一種電子產品防護涂層的制備方法及應用
【專利摘要】本發明公開了一種電子產品防護涂層的制備方法及其應用，本發明采用引發式化學氣相沉積方法在電子產品表面形成防護涂層。制備步驟包括：將電子產品放入反應腔內的樣品臺臺上，利用真空控制系統排出腔體中的空氣，使反應腔內處于真空狀態；將反應氣體按照預設的流量比經進氣口通入到腔體中，并達到預設反應壓強，反應氣體經過已加熱到預設溫度的合金絲，所述引發劑在已加熱合金絲的誘導下會進行熱分解形成自由基；自由基和鍍層材料單體在位于樣品臺上的電子產品表面吸附并進行室溫下的原位自由基聚合反應，形成本發明所述的電子產品防護涂層。本發明制備的電子產品防護涂層能起到防水防潮效果，還可以阻隔氧氣，阻隔酸堿等，起到抗氧化，抗腐蝕，絕緣的作用。
【專利說明】
一種電子產品防護涂層的制備方法及應用
技術領域
[0001]本發明屬于防護涂層領域，特別涉及一種電子產品防護涂層的制備技術及其在電子產品中的應用。
【背景技術】
[0002]隨著科技的發展，電子產品在生活工作中的應用越來越普及，例如智能手機，平板電腦，智能手表、手環等。諸如此類電子產品的發展趨勢朝著智能化，輕薄化，大屏化發展。如今智能產品的發展很多已經超出了我們的預料，比如更大、更清晰的屏幕顯示，性能超強的處理器和媲美數碼相機的拍照效果。但是另一方面，此類電子產品的硬件防護功能，比如防水、防潮、防腐蝕、防霉菌等等基礎功能還有待提尚，也是目如各生廣廠家著力解決的冋題。
[0003]目前電子產品防水技術主要可以分為密封和防護涂層技術。其中密封技術是在一定的結構設計基礎上在縫隙中填入橡膠材料使所有電子部件密封在殼體中。早期的防水電子產品大多是以密封的原理設計的，這類產品往往外觀相對厚重。但是，隨著智能電子市場的發展，電子產品在功能上更加復雜，外觀力求輕薄、高清大屏，密封設計不能滿足這種消費趨勢。其次，密封技術把電子元件完全密封起來，對于電子設備散熱造成影響。且在生產過程中需要較高的生產成本和模具技術，維修也不方便。
[0004]除了密封之外，防護涂層技術成為突破現有電子產品防護功能瓶頸的關鍵。傳統的涂層技術以噴涂、浸漬的方法，在電路板等電子元件上涂覆一層三防漆，材料多為含氟樹月旨，它的自潤滑性、憎水性好，耐化學腐蝕性高，低損耗，C-F鍵的強穩定性使得他具有較強的耐候性和耐鹽霧性。一般傳統涂層法的薄膜厚度在幾到幾十微米之間，在一定程度上達到防水防潮防銹等防護效果。但是對于日趨復雜精密的電子器件，簡單的涂層方法首先薄膜厚度較厚透明度差，其次因為潤濕性差，對于精密的電子元件無法均勻包覆，存在一定的局限。目前氣相沉積納米鍍層技術越來越受到重視，納米鍍層是在真空環境下，氣體分子在基底表面發生化學反應沉積形成一層肉眼無法看到的納米厚度的薄膜，能夠均勻的覆蓋在材料的各個表面，形成完整的保護層。市場上應用并研究較多的等離子體化學氣相沉積技術(PECVD)在制備防水智能手機上已經取得了一定的成果。其中美國Liquipel公司是典型代表。將電子產品放在等離子鍍膜設備中，真空環境下通入含氟氣態單體，然后放出等離子體幫助氣體分子在電子產品的內部和表面聚合形成納米防水涂層(美國專利:US 8852693B2)。據報道，Liquipel的真空納米鍍膜技術能對智能手機等產品直接處理并達到國際防水指標IPX3級的標準，滿足一般產品意外短時間浸水的防護要求。這種技術簡單易于操作，但是在理論上而言，等離子體能量相對較高，反應活性強，在聚合反應中常伴隨功能基團的破壞和副反應的發生。