本發明屬于探針(zhen)，具(ju)體涉及一種彈片探針(zhen)制(zhi)備方法(fa)。

背景技術：

1、在液晶面(mian)板(ban)、集成電(dian)(dian)路(lu)等電(dian)(dian)子部(bu)件模塊的(de)(de)制造工序中(zhong)，往往需要(yao)進行導通檢測(ce)(ce)，這通常需要(yao)使(shi)用探針(zhen)將電(dian)(dian)子部(bu)件模塊的(de)(de)pcb板(ban)與fpc(連(lian)接器)對應連(lian)接，進而完成相應的(de)(de)檢測(ce)(ce)工作。其中(zhong)，多個探針(zhen)集成形成探針(zhen)卡，從而同時(shi)實現對多個測(ce)(ce)試點(dian)的(de)(de)測(ce)(ce)試。

2、目前，探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)卡(ka)中(zhong)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)數量越(yue)來(lai)越(yue)多且越(yue)來(lai)越(yue)密集，其(qi)(qi)中(zhong)，彈(dan)(dan)片(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)厚度(du)不小于(yu)60um，其(qi)(qi)厚度(du)及表面平整度(du)均會直接影響其(qi)(qi)測試性能。然而，現有探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)可以通(tong)過(guo)表面微加(jia)工(gong)(即mems加(jia)工(gong)技術)制備(bei)得到，從而增大探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)密度(du)。但由于(yu)彈(dan)(dan)片(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)厚度(du)較大，常規(gui)表面微加(jia)工(gong)過(guo)程中(zhong)勻膠(jiao)的(de)(de)(de)(de)厚度(du)最厚達到60um，且厚度(du)均勻性差(cha)，同時無法滿足彈(dan)(dan)片(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)厚度(du)，易導(dao)致電(dian)鍍生長的(de)(de)(de)(de)彈(dan)(dan)片(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)(zhen)厚度(du)不均，誤(wu)差(cha)較大。

技術實現思路

1、針(zhen)對現有技術(shu)的以上(shang)缺陷或改進需求(qiu)(qiu)，本發明提供了一種彈片(pian)探(tan)針(zhen)制備方法，其目(mu)的在于能夠有效保證彈片(pian)探(tan)針(zhen)的厚度均勻性和(he)表(biao)面平整度，滿足測試性能要求(qiu)(qiu)。

2、為實現上述(shu)目的，本發明(ming)提供了一種彈(dan)片探針制(zhi)備方(fang)法，所述(shu)制(zhi)備方(fang)法包括：

3、提供基板(ban)，在所述(shu)基板(ban)的表面上沉積金屬種(zhong)子(zi)層(ceng)；

4、根據彈片(pian)探(tan)針的厚(hou)度，在所述金(jin)屬種子(zi)層(ceng)(ceng)上進行(xing)高溫壓膜(mo)，使得所述金(jin)屬種子(zi)層(ceng)(ceng)上形成均勻粘接的干膜(mo)層(ceng)(ceng)，對干膜(mo)層(ceng)(ceng)進行(xing)曝光(guang)，并通過(guo)顯影(ying)液(ye)溶(rong)解對應干膜(mo)層(ceng)(ceng)，從而在干膜(mo)層(ceng)(ceng)中光(guang)刻出多(duo)個(ge)彈片(pian)探(tan)針圖形；

5、在真空條件(jian)下通過(guo)高頻(pin)振動對(dui)所述干膜層進行潤濕，并對(dui)潤濕后(hou)的干膜層通過(guo)電鍍(du)液電鍍(du)，使得干膜層上(shang)各彈(dan)片(pian)探(tan)針圖形(xing)中形(xing)成對(dui)應的彈(dan)片(pian)探(tan)針，依次去(qu)除干膜層和所述金(jin)屬種子層，使得多個所述彈(dan)片(pian)探(tan)針從所述基板(ban)上(shang)脫離。

