動的系統、調節導電流體的流動的方法、核裂變反應堆、調節導電反應堆冷卻劑的流動的系統和調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的方法。除了上文之外，在像本公開的文本(例如，權利要求書和/或詳細描述)和/或附圖那樣的教導中展示和描述了各種其他方法和/或設備方面。
上文是一個總結，因此可能包含細節的簡化、概括、蘊含、和/或省略；因此，本領域的普通技術人員應該懂得，該總結只是示例性的，而決不是打算限制本發明的范圍。除了上面所述的示例性方面、實施例和特征之外，進一步的方面、實施例和特征通過參照附圖和如下詳細描述將變得顯而易見。


雖然本說明書以特別指出和不同地要求本公開的主題的權利要求書為結論，但要相信，當結合附圖時，本公開將從如下詳細描述中得到更好理解。另外，用在不同附圖中的相同符號通常指示相似或相同項目。圖1A是一種示例性電磁流動調節器的局部示意形式的側視圖；圖1B是另一種示例性電磁流動調節器的局部示意形式的側視圖；圖1C是圖1B的電磁流動調節器的局部剖面側視圖；圖1D是沿著圖1C的截面線1D-1D截取的視圖；圖1E是圖1B的電磁流動調節器的一個細節的橫截面的放大片斷圖；圖1F是導電流體的速度、磁場和感應電場的關系的曲線圖；圖1G是圖1B的電磁流動調節器的局部剖面透視圖；圖1H是圖1B的電磁流動調節器的另一個細節的橫截面的放大片斷圖；圖1I是導電流體中的感應電流、磁場和洛倫茲合力的關系的曲線圖；圖1J是圖1B的電磁流動調節器的另一個細節的透視截面的放大片斷圖；圖1K是另一種示例性電磁流動調節器的局部剖面示意形式的側視圖；圖1L是沿著圖1K的截面線1L-1L截取的視圖；圖1M是沿著圖1K的截面線1M-1M截取的視圖；圖1N是沿著圖1M的截面線1N-1N截取的視圖；圖2A是調節導電流體的流動的一種示例性方法的流程圖；圖2B-2E是圖2A的方法的細節的流程圖；圖2F是調節導電流體的流動的另一種示例性方法的流程圖；圖2G是圖2F的方法的細節的流程圖；圖2H是調節導電流體的流動的另一種示例性方法的流程圖；圖21是圖2H的方法的細節的流程圖；圖3A是制造電磁流動調節器的一種示例性方法的流程圖；圖3B-3K是圖3A的方法的細節的流程圖；圖3L是制造電磁流動調節器的另一種示例性方法的流程圖；圖3M-3P是圖3L的方法的細節的流程圖；圖3Q是制造電磁流動調節器的另一種示例性方法的流程圖；圖3R-3T是圖3Q的方法的細節的流程圖；圖4A是一種示例性核裂變反應堆系統的示意性例示；圖4B是一種示例性核裂變模塊的局部示意形式的俯視圖；圖4C是圖4B的示例性核裂變模塊的局部示意形式的俯視圖；圖4D是圖4B的其他示例性核裂變模塊的局部示意形式的俯視圖；圖4E是圖4B的其他示例性核裂變模塊的局部示意形式的俯視圖4F是一種示例性行波反應堆堆芯的局部示意形式的俯視圖；圖5A是一種示例性核裂變反應堆的組件的示意性例示；圖5B-5C是示例性電磁流動調節器和核裂變模塊的局部示意形式的局部剖面側視圖；圖6A-6C是其他示例性電磁流動調節器和核裂變模塊的局部示意形式的局部剖面側視圖；圖6D是一種示例性反應堆堆芯的局部示意形式的局部剖面俯視圖；圖6E是圖6D的反應堆堆芯的局部示意形式的局部剖面側視圖；圖6F是另一種示例性反應堆堆芯的局部示意形式的局部剖面俯視圖；圖6G是圖6F的反應堆堆芯的局部示意形式的局部剖面側視圖；圖6H-6J是其他示例性反應堆堆芯的局部示意形式的局部剖面俯視圖；圖7A是調節一種導電反應堆冷卻劑的流動的示例性方法的流程圖；圖7B-7S是圖7A的方法的細節的流程圖；圖7T是調節另一種導電反應堆冷卻劑的流動的示例性方法的流程圖；圖7U-7AH是圖7T的方法的細節的流程圖；圖7AI是調節另一種導電反應堆冷卻劑的流動的示例性方法的流程圖；以及圖7AJ-7AW是圖71的方法的細節的流程圖。
具體實施例方式在如下詳細描述中，將參考形成其一部分的附圖。在這些附圖中，相似的符號通常標識相似的部件，除非上下文另有規定。描述在詳細描述、附圖和權利要求書中的示例性實施例并不意味著限制。可以不偏離本文展示的主題的精神或范圍地利用其他實施例，以及可以作出其他改變。另外，為了清晰地展示起見，本申請使用了形式上的概括性標題。但是，應該明白，這些概括性標題用于展示的目的，可以在整個申請中討論不同類型的主題(例如，可以在過程/操作標題下描述設備/結構和/或可以在結構/過程標題下討論過程/操作；和/或單個話題的描述可以跨越兩個或更多個話題標題)。因此，形式上的概括性標題的使用決不是打算限制本發明的范圍。此外，本文所述的主題有時例示了包含在其他不同部件內，或與其他不同部件連接的不同部件。應該明白，這樣描繪的架構僅僅是示例性的，事實上，可以實現許多實現相同功能的其他架構。從概念上來講，實現相同功能的部件的任何安排都是有效“聯系”的，使得實現所希望功能。因此，本文組合在一起實現特定功能的任何兩個部件可以看作相互“聯系”，使得與架構或中間部件無關地實現所希望功能。同樣，如此聯系的任何兩個部件也可以視作實現所希望功能的相互“可操作地連接”，或“可操作地耦合”，以及能夠如此聯系的任何兩個部件也可以視作實現所希望功能的相互“可操作地耦合”。可操作地耦合的特例包括但不限于物理上可配對和/或物理上相互作用部件、可無線相互作用和/或無線相互作用部件、和/或邏輯上相互作用和/或邏輯上可相互作用部件。在一些情況下，一個或 多個部件在本文中可能被稱為“配置成”，“可配置成”，“可起......作用/起......作用”，“適用于/可適用于”，“能夠”，“可依照/依照”等。本領域的普通技術人員應該認識到，“配置成”，“可配置成”，“可起......作用/起......作
用”，“適用于/可適用于”，“能夠”，“可依照/依照”等一般可以包含活動狀態部件、非活動狀態部件和/或等待狀態部件，除非上下文另有要求。示例性電磁流動調節器、系統及方法通過概述給出以及參照圖1A，提供了調節導電流體的流動的示例性電磁流動調節器490。磁導體510像通過附在框架491上那樣，被安排在固定相對位置上。磁導體510限定通過電磁流動調節器490的導電流體的流體流動路徑141沿著它。磁導體510限定與流體流動路徑141實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過。能夠攜載電流的場生成繞組570可與磁導體510電磁耦合，使得場生成繞組570可在流體入口路徑上生成至少一個磁場。在一些實施例中，流體入口路徑可以通過限定在磁導體510中的流動孔520來限定。另外，通過電磁流動調節器490的流體流動路徑141可以被限定在磁導體510的內側。可以經由電路580 (和它的電路分段580a，580b和580c)將來自電源590的電力供應給電磁流動調節器490。在一些實施例中，電源590可以由控制單元610控制。下面將進一步給出電源590和控制單元的示例性細節。應該懂得，可以如所希望的那樣，為各種應用提供電磁流動調節器490的各種實施例。作為非限制性例子，首先討論可以通過限制導電流體的流動調節導電流體的流動的示例性電磁流動調節器490a。然后討論可以通過限制導電流體的流動和/或迫使導電流體的流動調節導電流體的流動的另一種示例性電磁流動調節器490b。應該懂得，電磁流動調節器490a和490b可以如所希望地用于特定應用。因此，本文將針對電磁流動調節器490描述系統級應用和主環境。因此，本文針對系統級應用背景下的電磁流動調節器490，以及主環境也包含電磁流動調節器490a和電磁流動調節器490b。也就是說，本文針對系統級應用背景下的任何電磁流動調節器490，以及主環境也針對電磁流動調節器490a或電磁流動調節器490b，或電磁流動調節器490a和電磁流動調節器490b兩者。仍然通過概述給出以及仍然參照圖1A，提供如下信息作為電磁流動調節器490a的一些方面的高級引言。這樣，除了上面針對電磁流動調節器490所展示的信息(無需為了理解而重復)之外，也提供如下信息。為此，在電磁流動調節器490a的各種實施例中，將場生成繞組570布置在磁導體510的外側。在一些實施例中，場生成繞組570可以包括螺旋線圈，以及在一些其他實施例中，場生成繞組570可以包括實質上圓形線圈。在一些實施例中，可以將磁非導體530附在框架491上，并布置在磁導體510的相鄰幾個之間。在這樣的情況下，沿著磁非導體530進一步限定流體流動路徑141。現在通過非限制性 例子展示電磁流動調節器490a的示例性實施例。磁導體510像通過附在框架491上那樣，被安排在固定相對位置上。磁導體510限定通過電磁流動調節器490的導電流體的流體流動路徑141沿著它。磁導體510限定與流體流動路徑141實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過。能夠攜載電流的場生成繞組570可與磁導體510電磁耦合，使得場生成繞組570可在流體入口路徑上生成至少一個磁場。仍然參照圖1B以及仍然通過概述給出，在一些實施例中，通過電磁流動調節器490a的流體流動路徑141可以進一步被限定在磁導體510的內側。在一些實施例中，可以將磁非導體530附在框架491上，并布置在磁導體510的相鄰幾個之間。在這樣的情況下，像通過限定在磁非導體530的內側那樣，可以沿著磁非導體530進一步限定通過電磁流動調節器490a的流體流動路徑141。在一些實施例中，場生成繞組570可以包括螺旋線圈，以及在一些其他實施例中，場生成繞組570可以包括實質上圓形線圈。既然已經作了概述，現在描述可以限制導電流體的流動的電磁流動調節器490a的結構和操作。仍然參照圖1B，相鄰磁導體510傳遞流過場生成繞組570的電流600生成的磁場630。磁導體510可以由鑄鐵、碳素鋼、或像坡莫合金Deltamax和Sendus那樣的特殊商用合金制成。在一個實施例中，磁導體510可以是直立的，細長的，隔開的，和安排在將電磁流動調節器490a緊密布置到要通過電磁流動調節器49a調節導電流體的流動的設備、系統、主環境等中的大致圓筒狀或管狀配置中。每個磁導體510可以具有正方形、長方形、平行六面體、圓形、和任何其他適當橫截面。每個相鄰磁導體510限定使導電流體流過磁導體510的一個或多個流動孔520。磁導體510用于使磁勢集中在導電流體流動路徑的內部或附近。應該懂得，流動孔520處在流動路徑140的一些部分145中。還應該懂得，通過導電流體的電磁流動調節器490a的內部的流動路徑被限定成沿著磁導體510，即，在磁導體510的內側。應該進一步懂得，通過流動孔520的導電流體的進入流動路徑與通過導電流體的電磁流動調節器490a的內部的流動路徑實質上正交。介于磁導體5 10的相鄰磁導體之間的是磁非導體530的相應磁非導體。磁非導體530起限制磁勢在導電流體流動路徑140的一些部分145外部的區域中的作用。磁導體和磁非導體的適當使用可以有助于對于施加于電磁流動調節器490a的給定電流，使流動路徑140的一些部分145上導電流體的區域中導電流體觀察到的磁場強度最大。磁非導體530可以由300號不銹鋼等制成。應該懂得，通過導電流體的電磁流動調節器490a的內部的流動路徑因此也被限定成沿著磁非導體530，即，在磁非導體530的內側。應該懂得，流動孔520的數量的選擇牽涉到考慮導電流體的流動摩擦阻力和在流動路徑140的長度和流動橫截面上提供均勻磁場的能力。在一些實施例中，選擇多個流動孔520，使得降低磁場要求和使摩擦損失最小。另外參照圖1C和1D，框架491包括基件540和軛狀件550。磁導體510和磁非導體530的上下端附在框架491上。磁導體510和磁非導體530的下端附在基件540上。將磁導體510和磁非導體530的下端附在基件540上固定了磁導體510和磁非導體530的下端，使得磁導體510和磁非導體530的下端不能橫向移動。因此，隨著導電流體流過電磁流動調節器490a，基件540提高了電磁流動調節器490a的振動和結構硬度。更具體地說，可以通過一對定位接頭510a和510b將磁導體510和磁非導體530的下端附在基件540上。但是，應該懂得，磁導體510和磁非導體530的下端可以通過焊接或通過任何適當附著手段附在基件540上。盤形軛狀件550固定磁導體510和磁非導體530的上端，使得磁導體510和磁非導體530的上端不能橫向移動。因此，隨著相對高速導電流體流過電磁流動調節器490a，軛狀件550提高了電磁流動調節器490a的振動和結構硬度。軛狀件550包括第一部分550a和第二部分550b。第二部分550b與第一部分550a同心地被安排在內部。磁導體510和磁非導體530的上端像通過一對定位接頭550c和550d那樣適當附在第二部分550b上。但是，應該懂得，磁導體510和磁非導體530的上端可以通過焊接或通過任何適當附著手段附在第二部分550b上。在一些實施例中，軛狀件550可以具有使電磁流動調節器490a與調節流動的設備、系統、主環境等(用30統指)緊密接合的凹部555。介于第一部分550a與第二部分550b之間的是將電磁回路與調節流動的設備、系統、主環境等30隔離的環狀絕緣體部分560。絕緣體部分560是電介質(S卩，不導電物質)，可以由阻止電流流動的任何材料制成。關于這一點，絕緣體部分560可以由陶瓷、玻璃、塑料(例如，酚醛塑料)、橡膠，丙烯酸類、聚氨酯等制成。當由磁性材料制成時，基件540和軛狀件550的另一個目的是在電磁流動調節器490a的頂部和底部提供磁性密封。現在參照圖1B和1C，在一些實施例中，場生成繞組570 (有時稱為感應線圈)可以螺旋形地圍繞磁導體510和磁非導體530的管狀配置。在這樣的情況下，螺旋形感應線圈570沿著磁導體510和磁非導體530限定的管狀配置螺旋延伸。在一些其他實施例中，感應線圈570無需螺旋形地圍繞磁導體510和磁非導體530限定的管狀配置。例如，在一些其他實施例中，感應線圈570可以包括分離、隔開感應線圈570。在這樣的情況下，每個感應線圈570環繞磁導體510和磁非導體530限定的管狀配置。與場生成繞組570的形式無關，感應線圈570與磁導體510耦合，并介于流動孔520的相應流動孔之間和在流動孔520的相應流動孔附近。感應線圈570的目的是在流動孔520的相應流動孔上或附近生成磁場。感應線圈570可以由像銅、銀、鋁等那樣的任何適當導電材料制成。此外，感應線圈570可以包括相鄰截流疊片或層。另外參照圖1E，疊片包括以交替形式并排安排的導體層575a和相鄰絕緣體層575b。截流層中的多圈或多層減小了產生給定強度的磁場所需的電流。參照圖1B，電磁流動調節器490a可以與限定電路分段580a的電路580電耦合，電路分段580a具有其與感應線圈570連接的第一端和其與電路分段580b連接的第二端。另外，電路580含有其第一端與電路分段580b連接和其第二端與基件540連接的電路分段580c。在一個實施例中，電源590與電路580電連接，使得將電流供應給感應線圈570。在這個實施例中，電流沿著指向箭頭600的方向流動。電源590可以是輸出電壓可變的直流輸出電源。這樣可以適用于這個目的的商用電源可以從位于美國科羅拉多州博爾德市(Boulder, Colorado U.S.A)的 Colutron 研究公司獲得。控制單元610可以與電源590電連接，使得控制和調節電源590供應的電流。作用在導電流體上的磁力的幅度與電源590的輸出電壓成正比，使得改變輸出電壓可以改變磁力的幅度和導電流體的流速。換句話說，提高輸出電壓可以增大磁場和作用在導電流體上的磁力，降低輸出電壓可以減小磁場和作用在導電流體上的磁力。現在參照圖1F，感應電場“E”將影響或阻止導電流體到電磁流動調節器490a的已建立流動。導電流體通過磁場的運動導致按照如下方程的感應電場:E=v X B， 方程(I)其中， B是磁場矢量(例如，以特斯拉為單位);
E是感應電場矢量(例如，以伏每米為單位);V是導電流體的速度(例如，以米每秒為單位);由于流體的導電性，電場E在流體中引起電流密度J。然后，電流密度J產生如下表達式所示反抗導電流體的流動洛倫茲力密度f和總合力F:f=JXB (洛倫茲力定律)方程(2)以及F=f X volume 方程(3)另外參照圖1G，1H，II和IJ，從電源590和電路580供應給感應線圈570的電流一般沿著指定箭頭600所例示的方向沿著感應線圈570流動。在這種情況下，磁場B —般沿著指定箭頭630所例示的方向起作用。箭頭630所指的磁場B與通過流體流動路徑140的一部分145的導電流體的流動大致垂直地起作用。生成的洛倫茲力F沿著與箭頭630所指的磁場B大致垂直的指向箭頭640的方向起作用。術語“大致垂直”在本文中被定義成取向在精確垂直的±45°內的意思。應該懂得，感應矢量在垂直安排時達到最大或最小。還應該明白，實際應用可能不允許垂直取向。但是，這樣的取向可能仍然導致足以執行本文所述的功能的矢量幅度。隨著導電流體試圖流過流動孔520，沿著箭頭640的方向起作用的洛倫茲力F將阻止或要不然反抗導電流體的流動。換句話說，力F將制動力施加于導電流體。通過另一個非限制性例子給出，另一種示例性電磁流動調節器490b可以通過限制導電流體的流動和/或迫使導電流體的流動調節導電流體的流動。通過概述給出以及回頭參照圖1A，提供如下信息作為電磁流動調節器490b的一些方面的高級引言。這樣，除了上面針對電磁流動調節器490所展示的信息(無需為了理解而重復)之外，也提供如下信息。為此，在電磁流動調節器490b的各種實施例中，場生成繞組570包括能夠攜載電流并布置在磁導體的內側的導體910a (為了清楚起見在圖1A中未示出)、和能夠攜載電流并布置在磁導體的外側的導體910b。電磁流動調節器490b可以包括附在框架上并布置在磁導體的相鄰幾個之間的磁非導體(為了清楚起見在圖1A中未示出)。在這樣的情況下，沿著磁非導體進一步限定流體流動路徑，以及沿著磁非導體進一步限定流體入口路徑。現在通過非限制性例子展示電磁流動調節器490b的示例性實施例。現在參照圖1K，1L，IM和IN以及通過概述給出，磁導體510，890像通過附在框架491上那樣，被安排在固定相對位置上。磁導體510，890限定導電流體的流體流動路徑141沿著它，以及限定限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑的流動孔從中通過。場生成繞組910a,910b包括能夠攜載電流并布置在磁導體510，890的內側的導體910a、和能夠攜載電流并布置在磁導體510，890的外側的導體910b。場生成繞組910a，910b與磁導體510，890電磁耦合，使得場生成繞組910a，910b可在流體入口路徑上生成至少一個磁場。下面將展示示例性細節。框架491包括其下端附在基件540上和其上端附在軛狀件550上的殼體875。該殼體包括如下所述的低磁化率的區域880 (S卩，磁非導體530)和高磁化率的區域890 (BP,磁導體510)。

流動孔520b可以如下被限定成垂直地和圓周地圍繞殼體875。每個流動孔520b通過布置在流動孔520b的相對側、能夠傳導電流的低磁化率材料，即，磁非導體530的區域880、和高磁化率材料，即，磁導體510的區域890形成。介于區域880和890之間的是絕緣分段900的相應幾個。因此，區域880和890和絕緣分段900與流動孔520b連通。場生成繞組由攜載電流導線9IOa和9IOb組成。攜載電流導線910a沿著殼體875的內部縱向延伸。攜載電流導線910b與攜載電流導線910a連成整體，沿著殼體875的外部縱向延伸。電路580的電路分段580a與攜載電流導線910a電連接，電路580的電路分段580c與攜載電流導線910b電連接。這種配置導致磁場B是水平的而攜載電流導線910a和910b是垂直的。跨過流動孔520b沿著垂直方向建立起電場E。可以將薄疊片或絕緣層895放置 在低磁化率材料880和高磁化率材料890的圓周內外表面上，使得有助于防止電流泄漏到圍繞流動調節器490b的材料或區域中。可以使電流I或電場E反向，以迫使或限制通過流動孔520b的導電流體的移動。截流導線910a (布置在殼體875的內部)產生向下流動電流，截流導線910b (布置在殼體875的外部)產生向上流動電流。截流導線910a和910b的這樣安排使得形成不會阻塞流動孔520b的連續磁場B。雖然方程(2)中的電流密度J在缺乏外部驅動力的情況下沿著與導電流體的流動相反的方向生成(像在流動調節器490a中那樣)，但在流動調節器490b中施加外部驅動力可以沿著任一個增加或減小J。然后可以將方程(2)中的合力密度f，因此同樣地合力F驅向有助于或反抗流動的方向。應該懂得，電磁流動調節器490a和490b (以及它們的部件)的取向如由具體應用決定，可以是垂直的(如本文所述和所示)或水平的。因此，術語“水平”和“垂直”在上面只用于說明本文給出的非限制示例性例子。在一些應用中，電磁流動調節器490a和490b的取向可以與本文所述和所例示的非限制性取向垂直。因此，應該懂得，如由在具體應用中所需的取向決定，術語“水平”和“垂直”可以相互交換。回頭參照圖1A，應該懂得，電磁調節導電流體的流動的一種系統可以包括像電源590那樣電力的電源、和電磁流動調節器490。電磁調節導電流體的流動的另一種系統可以包括像電源590那樣電力的電源、和電磁流動調節器490a。類似地，電磁調節導電流體的流動的另一種系統可以包括像電源590那樣電力的電源、和電磁流動調節器490b。如果需要的話，上述系統的任何一種也可以包括像控制單元610那樣的控制器。電源590、控制單元610、和電磁流動調節器490，490a和490b上面都已經討論過。無需為了理解而重復它們的結構和操作的詳細。既然上面已經針對電磁流動調節器490，490a和490b的結構和操作展示了示例性細節，下面將展示電磁調節導電流體的流動的各種方法。現在參照圖2A，所提供的是調節導電流體的流動的示例性方法2000。該方法2000從方框2002開始。在方框2004中使導電流體流過通過電磁流動調節器的多個磁導體限定的流體入口路徑。在方框2006中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力。在方框2008中使導電流體沿著流體流動路徑流動，該流體流動路徑流動沿著多個磁導體限定并且與流體入口路徑實質上正交。