本技(ji)術涉及半導體，特別是(shi)涉及一種芯片。

背景技術：

1、mems(micro-electro?mechanical?system，微機電(dian)(dian)系統(tong))技(ji)術是將傳感器(qi)結構和(he)(he)相(xiang)應(ying)的(de)電(dian)(dian)子線路(lu)集(ji)(ji)成(cheng)在(zai)一個小(xiao)的(de)殼體(ti)內。相(xiang)比(bi)于傳統(tong)加(jia)工(gong)方法制造(zao)的(de)傳感器(qi)，mems傳感器(qi)以(yi)集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)(dian)路(lu)工(gong)藝和(he)(he)微機械加(jia)工(gong)工(gong)藝為基礎進行制作，具有體(ti)積小(xiao)，重量輕(qing)、成(cheng)本(ben)低、功耗低、可靠性好、易集(ji)(ji)成(cheng)、過載能(neng)力強和(he)(he)可批量生(sheng)產等優(you)點，在(zai)軍民兩用(yong)方面有著廣泛的(de)應(ying)用(yong)前景。

2、mems傳(chuan)(chuan)感器(qi)中的(de)(de)(de)(de)蓋(gai)板除了起到氣密(mi)性(xing)封(feng)裝(zhuang)腔(qiang)體的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)，還(huan)應起到掩(yan)蔽外(wai)(wai)部(bu)(bu)電磁干擾的(de)(de)(de)(de)作(zuo)用(yong)，故需要將蓋(gai)板進(jin)行接(jie)地(di)。目前(qian)常(chang)用(yong)的(de)(de)(de)(de)蓋(gai)板接(jie)地(di)方法是在封(feng)裝(zhuang)后，通過額(e)外(wai)(wai)的(de)(de)(de)(de)頂部(bu)(bu)/外(wai)(wai)部(bu)(bu)打線將蓋(gai)板與接(jie)地(di)電極(ji)連接(jie)，但(dan)該(gai)方法引出的(de)(de)(de)(de)打線由于上拉弧線部(bu)(bu)分有一定高度，封(feng)裝(zhuang)厚度會增加，且(qie)可能在此過程(cheng)中會產生額(e)外(wai)(wai)的(de)(de)(de)(de)應力問題，最終影響mems傳(chuan)(chuan)感器(qi)的(de)(de)(de)(de)性(xing)能。

技術實現思路

1、基于此，有必(bi)要針對現(xian)有的(de)(de)mems傳(chuan)感器(qi)中蓋板(ban)通(tong)過(guo)打(da)線接地導致封裝(zhuang)厚度增加，以及產生(sheng)額外應力(li)的(de)(de)問題，提供一種(zhong)實現(xian)蓋板(ban)接地且不會增加封裝(zhuang)厚度，產生(sheng)額外應力(li)，避免影響(xiang)傳(chuan)感器(qi)的(de)(de)性能的(de)(de)芯片。

2、一種(zhong)芯片，包括：

3、蓋(gai)板層(ceng)(ceng)，包括蓋(gai)板晶(jing)圓及第(di)(di)一絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)，所(suo)述蓋(gai)板晶(jing)圓的一側表面包括第(di)(di)一區域及第(di)(di)二(er)區域，所(suo)述第(di)(di)一絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)覆(fu)設于所(suo)述第(di)(di)一區域；

4、器件(jian)層(ceng)(ceng)，與(yu)所(suo)述蓋板(ban)層(ceng)(ceng)固(gu)定連接(jie)，且所(suo)述第一絕緣層(ceng)(ceng)位于所(suo)述蓋板(ban)晶圓和所(suo)述器件(jian)層(ceng)(ceng)之間，所(suo)述器件(jian)層(ceng)(ceng)上(shang)形成(cheng)有彈性結構(gou)和功能結構(gou)；及

5、襯底層(ceng)(ceng)(ceng)，與(yu)所述(shu)(shu)(shu)器(qi)件(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)背(bei)離(li)所述(shu)(shu)(shu)蓋(gai)板層(ceng)(ceng)(ceng)的一側固定連接(jie)，以使(shi)所述(shu)(shu)(shu)器(qi)件(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)通(tong)過(guo)所述(shu)(shu)(shu)襯底層(ceng)(ceng)(ceng)接(jie)地，且所述(shu)(shu)(shu)彈性結構能夠(gou)在(zai)所述(shu)(shu)(shu)襯底層(ceng)(ceng)(ceng)的作(zuo)用下(xia)與(yu)所述(shu)(shu)(shu)第二(er)區(qu)域(yu)相(xiang)抵接(jie)。