6、可選地(di)，在(zai)所述金屬種子層上進行高溫(wen)壓(ya)膜，包括：

7、將(jiang)所述基板放置在載板上，并將(jiang)干膜放置在金屬種(zhong)子層上，通過(guo)壓(ya)膜機上滾輪轉動(dong)過(guo)程中產生的高溫和高壓(ya)均(jun)勻地將(jiang)干膜壓(ya)設在所述金屬種(zhong)子層上。

8、可(ke)選地，所述(shu)壓膜(mo)機采用如下工藝：

9、滾(gun)輪溫度為100-150℃，滾(gun)輪壓力0.5-1kg，滾(gun)輪速度1-2m/min。

10、可選地，所述對干膜層進行曝光，包括：

11、采用ld激光(guang)、能量密度(du)為1000-2000mj的光(guang)源對干燥后的干膜層進行曝光(guang)。

12、可選地(di)，在所(suo)述(shu)依次去除(chu)干膜(mo)層(ceng)和所(suo)述(shu)金屬種子層(ceng)之后，所(suo)述(shu)制備方法還包括(kuo)：

13、在所述彈(dan)片探針(zhen)表面采(cai)用化學鍍的方式鍍設一層金層。

14、可選地，所述化(hua)學鍍采(cai)用如下(xia)工藝：

15、化學鍍(du)溫(wen)度為(wei)80-95℃，化學鍍(du)時間為(wei)6-8min，金(jin)層厚度控制為(wei)0.2-0.3um。

16、可選地，所(suo)述干膜(mo)層(ceng)厚(hou)度(du)的(de)厚(hou)度(du)為60-120um，所(suo)述干膜(mo)層(ceng)為負性膜(mo)。

17、可選(xuan)地，在去除干(gan)膜層之前(qian)，所述制備方(fang)法還包括：

18、對各所(suo)(suo)述彈(dan)片探(tan)針的表(biao)面通過化學(xue)機械拋光處理，使得各所(suo)(suo)述彈(dan)片探(tan)針的表(biao)面平齊。

19、可選地，所述通過(guo)顯影液溶解對應(ying)干膜層(ceng)采用如下(xia)工藝(yi)：

20、碳酸(suan)鈉溶液為(wei)顯影(ying)液，顯影(ying)溫度為(wei)20-30°，顯影(ying)時(shi)間為(wei)400s-500s。

21、可(ke)選(xuan)地，在所述基板(ban)的表面上沉積金屬(shu)種子層(ceng)，包括：

22、在所(suo)(suo)述(shu)(shu)基板上依次濺(jian)射第(di)一金屬(shu)(shu)種(zhong)子(zi)(zi)(zi)層(ceng)(ceng)和第(di)二金屬(shu)(shu)種(zhong)子(zi)(zi)(zi)層(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一金屬(shu)(shu)種(zhong)子(zi)(zi)(zi)層(ceng)(ceng)用于粘接所(suo)(suo)述(shu)(shu)基板和所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二金屬(shu)(shu)種(zhong)子(zi)(zi)(zi)層(ceng)(ceng)，其中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一金屬(shu)(shu)種(zhong)子(zi)(zi)(zi)層(ceng)(ceng)為鈦或者(zhe)鉻(ge)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二金屬(shu)(shu)種(zhong)子(zi)(zi)(zi)層(ceng)(ceng)為銅(tong)、鉑或者(zhe)金。

23、上述改進技術特征(zheng)只要彼此之間(jian)未構成沖突就(jiu)可(ke)以(yi)相互組合。

24、總體(ti)而(er)言，通過本發明所(suo)構思的以上(shang)技術(shu)方案與(yu)現(xian)有技術(shu)相(xiang)比，具(ju)有的有益效果包括：

25、對于(yu)本(ben)發明實施例的一種(zhong)彈(dan)(dan)片(pian)探(tan)針制(zhi)(zhi)備方(fang)法，在制(zhi)(zhi)備彈(dan)(dan)片(pian)探(tan)針時，提供基(ji)板，在基(ji)板的表面上沉積金屬(shu)種(zhong)子(zi)層(ceng)，一方(fang)面，金屬(shu)種(zhong)子(zi)層(ceng)起到連接干膜(mo)層(ceng)的作用，另一方(fang)面，便于(yu)后續在金屬(shu)種(zhong)子(zi)層(ceng)上生成彈(dan)(dan)片(pian)探(tan)針。