在方框2010中結束該方法2000。另外參照圖2B，在一個實施例中，在方框2006中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力可以包括在方框2012中生成阻止導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力。例如以及另外參照圖2C，在方框2012中生成阻止導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力可以包括在方框2014中通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。現在參照圖2A和2D，在另一個實施例中，在方框2006中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力可以包括在方框2016中生成迫使導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力。例如，以及另外參照圖2E，在方框2016中生成迫使導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力可以包括在方框2018中通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體在流體入口路徑上生成至少一個磁場。現在參照圖2F，所提供的是調節導電流體的流動的示例性方法2100。應該懂得，方法2100通過限制導電流體的流動調節導電流體的流動。該方法2100從方框2102開始。在方框2104中使導電流體流過通過電磁流動調節器中的多個磁導體限定的多個流動孔。在方框2106中生成阻止導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力。在方框2108中使導電流體沿著流體流動路徑流動，該流體流動路徑沿著多個磁導體限定并且與多個流動孔實質上正交。在方框2110中結束該方法2100。另外參照圖2G，在方框2106中生成阻止導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力可以包括在方框2112中通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場。現在參照圖2H，所提供的是調節導電流體的流動的示例性方法2200。應該懂得，方法2200通過迫使導電流體的流動調節導電流體的流動。該方法2200從方框2202開始。在方框2204中使導電流體流過通過多個磁導體限定的多個流動孔。在方框220 6中生成迫使導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力。在方框2208中使導電流體沿著流體流動路徑流動，該流體流動路徑沿著多個磁導體限定并且與多個流動孔實質上正交。在方框2210中結束該方法2200。另外參照圖21，在方框2206中生成迫使導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力可以包括在方框2212中通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在多個流動孔上生成至少一個磁場。現在參照圖3A，所提供的是制造調節導電流體的流動的電磁流動調節器的示例性方法。該方法3000從方框3002開始。在方框3004中通過多個磁導體限定導電流體的流體入口路徑。在方框3006中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。在方框3008中布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。另外參照圖3B，在方框3006中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑可以包括在方框3012中將多個磁導體附在框架上，使得在多個磁導體的內側和沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。現在參照圖3A和3C，在一些實施例中，在方框3008中布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場可以包括在方框3014中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。應該懂得，執行方框3014是為了制造可以通過限制導電流體的流動調節導電流體的流動的電磁流動調節器的實施例。例如以及參照圖3D，在一些實施例中，在方框3014中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場可以包括在方框3016中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的螺旋線圈，該螺旋線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得該螺旋線圈可在流體入口路徑上生成至少 一個磁場。作為另一個例子以及現在參照圖3E，在方框3014中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場可以包括在方框3018中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的多個實質上圓形線圈，該多個實質上圓形線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得該多個實質上圓形線圈可在流體入口路徑上生成至少一個磁場。現在參照圖3A和3F，在一些實施例中，在方框3020中可以將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。另外參照圖3G，在一些實施例中，在方框3020中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間可以包括在方框3022中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間并且使得進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。現在參照圖3A和3H，在一些實施例中，在方框3008中布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場可以包括在方框3024中在多個磁導體的內側布置第一多個導體和在多個磁導體的外側布置第二多個導體，該第一和第二多個導體可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該第一和第二多個導體在流體入口路徑上生成至少一個磁場。應該懂得，執行方框3024是為了制造可以通過限制導電流體的流動調節導電流體的流動的電磁流動調節器的實施例。另外參照圖31，在一些實施例中，在方框3026中可以將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。例如，另外參照圖3J，在一些實施例中，在方框3026中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間可以包括在方框3028中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間并且使得進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。另外參照圖3K，在方框3030中可以進一步限定流體入口路徑通過多個磁非導體。現在參照圖3L，所提供的是制造調節導電流體的流動的電磁流動調節器的方法3100。應該懂得，執行方法3100是為了制造可以通過限制導電流體的流動調節導電流體的流動的電磁流動調節器的實施例。該方法3100從方框3102開始。在方框3104中通過多個磁導體限定多個流動孔，多個流動孔限定導電流體的流體入口路徑。在方框3106中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。在方框3108中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場。在方框3110中結束該方法3100。另外參照圖3M，在方框3106中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑可以包括在方框3112中將多個磁導體附在框架上，使得在多個磁導體的內側和沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。參照圖3L和3N，在方框3114中可以將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。參照圖3L和30，在一些實施例中，在方框3108中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場可以包括在方框3116中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的螺旋線圈，該螺旋線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該螺旋線圈在多個流動孔上生成至少一個磁場。參照圖3L和3P，在一些其他實施例中，在方框3108中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流 的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場可以包括在方框3118中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的多個實質上圓形線圈，該多個實質上圓形線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得該多個實質上圓形線圈可在多個流動孔上生成至少一個磁場。現在參照圖3Q，所提供的是制造調節導電流體的流動的電磁流動調節器的方法3200。應該懂得，執行方法3200是為了制造可以通過迫使導電流體的流動調節導電流體的流動的電磁流動調節器的實施例。該方法3200從方框3202開始。在方框3204中通過多個磁導體限定多個流動孔，多個流動孔限定導電流體的流體入口路徑。在方框3206中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。在方框3208中在多個磁導體的內側布置第一多個導體和在多個磁導體的外側布置第二多個導體，該第一和第二多個導體可與多個磁導體電磁稱合，使得可由該第一和第二多個導體在多個流動孔上生成至少一個磁場。在方框3210中結束該方法3200。另外參照圖3R，在一些實施例中，在方框3212中可以將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。例如以及另外參照圖3S，在方框3212中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間可以包括在方框3214中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間并且使得進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。另外參照圖3T，在方框3216中可以進一步限定多個流動孔通過多個磁非導體。示例件豐環塏應該懂得，電磁流動調節器490的實施例可以用在希望電磁調節導電流體的流動的任何主環境中。只通過例子給出而非限制地，磁流動調節器490的實施例可以用于:調節初級金屬產業中的熔融金屬(例如，鋅、鉛、鋁、鐵和鎂)的流動；迅速開始和停止將熔融金屬注入殼體的模具中；調節液態金屬冷卻劑到計算機芯片的流動；以及調整電弧焊接期間熔融填充焊絲的釋放速率等。通過另一個非限制性例子給出，電磁流動調節器490的實施例可以用在核裂變反應堆中調節導電反應堆冷卻劑的流動。下面將討論與電磁調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動有關的示例性例子。應該懂得，如上面所討論，電磁流動調節器490的實施例可以用在希望電磁調節導電流體的流動的任何主環境中。為了簡潔起見，對主環境的討論將局限于核裂變反應堆。但是，既無意也不應該推斷可應用主環境只局限于核裂變反應堆。在如下討論中針對電磁流動調節器490，以及附圖例示了電磁流動調節器490。應該懂得，這樣針對和例示電磁流動調節器490有意包括電磁流動調節器490a和490b。但是，為了簡潔起見，只針對和例示電磁流動調節器490。示例性核裂變反應堆、系統和方法下面通過非限制性例子討論示例性核裂變反應堆、調節導電反應堆冷卻劑的流動的系統、和調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的方法。下面將只通過例示而非限制地討論這些例子。可能希望利用一個或多個電磁流動調節器490調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動。眾所周知，當可裂變核素釋放中子時，在核裂變反應堆中產生熱量。這種現象被用在商業核裂變反應堆中產生又用于發電的連續熱量。但是，由于又由于反應堆堆芯中的不均勻中子通量分布而出現的“峰值”溫度(SP，熱通道峰值因子)，可能會增加對一些反應堆結構材料造成熱損傷的可能性。這種峰值溫度又由不均勻控制棒/燃料棒分布引起。如果峰值溫度超過材料極限，就可能發生熱損傷。另外，工作在快中子譜中的反應堆可以被設計成含有存在于堆芯外圍上的可轉換燃料“再生毯”材料。這樣的反應堆往往通過中子吸收使燃料再生成再生毯材料。隨著反應堆接近燃料循環結束，這導致了在反應堆外圍中輸出的功率增大。可以在反應堆燃料循環開始時形成冷卻劑通過外圍組件的流動，以保持安全的工作溫度和補償在燃料循環期間隨著燃耗增加出現的功率增大。通常，這要求在燃料循環開始時比所需多地使用過量冷卻劑抽運功率。另外，在行波核裂變反應堆的情況下，核裂變模塊(或組件)的產熱速率可能與核裂變模塊與與運行行波核裂變反應堆的核裂變爆燃波的接近度有關地變化。由于燃料燃耗，可能產生反應性變化(即，反應堆的響應性的變化)。燃耗通常被定義成單位質量燃料生成的能量，通常以兆瓦天每公噸重金屬(MWd/MTHM)或吉瓦天每公噸重金屬(GWd/MTHM)為單位表達。更具體地說，反應性變化與反應堆產生比維持臨界鏈式反應所需的準確量多或少的中子的相對能力有關。反應堆的響應性通常被表征成使反應堆以指數形式增加或減小功率的反應 性變化的時間導數，其中時間常數被稱為反應堆周期。關于這一點，由中子吸收材料制成的控制棒通常用于調整和控制變化的反應性。使這樣的控制棒進入反應堆堆芯中和從反應堆堆芯出來地作往復運動，可變地控制中子吸收，因此反應堆堆芯中的中子通量水平和反應性。中子通量水平在反射棒附近被壓低，在遠離控制棒的區域中可能較高。因此，中子通量跨過反應堆堆芯不是均勻的。這導致在中子通量較高的那些區域中燃料燃耗較高。應該懂得，中子通量和功率密度變化由許多因素引起。與控制棒的接近度可能是也可能不是首要因素。例如，當附近沒有控制棒時，中子通量通常在堆芯邊界上顯著下降。這種效應又可能使中子通量較高的那些區域過熱或具有峰值溫度。這樣的峰值溫度可能通過改變結構的機械性質非所希望地縮短經受這樣峰值溫度的結構的工作壽命。此外，與中子通量和裂變宏觀橫截面的乘積成正比的反應堆功率密度可能受堆芯結構材料沒有損壞地承受這樣峰值溫度的能力限制。調節進入單個核裂變燃料組件(本文有時也稱為核裂變模塊)的反應堆冷卻劑的流動可以有助于如希望地調適反應堆冷卻劑的流動，以有助于實現跨過反應堆堆芯的更均勻溫度分布和/或功率密度分布。跨過反應堆堆芯的更均勻溫度分布和/或功率密度分布可以有助于降低對一些反應堆結構材料造成熱損傷的可能性。在反應堆冷卻劑是導電流體的情況下，電磁流動調節器490可以用于幫助調節導電反應堆冷卻劑的流動。下面將只通過例示而非限制地討論一些示例性細節。現在參照圖4A，只舉例來說而非限制地，核裂變反應堆系統10包括導電反應堆冷卻劑。核裂變反應堆系統10包括至少一個電磁流動調節器490 (為了清楚起見在圖4A中未示出)以幫助調節導電反應堆冷卻劑的流動。如下文更詳細所述，核裂變反應堆系統10可以是“行波”核裂變 反應堆系統。通過簡要概述給出，在一些實施例中，反應堆系統10發出在傳輸線(未不出)上傳輸給電力用戶的電力。在一些其他實施例中，反應堆系統10可以用于進行像確定溫度對反應堆材料的影響的測試那樣的測試。參照圖4A和4B，反應堆系統10包括核裂變反應堆堆芯20，核裂變反應堆堆芯20包括核裂變燃料組件，或也如本文所稱，核裂變模塊30。核裂變反應堆堆芯20被密封地存放在反應堆堆芯外殼40內。只舉例來說而非限制地，每個核裂變模塊30可以如圖所示，在橫截面中形成六邊形結構，使得可以將更多的核裂變模塊30 —起緊密填充在反應堆堆芯20內(與像圓柱形或球形那樣，核裂變模塊30的其他形狀相比)。每個核裂變模塊30包括由于核裂變鏈式反應過程產生熱量的燃料棒50。如果需要的話，可以用燃料棒筒60包圍燃料棒50，以增加核裂變模塊30的結構硬度，以及當將核裂變模塊30布置在核裂變反應堆堆芯20中時，將核裂變模塊30相互隔離。將核裂變模塊30相互隔離避免了相鄰核裂變模塊30之間的冷卻劑橫向交叉流動。避免冷卻劑橫向交叉流動防止了核裂變模塊30的橫向振動。這樣的橫向振動要不然可能增加損害燃料棒50的風險。另外，將核裂變模塊30相互隔離使得如下文更全面所述，可以逐個模塊地控制冷卻劑流動。控制到各個核裂變反應堆30的冷卻劑流動像通過按照反應堆堆芯20中的非均勻溫度分布大致上引導冷卻劑流動那樣，有效地管理反應堆堆芯20內的冷卻劑流動。換句話說，可以將更多冷卻劑引向具有較高溫度的那些核裂變模塊30。在一些示例性實施例中，以及通過例示給出而非限制地，在正常運行期間，在示例性鈉冷卻反應堆的情況下，冷卻劑可以具有近似5.5m3/s (S卩，近似194ft3/s)的平均體流速和近似2.3m/s (S卩，近似7.55ft/s)的平均標稱速度。燃料棒50彼此相鄰，在其間限定使冷卻劑沿著燃料棒50的外部流動的冷卻劑流動通道80 (參見圖4C)。筒體60可以包括支持燃料棒50和將燃料棒50綁在一起的器件。因此，將燃料棒50捆綁在筒體60內，使得形成六邊形核裂變模塊30。盡管燃料棒50彼此相鄰，但通過以蛇形方式沿著每根燃料棒50的長度螺旋形地圍繞和延伸的繞接件90 (參見圖5B)以隔開關系保持燃料棒50。燃料棒50包括核燃料材料。一些燃料棒50包括非限制性地像鈾-233、鈾-235或钚-239那樣的可裂變核素。一些燃料棒50可以包括在變成可裂變核素的裂變過程中可以經由中子俘獲嬗變、非限制性地像釷-232和/或鈾-238的可轉換核素。在一些實施例中，一些燃料棒50可以包括可裂變核素和可變換核素的預定混合物。回送參照圖4A，將反應堆堆芯20布置在反應器壓力容器120內，以防止放射性材料、氣體或液體從反應堆堆芯20泄漏到周圍生物圈中。壓力容器120可以由適當尺寸和厚度的鋼材或其他材料制成，以降低這樣放射性泄漏的風險和支持所需壓力負載。另外，在一些實施例中，安全殼(未示出)可以密封地包圍反應堆系統10的一些部分，使得進一步降低放射性顆粒、氣體或液體從反應堆堆芯20泄漏到周圍生物圈的可能性。將一次回路冷卻劑管130與反應堆堆芯20耦合，使適當冷卻劑流過反應堆堆芯20，使得冷卻反應堆堆芯20。一次回路冷卻劑管130可以由像不銹鋼那樣的任何適當材料制成。應該懂得，如果需要的話，一次回路冷卻劑管130不僅可以由鐵基合金制成，而且可以有色合金、鋯基合金或其他適當結構材料或復合材料制成。如上面所討論，一次回路冷卻劑管130攜載的冷卻劑是在本文中被定義成具有有助于電流通過的任何流體的含義的導電流體，例如，在一些實施例中，導電流體可以是非限制性地像鈉、鉀、鋰、鉛以及它們的混合物那樣的液態金屬。例如，在一個示例性實施例中，冷卻劑適當地可以是液態鈉(Na)金屬或像鈉-鉀(Na-K)那樣的鈉金屬混合物。在一些其他實施例中，冷卻劑可以是像鉛-鉍(Pb-Bi)那樣的金屬合金。在一些其他實施例中，導電流體可以是通過像礦物油等那樣的分散劑分散在載體液中的導電金屬顆粒。取決于特定反應堆堆芯設計和運行歷史，鈉冷卻反應堆堆芯的正常工作溫度可以相對較高。例如，在500到1， 500MWe鈉冷卻反應堆以及混合鈾-钚氧化物燃料的情況下，在正常運行期間反應堆堆芯出口溫度可能從近似攝氏510° (B卩，華氏950° )到近似攝氏550° (B卩，華氏1，020° )的范圍。另一方面，在LOCA (冷卻劑喪失事故)或LOFTA (流動瞬時喪失事故)期間，取決于特定反應堆堆芯設計和運行歷史，燃料包殼峰值溫度可能達到大約攝氏600° (S卩，華氏1，110° )或更高。此外，在LOCA后或LOFTA后情形期間以及在反應堆運行中止期間堆積的衰變熱也可能產生不可接受的熱量積累。因此，在一些情況下，在正常運行和事故后兩種情形期間控制到反應堆堆芯20的流動是合適的。如上簡述，反應堆堆芯20中的溫度分布作為位置的函數而變化。關于這一點，反應堆堆芯20中的溫度分布可能緊跟反應堆堆芯20中的功率密度空間分布。應該懂得，反應堆堆芯20的中心附近的功率密度一般高于反應堆堆芯20的外圍附近的功率密度一尤其，在存在圍繞反應堆堆芯20的外圍的適當中子反射層或中子再生“毯”的情況下。因此，可以預料，在反應堆堆芯20的外圍附近的核裂變模塊30的冷卻劑流動參數將小于反應堆堆芯20的中心附近的核裂變模塊30的冷卻劑流動參數，尤其在堆芯壽命的開頭。因此，在這種情況下，不必要對每個核裂變模塊30提供相同或均勻冷卻劑質量流速。如下文詳述，提供電磁流動調節器490是為了取決于核裂變模塊30在反應堆堆芯20中的位置和/或取決于所希望的反應堆運行參數改變到各個核裂變模塊30的冷卻劑流動。