美國專利(US 8900663 B2)報道，在PTFE真空納米薄膜的制備中，利用熱絲化學氣相沉積最終得到的薄膜中70%以上的CF2能保留下來。這種方法是直接利用加熱的熱絲來激發反應的進行，通常加熱到500°C以上。在PECVD體系中，等離子體的高能高反應活性使得CF2往往只能達到40%-60%程度的保留。市場上另一關于真空納米技術的代表是美國HZO公司，他們的waterblock技術在電子產品表面形成聚對二甲苯的聚合物涂層，達到不錯的防水效果(歐洲專利:EP2328692 A2)。目前HZO公司與Apple、三星等移動設備制造商合作，致力于防水電子產品的研發(美國專利:US 9161434 B2)。HZO的真空鍍膜技術基于聚對二甲苯高溫下裂解并在基底材料表面形成聚合物薄膜。聚對二甲苯的裂解溫度為700°C左右，溫度能耗較大并且對設備安全性能要求較高。另外相關領域人指出聚對二甲苯對基底的物理性質可能會有影響，比如用紙來舉例子的話，利用HZO技術處理的紙巾會變的很硬。

【發明內容】

[0005]針對以上電子產品防護涂層的現狀和存在的不足，本發明提出一種引發式化學氣相沉積技術作為制備電子產品防護涂層的方法，在電子電路板及電子設備表面形成納米防護涂層，達到防水、防潮、防腐蝕等防護功能。
[0006]為達到以上發明目的，本發明采用的技術方案是:
使用引發式化學氣相沉積方法在電子產品表面沉積一層納米防護涂層。具體的，采用引發式化學氣相沉積設備制備本發明所述的電子產品防護涂層，所述引發式化學氣相沉積設備包括:反應腔、設置于反應腔一側供反應氣體進入反應腔內的進氣系統、以及位于反應腔另一側且與反應腔相聯接的真空控制系統;反應腔內設置有用于加熱的合金絲、樣品臺、位于樣品臺底部的循環水冷卻裝置。
[0007]具體的制備方法，包括步驟如下:將電子產品放入反應腔內的樣品臺上，利用與出氣口連接的真空控制系統排出腔體中的空氣，使反應腔內處于真空狀態;將反應氣體按照預設的流量比經進氣口通入到腔體中，并達到預設壓強;反應氣體包括引發劑和鍍層材料單體;反應氣體經過已加熱到預設溫度的合金絲，選用具有高活性的引發劑，由于引發劑具有較高活性，所述引發劑在已加熱合金絲的誘導下會進行熱分解形成自由基；自由基和鍍層材料單體在位于樣品臺上的電子產品表面吸附并進行室溫下的原位自由基聚合反應，形成本發明所述的電子產品防護涂層。
[0008]本發明所使用的制備電子產品防護涂層的引發式化學氣相沉積方法，能夠做到引發劑的低溫引發，即能夠控制在較低溫度下實現所述引發劑分解自由基，也即上述制備步驟中合金絲的加熱預設溫度。對于鍍層單體材料采用含氟烷烴的涂層沉積，本發明實現了150 °C?200 °C的所述合金絲的預設加熱溫度，在本發明其中一個實施例中加熱合金絲的預設溫度為200°C、另一個實施例中加熱合金絲的預設溫度為180°C。相比美國專利(US8900663 B2)利用熱絲化學氣相沉積)，直接利用加熱的熱絲來激發反應的進行，其熱絲的加熱溫度達到500°C以上。本發明實現低溫引發，能夠整體降低反應腔體內部的溫度。而對于待鍍膜的電子產品，其材料中常使用熱敏感材料，如電子產品中的塑料部件，均不能承受高溫，因此要求盡量降低放置待鍍膜電子產品的樣品臺的溫度。由于低溫引發，整體降低反應腔內溫度，促進了有效控制樣品臺溫度和待鍍膜電子產品的溫度在較低的溫度內，為本發明實現室溫原位聚和反應形成所述電子產品防護涂層提供了基礎。