6、在(zai)其中(zhong)一(yi)個(ge)實施例中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)第(di)二區域(yu)開(kai)設(she)有(you)第(di)一(yi)空腔，所(suo)(suo)述(shu)彈性結構抵(di)接于(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二區域(yu)的所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)空腔處，且(qie)所(suo)(suo)述(shu)彈性結構上開(kai)設(she)有(you)第(di)一(yi)通(tong)槽，所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)通(tong)槽與所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)空腔相對應。

7、在其中一個實施例中，所述(shu)(shu)蓋(gai)板晶圓(yuan)的兩端(duan)均開設有所述(shu)(shu)第一空(kong)腔(qiang)，所述(shu)(shu)器件層的兩端(duan)均形(xing)成(cheng)有所述(shu)(shu)彈(dan)性結構。

8、在(zai)其中一(yi)(yi)個實(shi)施例中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)件(jian)(jian)層包(bao)括器(qi)件(jian)(jian)晶圓(yuan)(yuan)及(ji)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬層，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)彈(dan)性(xing)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)功(gong)能結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)形成于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)件(jian)(jian)晶圓(yuan)(yuan)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)件(jian)(jian)晶圓(yuan)(yuan)的(de)一(yi)(yi)側(ce)間隔(ge)形成有第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)凸(tu)臺(tai)和(he)多個第(di)(di)(di)(di)二凸(tu)臺(tai)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)凸(tu)臺(tai)位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)彈(dan)性(xing)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)上，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬層設置于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二凸(tu)臺(tai)的(de)表面，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣(yuan)層與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)件(jian)(jian)晶圓(yuan)(yuan)背離所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二凸(tu)臺(tai)的(de)一(yi)(yi)側(ce)固定連接(jie)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)金屬層與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底層固定連接(jie)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)凸(tu)臺(tai)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底層相(xiang)抵(di)(di)接(jie)，以使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)彈(dan)性(xing)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底層的(de)作(zuo)用下(xia)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二區域相(xiang)抵(di)(di)接(jie)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)功(gong)能結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)位(wei)于相(xiang)鄰的(de)兩個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二凸(tu)臺(tai)之間。

9、在其中一個實施例中，所(suo)述(shu)器(qi)件晶圓的兩(liang)(liang)端(duan)均(jun)形成有所(suo)述(shu)彈(dan)性結(jie)構(gou)及所(suo)述(shu)第(di)一凸臺(tai)，且(qie)兩(liang)(liang)個所(suo)述(shu)第(di)一凸臺(tai)分別位于兩(liang)(liang)個所(suo)述(shu)彈(dan)性結(jie)構(gou)上(shang)。

10、在其中一(yi)個(ge)實施例中，所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)區域(yu)開設有第(di)二(er)空腔，相鄰的兩個(ge)所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)凸臺與所(suo)述(shu)(shu)襯底層之間構成第(di)三空腔，所(suo)述(shu)(shu)功能(neng)結構與所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)空腔及(ji)所(suo)述(shu)(shu)第(di)三空腔相對(dui)應。

11、在其中(zhong)(zhong)一個(ge)實(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底層(ceng)包括襯(chen)底晶圓、抵(di)(di)接(jie)層(ceng)以及多(duo)個(ge)電極(ji)，多(duo)個(ge)所(suo)述(shu)(shu)電極(ji)間隔布(bu)設(she)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底晶圓的(de)一側，所(suo)述(shu)(shu)抵(di)(di)接(jie)層(ceng)設(she)置于(yu)部分所(suo)述(shu)(shu)電極(ji)的(de)表面，所(suo)述(shu)(shu)器(qi)件層(ceng)與部分暴露的(de)所(suo)述(shu)(shu)電極(ji)固定連接(jie)，所(suo)述(shu)(shu)彈性結構與所(suo)述(shu)(shu)抵(di)(di)接(jie)層(ceng)相抵(di)(di)接(jie)。

12、在其中(zhong)一個實施例中(zhong)，所(suo)述(shu)器(qi)件層(ceng)(ceng)包括器(qi)件晶(jing)圓(yuan)及(ji)第(di)(di)一金屬層(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)器(qi)件晶(jing)圓(yuan)的一側間(jian)隔形成(cheng)有第(di)(di)一凸臺(tai)(tai)和第(di)(di)二(er)凸臺(tai)(tai)，所(suo)述(shu)第(di)(di)一金屬層(ceng)(ceng)設置于所(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)凸臺(tai)(tai)的表(biao)面，所(suo)述(shu)彈性結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)和所(suo)述(shu)功能結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)形成(cheng)于所(suo)述(shu)器(qi)件晶(jing)圓(yuan)，所(suo)述(shu)第(di)(di)一凸臺(tai)(tai)位(wei)于所(suo)述(shu)彈性結(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)上；

13、所(suo)(suo)述第(di)一(yi)絕(jue)緣層和所(suo)(suo)述第(di)一(yi)金屬層的厚度之和小于或等于所(suo)(suo)述抵接層的厚度。