仍然參照圖4A以及作為簡要概述，帶熱冷卻劑沿著冷卻劑流線或流動路徑140流動到中間熱交換器150和進入與中間熱交換器150相關聯的腔體160中。在流入腔體160之后，冷卻劑繼續通過一次回路管130。離開腔體160的冷卻劑由于發生在中間熱交換器150中的熱轉移而冷卻。將泵170與一次回路管130耦合并與反應堆冷卻劑流體連通。泵170抽運反應堆冷卻劑使其通過一次回路管130，通過反應堆堆芯20，沿著冷卻劑流動路徑140，進入中間熱交換器150中，以及進入腔體160中。有關電磁流動調節器490的耦合的細節將在后面討論。一般說來，在電磁流動調節器490被配置成電磁流動調節器490a的實施例中，電磁流動調節器490a能夠限制來自泵170的導電反應堆冷卻劑的流動。電磁流動調節器40a可以形成傳統上使用節流形成的全部或部分壓降。電磁流動調節器490a的使用可以有助于降低，或在一些情況下，可以有助于消除壓降對節流的依賴性。在電磁流動調節器490被配置成電磁流動調節器490b的其他實施例中，電磁流動調節器490b可以有助于建立，加速，或維持導電反應堆冷卻劑的流速，或可以用于限制導電反應堆冷卻劑的流動。 因此，應該懂得，電磁流動調節器490可以配置成電磁流動調節器490a使得限制導電反應堆冷卻劑從泵170到各個核裂變模塊30的流動，或可以配置成電磁流動調節器490b使得可控制地補充或限制導電反應堆冷卻劑從泵170到各個核裂變模塊30的流動。在一些實施例中，電磁流動調節器490b可以被配置成提供泵170建立的全部或部分流動。關于這一點，泵170和電磁流動調節器490b可以同時或分別工作，以提供和調節冷卻劑到反應堆堆芯20和各自核裂變模塊30的流動。仍然參照圖4A，配備二次回路管180使得從中間熱交換器150中除去熱量。二次回路管180包括二次“熱”支管分段190和二次“冷”支管分段200。二次冷支管分段200與二次熱支管分段190形成整體，使得形成閉合回路。二次回路管180包含適當地可以是液態鈉或液態鈉混合物的流體。二次熱支管分段190從中間熱交換器150延伸到蒸汽發生器210。在一些實施例中，蒸汽發生器210可以配置成蒸汽發生器和過熱器組合。在通過蒸汽發生器210之后，流過二次回路管180和從蒸汽發生器210出來的冷卻劑由于發生在蒸汽發生器210中的熱轉移而處在比進入蒸汽發生器210之前低的溫度和熱焓上。在通過蒸汽發生器210之后，冷卻劑被泵220抽運，沿著延伸到中間熱交換器150的“冷”支管分段200。將熱量從冷卻劑流動路徑140轉移到二次回路管180。布置在蒸汽發生器210中的水體230具有預定溫度和壓強。流過二次熱支管分段190的流體將它的熱量轉移給處在比流過二次熱支管分段190的流體低的溫度上的水體230。隨著流過二次熱支管分段190的流體將它的熱量轉移給水體230，水體230的一部分將在蒸汽發生器210內按照預定溫度和壓強蒸發成蒸汽240。然后，蒸汽240穿過其一端與蒸汽240蒸氣連通和另一端與水體230液體連通的蒸汽管線250。將可旋轉渦輪機260與蒸汽管線250耦合，使得渦輪機260隨著蒸汽240從中通過而旋轉。像通過可旋轉渦輪機主軸280那樣與渦輪機260耦合的發電機270隨著渦輪機260旋轉而發電。另外，冷凝器290與蒸汽管線250耦合，接收通過渦輪機260的蒸汽。冷凝器290將蒸汽240冷凝成液態水，并將任何廢熱傳遞給與冷凝器290相關聯、像冷卻塔等那樣的散熱器300。冷凝器290冷凝的液態水被介于冷凝器290與蒸汽發生器210之間的泵310沿著蒸汽管線256從冷凝器290抽運到蒸汽發生器210。應該懂得，上面討論的反應堆系統通過非限制性例子給出。反應堆系統10及其細節是通過例示而非限制地加以說明的。應該懂得，如果需要的話，可以以任何配置將核裂變模塊30安排在反應堆堆芯20內。例如，在各種實施例中，可以將核裂變模塊30安排成限定六邊形狀配置、圓柱形狀配置、平行六面體狀配置等。參照圖4C，與為反應堆堆芯20選擇的配置無關，將隔離、縱向延伸和可縱向移動控制棒360的每一根布置在控制棒導管或包殼(未示出)內。控制棒360被對稱地布置在所選核裂變模塊30內，沿著預定個核裂變模塊30的長度延伸。被顯示成布置在預定個核裂變模塊30中的控制棒360控制發生在核裂變模塊30內的中子裂變反應。換句話說，控制棒360包括具有可接受大中子俘獲或吸收截面的適當中子吸收材料。關于這一點，吸收材料可以是非限制性地像鋰、銀、銦、鎘、硼、鈷、鉿、鏑、釓、釤、鉺、銪和它們的混合物那樣的金屬或準金屬，或非限制性地像銀-銦-鎘、碳化硼、二硼化鋯、二硼化鈦、二硼化鉿、鈦酸釓、鈦酸鏑和它們的混合物那樣的化合物或合金。控制棒360可控制地向反應堆堆芯20提供負反應性。控制棒360向反應堆堆芯20提供反應性管理能力。換句話說，控制棒360能夠控制跨過反應堆堆芯20的中子通量分布，因此影響跨過反應堆堆芯20的溫度分布。參照圖4D和4E，在一些實施例中，核裂變模塊30無需是中子活性的。換句話說，核裂變模塊30無需包含任何可裂變材料。在這種情況下，核裂變模塊30可以是純可變換組件或純反射組件或兩者的組合體。關于這一點，核裂變模塊30可以是包括包含核再生材料的再生棒370 (圖4D)的再生核裂變模塊或包括包含核反射材料的反射棒380 (圖4E)的反射核裂變模塊。在一些其他實施例中，核裂變模塊30可以與再生棒370 (圖4D)或反射棒380 (圖4E)組合地包含燃料棒50。因此，應該懂得，核裂變模塊30可以包括核燃料棒50、控制棒360、再生棒370、和反射棒380的任何適當組合。與在核裂變模塊30中是否包括燃料棒50無關，再生棒370中的可轉換核再生材料可以非限制性地包括釷-232和/或鈾-238。此外，與在核裂變模塊30中是否包括燃料棒50無關，反射材料可以包括非限制性地像鈹(Be)、鎢(W)、釩(V)、貧化鈾或天然鈾(U)、釷(Th )、鉛合金以及它們的混合物那樣的材料。現在參照圖4F，與為核裂變反應堆堆芯20選擇的配置無關，核裂變反應堆堆芯20可以配置成行波核裂變反應堆堆芯。關于這一點，使可以包括非限制性地像U-233、U-235或Pu-239那樣的核裂變材料的同位素富集的核裂變點火器400適當地處在反應堆堆芯20內的任何所希望位置中。只舉例來說而非限制地，在如圖所示的平行六面體配置中，點火器400可以處在與反應堆堆芯20的第二端355相對的第一端350附近。點火器400釋放出中子。點火器400釋放的中子被核裂變模塊30內的可裂變和/或可轉換材料俘獲，引發裂變鏈式反應。如果需要的話，一旦裂變鏈式反應變成自持的，就可以除去點火器400。點火器400 引發具有寬度“X”的三維行波410 (有時稱為傳播波或燃燒波)。當點火器400釋放它的中子引起“點火”時，燃燒波410從點火器400向反應堆堆芯20的第二端355向外行進，使得形成行進或傳播燃燒波40。因此，每個核裂變模塊30隨著燃燒波410通過反應堆堆芯20傳播至少接受行進燃燒波410的一部分。行進燃燒波410的速度可以是恒定的或不恒定的。因此，可以控制燃燒波410傳播的速度。例如，以預定或編程方式縱向移動控制棒360 (為了清楚起見在圖4F中未示出)可以向下驅動或降低布置在核裂變模塊30中的燃料棒50 (為了清楚起見在圖4F中未示出)的中子反應性。這樣，可以相對于在燃燒波410前頭的“未燃燒”燃料棒50的中子反應性向下驅動或降低當前正在燃燒波410的位置上燃燒的燃料棒50的中子反應性。這個結果給出了箭頭420所指的燃燒波傳播方向。以這種方式控制反應性提高了受反應堆堆芯20的運行約束支配的燃燒波410的傳播速率。例如，提高燃燒波410的傳播速率可以有助于將燃耗控制在傳播所需的最小值以上和部分通過反應堆堆芯結構材料的中子注量限制設置的最大值以下。對行波傳播的這種控制描述在如下專利文獻中:2009 年 4 月 6 日提交、發明人為 CHARLES E.AHLFELD、JOHN ROGERS GILLELAND、RODERICKA.HYDE、MURIEL Y.1SHIKAWA、DAVID G.MCALEES、NATHAN P.MYHRVOLD、CHARLES WHITMER、LOWELL L.WOOD, JR.和 GEORGE B.ZIMMERMAN、和發明名稱為 “TRAVELING WAVE NUCLEARFISS10NREACT0R, FUEL ASSEMBLY, AND METHOD OF CONTROLLING BURNUP THEREIN (行波核裂變反應堆、燃燒組件以及控制其中的燃耗的方法)”的美國專利申請第12/384，669號，特此通過引用并入其全部內容。在如下專利文獻中更詳細地公開了行波核裂變反應堆的基本原理:2006年11月28 日提交、發明人為 RODERICK A.HYDE,MURIEL Y.1SHIKAffA,NATHAN P.MYHRVOLD 和 LOWELLL.WOOD, JR.、和發明名稱為 “NUCLEAR POWER REACTOR FOR LONG-TERM OPERATION (長期運行的核電反應堆)”的美國專利申請第11/605,943號，特此通過引用并入其全部內容。現在參照圖5A和5B，將每個核裂變模塊30安裝在水平延伸反應堆堆芯下支撐板430上。只示出三個相鄰核裂變模塊30，但應該懂得，在反應堆堆芯20中可以存在更多或更少個核裂變模塊30。反應堆堆芯下支撐板430適當地跨過所有核裂變模塊30的底部延伸。反應堆堆芯下支撐板430具有從中通過的埋頭孔440。埋頭孔440具有使冷卻劑流入的開端450。可以跨過所有核裂變模塊30的頂部或出口部分水平延伸和可移動地與所有核裂變模塊30連接的是蓋住所有核裂變模塊30的反應堆堆芯上支撐板460。反應堆堆芯上支撐板460也可以限定使冷卻劑從中流過的流動槽470。如上面所討論，最好是與為反應堆堆芯20選擇的配置無關地控制反應堆堆芯20和核裂變模塊30的溫度。例如，如果峰值溫度超過材料極限，對反應堆堆芯結構材料選成熱損傷的可能性就可能增大。這樣的峰值溫度可能通過改變結構的機械性質，尤其與熱蠕變有關的那些性質非所希望地縮短經受這樣峰值溫度的結構的工作壽命。此外，反應堆功率密度部分受堆芯結構材料沒有損壞地承受高峰值溫度的能力限制。此外，控制反應堆堆芯溫度對于成功進行像確定溫度對反應堆材料的影響的測試那樣的測試可能是重要的。
另外，布置在反應堆堆芯20的中心上或附近的核裂變模塊30可能產生比布置在反應堆堆芯20的外圍上或附近的核裂變模塊30多的熱量。因此，跨過反應堆堆芯20不足以供應均勻冷卻劑質量流速，因為在反應堆堆芯20的中心附近的較高熱通量核裂變模塊30將牽涉到比在反應堆堆芯20的外圍附近的核裂變模塊30高的冷卻劑質量流速，尤其在堆芯壽命的開頭。現在參照圖4A，5A和5B，一次回路管130沿著指向流動箭頭140所指的冷卻劑流動路徑或流線將反應堆冷卻劑輸送到核裂變模塊30。然后，一次冷卻劑繼續沿著冷卻劑流動路徑140和通過在堆芯下支撐板430中形成的開端450。堆芯下支撐板430也可以形成堆芯入口流動腔室的一部分。如下文更詳細所述，反應堆冷卻劑可以用于從像在行波核裂變模塊堆芯內的行進燃燒波410 (在圖4A，5A或5B中未示出)的位置上或附近布置在行波核裂變反應堆堆芯中的核裂變模塊30那樣，核裂變模塊30的所選幾個中除去熱量或冷卻它們。換句話說，在一些情況下，如下面更詳細所述，可以至少部分根據是否在核裂變模塊30內，在核裂變模塊30附近或在相對于核裂變模塊30的位置上找到，檢測到或要不然布置了燃燒波410選擇核裂變模塊30。另外參照圖4F，為了調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊30的所選一個的流動，將電磁流動調節器490和相關控制系統與至少一個核裂變模塊30耦合。再次強調一下，盡管該討論和例示是針對電磁流動調節器490的，但除非另外特別指出，該討論和例示有意包含電磁流動調節器490a和490b。在一些實施例中，電磁流動調節器490可以與核裂變模塊30連成整體。在一些其他實施例中，電磁流動調節器490可以與下支撐板430連接。在一些實施例中，電磁流動調節器490適用于當在核裂變模塊30內或在相對于核裂變模塊30的位置上存在較少量燃燒波410 (即，較低強度的燃燒波410)時，將相應較少量冷卻劑供應給核裂變模塊30。另一方面，在一些實施例中，電磁流動調節器490適用于當在核裂變模塊30內或至少在相對于核裂變模塊30的位置上存在較大量燃燒波410 (B卩，較高強度的燃燒波410)時，將相應較大量冷卻劑供應給核裂變模塊30。燃燒波410的存在和強度可以通過非限制性地像如下那樣的一個或多個適當參數來識別:核裂變模塊30內或與核裂變模塊30有關的溫度；核裂變模塊30內或與核裂變模塊30有關的中子通量；核裂變模塊30內或與核裂變模塊30有關的中子注量；核裂變模塊30內的功率水平；核裂變模塊30內的特征同位素；核裂變模塊30內的壓強；核裂變模塊30內的導電流體的流速；核裂變模塊30內的產熱速率；燃燒波410的寬度“X”;和/或與核裂變模塊30相關聯的其他適當運行參數。另外參照圖5C，在一些實施例中，電磁流動調節器490可以適用于響應于核裂變模塊30相關聯的運行參數地工作。在這樣的實施例中，電磁流動調節器490不僅響應燃燒波410相對于核裂變模塊30的位置地控制冷卻劑的流動，電磁流動調節器490而且響應于反應堆堆芯20和核裂變模塊30相關聯的某些運行參數地控制冷卻劑的流動。關于這一點，可以將至少一個傳感器500布置在核裂變模塊30內或附近以感測運行參數的狀態。例如，傳感器500感測的運行參數可以是與核裂變模塊30相關聯的當前溫度。為了感測溫度，傳感器500可以是可從位于美國喬治亞州阿法樂特市(Alpharetta, GeorgiaU.S.A)的Thermocoax公司獲得的熱電偶器件或溫度傳感器。作為另一個例子，傳感器500感測的運行參數可以是核裂變模塊30中的中子通量。為了感測中子通量，傳感器500可以是像可以從英國薩里Centronix大廈(CentronixHouse, Surrey, England)獲得那樣的“PN9EB20/25”中子通量正比計數探測器等。作為另一個例子，傳感器500感測的運行參數可以是核裂變模塊30中的特征同位素。該特征同位素可以是裂變產物、活化同位 素、通過再生產生的嬗變產物或其他特征同位素。作為另一個例子，傳感器500感測的運行參數可以是核裂變模塊30中的中子注量。眾所周知，中子注量被定義成在某個時段上積分的中子通量，代表在那個時段內通過的單個面積的中子數。作為另一個例子，傳感器500感測的運行參數可以是裂變模塊壓強。在一些實施例中，感測的裂變模塊壓強可以是動態流體壓強。通過例示而非限制地通過限制性例子給出，裂變模塊壓強可以是在正常工作期間對于示例性鈉冷卻反應堆近似10巴(S卩，近似145psi)，或對于示例性加壓“輕”水冷卻反應堆近似138巴(S卩，近似2000psi)的動態流體壓強。在一些其他實施例中，傳感器500感測的裂變模塊壓強可以是靜態流體壓強或裂變產物壓強。為了感測動態或靜態流體壓強，傳感器500可以是可以從位于美國科羅拉多州科羅拉多斯普林斯市(Colorado Springs, Colorado U.S.A)的卡曼測量系統公司獲得的定制設計壓強傳感器。作為另一個例子，傳感器500感測的運行參數可以是核裂變模塊30內的導電流體的流速。在這樣的實施例中，傳感器500可以是可從位于美國佛蒙特州威利斯頓市(ffilliston, Vermont U.S.A)的儀器公司獲得、像“BLANCEIT1100渦輪流速計”那樣的適當流速計。應該懂得，壓強或質量流傳感器除了處在核裂變模塊30內或附近之外，還像在一次回路冷卻劑管130或二次回路冷卻劑管180中那樣，處在整個運行核反應堆系統中。這樣的傳感器用于檢測整個冷卻劑系統內的流動狀況。另外，傳感器500要感測的運行參數可以通過適當基于計算機算法(未示出)來確 定。在一些實施例中，運行參數可以通過操作員發起的動作來選擇。在這樣的實施例中，電磁流動調節器490能夠響應操作人員確定的任何適當運行參數地得到修改。在一些其他實施例中，電磁流動調節器490能夠響應通過適當反饋控制系統選擇的運行參數地得到修改。例如，在這樣的實施例中，這樣的反饋控制系統可以感測溫度的變化，以及響應溫度變化敏感功率分布地修改冷卻劑流動。這樣的控制可以借助于在感測儀器與電磁流動調節器控制系統之間建立的適當反饋控制自主進行。在一些其他實施例中，電磁流動調節器490能夠響應自動控制系統確定的運行參數地得到修改。作為一個例子，在這樣的實施例中，可以將電磁流動調節修改成在像廠外電力喪失等那樣的事故情形引起的堆芯關閉事件期間向核裂變模塊30提供無阻礙流動。這樣，可以以無源方式經由自動控制系統建立自然循環流動的條件，尤其在到電磁流動調節器490的電力喪失期間。另外，在一些實施例中，自動控制系統可以包括可以響應像廠外電力喪失那樣的事故提供給電磁流動調節器490b以保持迫使流動后備電力的電源。此外，在一些實施例中，電磁流動調節器490能夠響應衰變熱的變化地得到修改。關于這一點，衰變熱在燃燒波410的“尾部”減少。對燃燒波410的尾部的存在的檢測用于隨時間減小冷卻劑流速以顧及在燃燒波410的“尾部”發現的衰變熱的減少。當核裂變模塊30駐留在燃燒波410的后面時，情況尤其如此。在這種情況下，可以隨著核裂變模塊30相對于燃燒波410的距離變化，響應核裂變模塊30的衰變熱輸出的變化修改電磁流動調節器490。感測這樣運行參數的狀態可以有助于適當控制和修改電磁流動調節器490，因此適當控制和修改反應堆堆芯20中的溫度。在一些實施例中，電磁流動調節器490能夠按照行進燃燒波410到達和/或離開核裂變模塊30的時間控制或調節冷卻劑的流動。此外，在一些實施例中，電磁流動調節器490能夠按照行進燃燒波410接近核裂變模塊30，在核裂變模塊30附近，或一般在相對于核裂變模塊30的位置上的時間控制或調節冷卻劑的流動。在一些實施例中，電磁流動調節器490還能夠按照燃燒波410的寬度X控制或調節冷卻劑的流動。在這樣的實施例中，隨著燃燒波410穿過核裂變模塊30，燃燒波410的到達和離開可以通過感測上面討論 過的任何一個或多個運行參數來檢測。例如，電磁流動調節器490可能能夠按照在核裂變模塊30中感測的溫度控制或調節冷卻劑的流動，在該情況下溫度可以指示附近傳播或行進燃燒波410的存在。作為另一個例子，電磁流動調節器490可能能夠按照在核裂變模塊30中感測的溫度控制或調節冷卻劑的流動，在該情況下溫度可以指示定態燃燒波410。要接收可變流的核裂變模塊30根據與在核裂變模塊30中實際感測的運行參數的數值相當的核裂變模塊30中的運行參數的希望值來選擇。如當前更詳細所述，將到核裂變模塊30的流體流動調整成使運行參數的實際值與運行參數的希望值基本相符(例如，就運行參數而言正負5%的相符)。在這樣的實施例中，電磁流動調節器490能夠按照與運行參數的預定希望值相當的傳感器500感測的運行參數的實際值控制或調節冷卻劑的流動。運行參數的實際值與希望值之間的可觀失配可能是調整電磁流動調節器490使得使實際值與希望值基本相符的原因。因此，電磁流動調節器490的使用可以安排成逐個模塊地(以及在一些情況下，逐個燃料組件地)實現可變冷卻劑流動。這使冷卻劑流動跨過反應堆堆芯20可以按照燃燒波410的位置或與反應堆堆芯20中的運行參數的希望值相當的運行參數的實際值來改變。應該懂得，電磁流動調節器490可以以特定應用所希望的任何方式與核裂變模塊30耦合。為此，下面只通過例示而非限制地展示幾個示例性例子。參照圖6A，在一些實施例中，各個電磁流動調節器490沿著從各個電磁流動調節器490延伸到核裂變模塊30的各自幾個的至少一條轉移流動路徑700轉移至少一部分導電流體。來自各個電磁流動調節器490的導電流體的流動將分叉和沿著導管710a和710b流動，以及直接流入與電磁流動調節器490垂直對準和處在電磁流動調節器490上面的核裂變模塊30中。如果需要的話，可以將像防回流閥門那樣的閥門720布置在導管710a和710b的每一根中，以控制導電流體在導管710a和710b中的流動。每個閥門720可以由控制單元610有選擇地控制。只有三個核裂變模塊30和只有一對導管710a和710b被顯示成與各個電磁流動調節器490耦合。但是，應該懂得，如果需要的話，可以存在任何數量與各個電磁流動調節器490耦合的核裂變模塊30和導管710a和710b。因此，應該懂得，單個電磁流動調節器490可以用于將導電流體供應給不止一個核裂變模塊30。參照圖6B，在一些其他實施例中，電磁流動調節器490使導電流體的流動繞過所選核裂變模塊30。在這樣的實施例中，電磁流動調節器490轉移至少一部分導電流體，使得繞過所選核裂變模塊30。電磁流動調節器490沿著轉移流動路徑740轉移至少一部分導電流體。也就是說，導電流體的流動將從每個電磁流動調節器490開始分叉，沿著一對導管750a和750b流動，使得繞過所選核裂變模塊30。如果需要的話，可以將像防回流閥門那樣的閥門760布置在導管750a和750b的每一根中，以控制導電流體在導管750a和750b中的流動。每個閥門760可以由控制單元610有選擇地控制。導管750a和750b的每一根終止在上腔室770上。上腔室770組合來自導管750a和750b的導電流體的流動，使得將單條流線140供應給中間熱交換器150 (圖4A)。在圖6B中，只有三個核裂變模塊30，只有三個電磁流動調節器490，只有一對閥門760和只有一對導管750a和750b被顯示出來。但是，應該懂得，如果需要的話，可以存在任何數量和組合的核裂變模塊30、電磁流動調節器490、閥門760和導管750a和750b。因此，應該懂得，導電流體可以繞過任何所希望數量的核裂變模塊30。參照圖6C，在一些實施例中，電磁流動調節器490有選擇地控制導電流體到各個核裂變模塊30的流動。在這樣的實施例中，電磁流動調節器490轉移至少一部分導電流體，使得將冷卻劑流引向各個核裂變模塊30。電磁流動調節器490沿著轉移流動路徑790a以及沿著轉移流動路徑790b轉移至少一部分導電流體。 轉移流動路徑790b可以取向成引導流體沿著與轉移流動路徑790a中的流動流動的方向相反的方向流動。關于這一點，導電流體沿著流動路徑140進入下腔室800 中。與下腔室800中的導電流體流動連通的導管810a接收來自下腔室800的導電流體，沿著轉移流動路徑790a引導導電流體。導管810b也與下腔室800中的導電流體流動連通，并且被配置成使導電流體沿著轉移流動路徑790b返回到下腔室800。導管810a終止在將導電流體供應給電磁流動調節器490的中間腔室830上。可以將像防回流閥門那樣的閥門840a布置在導管810a中，以控制冷卻劑在導管810a中的流動。可以將像防回流閥門那樣的另一個閥門840b布置在導管810b中，以控制導電流體在導管810b中的流動。可以將像防回流閥門那樣的另一個閥門840c置于電磁流動調節器490與核裂變模塊30之間，以控制電磁流體從電磁流動調節器490到核裂變模塊30的流動。閥門840a，840b和840c的每一個可以通過控制單元610有選擇地控制。關于這一點，當閥門840a和840c被控制單元610打開而閥門840b關閉時，導電流體自由地流過導管810a，進入中間腔室830中，然后到達核裂變模塊30。當閥門840c被控制單元601關閉而閥門840a和840b打開時，導電流體將流不到核裂變模塊30。在這后一種情況下，導電流體返回到下腔室800。在一些實施例中，可以與下腔室800中的導電流體流體連通地提供可以含有布置在其中的防回流閥門844的導管842。導管842終止在中間腔室830上。當閥門844打開時，將導電流體供應給中間腔室830和電磁流動調節器490，電磁流動調節器490又將導電流體供應給核裂變模塊30。當閥門844關閉時，不將導電流體供應給中間腔室830和電磁流動調節器490，因此不將導電流體供應給核裂變模塊30。
