本發明涉及一種樹脂砂，具體涉及一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂。
背景技術：
樹脂砂crystrip塑料粒是由熱塑性壓克力或聚合熱固胺類制成的顆粒，有角的顆粒設計，為大部分干式條狀表面鍍膜，提供了有效的處理方法。crystrip塑料具化學惰性，透過適當的使用與回收，這種干式條狀方式可降低有害廢物的產生，減少環境污染。樹脂砂采用的樹脂價格較貴，一般在10000元/t左右，故其對鑄造成本影響較大，同時由于生產廠家的生產設備參差不齊，生產的樹脂的質量也有較大差別。如果選擇了質量較差的樹脂，既影響了樹脂砂型砂的質量，造成鑄件廢品增多，又增大了樹脂的加入量，直接結果是使鑄造成本增大，因此對樹脂砂原材料的選擇，不能只根據生產廠家提供的技術數據確定，而應對樹脂砂生產廠家的生產設備、生產過程及質量控制手段有所了解，并盡量自己對樹脂的各項指標進行檢驗或請有關的有較好信譽的檢驗部門進行檢驗，或借鑒同類使用廠家的經驗，或選擇信譽較好的知名大企業的樹脂砂產品。
樹脂砂其它原材料包括固化劑、涂料、粘結劑、脫模劑、封箱泥條等，這些原材料對鑄件質量的影響不是主要的，但對樹脂砂鑄造成本的影響也不容忽視，如固化劑加入量的不同，不但由于影響造型過程的生特種工具產效率而影響生產成本，而且還影響材料費用。因此，樹脂砂其它原材料的選擇原則是既考慮其質量問題，又要考慮其與主要材料的匹配如采購、運輸方便等問題。總之，只要樹脂砂設備選擇合理、性能可靠、運行正常，原材料選擇匹配、質量穩定、供應及時，生產工藝參數制定合理、工裝器具保證，自硬樹脂砂鑄造就能夠控制并降低鑄造成本，給企業帶來發展和效益。
樹脂砂已經被廣泛運用于鑄造業中，但是，現有的樹脂砂其抗拉強度、抗彎強度差，發氣量高，其中，發氣量的大小對鑄件是否產生氣孔缺陷有很大影響，發氣量越高鑄件中氣孔越多，生產的鑄件廢品率越高，因此，現有的這種樹脂砂制造的鑄件使用壽命短，使用范圍受到限制，而且，廢品率高。
技術實現要素：
發明目的：本發明針對不足，提出一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂，通過減少樹脂和固化劑的含量，提高樹脂砂的性能，降低樹脂砂的灰分和水分，從而改善了鑄件的質量，發氣量減少，同時提高了再生砂的質量，形成良性循壞。
技術方案：本發明所述的一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂，包括原砂、樹脂、固化劑以及干燥劑，所述的原砂占樹脂砂總質量百分比為97-98.5%，所述的樹脂占樹脂砂總質量百分比為0.6-0.8%，所述的固化劑占樹脂砂總質量百分比為0.4-0.5%，所述的干燥劑占樹脂砂總質量百分比為0.3-0.5%。
進一步的，所述的樹脂為聚丙乙烯。
進一步的，所述的固化劑為六亞甲基四胺。
進一步的，所述的干燥劑為硬脂酸鈣。
有益效果：本發明的一種樹脂砂，通過減少樹脂和固化劑的含量，提高樹脂砂的性能，降低樹脂砂的灰分和水分，從而改善了鑄件的質量，發氣量減少，同時提高了再生砂的質量，形成良性循壞。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明作進一步說明：
實施例1
一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂，包括原砂、聚丙乙烯、六亞甲基四胺以及硬脂酸鈣，所述的原砂占樹脂砂總質量百分比為98.2%，所述的聚丙乙烯占樹脂砂總質量百分比為0.8%，所述的六亞甲基四胺占樹脂砂總質量百分比為0.5%，所述的硬脂酸鈣占樹脂砂總質量百分比為0.5%。
實施例2
一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂，包括原砂、聚丙乙烯、六亞甲基四胺以及硬脂酸鈣，所述的原砂占樹脂砂總質量百分比為98%，所述的聚丙乙烯占樹脂砂總質量百分比為0.6%，所述的六亞甲基四胺占樹脂砂總質量百分比為0.4%，所述的硬脂酸鈣占樹脂砂總質量百分比為0.5%。
實施例3
一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂，包括原砂、聚丙乙烯、六亞甲基四胺以及硬脂酸鈣，所述的原砂占樹脂砂總質量百分比為98.5%，所述的聚丙乙烯占樹脂砂總質量百分比為0.7%，所述的六亞甲基四胺占樹脂砂總質量百分比為0.5%，所述的硬脂酸鈣占樹脂砂總質量百分比為0.3%。
實施例4
一種用于機床灰鑄鐵件的高性能低成本的樹脂砂，包括原砂、聚丙乙烯、六亞甲基四胺以及硬脂酸鈣，所述的原砂占樹脂砂總質量百分比為98.4%，所述的聚丙乙烯占樹脂砂總質量百分比為0.7%，所述的六亞甲基四胺占樹脂砂總質量百分比為0.4%，所述的硬脂酸鈣占樹脂砂總質量百分比為0.5%。
本發明的一種樹脂砂，通過減少樹脂和固化劑的含量，提高樹脂砂的性能，降低樹脂砂的灰分和水分，從而改善了鑄件的質量，發氣量減少，同時提高了再生砂的質量，形成良性循壞。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。