14、在(zai)其中(zhong)一(yi)(yi)(yi)個實施例中(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)層(ceng)包括器件(jian)(jian)晶圓及(ji)第(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)晶圓的一(yi)(yi)(yi)側(ce)間隔(ge)形成(cheng)有第(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)臺(tai)和第(di)二凸(tu)臺(tai)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)設(she)置于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)臺(tai)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二凸(tu)臺(tai)的表面(mian)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)彈性(xing)結構和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)功能結構形成(cheng)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)晶圓，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)臺(tai)位于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)彈性(xing)結構上；

15、所述(shu)第一絕緣層的(de)厚(hou)(hou)度小于或等于所述(shu)抵(di)接層的(de)厚(hou)(hou)度。

16、在(zai)其(qi)中一個實施例中，所(suo)(suo)述抵接層(ceng)(ceng)包括第(di)二(er)(er)(er)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)及防護層(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)(er)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)設置于部分所(suo)(suo)述電極(ji)的表(biao)面，所(suo)(suo)述防護層(ceng)(ceng)設置于所(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)(er)絕(jue)(jue)緣層(ceng)(ceng)的表(biao)面，所(suo)(suo)述彈性結構與所(suo)(suo)述防護層(ceng)(ceng)相(xiang)抵接。

17、采(cai)用上(shang)述的(de)(de)芯片，器(qi)件(jian)層中的(de)(de)彈性(xing)結構在襯(chen)底層的(de)(de)作用下與(yu)蓋(gai)板(ban)晶圓相(xiang)抵(di)接(jie)，而(er)器(qi)件(jian)層通(tong)過襯(chen)底層接(jie)地(di)，從而(er)間接(jie)實現(xian)蓋(gai)板(ban)晶圓通(tong)過器(qi)件(jian)層及襯(chen)底層接(jie)地(di)。如此，無需在蓋(gai)板(ban)晶圓上(shang)額(e)外(wai)打線，從而(er)避免增(zeng)加(jia)封裝厚(hou)度，不會(hui)產生額(e)外(wai)的(de)(de)應力(li)問題，保證芯片的(de)(de)性(xing)能。

技術特征：

1.一種芯(xin)片，其特征在(zai)于，包括：

2.根據權利要求1所(suo)述(shu)(shu)(shu)的芯片，其特征在于，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二區域開設有第(di)一(yi)空腔(qiang)(qiang)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)彈(dan)性結構(gou)抵接于所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二區域的所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)空腔(qiang)(qiang)處，且所(suo)述(shu)(shu)(shu)彈(dan)性結構(gou)上(shang)開設有第(di)一(yi)通槽(cao)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)通槽(cao)與所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)空腔(qiang)(qiang)相(xiang)對應(ying)。

3.根(gen)據權利要(yao)求2所(suo)(suo)述(shu)的(de)芯片(pian)，其特征(zheng)在于，所(suo)(suo)述(shu)蓋板晶圓的(de)兩端均(jun)開設有所(suo)(suo)述(shu)第(di)一空腔，所(suo)(suo)述(shu)器件層的(de)兩端均(jun)形成有所(suo)(suo)述(shu)彈性結構。

4.根據權利要求(qiu)1所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)芯(xin)片，其特(te)征在(zai)于，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)(jian)層(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括器件(jian)(jian)(jian)晶圓(yuan)及(ji)第一(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)彈(dan)性結構和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)功(gong)能(neng)結構形成于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)(jian)晶圓(yuan)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)(jian)晶圓(yuan)的(de)一(yi)側間隔形成有第一(yi)凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)和多個(ge)第二凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一(yi)凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)位(wei)于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)彈(dan)性結構上(shang)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)設置于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)的(de)表面，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一(yi)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)(jian)晶圓(yuan)背離所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)的(de)一(yi)側固定連接(jie)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一(yi)金(jin)屬(shu)層(ceng)(ceng)(ceng)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底層(ceng)(ceng)(ceng)固定連接(jie)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一(yi)凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底層(ceng)(ceng)(ceng)相(xiang)(xiang)抵接(jie)，以使所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)彈(dan)性結構在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)作用下與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二區域相(xiang)(xiang)抵接(jie)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)功(gong)能(neng)結構位(wei)于相(xiang)(xiang)鄰的(de)兩個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二凸(tu)臺(tai)(tai)(tai)之間。

5.根(gen)據權利要求4所述(shu)的芯片(pian)，其特征在于(yu)，所述(shu)器件晶(jing)圓的兩端均形(xing)成有(you)所述(shu)彈(dan)性(xing)結構(gou)及(ji)所述(shu)第(di)一(yi)凸臺，且兩個(ge)所述(shu)第(di)一(yi)凸臺分別位(wei)于(yu)兩個(ge)所述(shu)彈(dan)性(xing)結構(gou)上。