只有三個核裂變模塊30，只有三個電磁流動調節器490，只有導管810a，810b和842b，和只有閥門840a，840b, 840c和844被顯示出來。但是，應該懂得，如果需要的話，可以存在任何數量和組合的核裂變模塊30、電磁流動調節器490、導管810a，810b和842b，和閥門840a，840b, 840c和844。因此，應該懂得，導電流體可以從下腔室800流到任何數量的所選核裂變模塊30，或從任何數量的所選核裂變模塊30返回到下腔室800。參照圖6D和6E，在一些實施例中，反應堆堆芯20限定指定給整個反應堆堆芯20的單個冷卻劑流動區930。將進入腔室940與反應堆堆芯20耦合。電磁流動調節器490與反應堆堆芯20耦合，以及具有與進入腔室940流體連通的冷卻劑流動開口 950。因此，電磁流動調節器490將導電流體供應給進入腔室940。導電流體將填充進入腔室940，然后流到處在冷卻劑流動區930中的核裂變模塊30。在這樣的實施例中，單個電磁流動調節器490可以調節導電冷卻劑到反應堆堆芯20中的所有核裂變模塊30的流動。參照圖6F和6G，在一些實施例中，反應堆堆芯20包括冷卻劑流動區960a，960b，960c，960d，960e，960f和960g。如果需要的話，可以通過分隔件970分開相鄰冷卻劑流動區。分隔件970可以由對于中子來說具有小吸收截面的材料制成，使得減小對裂變鏈式反應過程的干擾。關于這一點，分隔件970可能由如下材料制成:純鋁；以及像1050號鋁合金那樣的適當鋁合金，該1050號鋁合金包含約0.4% (重量)的鐵；約0.25% (重量)的硅；約0.05%(重量)的鈦；約0.05% (重量)的鎂；約0.05% (重量)的錳；約0.05% (重量)的銅；以及其余的鋁。分隔件970也可以由不銹鋼制成，該不銹鋼包含約0.55% (重量)的碳；約0.90%(重量)的錳；約0.05% (重量)的硫；約0.40% (重量)的磷；以及約98.46%的鐵。由分隔件970限定的冷卻劑流動區使反應堆系統的操作員可以逐個反應堆堆芯區地而不是讓各個電磁流動調節器490與各個核裂變模塊30耦合地調適冷卻劑流動。仍然參照圖6F和6G， 進入腔室980像通過導管1000a，1000b, 1000c, IOOOd,IOOOe, IOOOf 和 IOOOg 那樣與冷卻劑流動區 960a, 960b, 960c, 960d, 960e,960f 和 960g 的各自幾個耦合。導管1000a, 1000b, 1000c, 1000d, 1000e, 1000f IOOOg又與各自電磁流動調節器490耦合。因此，電磁流動調節器490與各自冷卻劑流動區960a，960b，960c，960d，960e，960f 和 960g 耦合。每個電磁流動調節器490具有與進入腔室980流體連通的冷卻劑流動開口 1005。因此，電磁流動調節器490將導電流體供應給進入腔室980。導電流體將填充進入腔室980，然后流到處在冷卻劑流動區960a，960b, 960c, 960d, 960e,960f和960g中的核裂變模塊30。導電流體可以經由從電磁流動調節器490延伸到它們的各自進入腔室980的相關導管1000a, 1000b，和1000c從電磁流動調節器490的至少一些開始流動。參照圖6H，在一些實施例中，反應堆堆芯20包括冷卻劑流動區1020a，1020b，和1020c。如果需要的話，可以如上所述通過具有低中子吸收性的分隔件1030分開相鄰冷卻劑流動區。電磁流動調節器490像通過各自進入腔室那樣與各自冷卻劑流動區1020a，1020b，和1020c耦合，這些進入腔室可以具有與顯示在圖6G中的那種基本相似的配置。每個電磁流動調節器490具有與各自進入腔室流體連通的導管1040a，1040b，和1040c。因此，電磁流動調節器490將導電流體供應給進入腔室。導電流體將填充進入腔室，然后流到處在冷卻劑流動區1020a，1020b，和1020c中的核裂變模塊30。
參照圖61，在一些實施例中，反應堆堆芯20限定冷卻劑流動區1060a，1060b，1060c, 1060d, 1060e，和1060f。如果需要的話，可以如上所述通過具有低中子吸收性的分隔件1070分開相鄰冷卻劑流動區。電磁流動調節器490像通過各自進入腔室那樣與各自冷卻劑流動區1060a，1060b, 1060c, 1060d, 1060e，和1060f耦合。電磁流動調節器490具有與各自進入腔室流體連通的各自冷卻劑流動導管1080a，1080b，1080c，1080d，1080e，和1080f。因此，電磁流動調節器490將導電流體供應給進入腔室。導電流體將填充進入腔室，然后流到處在冷卻劑流動區 1060a, 1060b, 1060c, 1060d, 1060e 中的核裂變模塊 30。參照圖6J，在一些實施例中，核裂變反應堆堆芯20限定與流動區IlOOa和IlOOb隔開的未隔開流動區IlOOc和llOOd。電磁流動調節器490像通過各自進入腔室那樣與各自冷卻劑流動區1100a，1100b，1100c，和IlOOd耦合。電磁流動調節器490具有與它們的各自冷卻劑流動區1100a，1100b，1100c，和IlOOd流體連通的各自冷卻劑流動開口 1120a，1120b, 1120c, 1120d, 1120e, 1120f, 1120g, 1120h 和 1120i。因此，電磁流動調節器 490 將導電流體供應給冷卻劑流動區1100a，1100b，1100c，和llOOd。導電流體將填充進入腔室，然后流到處在冷卻劑流動區11100a，1100b, 1100c，和IlOOd中的核裂變模塊30。應該懂得，電磁調節導電反應堆冷卻劑的流動的一種系統可以包括像電源590那樣電力的電源、和電磁流動調節器490。電磁調節導電流體的流動的另一種系統可以包括像電源590那樣電力的電源、和電磁流動調節器490a。類似地，電磁調節導電流體的流動的另一種系統可以包括像電源590那樣電力的電源、和電磁流動調節器490b。如果需要的話，上述系統的任何一種也可以包括像控制單元610那樣的控制器、和/或像傳感器500那樣的傳感器。電源590、控制單元610、傳感器500、和電磁流動調節器490，490a和490b上面都已經討論過。無需 為了理解而重復它們的結構和操作的詳細。既然上面已經針對電磁流動調節器490，490a和490b的結構和操作，以及針對包括電磁流動調節器490,490a和490b的各種核裂變反應堆展示了示例性細節，下面將展示電磁調節導電反應堆冷卻劑的流動的各種方法。現在參照圖7A，所提供的是調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的示例性方法7000。該方法7000從方框7002開始。在方框7004中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊。在方框7006中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。在方框7008中結束該方法7000。另外參照圖7B，在方框7006中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7010中使導電反應堆冷卻劑流過通過多個磁導體限定的反應堆冷卻劑入口路徑。在方框7006中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動還可以包括在方框7012中生成調節導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力。在方框7006中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動還可以包括在方框7014中使導電反應堆冷卻劑沿著反應堆冷卻劑流動路徑流動，反應堆冷卻劑流動路徑沿著多個磁導體限定并且與反應堆冷卻劑入口路徑實質上正交。另外參照圖7C，在一些實施例中，在方框7012中生成調節導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力可以包括在方框7016中生成阻止導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力。例如以及另外參照圖7D，在方框7016中生成阻止導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力可以包括在方框7018中通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場。在一些其他實施例中以及現在參照圖7A，7B和7E，在方框7012中生成調節導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力可以包括在方框7020中生成迫使導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力。例如，以及另外參照圖7F，在方框7020中生成迫使導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力可以包括在方框7022中通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場。現在參照圖7A和7G，在一些其他實施例中，可以在方框7024中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。例如以及另外參照圖7H，在一些其他實施例中，在方框7024中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7026中沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。作為另一個例子以及現在參照圖7A，7G和71，在一些其他實施例中，在方框7024中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7028中沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。作為另一個例子以及現在參照圖7A，7G和7J，在一些其他實施例中，在方框7024中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7030中沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。現在參照圖7A和7K，在一些實施例中，可以在方框7032中感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。 在一些這樣的情況下以及另外參照圖7L，在方框7006中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7034中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器并且響應與核裂變模塊相關聯的運行參數，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。與核裂變模塊相關聯的運行參數可以包括如所希望的任何參數。在各種實施例中，運行參數可以非限制性地包括溫度、中子通量、中子注量、特征同位素、壓強、和/或導電反應堆冷卻劑的流速。在一些其他實施例中以及參照圖7A和7M，在方框7004中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7036中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊，該核裂變模塊與存在于相對于該核裂變模塊的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。另外參照圖7N，在一些這樣的情況下，在方框7006中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7038中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。例如以及另外參照圖70，在方框7038中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7040中響應燃燒波的寬度，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。現在參照圖7A和7P，在一些實施例中，在方框7004中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7042中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖7A和7Q，在一些實施例中，在方框7004中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7044中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖7A和7R，在一些實施例中，在方框7004中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7046中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖7A和7S，在一些實施例中，在方框7004中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7048中使導電反應堆冷卻劑流到限定反應堆堆芯的多個核裂變模塊，反應堆堆芯具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區。現在參照圖7T，所提供的是調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的示例性方法7100。該方法7100從方框7102開始。在方框7104中，使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊。在方框7106中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。在方框7106中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括使導電反應堆冷卻劑流過通過多個磁導體限定的多個流動孔。在方框7106中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電 反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動還包括生成阻止導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力。在方框7106中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動還包括使導電反應堆冷卻劑沿著反應堆冷卻劑流動路徑流動，反應堆冷卻劑流動路徑沿著多個磁導體限定并且與導電反應堆冷卻劑通過多個流動孔的流動實質上正交。在方框7108中結束該方法7100。另外參照圖7U，在一些實施例中，在方框7106中生成阻止導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力可以包括在方框7110中通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場。 現在參照圖H和7V，在一些其他實施例中，可以在方框7112中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。例如以及另外參照圖7W，在一些實施例中，在方框7112中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7114中沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。作為另一個例子以及現在參照圖7T，7V和7X，在一些其他實施例中，在方框7112中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7116中沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。作為另一個例子以及現在參照圖7T，7V和7Y，在一些其他實施例中，在方框7112中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7118中沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。現在參照圖TT和TL,在一些實施例中，可以在方框7120中感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。另外參照圖7AA，在這樣的情況下，在方框7106中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7122中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器并且響應與核裂變模塊相關聯的運行參數，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。與核裂變模塊相關聯的運 行參數可以包括如所希望的任何參數。在各種實施例中，運行參數可以非限制性地包括溫度、中子通量、中子注量、特征同位素、壓強、和/或導電反應堆冷卻劑的流速。在一些其他實施例中以及參照圖H和7AB，在方框7104中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7124中，使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊，該核裂變模塊與存在于相對于該核裂變模塊的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。另外參照圖7AC，在一些這樣的情況下，在方框7124中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7126中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。例如以及另外參照圖7AD，在方框7126中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7128中響應燃燒波的寬度，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。現在參照圖TT和7AE，在一些實施例中，在方框7104中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7130中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖TT和7AF，在一些實施例中，在方框7104中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7132中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖TT和7AG，在一些實施例中，在方框7104中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7134中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖TT和7AH，在一些實施例中，在方框7104中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7136中使導電反應堆冷卻劑流到限定反應堆堆芯的多個核裂變模塊，反應堆堆芯具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區。