[0009]上面制備步驟所述自由基和鍍層材料單體在電子產品表面吸附并進行室溫下的原位自由基聚合反應，其中所述室溫是指控制樣品臺溫度處于室溫下。具體的，本發明控制樣品臺溫度在20 °C?40 °C，在本發明其中一個實施例中樣品臺溫度20 °C，在本發明另一個實施例中樣品臺溫度25°C，還有一個實施例中為30°C。在本發明中，控制樣品臺溫度處于室溫的另一關鍵為通過所在的樣品臺底部裝有的循環水冷卻系統進行冷卻。樣品臺溫度控制在室溫下，一方面:降低了對待鍍膜的電子產品的限制，對于熱敏感材料，如塑料部件，本發明的制備方法均能夠適用；另一方面:待鍍膜的電子產品的溫度較反應腔體內其他部位的溫度低，有利于鍍層材料單體和自由基的吸附，提高防護涂層的沉積速率。
[0010]使用本發明的制備方法，其中一個實施例的鍍層材料單體為硅氧烷，其沉積速率30nm/min，總進氣量不超過1sccm;而在另外兩個實施例中，鍍層材料單體為含氟燒經，其沉積速率一個實施例中為50nm/min，在另一實施例中沉積速率達到100nm/min，且在總反應氣體的進氣量不超過2sCCm的情況下。相比等離子體鍍膜系統，本發明具有高效的沉積速率、環保節約，如在美國專利US8852693B2中，使用等離子體鍍膜系統，其鍍層材料單體為含氟烷烴，總進氣量為30?50sccm，沉積速率為25?75nm/min。
[0011]本發明制備方法中，達到上面所述高的防護涂層沉積速率，其一:由于控制了樣品臺溫度在室溫下，待鍍膜的電子產品的溫度較反應腔體內其他部位的溫度低，有利于鍍層材料單體和自由基的吸附，提高防護涂層的沉積速率;另一方面:為了促進防護涂層更有效的在待鍍膜的電子產品表面的吸附和聚合反應，本發明還對反應腔體內其他部位進行加熱處理，提高待鍍膜的電子產品表面與反應腔體內其他部位的溫度差，從而促進鍍層材料單體和自由基傾向吸附在待鍍膜的電子產品表面，從而提高聚和反應的效率。具體的，本發明各實施例中通過在反應腔外部設置加熱帶對反應腔體內其他部位進行加熱處理。更為具體的，本發明各實施例控制所述加熱帶的加熱溫度在30°C?70°C范圍內，其中一實施例中加熱帶的加熱溫度為70°C，另一實施例中加熱帶的加熱溫度為50°C，另一實施例中加熱帶的加熱溫度為30 °C。
[0012]另外，本發明樣品臺在底部使用循環水冷卻系統進行冷卻，能夠實現在反應腔體中大面積電子產品防護涂層的制備，即電子產品可放在樣品臺的任何位置。因為整個反應腔體內的氣相組分是均勻的，防護涂層沉積過程中的速率由電子產品表面自由基和鍍層材料單體的吸附量決定，吸附量直接受樣品臺溫度影響，而樣品臺溫度是通過循環水冷卻系統的均勻控制，因此整個樣品臺內都是有效沉積范圍。與本發明的制備方法相比，在等離子體鍍膜系統中，沉積發生在等離子束中，并且等離子束不同部位的反應活性不同，導致不同部位涂層厚度和組分不均勻；因此，較等離子體鍍膜方法，本發明能實現大面積的均勻鍍膜。
[0013]另外，本發明采用的制備方法，基于自由基低溫下原位聚合的原理，引發劑在誘導下分解成自由基，代替了高能等離子體，反應易于進行且穩定、反應條件溫和。與等離子體真空鍍膜法相比，本發明制備的涂層組分化學穩定性高和功能基團完整性高；而等離子體反應活性很高，沉積過程中常伴隨副反應發生，因此等離子體真空鍍膜法制備出的涂層組分中，其關鍵作用的功能基團保留度只能達到40-60%，如美國專利US8900663B2。；而本發明制備方法制備出來的涂層，可100%保留涂層中的功能基團。且由于涂層的化學穩定性好，涂層中的功能基團保留度高，因此該涂層的疏水效果也佳。
