專利名稱：蒸鍍方法、蒸鍍裝置和有機el顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍方法和蒸鍍裝置。另外，本發明涉及具備通過蒸鍍形成的發光層的有機EL(Electro Luminescence:電致發光)顯示裝置。
背景技術：
近年來，在各種各樣的商品和領域中使用平板顯示器，要求平板顯示器的進一步大型化、高畫質化和低耗電化。在那樣的狀況下,具備利用有機材料的電場發光(Electro Luminescence)的有機EL元件的有機EL顯示裝置，作為全固體型、且在低電壓可驅動、高速響應性、自發光性等方面優異的平板顯示器，受到高度關注。在例如有源矩陣方式的有機EL顯示裝置中，在設置有TFT(薄膜晶體管)的基板上設置有薄膜狀的有機EL元件。在有機EL元件中，在一對電極間疊層有包含發光層的有機EL層。TFT與一對電極中的一個電極連接。通過向一對電極間施加電壓使發光層發光來進行圖像顯示。在全彩色的有機EL顯示裝置中，通常，具備紅色(R)、綠色(G)、藍色⑶各種顏色的發光層的有機EL元件作為子像素排列形成在基板上。通過使用TFT使這些有機EL元件有選擇地以期望的亮度發光來進行彩色圖像顯示。為了制造有機EL顯示裝置，需要在每個有機EL元件以規定圖案形成包含發出各種顏色的光的有機發光材料的發光層。作為以規定圖案形成發光層的方法，例如已知有真空蒸鍍法、噴墨法、激光轉印法。例如，在低分子型有機EL顯示裝置(OLED)中，多使用真空蒸鍍法。在真空蒸鍍法中，使用形成有規定圖案的開口的掩模(也被稱為蔭罩)。使密合固定有掩模的基板的被蒸鍍面朝向蒸鍍源。然后，使來自蒸鍍源的蒸鍍顆粒(成膜顆粒)通過掩模的開口蒸鍍在被蒸鍍面上，由此形成規定圖案的薄膜。蒸鍍按每個發光層的顏色進行(將此稱為分涂蒸鍍)。在例如專利文獻1、2中，記載有使掩模相對于基板依次移動來進行各種顏色的發光層的分涂蒸鍍的方法。在這樣的方法中，使用與基板同等大小的掩模，在蒸鍍時掩模以覆蓋基板的被蒸鍍面的方式被固定。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開平8-227276號公報專利文獻2:日本特開號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
在這樣的以往的分涂蒸鍍法中，如果基板變大，則與其相伴，掩模也需要大型化。但是，當使掩模變大時，由于掩模的自重彎曲和伸長，容易在基板與掩模之間產生間隙。而且，其間隙的大小根據基板的被蒸鍍面的位置的不同而不同。因此，難以進行高精度的圖案化，會發生蒸鍍位置的偏移和混色，難以實現高精細化。另外，當使掩模變大時，掩模和保持掩模的框架等變得巨大，其重量也增加，因此，處理變得困難，有可能給生產率和安全性帶來障礙。另外，蒸鍍裝置和附設于該蒸鍍裝置的裝置也同樣巨大化、復雜化，因此，裝置設計變得困難，設置成本也變得高昂。因此，在以往的分涂蒸鍍法中，難以應對大型基板，例如，對于超過60英寸大小的那樣的大型基板，沒有實現能夠以量產水平進行分涂蒸鍍的方法。另一方面，在蒸鍍法中，當在基板與掩模之間產生間隙時，有由于蒸鍍材料超出已形成的覆膜的端緣而在覆膜的端緣產生模糊(擴散、暈染、毛邊)的情況。在有機EL顯示裝置中，當在通過分涂蒸鍍形成的發光層的端緣產生模糊時，蒸鍍材料會附著在相鄰的不同顏色的發光層而產生混色。為了使得不產生混色，需要使像素的開口寬度變窄、或者通過使像素間距增大來使非發光區域增大。但是，當使像素的開口寬度變窄時，亮度會下降。當為了得到需要的亮度而提高電流密度時，有機EL元件會壽命變短，或變得容易損傷，從而可靠性降低。另一方面，當使像素間距增大時，不能實現高精細顯示，顯示品質降低。因此，希望抑制覆膜端緣的模糊。另外，在蒸鍍法中，蒸鍍裝置的各部溫度上升，尺寸根據各自的熱膨脹系數而發生變化。當由于這樣的尺寸變化，在基板上形成的覆膜的位置偏離期望位置時，在相鄰的不同顏色的發光層會附著蒸鍍材料而產生混色。