現在參照圖71，所提供的是調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的示例性方法7200。該方法7200從方框7202開始。在方框7204中，使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊。在方框7206中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。在方框7206中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括使導電反應堆冷卻劑流過通過多個磁導體限定的多個流動孔。在方框7206中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動還包括生成迫使導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力。在方框7206中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動還包括使導電反應堆冷卻劑沿著反應堆冷卻劑流動路徑流動，反應堆冷卻劑流動路徑沿著多個磁導體限定并且與導電反應堆冷卻劑通過多個流動孔的流動實質上正交。在方框7208中結束該方法7200。另外參照圖7AJ，在一些實施例中，在方框7206中生成迫使導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力可以包括在方框7210中通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在多個流動孔上生成至少一個磁場。現在參照圖7AI和7AK，在一些其他實施例中，可以在方框7212中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。例如以及另外參照圖7AL，在一些實施例中，在方框7212中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7214中沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。作為另一個例子以及現在參照圖7AI，7AK和7AM，在一些其他實施例中，在方框7212中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7216中沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。作為另一個例子以及現在參照圖7AI，7AK和7AN，在一些其他實施例中，在方框7212中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑可以包括在方框7218中沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。現在參照圖7AI和7A0，在一些實施例中，可以在方框7220中感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。另外參照圖7AP，在這樣的情況下，在方框7206中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7222中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器并且響應與核裂變模塊相關聯的運行參數，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。與核裂變模塊相關聯的運行參數可以包括如所希望的任何參數。在各種實施例中，運行參數可以非限制性地包括溫度、中子通量、中子注量、特征同位素、壓強、和/或導電反應堆冷卻劑的流速。在一些其他實施例中以及參照圖7AI和7AQ，在方框7204中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7224中，使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊，該核裂變模塊與存在于相對于該核裂變模塊的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。另外參 照圖7AR，在一些這樣的情況下，在方框7224中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7226中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。例如以及另外參照圖7AS，在方框7226中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動可以包括在方框7228中響應燃燒波的寬度，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。現在參照圖7AI和7AT，在一些實施例中，在方框7204中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7230中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖7AI和7AU，在一些實施例中，在方框7204中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7232中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖7AI和7AV，在一些實施例中，在方框7204中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7234中使導電反應堆冷卻劑流到限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。現在參照圖7AI和7AW，在一些實施例中，在方框7204中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊可以包括在方框7236中使導電反應堆冷卻劑流到限定反應堆堆芯的多個核裂變模塊，反應堆堆芯具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區。本領域的普通技術人員應該認識到，本文所述的部件(例如，操作)、設備、對象和伴隨它們的討論用作澄清概念的例子，以及可以設想出各種配置變型。因此，如本文所使用，展示的特定例子以及伴隨的討論旨在代表它們的更一般類別。一般說來，任何特定例子的使用都旨在代表它的類別，以及特定部件(例如，操作)、設備、和對象的未包括不應該看作是限制性的。

此外，本領域的普通技術人員應該懂得，前述的特定示例性過程、設備和/或技術代表像在隨本文提交的權利要求書中和/或本申請中的其它地方那樣，在本文其他地方講述的更一般過程、設備和/或技術。雖然已經顯示和描述了本文所述的當前主題的特定方面，但對于本領域的普通技術人員來說，顯而易見，可以根據本文的教導，不偏離本文所述的主題及其更寬廣方面地作出改變和修改，因此，所附權利要求書將像在本文所述的主題的真正精神和范圍之內那樣的所有這樣改變和修改包括在它們的范圍之內。本領域的普通技術人員應該明白，一般說來，用在本文中，尤其用在所附權利要求書(例如，所附權利要求書的主要部分)中的術語一般旨在作為“開放”術語(例如，動名詞術語“包括”應該理解為動名詞“包括但不限于”，動名詞術語“含有”應該理解為動名詞“至少含有”，動詞術語“包括”應該理解為動詞“包括但不限于”等)。本領域的普通技術人員還應該明白，如果有意表示特定數目的所介紹權利要求列舉項，則在權利要求中將明確列舉這樣的意圖，而在缺乏這樣的列舉的情況下，則不存在這樣的意圖。例如，為了幫助人們理解，如下所附權利要求書可能包含使用介紹性短語“至少一個”和“一個或多個”來介紹權利要求列舉項。但是，即使同一個權利要求包括介紹性短語“一個或多個”或“至少一個”以及像“一個”或“一種”(例如，“一個”和/或“一種”通常應該理解成“至少一個”或“一個或多個”的意思)那樣的不定冠詞，這樣短語的使用也不應該理解為暗示著通過不定冠詞“一個”或“一種”介紹權利要求列舉項將包含這樣所介紹權利要求列舉項的任何特定權利要求限制在只包含一個這樣列舉項的權利要求上；對于用于介紹權利要求列舉項的定冠詞的使用，這同樣成立。另外，即使明確列舉了特定數目的所介紹權利要求列舉項，本領域的普通技術人員也應該認識到，這樣的列舉通常應該理解成至少具有所列舉數目的意思(例如，在沒有其他修飾詞的情況下，僅列舉“兩個列舉項”通常意味著至少兩個列舉項，或兩個或更多個列舉項)。而且，在使用類似于“A、B、和C等的至少一個”的習慣用法的那些情況下，一般說來，這樣的結構旨在本領域的普通技術人員理解該習慣用法的意義上使用(例如，“含有A、B、和C的至少一個的系統”將包括但不限于只含有A，只含有B，只含有C，一起含有A和B，一起含有A和C，一起含有B和C，和/或一起含有A、B和C等的系統)。在使用類似于“A、B、或C等的至少一個”的習慣用法的那些情況下，一般說來，這樣的結構旨在本領域的普通技術人員理解該習慣用法的意義上使用(例如，“含有A、 B、或C的至少一個的系統”將包括但不限于只含有A，只含有B，只含有C，一起含有A和B，一起含有A和C，一起含有B和C，和/或一起含有A、B和C等的系統)。本領域的普通技術人員還應該明白，無論在描述、權利要求書還是附圖中，通常出現兩個或更多個可替代項目的分隔詞和/或短語應該理解成具有包括這些項目之一，這些項目的任一個，或兩個項目的可能性，除非上下文另有所指。例如，短語“A或B”通常應該理解成包括“A”，“B”或“A和B”的可能性。關于所附權利要求書，本領域的普通技術人員應該懂得，本文所列舉的操作一般可以按任何次序執行。此外，盡管各種操作流程按順序給出，但應該明白，各種操作可以按除了例示的那些之外的其他次序執行，或可以同時執行。這樣可替代排序的例子可以包括重疊、交錯、截斷、重排、遞增、預備、補充、同時、反向、或其他衍生排序，除非上下文另有所指。而且，像“對...敏感”、“與...有關”或其他過去式形容詞那樣的術語一般無意排斥這樣的衍生，除非上下文另有所指。此外，本文所公開的各種方面和實施例是為了例示的目的而無意限制本發明，本發明的真正范圍和精神由權利要求書指出。本文所述的主題的一些方面用如下編號的條文展示出來:1.一種調節導電流體的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器包含:安排在固定相對位置上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑以沿著它，并且限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過；以及能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。2.如條文I所述的電磁流動調節器，其中通過限定在多個磁導體中的多個流動孔進一步限定流體入口路徑。3.如條文I所述的電磁流動調節器，其中將流體流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。4.如條文I所述的電磁流動調節器，其中將場生成繞組布置在多個磁導體的外側。5.如條文4所述的電磁流動調節器，其中場生成繞組包括螺旋線圈。
6.如條文4所述的電磁流動調節器，其中場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。7.如條文4所述的電磁流動調節器，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。8.如條文7所述的電磁流動調節器，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。9.如條文I所述的電磁流動調節器，其中場生成繞組包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體。10.如條文9所述的電磁流動調節器，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。11.如條文10所述的電磁流動調節器，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。12.如條文10所述的電磁流動調節器，其中進一步限定流體入口路徑通過多個磁非導體。13.一種調節導電流體的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器包含:框架；附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑以沿著它，并且限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過；以及能夠攜載電流并布置在多個磁導體的外側的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。14.如條文13所述的電磁流動調節器，其中將流體流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。15.如條文13所述的電磁流動調節器，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。16.如條文15所述的電磁流動調節器，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。17.如條文16所述的電磁流動調節器，其中將流體流動路徑進一步限定在多個磁非導體的內側。18.如條文13所述的電磁流動調節器，其中場生成繞組包括螺旋線圈。19.如條文13所述的電磁流動調節器，其中場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。20.一種調節導電流體的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器包含:框架；附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑以沿著它，并且限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過；以及包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導 體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。21.如條文20所述的電磁流動調節器，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。
22.如條文21所述的電磁流動調節器，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。23.如條文22所述的電磁流動調節器，其中進一步限定流體入口路徑通過多個磁非導體。24.如條文23所述的電磁流動調節器，其中進一步限定多個流動孔通過多個磁非導體。25.一種調節導電流體的流動的系統，該系統包含:電力的電源；以及調節導電流體的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器可與該電力的電源電連接，該電磁流動調節器包括:
安排在固定相對位置上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑以沿著它，并且限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過；以及能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與該電力的電源電連接，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。26.如條文25所述的系統，其中通過限定在多個磁導體中的多個流動孔進一步限定流體入口路徑。27.如條文25所述的系統，其中將流體流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。28.如條文25所述的系統，其中將場生成繞組布置在多個磁導體的外側。29.如條文28所述的系統，其中場生成繞組包括螺旋線圈。30.如條文28所述的系統，其中場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。31.如條文28所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。32.如條文31所述的系統，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。33.如條文25所述的系統，其中場生成繞組包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體。34.如條文33所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。35.如條文34所述的系統，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。36.如條文34所述的系統，其中進一步限定流體入口路徑通過多個磁非導體。37.一種調節導電流體的流動的系統，該系統包含:電力的電源；以及 調節導電流體的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器可與該電力的電源電連接，該電磁流動調節器包括:框架；附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑以沿著它，并且限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過；以及
能夠攜載電流并布置在多個磁導體的外側的場生成繞組，該場生成繞組可與該電力的電源電連接，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。38.如條文37所述的系統，其中將流體流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。39.如條文37所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。40.如條文39所述的系統，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。41.如條文40所述的系統，其中將流體流動路徑進一步限定在多個磁非導體的內側。42.如條文37所述的系統，其中場生成繞組包括螺旋線圈。43.如條文37所述的系統，其中場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。44.一種調節導電流體的流動的系統，該系統包含:電力的電源；以及調節導電流體的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器包括:框架；附在框架上的多 個磁導體，該多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑以沿著它，并且限定與流體流動路徑實質上正交的導電流體的流體入口路徑以從中通過；以及包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體的場生成繞組，該場生成繞組可與該電力的電源電連接，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。45.如條文44所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。46.如條文45所述的系統，其中進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。47.如條文45所述的系統，其中進一步限定流體入口路徑通過多個磁非導體。48.如條文47所述的系統，其中進一步限定多個流動孔通過多個磁非導體。49.一種調節導電流體的流動的方法，該方法包含:使導電流體流過限定通過多個磁導體的流體入口路徑；生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力；以及使導電流體沿著流體流動路徑流動，該流體流動路徑流動沿著多個磁導體限定并且與流體入口路徑實質上正交。50.如條文49所述的方法，其中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力包括生成阻止導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力。51.如條文50所述的方法，其中生成阻止導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。52.如條文49所述的方法，其中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力包括生成迫使導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力。