[0014]本發明中制備所述電子產品防護涂層所使用的鍍層材料單體選自含氟烷烴或硅氧烷中的一種或幾種，所述含氟烷烴其結構式為CH2=C(R1)-COO-R2, !^是-H或者-013，1?2是-(CH2)-(CF2)n-CF3,其中n=3-7。所述硅氧烷其結構式表示為CH2=CH(R3), R3表示含有S1-O-Si單元的鏈狀結構或者環狀結構。所述的氟代烷烴聚合物和硅氧烷聚合物涂層憎水性好，化學穩定性高;再因為如上所述本發明所使用的制備方法反應條件溫和，涂層中的功能基團保留度高、涂層表面能低，疏水性好;能夠起到很好的防水、防潮的效果，并且可以防止汗液，鹽霧、酸堿等液體對電路板尤其是金屬部件的腐蝕。鍍有本發明防護涂層的電子產品表面水接觸角在130°以上，且通過國際IPX7級防水測試即浸水試驗，電子產品依然正常工作。
[0015]本發明制備方法中使用的引發劑選自二叔丁基過氧化氫(TBP)，二叔戊基過氧化氫，過氧化苯甲酸特丁酯或者全氟丁基磺酰氟的一種或幾種。所述鍍層材料單體和引發劑的流量比控制在1: 3?10:1之間。其中，本發明制備方法中，引發劑和鍍層材料單體在通過進氣口進入反應腔前，分別置于各自的石英管中，石英管與反應腔之間的管路連接有閥門，控制各反應氣體的流量。且引發劑的石英管保持室溫狀態，鍍層材料單體的石英管加熱溫度在30?100°C之間。
[0016]進一步地，本發明制備方法中，反應氣體還可以包括交聯劑，即在防護涂層的沉積過程中通入腔體的氣體還可以包括交聯劑;所述交聯劑可以在鍍層材料單體之前通入到腔體中，預先在電子產品表面形成致密的薄膜，起到增強涂層與電子產品表面結合強度的效果。其中交聯劑選自乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、I，3，5，7，_四乙烯基-1，3，5，7_四甲基環四硅氧烷、1，3，5_三乙烯基-1，3，5-三甲基環三硅氧烷中的一種或幾種。
[0017]進一步地，本發明制備的電子產品防護涂層的厚度在1nm?3μπι之間，厚度可以根據沉積時間進行精確控制。
[0018]本發明中所述的電子產品，包括各類電子元器件、電路板，顯示設備，電子傳感器部件等，具體如:各類手機，電腦，平板電腦，可穿戴設備、音樂播放器，相機，收音機，錄音機，游戲機等。使用本發明制備防護涂層的電子產品，其部件中材料不受限制，可以是金屬制品，塑料制品，紙制品等。
[0019]與現有技術相比，本發明還具有如下技術優點:
本發明的防護涂層制備方法，較傳統的密封法處理過程簡單，無需專門的結構上的設計，可以在生產環節對電子器件進行涂層處理，也可以在消費者使用過程中進行處理。其中處理的對象包括集成電路板，電池，外殼等電子產品的任何部位。
[0020]與傳統的防護涂層制備方法如噴涂法、浸漬法相比，防護涂層均勻、厚度可控、保型性好。噴涂法往往存在陰影區，薄膜存在缺陷；浸漬法基于液相處理的特點，由于液體表面張力浸潤性差，對于微小部件無法涂覆，保型性差，且薄膜厚度無法精確控制，導致透明性差、導熱性差。本發明采用的防護涂層的制備方法，是一種完全干式鍍膜法，不受液體表面張力的影響，氣體分子能夠到達樣品的所有表面，因此涂層的保型性非常好，涂層致密且均勻。
[0021]本發明中的制備的電子產品防護涂層起到的防護效果除了防水防潮之外，還可以起到阻隔作用，阻隔氧氣，阻隔酸堿等，起到抗氧化，抗腐蝕，絕緣的作用。
[0022]另外，較傳統的化學氣相沉積技術，本發明的制備方法無需復雜的等離子體設備，無需輸入較高的能量；同時因為反應條件溫和，可以保證薄膜組分的完整性，即實現功能最大化。
【附圖說明】
[0023]圖1為本發明采用的引發式化學氣相沉積設備示意圖。