本發明的目的是提供能夠在基板的期望位置形成抑制了端緣的模糊的覆膜的、也能夠適用于大型基板的蒸鍍方法和蒸鍍裝置。另外，本發明的目的是提供可靠性和顯示品質優異的大型有機EL顯示裝置。解決技術問題的技術手段本發明的蒸鍍方法是在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍方法，具有使蒸鍍顆粒附著在上述基板上形成上述覆膜的蒸鍍工序。上述蒸鍍工序是使用蒸鍍單元使上述蒸鍍顆粒附著在上述基板上的工序，上述蒸鍍單元具備:具備放出上述蒸鍍顆粒的多個蒸鍍源開口的蒸鍍源；配置在上述多個蒸鍍源開口與上述基板之間的蒸鍍掩模；和包括沿與上述基板的法線方向正交的第一方向配置的多個控制板，配置在上述蒸鍍源與上述蒸鍍掩模之間的控制板單元，在上述蒸鍍工序中，使用上述蒸鍍單元，在使上述基板與上述蒸鍍掩模隔開固定間隔的狀態下，使上述基板和上述蒸鍍單元中的一者，沿與上述基板的法線方向和上述第一方向正交的第二方向，相對于上述基板和上述蒸鍍單元中的另一者相對移動，同時使通過在上述第一方向相鄰的上述控制板間的空間和在上述蒸鍍掩模形成的多個掩模開口的上述蒸鍍顆粒附著在上述基板上。上述蒸鍍方法還具有:檢測上述蒸鍍源和上述控制板單元間的在上述第一方向的熱膨脹量差的工序；和對上述熱膨脹量差進行校正的工序。本發明的有機EL顯示裝置具備使用上述本發明的蒸鍍方法形成的發光層。本發明的蒸鍍裝置是在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍裝置，具備蒸鍍單元、移動機構、檢測熱膨脹量差的單元和對上述熱膨脹量差進行校正的單元，其中，上述蒸鍍單元具備:具備放出用于形成上述覆膜的蒸鍍顆粒的多個蒸鍍源開口的蒸鍍源；配置在上述多個蒸鍍源開口與上述基板之間的蒸鍍掩模；和包括沿與上述基板的法線方向正交的第一方向配置的多個控制板，配置在上述蒸鍍源與上述蒸鍍掩模之間的控制板單元，上述移動機構在使上述基板與上述蒸鍍掩模隔開固定間隔的狀態下，使上述基板和上述蒸鍍單元中的一者，沿與上述基板的法線方向和上述第一方向正交的第二方向，相對于上述基板和上述蒸鍍單元中的另一者相對移動，上述檢測熱膨脹量差的單元，檢測上述蒸鍍源和上述控制板單元間的在上述第一方向的熱膨脹量差。發明效果根據本發明的蒸鍍方法和蒸鍍裝置，在使基板和蒸鍍單元中的一者相對于另一者相對移動的同時，使通過在蒸鍍掩模上形成的掩模開口的蒸鍍顆粒附著在基板上，因此，能夠使用比基板小的蒸鍍掩模。因此，即使對于大型基板也能夠通過蒸鍍形成覆膜。在蒸鍍源開口與蒸鍍掩模之間設置的多個控制板，將入射到在第一方向相鄰的控制板間的空間的蒸鍍顆粒，根據其入射角度有選擇地捕捉，因此，僅規定入射角度以下的蒸鍍顆粒向掩模開口入射。由此，蒸鍍顆粒相對于基板的最大入射角度變小，因此，能夠抑制在基板上形成的覆膜的端緣產生的模糊。另外，檢測蒸鍍源和控制板單元間的在第一方向的熱膨脹量差，并對其進行校正。由此，即使蒸鍍源和控制板單元的由溫度變化引起的熱膨脹量不同，也能夠抑制在基板上形成的覆膜的在第一方向的位置偏移。本發明的有機EL顯示裝置，具備使用上述蒸鍍方法形成的發光層，因此，發光層的位置偏移和發光層的端緣的模糊得到抑制。因此，能夠提供可靠性和顯示品質優異，還能夠大型化的有機EL顯示裝置。