26、然后，根據彈(dan)片探(tan)(tan)針(zhen)的(de)厚度(du)，在(zai)金屬種子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上進(jin)行高溫壓膜(mo)(mo)(mo)(mo)，使得(de)(de)金屬種子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上形(xing)(xing)成均(jun)勻(yun)粘接的(de)干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。由于干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的(de)厚度(du)較大，可以根據彈(dan)片探(tan)(tan)針(zhen)的(de)厚度(du)選擇對應(ying)(ying)厚度(du)的(de)干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)，并(bing)通過高溫壓膜(mo)(mo)(mo)(mo)保證了(le)得(de)(de)到的(de)干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)厚度(du)均(jun)勻(yun)性，不僅適應(ying)(ying)了(le)后續電鍍生長(chang)的(de)彈(dan)片探(tan)(tan)針(zhen)的(de)厚度(du)，同時干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)均(jun)勻(yun)性好，誤(wu)差小，使得(de)(de)對應(ying)(ying)形(xing)(xing)成的(de)彈(dan)片探(tan)(tan)針(zhen)厚度(du)均(jun)勻(yun)，誤(wu)差小。接著(zhu)，對干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)進(jin)行曝(pu)光，并(bing)通過顯影液(ye)溶解(jie)對應(ying)(ying)干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，從而在(zai)干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中光刻出多個(ge)彈(dan)片探(tan)(tan)針(zhen)圖形(xing)(xing)(即為(wei)干(gan)(gan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中對應(ying)(ying)生長(chang)彈(dan)片探(tan)(tan)針(zhen)的(de)槽路)。

27、再接(jie)著，在真空條件(jian)下(xia)通過高頻(pin)振動對(dui)干(gan)膜(mo)(mo)層(ceng)進行(xing)(xing)潤濕(shi)，并(bing)對(dui)潤濕(shi)后的(de)(de)(de)干(gan)膜(mo)(mo)層(ceng)通過電(dian)鍍(du)液(ye)電(dian)鍍(du)，使得干(gan)膜(mo)(mo)層(ceng)中形成(cheng)對(dui)應的(de)(de)(de)彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)。由于(yu)彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)的(de)(de)(de)線(xian)寬(kuan)(kuan)較小(xiao)，因此需要控制彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)圖(tu)形的(de)(de)(de)線(xian)寬(kuan)(kuan)較小(xiao)。而(er)當彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)圖(tu)形的(de)(de)(de)線(xian)寬(kuan)(kuan)較小(xiao)時(shi)，電(dian)鍍(du)液(ye)往往難以流入。通過高頻(pin)振動對(dui)干(gan)膜(mo)(mo)層(ceng)進行(xing)(xing)潤濕(shi)，即(ji)通過高壓和(he)高頻(pin)振動能(neng)(neng)增大液(ye)體(ti)的(de)(de)(de)流動性(xing)，使之(zhi)充分實(shi)現對(dui)干(gan)膜(mo)(mo)層(ceng)中彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)圖(tu)形進行(xing)(xing)潤濕(shi)，增強其(qi)親水性(xing)，便于(yu)電(dian)鍍(du)液(ye)完(wan)全流入并(bing)生成(cheng)金屬，同時(shi)還能(neng)(neng)避(bi)免槽(cao)路的(de)(de)(de)底部形成(cheng)氣泡(pao)而(er)影響生長的(de)(de)(de)彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)平(ping)整度。最(zui)后，依次去(qu)除干(gan)膜(mo)(mo)層(ceng)和(he)金屬種子(zi)層(ceng)，使得多(duo)個彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)從(cong)基板上脫離，從(cong)而(er)得到多(duo)個彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)，該(gai)彈(dan)片(pian)(pian)(pian)(pian)探(tan)(tan)(tan)針(zhen)的(de)(de)(de)厚度誤(wu)差(cha)在±1um，且(qie)表(biao)(biao)面(mian)平(ping)整，滿(man)足(zu)測試性(xing)能(neng)(neng)要求(qiu)。