[0024]圖2為實施例1中的鍍層材料單體和制得的電子產品防護涂層的紅外光譜圖。
[0025]圖3為實施例1中鍍有防護涂層的手機的電子部件表面進行水接觸角測試的測試結果圖。
[0026]其中，I為進氣系統，11為石英管，12為流量調節閥，2為反應腔，3為合金絲，4為待鍍膜的電子產品，5為樣品臺，6為循環水冷卻裝置，7為真空控制系統，8為激光干涉系統，9為加熱帶，1為水珠，11為電子產品。
【具體實施方式】
[0027]為了更好的說明本發明的目的及技術方案，下面結合附圖以及具體的實施例進一步闡述。基于本發明中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式，都屬于本發明保護的范圍。
[0028]本發明采用引發式化學氣相沉積在電子產品表面制備防護涂層。引發式化學氣相沉積是等離子體化學氣相沉積和熱絲化學氣相沉積的延伸和改進，是一種新型綠色的真空鍍膜方法。在傳統化學氣相沉積技術的基礎上引入活性較高的引發劑，可在較低的溫度下分解成自由基并引發單體進行自由基聚合反應，在基底上形成聚合物薄膜。具體的，如圖1所示為本發明采用的引發式化學氣相沉積設備，包括反應腔、設置于反應腔一側供反應氣體進入反應腔內的進氣系統、以及位于反應腔另一側的真空控制系統。如圖1中，此引發式化學氣相沉積設備還包括監測涂層沉積過程和涂層厚度的激光干涉系統，但這不是本發明目的的必須，比如涂層厚度可以通過鍍膜后通過其他厚度測試設備進行測試;反應腔內設置有用于加熱的合金絲、樣品臺、位于樣品臺底部的循環水冷卻裝置。另外，具體的，本發明的各實施例中，進氣系統由放置反應氣體原料的石英管、連接石英管和反應腔的管路、以及流量調節閥。
[0029]另外，如圖1，本發明采用的引發式化學氣相沉積設備，還包括在反應腔外部設置的加熱帶，用于給除樣品臺外的反應腔內其他部位加熱，使待鍍膜的電子產品表面與反應腔內其他部位的溫度差增加。
[0030]工作時，反應氣體在各石英管中分別進行氣化，再按照一定的流量比流出經混合后通過進氣口進入反應腔，各反應氣體至少包括引發劑以及鍍層材料單體；同時反應腔內的合金絲被加熱、樣品臺則通過底部的循環冷卻水冷卻保證樣品臺底部的溫度處于室溫下，同時控制反應腔外部設置的加熱帶溫度;反應氣體經過已加熱到預定溫度的合金絲時，由于引發劑的活性較高，熱誘使反應氣體中的引發劑分解成自由基，該自由基和鍍層材料單體吸附到待鍍膜的電子產品表面進行自由基聚合反應，形成所述的防護涂層。
[0031]實施例1
使用三星某型號手機為本實施例的待鍍膜的電子產品，將該手機的電池、主板、手機外殼(屏幕與外殼連接)分離并放入引發式化學氣相沉積反應腔內的樣品臺中，反應腔抽至真空。引發劑為二叔丁基過氧化氫，控制引發劑的石英管溫度為25°C;鍍層材料單體為全氟癸基丙烯酸酯，結構是為CH2=CH-COO- CH2CH2-(CF2)7-CF3，其中石英管溫度加熱至80°C ；反應腔外部設置的加熱帶的溫度加熱至70°C。引發劑和鍍層材料單體的流量分別為0.6 sccm,
0.6sccm，加熱合金絲的溫度至200°C，控制樣品臺溫度為20°C，沉積壓強為200mTorr，沉積時間5分鐘，涂層厚度約為500nm，沉積速率為100nm/min。因為電子元件與樣品臺接觸一面無法與反應氣體分子接觸，為保證元件(電池、主板、外殼)所有表面被涂層覆蓋，在完成一次鍍膜過程后，將樣品反轉重復鍍膜過程。