圖1是表示有機EL顯示裝置的概略結構的截面圖。圖2是表示構成圖1所示的有機EL顯示裝置的像素的結構的平面圖。圖3是沿圖2的3-3線的構成有機EL顯示裝置的TFT基板的剖視截面圖。圖4是按工序順序表示有機EL顯示裝置的制造工序的流程圖。圖5是表示新蒸鍍法的基本概念的立體圖。圖6是沿與基板的行走方向平行的方向觀看圖5所示的蒸鍍裝置的正面截面圖。圖7是對在圖5的新蒸鍍法中在覆膜的端緣產生模糊的原因進行說明的截面圖。圖8是表示新型蒸鍍法的基本概念的立體圖。圖9是沿與基板的行走方向平行的方向觀看圖8所示的蒸鍍裝置的正面截面圖。圖1OA是表示在新型蒸鍍法中在理想狀態下在基板上形成的覆膜的截面圖，圖1OB是表示在新型蒸鍍法中在蒸鍍源與控制板單元之間產生熱膨脹量差的狀態下在基板上形成的覆膜的截面圖。圖11是表示本發明的實施方式I的蒸鍍裝置的主要部分的立體圖。圖12是本發明的實施方式I的蒸鍍裝置的、沿基板的掃描方向觀看的正面截面圖。圖13是使用本發明的實施方式I的蒸鍍裝置的蒸鍍方法的流程圖。
圖14是本發明的實施方式2的蒸鍍裝置的、沿基板的掃描方向觀看的正面截面圖。圖15是本發明的實施方式3的蒸鍍裝置的、沿基板的掃描方向觀看的正面截面圖。圖16是使用本發明的實施方式4的蒸鍍裝置的蒸鍍方法的流程圖。
具體實施例方式本發明的蒸鍍方法是在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍方法，具有使蒸鍍顆粒附著在上述基板上形成上述覆膜的蒸鍍工序。上述蒸鍍工序是使用蒸鍍單元使上述蒸鍍顆粒附著在上述基板上的工序，上述蒸鍍單元具備:具備放出上述蒸鍍顆粒的多個蒸鍍源開口的蒸鍍源；配置在上述多個蒸鍍源開口與上述基板之間的蒸鍍掩模；和包括沿與上述基板的法線方向正交的第一方向配置的多個控制板，配置在上述蒸鍍源與上述蒸鍍掩模之間的控制板單元，在上述蒸鍍工序中，使用上述蒸鍍單元，在使上述基板與上述蒸鍍掩模隔開固定間隔的狀態下，使上述基板和上述蒸鍍單元中的一者，沿與上述基板的法線方向和上述第一方向正交的第二方向，相對于上述基板和上述蒸鍍單元中的另一者相對移動，同時使通過在上述第一方向相鄰的上述控制板間的空間和在上述蒸鍍掩模形成的多個掩模開口的上述蒸鍍顆粒附著在上述基板上。上述蒸鍍方法還具有:檢測上述蒸鍍源和上述控制板單元間的在上述第一方向的熱膨脹量差的工序；和對上述熱膨脹量差進行校正的工序。在上述的本發明的蒸鍍方法中，優選通過使上述蒸鍍源在與上述第一方向和上述第二方向平行的面內旋轉，對上述熱膨脹量差進行校正。由此，能夠用簡便的方法對由蒸鍍源和控制板單元間的熱膨脹差引起的蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移進行校正。 在上述中，優選使上述蒸鍍源圍繞通過上述蒸鍍源的在上述第一方向的中心位置的旋轉中心軸旋轉。由此，對于全部的蒸鍍源開口，能夠以小的旋轉角度對蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移進行校正。優選在上述基板上形成上述覆膜之前進行:檢測上述熱膨脹量差的工序；和對上述熱膨脹量差進行校正的工序。由此，能夠對由從常溫升溫至蒸鍍溫度的過程中產生的蒸鍍源和控制板單元間的熱膨脹差引起的蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移進行校正。可以一邊在上述基板上形成上述覆膜，一邊進行:檢測上述熱膨脹量差的工序；和對上述熱膨脹量差進行校正的工序。由此，能夠對由蒸鍍中的溫度變化產生的蒸鍍源和控制板單元間的熱膨脹差引起的蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移進行校正。