28、也就是說，本發明提供的一種彈片探(tan)針(zhen)制(zhi)備(bei)方法，能夠有效保證彈片探(tan)針(zhen)的厚度(du)均勻性(xing)和表面平(ping)整度(du)，滿足測試性(xing)能要求。

技術特征：

1.一種(zhong)彈(dan)片探針制(zhi)備(bei)方法(fa)，其特(te)征在于，所述制(zhi)備(bei)方法(fa)包括：

2.根據(ju)權利(li)要求1所(suo)述的一(yi)種(zhong)(zhong)彈片探針制備方法，其特征(zheng)在(zai)于，在(zai)所(suo)述金屬種(zhong)(zhong)子(zi)層(ceng)上進行高溫壓(ya)膜，包(bao)括：

3.根據權利要求2所述(shu)的一種彈片探針制備方法(fa)，其特征在于，所述(shu)壓膜機采用如(ru)下工藝：

4.根據(ju)權利要求(qiu)1所述的一種彈(dan)片探針制備(bei)方(fang)法，其特征在于，所述對(dui)干膜層(ceng)進行曝(pu)光，包括：

5.根據(ju)權利(li)要求1所述的一種彈(dan)片(pian)探針制備方(fang)法，其特征在(zai)于，在(zai)所述依次去(qu)除干膜層(ceng)(ceng)和所述金(jin)屬種子層(ceng)(ceng)之后，所述制備方(fang)法還包括：

6.根據(ju)權利要求5所(suo)述(shu)的一種彈片探針制備方法，其特征(zheng)在于，所(suo)述(shu)化學鍍采(cai)用如下工藝：

7.根據權利要求1-6任(ren)意一(yi)項所述的一(yi)種彈片探針(zhen)制備方法，其特征在于，所述干膜層(ceng)厚(hou)度(du)(du)的厚(hou)度(du)(du)為60-120um，所述干膜層(ceng)為負(fu)性膜。

8.根據權利要求1-6任意一項所述的一種(zhong)彈(dan)片探(tan)針制(zhi)備方法(fa)，其特征在(zai)于，在(zai)去除干(gan)膜層之前，所述制(zhi)備方法(fa)還包括：

9.根據權利要求1-6任意一(yi)項所(suo)述的(de)一(yi)種彈片探針(zhen)制備方(fang)法，其(qi)特(te)征在于，所(suo)述通過顯影液溶解(jie)對(dui)應(ying)干膜層(ceng)采(cai)用如(ru)下工藝：

10.根(gen)據權利要求1-6任意一(yi)項所(suo)(suo)述的一(yi)種彈(dan)片探針(zhen)制備方法，其特征(zheng)在于，在所(suo)(suo)述基板的表面上沉積(ji)金屬種子層，包括：

技術總結
本發明公開了一種彈片探針制備方法，屬于探針技術領域。所述制備方法包括：提供基板，在所述基板的表面上沉積金屬種子層；根據彈片探針的厚度，在所述金屬種子層上進行高溫壓膜，使得所述金屬種子層上形成均勻粘接的干膜層，對干膜層進行曝光，并通過顯影液溶解對應干膜層，從而在干膜層中光刻出多個彈片探針圖形；在真空條件下通過高頻振動對所述干膜層進行潤濕，并對潤濕后的干膜層通過電鍍液電鍍，使得干膜層上各彈片探針圖形中形成對應的彈片探針，依次去除干膜層和所述金屬種子層，使得多個所述彈片探針從所述基板上脫離。本發明提供的一種彈片探針制備方法，能夠有效保證彈片探針的厚度均勻性和表面平整度，滿足測試性能要求。

技術研發人員：劉駿,湯友龍
受保護的技術使用者：武漢精毅通電子技術有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/5