[0032]進行紅外光譜測試，如附圖2所示，是本實施例制得的電子產品防護涂層的紅外光譜圖，圖中所示，圖2中左上角是本實施例制得的防護涂層與本實施例使用的鍍層材料單體的紅外光譜的比對圖，標識處為鍍層材料單體中C=C鍵特征峰，在防護涂層中均未出現，表明聚合反應十分完全;另外在1741cm—1處為C=O鍵特征峰，鍍層材料單體和防護涂層中均有出現；1150?1250cm—1范圍內三個峰表示F官能團的特征峰，可以看出防護涂層與鍍層材料單體中一一對應，表明本發明采用的制備方法對功能基團很好的保留性，達到100%的功能基團保留。
[0033]如附圖3所示，為對本實施例已鍍防護涂層的手機的電子部件表面進行的水接觸角測試圖，測試結果顯示水接觸角大于130°。
[0034]對本實施例已鍍防護涂層的手機進行防水等級測試，參照國際IPX7級防水測試，即浸水試驗:將經過本實施例防護涂層制備的手機部件裝回，開機測試，屏幕顯示，電池能耗，多媒體功能，通話功能均正常;將該手機放入水槽內，手機頂部距離水面距離至少0.15米，試驗時間為30分鐘;之后從水槽中取出手機，手機正常工作。
[0035]實施例2
使用iPhone 5手機為本實施例的待鍍膜的電子產品，電池、主板、手機外殼(屏幕與外殼相連)分離并放入引發式化學氣相沉積反應腔內的樣品臺中，反應腔抽至真空。引發劑為二叔丁基過氧化氫，控制引發劑的石英管溫度為300C ;鍍層材料單體為全氟癸基丙烯酸酯，結構是為CH2=CH-COO- CH2CH2-(CF2)7-CF3,其石英管溫度加熱至85°C;反應腔外部設置的加熱帶的溫度加熱至50°C ；引發劑和鍍層材料單體流量分別為0.6 sccm，0.4sccm，加熱合金絲的溫度至180°C，控制樣品臺溫度為25°C，沉積壓強為lOOmTorr，沉積時間為10分鐘，防護涂層厚度為500nm，沉積速率為50nm/min。因為電子元件與樣品臺接觸一面無法與反應氣體分子接觸，為保證元件(電池、主板、外殼)所有表面被防護涂層覆蓋，在完成一次鍍膜過程后，將樣品反轉重復鍍膜過程。
[0036]對本實施例已鍍防護涂層的手機的電子部件表面進行水接觸角測試，水接觸角大于 130°。
[0037]對本實施例已鍍防護涂層的手機進行防水等級測試，參照國際IPX7級防水測試，即浸水試驗:將經過本實施例防護涂層制備的手機部件裝回，開機測試，屏幕顯示，電池能耗，多媒體功能，通話功能均正常;將該手機放入水槽內，手機頂部距離水面距離至少0.15米，試驗時間為30分鐘;之后從水槽中取出手機，手機正常工作。
[0038]實施例3
使用普通電路板為本實施例的待鍍膜的電子產品，將電子產品放入引發式化學氣相沉積反應腔體內的樣品臺上，反應抽至真空。引發劑為二叔丁基過氧化氫，控制引發劑的石英管溫度為30°C;鍍層材料單體為1，3，5_三乙烯基-1，3，5-三甲基環三硅氧烷(V3D3)，其石英管溫度加熱至65°C ;反應腔外部設置的加熱帶的溫度加熱至30°C ;引發劑和鍍層材料單體流量分別為I sccm，6sccm，加熱合金絲的溫度至250°C，控制樣品臺溫度為30°C，沉積壓強為300mTorr，沉積時間為10分鐘，防護涂層厚度為300nm，沉積速率為30nm/min。
[0039]本實施例制得的防護涂層聚I，3，5_三乙烯基-1，3，5_三甲基環三硅氧烷可用作電子器件的絕緣層與封裝層。
【主權項】
