本說(shuo)(shuo)明書(shu)大體(ti)上涉(she)及半導體(ti)，且更(geng)具體(ti)地(di)說(shuo)(shuo)，涉(she)及用于(yu)接合晶片阻擋層(ceng)的結構和方法。

背景技術：

1、接(jie)合(he)晶(jing)(jing)片(pian)是(shi)一種將不同材料層(ceng)接(jie)合(he)在(zai)一起(qi)的(de)封裝技(ji)術。所述層(ceng)可包(bao)含(han)玻璃層(ceng)、中介件(jian)(jian)層(ceng)和(he)半導體(ti)(ti)層(ceng)。半導體(ti)(ti)層(ceng)包(bao)含(han)被構造(zao)成制造(zao)集成電(dian)(dian)路的(de)半導體(ti)(ti)組(zu)件(jian)(jian)。因此(ci)，接(jie)合(he)晶(jing)(jing)片(pian)包(bao)含(han)多個集成電(dian)(dian)路。在(zai)產生(sheng)接(jie)合(he)晶(jing)(jing)片(pian)之后(hou)，切割(ge)接(jie)合(he)晶(jing)(jing)片(pian)以將多個集成電(dian)(dian)路分離成單獨(du)組(zu)件(jian)(jian)。

技術實現思路

1、對于用于接(jie)合(he)晶片阻擋層(ceng)(ceng)的(de)結構和方法，一種(zhong)實例設備包含：第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)，其對應于半導體裝置，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)包含包含接(jie)合(he)墊的(de)區域；劃(hua)線(xian)密(mi)封件，其在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)上，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)劃(hua)線(xian)密(mi)封件包含所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)劃(hua)線(xian)密(mi)封件的(de)在(zai)(zai)至少(shao)三個側面(mian)上包圍所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)合(he)墊的(de)一部(bu)(bu)分(fen)(fen)；以及金屬阻擋層(ceng)(ceng)，其在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)劃(hua)線(xian)密(mi)封件的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)部(bu)(bu)分(fen)(fen)頂部(bu)(bu)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)金屬阻擋層(ceng)(ceng)包含：第(di)(di)(di)(di)一部(bu)(bu)分(fen)(fen)，其位于距(ju)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)第(di)(di)(di)(di)一距(ju)離(li)(li)處(chu)；和第(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)，其位于距(ju)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)第(di)(di)(di)(di)二(er)距(ju)離(li)(li)處(chu)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)距(ju)離(li)(li)大于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一距(ju)離(li)(li)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)(fen)被構造成接(jie)觸在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一層(ceng)(ceng)頂部(bu)(bu)的(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)層(ceng)(ceng)。

技術特征：

1.一種設(she)備，其包括：

2.根(gen)據權利要求(qiu)1所述(shu)(shu)的設備，其中所述(shu)(shu)第(di)二部分被(bei)構造成接觸在所述(shu)(shu)半導體裝(zhuang)置層(ceng)頂(ding)部的第(di)二層(ceng)。

3.根據權利要求1所(suo)述(shu)的設(she)備(bei)，其中所(suo)述(shu)切屑(xie)阻擋層的所(suo)述(shu)第二(er)部(bu)分(fen)包含彎曲部(bu)分(fen)、成角(jiao)度部(bu)分(fen)或(huo)梯級部(bu)分(fen)中的至少一者。

4.根(gen)據權利要(yao)求1所述的設(she)備(bei)，其進一步(bu)包含所述半導體裝置層上的接(jie)合(he)環，所述切屑阻擋層連(lian)接(jie)到所述接(jie)合(he)環。

5.一種(zhong)微機電系統mems裝置，其包括：

6.根據權利要求5所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的mems裝(zhuang)置，其中所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)ic層(ceng)(ceng)包含封圍所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)ic層(ceng)(ceng)的所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一區域和所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)ic層(ceng)(ceng)的所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二區域的劃線密封件(jian)。

7.根據權利要求6所述的(de)mems裝(zhuang)置(zhi)，其中所述切屑阻擋層在所述劃線密封件的(de)對應于所述第二區域的(de)一部分頂部。

8.根據權(quan)利要求5所(suo)述(shu)的(de)mems裝置，其中接(jie)(jie)合件包圍所(suo)述(shu)ic層的(de)所(suo)述(shu)第一區域(yu)，所(suo)述(shu)接(jie)(jie)合環連接(jie)(jie)到(dao)所(suo)述(shu)切屑阻擋層。

9.根據權利要求(qiu)8所述(shu)的(de)mems裝置，其(qi)中所述(shu)切屑阻(zu)擋層由與所述(shu)接(jie)合環相(xiang)同的(de)材料制成。

10.根據權(quan)利要求5所(suo)述的(de)mems裝置，其進一(yi)步包含(han)在(zai)所(suo)述ic層頂部的(de)金屬(shu)指(zhi)形(xing)件。

11.根據(ju)權利要求(qiu)10所(suo)述的(de)mems裝置，其(qi)中所(suo)述金屬指形件(jian)被配置成在(zai)去除所(suo)述中介(jie)件(jian)層(ceng)的(de)一部分之(zhi)前與所(suo)述中介(jie)件(jian)層(ceng)的(de)所(suo)述部分接觸。

12.根據權利要(yao)求5所(suo)述的mems裝置，其中：

13.一種設備，其包(bao)括(kuo)：

14.根(gen)據(ju)權利要求13所述的設備，其中：

15.根據權利要求13所述(shu)的(de)設備，其中所述(shu)切屑阻擋層(ceng)(ceng)被配置(zhi)成在去(qu)除所述(shu)第一層(ceng)(ceng)的(de)一部分時防(fang)止所述(shu)第一層(ceng)(ceng)接(jie)觸所述(shu)第二層(ceng)(ceng)。

16.根據權利要(yao)求15所述(shu)的(de)設備，其中所述(shu)切屑阻擋層包含：

17.根(gen)據權利要求13所(suo)述的(de)設備，其中所(suo)述切屑阻擋層(ceng)用于(yu)在切割(ge)所(suo)述第(di)一(yi)層(ceng)時防止(zhi)切屑損壞所(suo)述第(di)一(yi)層(ceng)。

18.根據(ju)權利要(yao)求13所(suo)(suo)(suo)述的設備，其進一(yi)步包含金(jin)屬指形件，所(suo)(suo)(suo)述金(jin)屬指形件被配(pei)置成在去(qu)除所(suo)(suo)(suo)述第(di)一(yi)層(ceng)的一(yi)部分時防止所(suo)(suo)(suo)述第(di)一(yi)層(ceng)接(jie)觸所(suo)(suo)(suo)述第(di)二層(ceng)。

技術總結
本申請案的實施例涉及接合晶片阻擋層的結構和方法。一種實例設備包含：半導體裝置層(106)，其包含接合墊區域(112)，接合墊(113)在所述半導體裝置層(106)上處于所述接合墊區域(112)中；劃線密封件(206)，其在所述半導體裝置層(106)上，所述劃線密封件(206)在至少三個側面上包圍所述接合墊(113)；以及切屑阻擋層(202)，其在所述劃線密封件(206)上，所述切屑阻擋層(202)包含：第一部分(308)，其與所述半導體裝置層(106)相距第一距離；和第二部分(310)，其與所述半導體裝置層(106)相距第二距離，所述第二距離大于所述第一距離。

技術研發人員：J·C·埃姆克,J·L·霍爾姆
受保護的技術使用者：德州儀器公司
技術研發日：
技術公布日：2024/8/20