53.如條文52所述的方法，其中生成迫使導電流體通過流體入口路徑的流動的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體在流體入口路徑上生成至少一個磁場。54.一種調節導電流體的流動的方法，該方法包含:使導電流體流過通過多個磁導體限定的多個流動孔；生成阻止導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力；以及使導電流體沿著流體流動路徑流動，該流體流動路徑沿著多個磁導體限定并且與多個流動孔實質上正交。55.如條文54所述的方法，其中生成阻止導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場。56.一種調節導電流體的流動的方法，該方法包含:使導電流體流過通過多個磁導體限定的多個流動孔；生成迫使 導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力；以及使導電流體沿著流體流動路徑流動，該流體流動路徑沿著多個磁導體限定并且與多個流動孔實質上正交。57.如條文56所述的方法，其中生成迫使導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在多個流動孔上生成至少一個磁場。58.一種制造調節導電流體的流動的電磁流動調節器的方法，該方法包含:通過多個磁導體限定導電流體的流體入口路徑；將多個磁導體安裝在固定相對位置上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑；以及布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。59.如條文58所述的方法，其中通過多個磁導體限定導電流體的流體入口路徑包括通過多個磁導體限定導電流體的多個流動孔。60.如條文58所述的方法，其中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑包括將多個磁導體附在框架上，使得在多個磁導體的內側和沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。61.如條文58所述的方法，其中布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場包括在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場。62.如條文61所述的方法，其中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場包括在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的螺旋線圈，該螺旋線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該螺旋線圈在流體入口路徑上生成至少一個磁場。63.如條文61所述的方法，其中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場包括在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的多個實質上圓形線圈，該多個實質上圓形線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該多個實質上圓形線圈在流體入口路徑上生成至少一個磁場。64.如條文58所述的方法，進一步包含:將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。65.如條文64所述的方法，其中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間包括將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間并且使得進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。66.如條文58所述的方法，其中布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在流體入口路徑上生成至少一個磁場包括在多個磁導體的內側布置第一多個導體和在多個磁導體的外側布置第二多個導體，該第一和第二多個導體可與多個磁導體電磁稱合，使得可由該第一和第二多個導體在流體入口路徑上生成至少一個磁場。67.如條文66所述的方法，進一步包含:將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。68.如條文67所述的方法，其中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間包括將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間并且使得進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。69.如條文67所述的方法，進一步包含:進一步限定流體入口路徑通過多個磁非導體。70.一種制造調節導電流體的流動的電磁流動調節器的方法，該方法包含:通過多個磁導體限定多個流動孔，多個流動孔限定導電流體的流體入口路徑；將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑；以及在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場。71.如條文70所述的方法，其中將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑包括將多個磁導體附在框架上，使得在多個磁導體的內側和沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑。72.如條文70所述的方法，進一步包含:
將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。73.如條文70所述的方法，其中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場包括在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的螺旋線圈，該螺旋線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該螺旋線圈在多個流動孔上生成至少一個磁場。74.如條文70所述的方法，其中在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得可由該場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場包括在多個磁導體的外側布置能夠攜載電流的多個實質上圓形線圈，該多個實質上圓形線圈可與多個磁導體電磁耦合，使得該多個實質上圓形線圈可在多個流動孔上生成至少一個磁場。75.一種制造調節導電流體的流動的電磁流動調節器的方法，該方法包含:通過多個磁導體限定多個流動孔，多個流動孔限定導電流體的流體入口路徑；將多個磁導體附在框架上，使得沿著與流體入口路徑實質上正交的多個磁導體限定導電流體的流體流動路徑；以及在多個磁導體的內側布置第一多個導體和在多個磁導體的外側布置第二多個導體，該第一和第二多個導體可與多個磁導體電磁稱合，使得可由該第一和第二多個導體在多個流動孔上生成至少一個磁場。76.如條文75所述的方法，進一步包含:將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間。77.如條文76所述的方法，其中將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間包括將多個磁非導體附在框架上，使得將多個磁非導體的幾個布置在多個磁導體的相鄰幾個之間并且使得進一步限定流體流動路徑沿著多個磁非導體。 78.如條文70所述的方法，進一步包含:進一步限定多個流動孔通過多個磁非導體79 —種核裂變反應堆，其包含:核裂變模塊；可操作地與該核裂變模塊耦合的電磁流動調節器；以及可操作地與該電磁流動調節器耦合的控制單元，該電磁流動調節器可響應該控制單元。80.如條文79所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器包括:安排在固定相對位置上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑流動路徑沿著它，并且限定與反應堆冷卻劑流動路徑實質上正交的導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑入口路徑從中通過；以及能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得該場生成繞組可在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場。81.如條文80所述的核裂變反應堆，其中通過限定在多個磁導體中的多個流動孔進一步限定反應堆冷卻劑入口路徑。82.如條文8 0所述的核裂變反應堆，其中將反應堆冷卻劑流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。
83.如條文80所述的核裂變反應堆，其中將場生成繞組布置在多個磁導體的外側。84.如條文83所述的核裂變反應堆，其中場生成繞組包括螺旋線圈。85.如條文83所述的核裂變反應堆，其中場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。86.如條文83所述的核裂變反應堆，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。87.如條文86所述的核裂變反應堆，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。88.如條文80所述的核裂變反應堆，其中場生成繞組包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體。89.如條文88所述的核裂變反應堆，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。90.如條文89所述的核裂變反應堆，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。91.如條文89所述的核裂變反應堆，其中通過多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑入口路徑。92.如條文79所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。93.如條文92所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。94.如條文92所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。95.如條文92所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。96.如條文79所述的核裂變反應堆，進一步包含:配置成感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數的至少一個傳感器。97.如條文96所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器可響應與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。98.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。99.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中
子通量。100.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括
中子注量。101.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。

102.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。
103.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。104.如條文97所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。105.如條文79所述的核裂變反應堆，其中核裂變模塊與存在于相對于該核裂變反應堆的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。106.如條文105所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波調節導電反應堆冷卻劑的流動。107.如條文105所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于響應燃燒波的寬度調節導電反應堆冷卻劑的流動。108.如條文79所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。109.如條文108所述的核裂變反應堆，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。110.如條文79所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。111.如條文110所述的核裂變反應堆，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。112.如條文79所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。113.如條文112所述的核裂變反應堆，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁流動調節器。114.如條文112所述的核裂變反應堆，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。115.如條文79所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。116.—種核裂變反應堆，其包含:核裂變模塊；可操作地與該核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，該電磁流動調節器包括:框架；附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑流動路徑沿著它，并且限定與反應堆冷卻劑流動路徑實質上正交的導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑入口路徑從中通過；以及能夠攜載電流并布置在多個磁導體的外側的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得該場生成繞組可在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場；以及可操作地與該電磁流動調節器耦合的控制單元，該電磁流動調節器可響應該控制單元。

117.如條文116所述的核裂變反應堆，其中將反應堆冷卻劑流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。118.如條文116所述的核裂變反應堆，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。119.如條文118所述的核裂變反應堆，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。120.如條文119所述的核裂變反應堆，其中將反應堆冷卻劑流動路徑進一步限定在多個磁非導體的內側。121.如條文116所述的核裂變反應堆，其中該場生成繞組包括螺旋線圈。122.如條文116所述的核裂變反應堆，其中該場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。123.如條文116所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。124.如條文123所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。125.如條文123所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于沿著繞過核裂變模塊的轉移流動 路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。126.如條文123所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。127.如條文116所述的核裂變反應堆，進一步包含:配置成感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數的至少一個傳感器。128.如條文127所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器可響應與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。129.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。130.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括
中子通量。131.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括
中子注量。132.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。133.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。134.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。135.如條文128所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。136.如條文116所述的核裂變反應堆，其中核裂變模塊與存在于相對于該核裂變反應堆的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。
137.如條文136所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。138.如條文136所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器適用于響應燃燒波的寬度，在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。139.如條文116所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。140.如條文139所述的核裂變反應堆，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。141.如條文116所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。142.如條文142所述的核裂變反應堆，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。143.如條文116所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。144.如條文143所述的核裂變反應堆，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁流動調節器。145.如條文143所述的核裂變反應堆，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。146.如條文116所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。147.—種核裂變反應堆，其包含:核裂變模塊；可操作地與該核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，該電磁流動調節器包括:框架；附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑流動路徑沿著它，并且限定與反應堆冷卻劑流動路徑實質上正交的導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑入口路徑從中通過；以及包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得該場生成繞組可在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場；以及可操作地與該電磁流動調節器耦合的控制單元，該電磁流動調節器可響應該控制單元。148.如條文147所述的核裂變反應堆，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。149.如條文148所述的核裂變反應堆，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。150.如條文149所述的核裂變反應堆，其中通過多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑入口 路徑。