1.一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述制備方法在引發式化學氣相沉積設備中完成，采用引發式化學氣相沉積方法在電子產品表面形成防護涂層； 其中，所述引發式化學氣相沉積設備包括:反應腔、設置于反應腔一側供反應氣體進入反應腔內的進氣系統、以及位于反應腔另一側且與反應腔相聯接的真空控制系統；反應腔內設置有用于加熱的合金絲、樣品臺、位于樣品臺底部的循環水冷卻裝置； 所述制備方法的步驟包括:將電子產品放入反應腔內的樣品臺上，利用真空控制系統排出腔體中的空氣，使反應腔內處于真空狀態;將反應氣體按照預設的流量比經進氣系統通入到反應腔體中，并達到預設壓強;其中所述反應氣體包括引發劑和鍍層材料單體;反應氣體經過已加熱到預設溫度的合金絲，其中所述引發劑在已加熱合金絲的誘導下會進行熱分解形成自由基；自由基和鍍層材料單體在位于樣品臺上的電子產品表面吸附并進行室溫下的原位自由基聚合反應，形成本發明所述的電子產品防護涂層。2.根據權利要求1所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述引發式化學氣相沉積設備還包括設置于反應腔外部的加熱帶。3.根據權利要求2所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述制備方法的步驟包括:所述防護涂層的制備過程中，所述加熱帶的加熱溫度控制在30°C?70°C范圍內。4.根據權利要求1?3任意一項所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述鍍層材料單體選自含氟烷烴的一種或幾種，其中含氟烷烴類結構式為CH2=C(R1)-COO-R2，Ri是-H或者-CH3，R2是-(CH2)-(CF2) n_CF3，其中n=3_7 ；所述弓丨發劑選自二叔丁基過氧化氫，二叔戊基過氧化氫，過氧化苯甲酸特丁酯或者全氟丁基磺酰氟的一種或幾種;所述合金絲的加熱預設溫度為150 0C?200 0C。5.根據權利要求1?3任意一項所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述鍍層材料單體選自硅氧烷中的一種或幾種，其中硅氧烷結構式為CH2=CH(R3)，R3表示含有S1-O-Si單元的鏈狀結構或者環狀結構;所述引發劑選自二叔丁基過氧化氫，二叔戊基過氧化氫，過氧化苯甲酸特丁酯或者全氟丁基磺酰氟的一種或幾種;所述合金絲的加熱預設溫度為200 °C?250 °C。6.根據權利要求4或5所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述鍍層單體和引發劑的流量比控制在1:3?10:1之間。7.根據權利要求1?3任意一項所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述室溫下的原位自由基聚合反應，其中所述室溫是指控制樣品臺溫度在20°C?40°C。8.根據權利要求1?3任意一項所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述預設壓強范圍為100?500mTorr。9.根據權利要求1?3任意一項所述的一種電子產品防護涂層的制備方法，其特征在于:所述電子產品，包括各類電子元器件、電路板，顯示設備;且所述電子產品內的部件材料包括金屬制品、塑料制品或紙制品。10.—種防護涂層在電子產品上的應用，所述防護涂層根據權利要求1?9任一項制備方法制得。
【文檔編號】C23C16/46GK105937024SQ201610246879
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年4月20日
【發明人】葉羽敏
【申請人】葉羽敏