可以從上述蒸鍍源和上述控制板單元以外的不同地點分別觀察上述蒸鍍源和上述控制板單元，檢測上述熱膨脹量差。或者，可以從上述蒸鍍源和上述控制板單元以外的共同地點同時觀察上述蒸鍍源和上述控制板單元，檢測上述熱膨脹量差。由此，能夠以更高精度檢測出熱膨脹量差。另外，能夠減少用于檢測熱膨脹量差的裝置的數量。或者，可以從上述 蒸鍍源和上述控制板單元中的一者觀察另一者，檢測上述熱膨脹量差。由此，能夠使熱膨脹差的運算處理簡化。另外，能夠減少用于檢測熱膨脹量差的裝置的數量。上述的本發明的蒸鍍方法，優選還具有:檢測上述蒸鍍源和上述控制板單元間的在上述第一方向的位置偏移量的工序；和對上述位置偏移量進行校正的工序。由此，能夠使蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移量進一步減少。在上述中，優選通過使上述蒸鍍源在上述第一方向移動，對上述位置偏移量進行校正。由此，能夠用簡便的方法對蒸鍍源和控制板單元間的在第一方向的位置偏移進行校正。優選在對上述熱膨脹量差進行校正之前，對上述位置偏移量進行校正。由此，對于全部的蒸鍍源開口，能夠以小的旋轉角度對蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移進行校正。
優選在上述基板上形成上述覆膜之前進行:檢測上述位置偏移量的工序；和對上述位置偏移量進行校正的工序。由此，能夠對在從常溫升溫至蒸鍍溫度的過程中產生的蒸鍍源和控制板單元間的位置偏移進行校正。可以一邊在上述基板上形成上述覆膜，一邊進行:檢測上述位置偏移量的工序；和對上述位置偏移量進行校正的工序。由此，能夠對由蒸鍍中的溫度變化產生的蒸鍍源和控制板單元間的位置偏移進行校正。可以從上述蒸鍍源和上述控制板單元以外的不同地點分別觀察上述蒸鍍源和上述控制板單元，檢測上述位置偏移量。或者，可以從上述蒸鍍源和上述控制板單元以外的共同地點同時觀察上述蒸鍍源和上述控制板單元，檢測上述位置偏移量。由此，能夠以更高精度檢測出位置偏移量。另外，能夠減少用于檢測位置偏移量的裝置的數量。或者，可以從上述蒸鍍源和上述控制板單元中的一者觀察另一者，檢測上述位置偏移量。由此，能夠使位置偏移量的運算處理簡化。另外，能夠減少用于檢測位置偏移量的裝置的數量。優選上述覆膜是有機EL元件的發光層。由此，能夠提供可靠性和顯示品質優異、且能夠大型化的有機EL顯示裝置。本發明的蒸鍍裝置是在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍裝置，具備蒸鍍單元、移動機構、檢測熱膨脹量差的單元和對上述熱膨脹量差進行校正的單元，其中，上述蒸鍍單元具備:具備放出用于形成上述覆膜的蒸鍍顆粒的多個蒸鍍源開口的蒸鍍源；配置在上述多個蒸鍍源開口與上述基板之間的蒸鍍掩模；和包括沿與上述基板的法線方向正交的第一方向配置的多個控制板，配置在上述蒸鍍源與上述蒸鍍掩模之間的控制板單元，上述移動機構在使上述基板與上述蒸鍍掩模隔開固定間隔的狀態下，在使上述基板和上述蒸鍍單元中的一者，沿與上述基板的法線方向和上述第一方向正交的第二方向，相對于上述基板和上述蒸鍍單元中的另一者相對移動，上述檢測熱膨脹量差的單元檢測上述蒸鍍源和上述控制板單元間的在上述第一方向的熱膨脹量差。在上述的本發明的蒸鍍裝置中，優選對上述熱膨脹量差進行校正的單元包括使上述蒸鍍源在與上述第一方向和上述第二方向平行的面內旋轉的旋轉驅動機構。由此，能夠用簡便的方法對由蒸鍍源和控制板單元間的熱膨脹差引起的蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移進行校正。