151.如條文150所述的核裂變反應堆，其中進一步限定多個流動孔通過多個磁非導體。152.如條文147所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。153.如條文152所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。154.如條文152所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。155.如條文152所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。156.如條文147所述的核裂變反應堆，進一步包含:配置成感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數的至少一個傳感器。157.如條文156所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器可響應與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。158.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。159.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括 中子通量。160.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括
中子注量。161.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。162.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。163.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。164.如條文157所述的核裂變反應堆，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。165.如條文147所述的核裂變反應堆，其中核裂變模塊與存在于相對于該核裂變反應堆的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。166.如條文165所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，在多個流動孔上調節導電反應堆冷卻劑的流動。167.如條文165所述的核裂變反應堆，其中該電磁流動調節器響應燃燒波的寬度，在多個流動孔上調節導電反應堆冷卻劑的流動。168.如條文147所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。169.如條文168所述的核裂變反應堆，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。
170.如條文147所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。171.如條文170所述的核裂變反應堆，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。172.如條文147所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。173.如條文172所述的核裂變反應堆，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁流動調節器。174.如條文172所述的核裂變反應堆，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。175.如條文147所述的核裂變反應堆，進一步包含限定具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。176.一種調節導電反應堆冷卻劑的流動的系統，該系統包含:調節導電反應堆冷卻劑的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器被配置成可操作地與核裂變模塊耦合；以及可操作地與該電磁流動調節器耦合的控制單元，該電磁流動調節器可響應該控制單元。177.如條文176所述的系統，其中該電磁流動調節器包括:安排在固定相對位置上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑流動路徑沿著它，并且限定與反應堆冷卻劑流動路徑實質上正交的導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑入口路徑從中通過；以及能夠攜載電流的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得該場生成繞組可在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場。178.如條文177所述的系統，其中通過限定在多個磁導體中的多個流動孔進一步限定反應堆冷卻劑入口路徑。179.如條文177所述的系統，其中將反應堆冷卻劑流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。180.如條文177所述的系統，其中將場生成繞組布置在多個磁導體的外側。181.如條文180所述的系統，其中場生成繞組包括螺旋線圈。182.如條文180所述的系統，其中場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。183.如條文180所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。184.如條文183所述的系統，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。185.如條文177所述的系統，其中場生成繞組包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體。186.如條文185所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。

187.如條文186所述的系統，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。188.如條文186所述的系統，其中通過多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑入
口路徑。189.如條文176所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。190.如條文189所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。191.如條文189所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。192.如條文189所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。193.如條文176所述的系統，進一步包含:配置成感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數的至少一個傳感器。194.如條文193所述的系統，其中該電磁流動調節器可響應與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。195.如條文194所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。196.如條文1 94所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子通 量。197.如條文194所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子注量。198.如條文194所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。199.如條文194所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。200.如條文194所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。201.如條文194所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。202.如條文176所述的系統,其中核裂變模塊與存在于相對于該核裂變反應堆的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。203.如條文202所述的系統，其中該電磁流動調節器響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。204.如條文202所述的系統，其中該電磁流動調節器響應燃燒波的寬度在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。205.如條文176所述的系統，進一步包含限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。206.如條文205所述的系統，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。207.如條文176所述的系統，進一步包含限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。208.如條文207所述的系統，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。
209.如條文176所述的系統，進一步包含限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。210.如條文209所述的系統，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁
流動調節器。211.如條文209所述的系統，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁
流動調節器。212.如條文176所述的系統，進一步包含限定具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。213.一種調節導電反應堆冷卻劑的流動的系統，該系統包含:調節導電反應堆冷卻劑的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器被配置成可操作地與核裂變模塊 耦合，該電磁流動調節器包括:框架；附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑流動路徑沿著它，并且限定與反應堆冷卻劑流動路徑實質上正交的導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑入口路徑從中通過；以及能夠攜載電流并布置在多個磁導體的外側的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得該場生成繞組可在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場；以及可操作地與該電磁流動調節器耦合的控制單元，該電磁流動調節器可響應該控制單元。214.如條文213所述的系統，其中將反應堆冷卻劑流動路徑進一步限定在多個磁導體的內側。215.如條文214所述的系統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。216.如條文215所述的系統，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。217.如條文216所述的系統，其中將反應堆冷卻劑流動路徑進一步限定在多個磁非導體的內側。218.如條文213所述的系統，其中該場生成繞組包括螺旋線圈。219.如條文213所述的系統，其中該場生成繞組包括多個實質上圓形線圈。220.如條文213所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。221.如條文220所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。222.如條文220所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。223.如條文222所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。
224.如條文213所述的系統，進一步包含:配置成感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數的至少一個傳感器。225.如條文224所述的系統，其中該電磁流動調節器可響應與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。226.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。227.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子通量。228.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子注量。229.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。

230.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。231.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。232.如條文225所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。233.如條文213所述的系統，其中核裂變模塊與存在于相對于該核裂變反應堆的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。234.如條文233所述的系統，其中該電磁流動調節器應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。235.如條文233所述的系統，其中該電磁流動調節器響應燃燒波的寬度，在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。236.如條文213所述的系統，進一步包含限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。237.如條文236所述的系統，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。238.如條文213所述的系統，進一步包含限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。239.如條文238所述的系統，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。240.如條文213所述的系統，進一步包含限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。241.如條文240所述的系統，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁流動調節器。242.如條文240所述的系統，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。243.如條文213所述的系統，進一步包含限定具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。244.一種調節導電反應堆冷卻劑的流動的系統,該系統包含:調節導電反應堆冷卻劑的流動的電磁流動調節器，該電磁流動調節器被配置成可操作地與核裂變模塊耦合，該電磁流動調節器包括:框架；
附在框架上的多個磁導體，該多個磁導體限定導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑流動路徑沿著它，并且限定與反應堆冷卻劑流動路徑實質上正交的導電反應堆冷卻劑的反應堆冷卻劑入口路徑從中通過；以及包括布置在多個磁導體的內側的第一多個導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個導體的場生成繞組，該場生成繞組可與多個磁導體電磁耦合，使得該場生成繞組可在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場；以及可操作地與該電磁流動調節器耦合的控制單元，該電磁流動調節器可響應該控制單元。245.如條文244所述的系 統，進一步包含:附在框架上并布置在多個磁導體的相鄰幾個之間的多個磁非導體。246.如條文245所述的系統，其中沿著多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑流動路徑。247.如條文246所述的系統，其中通過多個磁非導體進一步限定反應堆冷卻劑入
口路徑。248.如條文247所述的系統，其中進一步限定多個流動孔通過多個磁非導體。249.如條文244所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。250.如條文249所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。251.如條文249所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。252.如條文249所述的系統，其中該電磁流動調節器適用于沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。253.如條文244所述的系統，進一步包含:配置成感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數的至少一個傳感器。254.如條文253所述的系統，其中該電磁流動調節器可響應與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。255.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。256.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子通量。257.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子注量。258.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。259.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。260.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。261.如條文254所述的系統，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。
262.如條文244所述的系統，其中核裂變模塊與存在于相對于該核裂變反應堆的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。263.如條文262所述的系統，其中該電磁流動調節器響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。264.如條文262所述的系統，其中該電磁流動調節器響應燃燒波的寬度，在至少一部分流動路徑上調節導電反應堆冷卻劑的流動。265.如條文244所述的系統，進一步包含限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。266.如 條文265所述的系統，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。267.如條文244所述的系統，進一步包含限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。268.如條文267所述的系統，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。269.如條文244所述的系統，進一步包含限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。270.如條文269所述的系統，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁
流動調節器。271.如條文269所述的系統，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。272.如條文244所述的系統，進一步包含限定具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。273.一種調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的方法，該方法包含:使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊；以及利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。274.如條文273所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括:使導電反應堆冷卻劑流過通過多個磁導體限定的反應堆冷卻劑入口路徑；生成調節導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力；以及使導電反應堆冷卻劑沿著反應堆冷卻劑流動路徑流動，反應堆冷卻劑流動路徑沿著多個磁導體限定并且與反應堆冷卻劑入口路徑實質上正交。275.如條文274所述的方法，其中生成調節導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力包括生成阻止導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力。276.如條文275所述的方法，其中生成阻止導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場。277.如條文274所述的方法，其中生成調節導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力包括生成迫使導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力。
278.如條文277所述的方法，其中生成迫使導電反應堆冷卻劑流過反應堆冷卻劑入口路徑的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在反應堆冷卻劑入口路徑上生成至少一個磁場。279.如條文273所述的方法，進一步包含:轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。280.如條文279所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。281.如條文279所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。282.如條文279所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。283.如條文273所述的方法，進一步包含:感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。284.如條文283所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器并且響應與核裂變模塊相關聯的運行參數，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。285.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。286.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子通量。287.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子注量。288.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。289.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。290.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。291.如條文284所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。292.如條文273所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊，該核裂變模塊與存在于相對于該核裂變模塊的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。293.如條文292所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。294.如條 文293所述的方法，其中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括響應燃燒波的寬度，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。295.如條文273所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。296.如條文295所述的方法，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。297.如條文273所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。298.如條文297所述的方法，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。299.如條文273所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。300.如條文299所述的方法，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁
流動調節器。301.如條文299所述的方法，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁
流動調節器。302.如條文273所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定反應堆堆芯的多個核裂變模塊，反應堆堆芯具有被多個分隔件的各自幾個隔 開的多個冷卻劑流動區。303.一種調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的方法，該方法包含:使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊；以及利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動，其包括:使導電反應堆冷卻劑流過通過多個磁導體限定的多個流動孔；生成阻止導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力；以及使導電反應堆冷卻劑沿著反應堆冷卻劑流動路徑流動，反應堆冷卻劑流動路徑沿著多個磁導體限定并且與導電反應堆冷卻劑通過多個流動孔的流動實質上正交。304.如條文303所述的方法，其中生成阻止導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組在多個流動孔上生成至少一個磁場。305.如條文303所述的方法，進一步包含:轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。306.如條文305所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。307.如條文305所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。308.如條文305所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。309.如條文303所述的方法，進一步包含:感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。310.如條文309所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器并且響應與核裂變模塊相關聯的運行參數，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。311.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。312.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子通量。313.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子注量。314.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。315.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。316.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。317.如條文310所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。318.如條文303所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊，該核裂變模塊與存在于相對于該核裂變模塊的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。319.如條文318所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。320.如條文318所述的方法，其中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括響應燃燒波的寬度，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。321.如條文303所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。322.如條文321所述的方法，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。323.如條文303所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。324.如條文323所述的方法，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。325.如條文303所述的方法，其中使 導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。326.如條文325所述的方法，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁流動調節器。327.如條文325所述的方法，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。328.如條文303所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定反應堆堆芯的多個核裂變模塊，反應堆堆芯具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區。329.一種調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的方法，該方法包含:使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊；以及利 用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動，其包括:使導電反應堆冷卻劑流過通過多個磁導體限定的多個流動孔；生成迫使導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力；以及使導電反應堆冷卻劑沿著反應堆冷卻劑流動路徑流動，反應堆冷卻劑流動路徑沿著多個磁導體限定并且與導電反應堆冷卻劑通過多個流動孔的流動實質上正交。330.如條文329所述的方法，其中生成迫使導電反應堆冷卻劑流過多個流動孔的洛倫茲力包括通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在多個流動孔上生成至少一個磁場。331.如條文329所述的方法，進一步包含:轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。332.如條文331所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著從電磁流動調節器到多個核裂變模塊的各自幾個延伸的多條轉移流動路徑的至少一條，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。333.如條文331所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著繞過核裂變模塊的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。334.如條文331所述的方法，其中轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑包括沿著具有第一方向和第二方向的轉移流動路徑，轉移至少一部分導電反應堆冷卻劑。335.如條文329所述的方法，進一步包含:感測與核裂變模塊相關聯的至少一個運行參數。336.如條文335所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器并且響應與核裂變模塊相關聯的運行參數，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。337.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括溫度。338.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子通量。339.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括中子注量。
340.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括功率。341.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括特征同位素。342.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括壓強。343.如條文336所述的方法，其中與核裂變模塊相關聯的運行參數包括導電反應堆冷卻劑的流速。344.如條文329所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊，該核裂變模塊與存在于相對于該核裂變模塊的位置上的燃燒波相關聯，該燃燒波具有寬度。345.如條文344所述的方法，其中利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆 冷卻劑到核裂變模塊的流動包括響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。346.如條文345所述的方法，其中響應存在于相對于核裂變模塊的位置上的燃燒波，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動包括響應燃燒波的寬度，利用與核裂變模塊耦合的電磁流動調節器，電磁調節導電反應堆冷卻劑到核裂變模塊的流動。347.如條文329所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。348.如條文347所述的方法，其中對該冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。349.如條文329所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有單個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。350.如條文349所述的方法，其中對該單個冷卻劑流動區指定電磁流動調節器。351.如條文329所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定具有多個冷卻劑流動區的反應堆堆芯的多個核裂變模塊。352.如條文351所述的方法，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定單個電磁流動調節器。353.如條文351所述的方法，其中對該多個冷卻劑流動區的每一個指定多個電磁流動調節器。354.如條文329所述的方法，其中使導電反應堆冷卻劑流到核裂變反應堆中的核裂變模塊包括使導電反應堆冷卻劑流到限定反應堆堆芯的多個核裂變模塊，反應堆堆芯具有被多個分隔件的各自幾個隔開的多個冷卻劑流動區。
權利要求
1.一種調節導電流體的流動的方法，該方法包含: 使導電流體流過通過多個磁導體限定的流體入口路徑； 生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力；以及 使導電流體沿著流體流動路徑流動，限定該流體流動路徑流動沿著多個磁導體并且與流體入口路徑實質上正交。
2.如權利要求1所述的方法，其中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力包括:生成阻止導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力。
3.如權利要求2所述的方法，其中生成阻止導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力包括:通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組，在流體入口路徑上生成至少一個磁場。
4.如權利要求1所述的方法，其中生成調節導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力包括:生成迫使導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力。
5.如權利要求4所述的方法，其中生成迫使導電流體流過流體入口路徑的洛倫茲力包括:通過布置在多個磁導體 的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在流體入口路徑上生成至少一個磁場。
6.一種調節導電流體的流動的方法，該方法包含: 使導電流體流過通過多個磁導體限定的多個流動孔； 生成阻止導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力；以及 使導電流體沿著流體流動路徑流動，限定該流體流動路徑沿著多個磁導體并且與導電流體通過多個流動孔的流動實質上正交。
7.如權利要求6所述的方法，其中生成阻止導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力包括:通過布置在多個磁導體的外側的攜載電流場生成繞組，在多個流動孔上生成至少一個磁場。
8.一種調節導電流體的流動的方法，該方法包含: 使導電流體流過通過多個磁導體限定的多個流動孔； 生成迫使導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力；以及 使導電流體沿著流體流動路徑流動，限定該流體流動路徑沿著多個磁導體并且與導電流體通過多個流動孔的流動實質上正交。
9.如權利要求8所述的方法，其中生成迫使導電流體流過多個流動孔的洛倫茲力包括:通過布置在多個磁導體的內側的第一多個攜載電流導體和布置在多個磁導體的外側的第二多個攜載電流導體，在多個流動孔上生成至少一個磁場。
全文摘要
公開的實施例包括用于調節導電流體的流動的電磁流動調節器、調節導電流體的流動的系統、調節導電流體的流動的方法、核裂變反應堆、調節導電反應堆冷卻劑的流動的系統、和調節核裂變反應堆中的導電反應堆冷卻劑的流動的方法。
文檔編號F15B21/06GK103237995SQ201180058830
公開日2013年8月7日 申請日期2011年9月23日 優先權日2010年10月6日
發明者R.A.海德, M.Y.伊希卡瓦, J.D.麥克沃特, A.奧德拉, J.C.沃爾特, K.D.韋弗, 小羅威爾.L.伍德 申請人:希爾萊特有限責任公司