本(ben)公(gong)開涉及(ji)納米囊(nang)以(yi)及(ji)各(ge)自包括該納米囊(nang)的組合物、膜(mo)和電子(zi)設備(bei)。

背景技術：

1、在顯(xian)示行業(ye)中，當顯(xian)示面板接(jie)合到觸摸面板或鋼(gang)化玻(bo)璃時，可能存(cun)在氣隙。當存(cun)在這(zhe)種氣隙時，室外可見度(du)和對比度(du)由(you)于兩個表面的反射而降(jiang)低。為了解決這(zhe)個問題，可以使用光學透明粘合劑(oca)將襯底(di)層彼此接(jie)合。

2、對于柔性顯示器，當使(shi)用(yong)(yong)(yong)oca來(lai)接合(he)(he)襯底(di)層時，缺陷率可能高(gao)。此外，在(zai)柔性顯示器的(de)(de)情況下，外置式(shi)觸摸面(mian)板和保護襯底(di)的(de)(de)價格高(gao)。因此，已經開發了材料再利(li)用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)方(fang)法。再利(li)用(yong)(yong)(yong)方(fang)法包括(kuo)通過電壓來(lai)電分(fen)解粘合(he)(he)膜的(de)(de)方(fang)法、使(shi)用(yong)(yong)(yong)通過紫外(uv)光(guang)的(de)(de)光(guang)異構化來(lai)分(fen)離粘合(he)(he)膜的(de)(de)方(fang)法和使(shi)用(yong)(yong)(yong)可熱(re)膨脹微囊(nang)來(lai)分(fen)離粘合(he)(he)膜的(de)(de)方(fang)法。

3、在可以(yi)通過電壓而(er)(er)電分解的(de)膜的(de)情況下，施加電壓可以(yi)誘導粘(zhan)合(he)材料脫膠。然而(er)(er)，粘(zhan)附(fu)到(dao)膜的(de)面板(ban)的(de)電路可能由(you)于高(gao)電壓(50v至500v)而(er)(er)損(sun)壞。此外，這種方法僅適(shi)用于導電金屬襯底。此外，當使用諸如聚二甲基(ji)硅氧烷(pdms)或(huo)聚乙二醇(chun)(peg)的(de)室溫固化型環氧粘(zhan)合(he)劑時，透光率降(jiang)低。

4、使用通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)uv光(guang)(guang)的光(guang)(guang)異構化的膜分離技(ji)術基(ji)于偶(ou)氮苯(ben)基(ji)樹脂材(cai)料和丙烯酸(suan)酯(zhi)基(ji)樹脂材(cai)料。這(zhe)種方法通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)uv光(guang)(guang)誘導(dao)偶(ou)氮苯(ben)的光(guang)(guang)異構化并且經由相變(bian)(固(gu)體(ti)→液體(ti))來脫膠(jiao)。因(yin)為偶(ou)氮苯(ben)是橙紅(hong)色晶體(ti)或深棕色固(gu)體(ti)的形(xing)式，所以(yi)透射(she)率(lv)降低。此外，通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)uv工藝進行(xing)的可選薄膜分離仍然受到(dao)限制。

5、對于使(shi)用可熱膨脹微囊誘導膜脫膠的方(fang)法(fa)，微囊具有約(yue)10微米(μm)至約(yue)16μm的粒(li)度(du)和約(yue)120℃至約(yue)135℃的最(zui)大(da)熱膨脹溫(wen)度(du)。由于較大(da)的微尺(chi)寸，透光率降低。此外，由于工藝的高溫(wen)，該方(fang)法(fa)通(tong)常不適用于面(mian)板。

6、因此，仍然需要(yao)用于誘(you)導(dao)膜脫膠(jiao)的改善方法。

技術實現思路

1、一個(ge)或多個(ge)實施方式(shi)包括(kuo)在溫(wen)和溫(wen)度下(xia)誘導膜脫(tuo)膠的(de)納(na)米囊以及各(ge)自包括(kuo)該納(na)米囊的(de)組合物、膜和電子設備(bei)。

2、另外(wai)的(de)方(fang)面(mian)將部(bu)分地在隨后的(de)描述中(zhong)闡述，并且部(bu)分地將從描述中(zhong)顯而(er)易見，或者可(ke)以通過本公開(kai)所(suo)呈現的(de)實施方(fang)式的(de)實踐來獲知。

3、根據一個或多個實施方式，具有核-殼(ke)(ke)結(jie)構的(de)納米囊包(bao)括含有熱分解化合物(wu)(wu)的(de)核和(he)含有聚合物(wu)(wu)的(de)殼(ke)(ke)。

4、根據一個或多個實(shi)施方式，組合物包括納米(mi)囊(nang)、可交聯單體和引發劑。

5、根據一個或多(duo)個實施方式，膜包括包含組(zu)合物的納米囊層和光學透明(ming)粘合劑(ji)(oca)。

6、根據一(yi)(yi)(yi)個或多(duo)個實施方式，電(dian)子設備包(bao)(bao)(bao)括(kuo)第一(yi)(yi)(yi)襯底(di)、與第一(yi)(yi)(yi)襯底(di)相對的第二(er)(er)襯底(di)以及設置在第一(yi)(yi)(yi)襯底(di)和(he)第二(er)(er)襯底(di)之間的膜，其中，膜可(ke)以包(bao)(bao)(bao)括(kuo)包(bao)(bao)(bao)含組合物的納米囊層和(he)oca。

技術特征：

1.包(bao)(bao)括核-殼結(jie)構的納(na)(na)米囊，所述(shu)納(na)(na)米囊包(bao)(bao)括：

2.根(gen)據權利要求1所述的納米囊(nang)，其中，

3.根(gen)據(ju)權利要求(qiu)2所述的納米囊(nang)，其中(zhong)，

4.根據(ju)權(quan)利要求(qiu)1所述的納(na)米(mi)囊，其中(zhong)，

5.根據權利要(yao)求1所述(shu)的納米(mi)囊，其中，

6.根(gen)據權利要求(qiu)1所述(shu)的(de)納米(mi)囊，其中，

7.根(gen)據權利要(yao)求6所(suo)述的納(na)米囊，其中，

8.根(gen)據(ju)權(quan)利要求1所述的納米(mi)囊，其中，

9.根據權利要求1所述的納米囊，其中，

10.根(gen)據權利要求1所述的納米囊，其中，

11.組合(he)物，包括(kuo)：

12.根(gen)據權利要求11所(suo)述的組合(he)物，其中(zhong)，

13.根據權利要求(qiu)12所(suo)述的(de)組合物(wu)，其(qi)中(zhong)，

14.根據權利要(yao)求12所述的組合物，其(qi)中(zhong)，

15.膜，包括：

16.根據權利(li)要求(qiu)15所述的(de)膜(mo)，其中，

17.根據權利要求(qiu)15所述的(de)膜(mo)，其中，

18.電子(zi)設備(bei)，包括：

19.根據權(quan)利要求18所述的(de)電子(zi)設備，其中，

20.根據(ju)權利(li)要求18所述的(de)電子(zi)設備，其中，

技術總結
納米囊包括核?殼結構，核?殼結構具有包括熱分解化合物的核和包括聚合物的殼。組合物包括納米囊。膜包括包含組合物的納米囊層和光學透明粘合劑。電子設備包括包含膜和襯底的層壓結構。

技術研發人員：金勝鎬,李俊協,李康祐,孫寅太,金渡現,金振旭
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/10/10