6.根(gen)據(ju)權利(li)要(yao)求4所(suo)(suo)(suo)述的(de)(de)芯片，其特征在于，所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)區域開設有(you)第(di)二(er)空腔(qiang)，相鄰的(de)(de)兩個所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)凸臺與所(suo)(suo)(suo)述襯底層之間構成第(di)三空腔(qiang)，所(suo)(suo)(suo)述功(gong)能(neng)結構與所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)空腔(qiang)及所(suo)(suo)(suo)述第(di)三空腔(qiang)相對應。

7.根(gen)據權利要求1所(suo)述(shu)(shu)的(de)芯片，其特征在于(yu)，所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底層(ceng)包括襯(chen)底晶圓、抵接(jie)層(ceng)以及(ji)多個(ge)電極(ji)，多個(ge)所(suo)述(shu)(shu)電極(ji)間隔布設于(yu)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底晶圓的(de)一側，所(suo)述(shu)(shu)抵接(jie)層(ceng)設置于(yu)部分(fen)所(suo)述(shu)(shu)電極(ji)的(de)表面，所(suo)述(shu)(shu)器(qi)件層(ceng)與部分(fen)暴露的(de)所(suo)述(shu)(shu)電極(ji)固定連(lian)接(jie)，所(suo)述(shu)(shu)彈(dan)性結構與所(suo)述(shu)(shu)抵接(jie)層(ceng)相抵接(jie)。

8.根據權利要求7所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的芯片，其特(te)征在(zai)于(yu)(yu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)層包(bao)括器(qi)(qi)件(jian)晶(jing)圓(yuan)及第(di)一(yi)金屬(shu)層，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)晶(jing)圓(yuan)的一(yi)側間隔形成有第(di)一(yi)凸臺(tai)和(he)(he)第(di)二凸臺(tai)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)金屬(shu)層設置于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二凸臺(tai)的表(biao)面，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)彈性結(jie)(jie)構和(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)功(gong)能結(jie)(jie)構形成于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)晶(jing)圓(yuan)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)凸臺(tai)位于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)彈性結(jie)(jie)構上；

9.根據權利(li)要求7所(suo)述(shu)的(de)芯片(pian)，其(qi)特(te)征(zheng)在于，所(suo)述(shu)器(qi)件(jian)(jian)層(ceng)包括(kuo)器(qi)件(jian)(jian)晶圓及第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬層(ceng)，所(suo)述(shu)器(qi)件(jian)(jian)晶圓的(de)一(yi)(yi)(yi)側間(jian)隔形(xing)成有第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)(tu)臺(tai)和第(di)(di)二(er)凸(tu)(tu)臺(tai)，所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)金(jin)屬層(ceng)設(she)置(zhi)于所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)(tu)臺(tai)和所(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)凸(tu)(tu)臺(tai)的(de)表面，所(suo)述(shu)彈性(xing)(xing)結構(gou)和所(suo)述(shu)功(gong)能結構(gou)形(xing)成于所(suo)述(shu)器(qi)件(jian)(jian)晶圓，所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)凸(tu)(tu)臺(tai)位于所(suo)述(shu)彈性(xing)(xing)結構(gou)上；

10.根(gen)據權利(li)要求(qiu)7所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的(de)芯片，其特征(zheng)在(zai)于(yu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)抵接層(ceng)包括第二絕(jue)緣(yuan)層(ceng)及(ji)防護(hu)層(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二絕(jue)緣(yuan)層(ceng)設置于(yu)部(bu)分(fen)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)電(dian)極的(de)表(biao)面，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)防護(hu)層(ceng)設置于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第二絕(jue)緣(yuan)層(ceng)的(de)表(biao)面，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)彈性(xing)結構(gou)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)防護(hu)層(ceng)相(xiang)抵接。

技術總結
本申請涉及一種芯片，包括蓋板層、器件層及襯底層。蓋板層包括蓋板晶圓及第一絕緣層，蓋板晶圓的一側表面包括第一區域及第二區域，第一絕緣層覆設于第一區域；器件層與蓋板層固定連接，且第一絕緣層位于蓋板晶圓和器件層之間，器件層上形成有彈性結構和功能結構；襯底層與器件層背離蓋板層的一側固定連接，以使器件層通過襯底層接地，且彈性結構能夠在襯底層的作用下與第二區域相抵接。采用上述的芯片，器件層中的彈性結構在襯底層的作用下與蓋板晶圓相抵接，而器件層通過襯底層接地，從而間接實現蓋板晶圓通過器件層及襯底層接地。如此，無需在蓋板晶圓上額外打線，從而避免增加封裝厚度，不會產生額外的應力問題，保證芯片的性能。

技術研發人員：李嗣晗,顏培力,張永平,安興,羅英哲
受保護的技術使用者：上海矽睿科技股份有限公司
技術研發日：20231103
技術公布日：2024/8/15