優選上述本發明的蒸鍍裝置還具備:檢測上述蒸鍍源和上述控制板單元間的在上述第一方向的位置偏移量的單元；和對上述位置偏移量進行校正的單元。由此，能夠使蒸鍍源開口與控制板的在第一方向的位置偏移量進一步減少。在上述中，優選對上述位置偏移量進行校正的單元包括使上述蒸鍍源在上述第一方向移動的直線驅動機構。由此，能夠用簡便的方法對蒸鍍源和控制板單元間的在第一方向的位置偏移進行校正。優選檢測上述位置偏移量的單元包括與對上述熱膨脹量差進行校正的單元共用的部件。由此，能夠削減部件數量，因此，能夠使蒸鍍裝置的結構簡化，另外，能夠使其成本降低。以下，給出優選的實施方式和實施例對本發明詳細地進行說明。但是，本發明并不限定于以下的實施方式，這是不言而喻的。在以下的說明中參照的各圖，為說明方便起見，僅簡化表示了本發明的實施方式和實施例的構成部件中用于說明本發明所需要的主要部件。因此，本發明能夠具備在以下的各圖中沒有表示的任意的構成部件。另外，以下各圖中的部件的尺寸，并沒有忠實地表示出實際的構成部件的尺寸和各部件的尺寸比率等。(有機EL顯示裝置的結構)對能夠應用本發明制造的有機EL顯示裝置的一個例子進行說明。本例的有機EL顯示裝置，是從TFT基板側取出光的底部發射型的，通過控制包括紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)各種顏色的像素(子像素)的發光來進行彩色的圖像顯示的有機EL顯示裝置。首先，以下對上述有機EL顯示裝置的整體結構進行說明。圖1是表示有機EL顯示裝置的概略結構的截面圖。圖2是表示構成圖1所示的有機EL顯示裝置的像素的 結構的平面圖。圖3是沿圖2的3-3線的構成有機EL顯示裝置的TFT基板的剖視截面圖。如圖1所示，有機EL顯示裝置I具有在設置有TFT12 (參照圖3)的TFT基板10上依次設置有與TFT12連接的有機EL元件20、粘接層30和密封基板40的結構。有機EL顯示裝置I的中央是進行圖像顯示的顯示區域19，有機EL元件20配置在該顯示區域19內。有機EL元件20，通過將疊層有該有機EL元件20的TFT基板10使用粘接層30與密封基板40貼合，被封入在這一對基板10、40之間。這樣有機EL元件20被封入在TFT基板10與密封基板40之間，由此，防止氧氣和水分從外部浸入有機EL元件20。TFT基板10，如圖3所示，具備例如玻璃基板等透明的絕緣基板11作為支撐基板。但是，在頂部發射型的有機EL顯示裝置中，絕緣基板11不需要是透明的。在絕緣基板11上，如圖2所示，設置有多個配線14，該多個配線14包括在水平方向敷設的多個柵極線和在垂直方向敷設的與柵極線交叉的多個信號線。驅動柵極線的未圖示的柵極線驅動電路與柵極線連接，驅動信號線的未圖示的信號線驅動電路與信號線連接。在絕緣基板11上，在由這些配線14包圍的各區域，呈矩陣狀配置有包括紅色(R)、綠色(G)、藍色⑶的有機EL元件20的子像素2R、2G、2B。子像素2R發射紅色光，子像素2G發射綠色光，子像素2B發射藍色光。在列方向(圖2的上下方向)上配置有相同顏色的子像素，在行方向(圖2的左右方向)上重復配置有包括子像素2R、2G、2B的重復單元。構成行方向的重復單元的子像素2R、2G、2B構成像素2(即I個像素)。
各子像素21 、26、28具備承擔各種顏色的發光的發光層231 、236、238。發光層231 、23G、23B在列方向(圖2的上下方向)上呈條狀(stripe)延伸設置。對TFT基板10的結構進行說明。TFT基板10，如圖3所示，在玻璃基板等透明的絕緣基板11上具備TFT12(開關元件)、配線14、層間膜13 (層間絕緣膜、平坦化膜)、邊緣覆蓋物15等。TFT12作為控制子像素2R、2G、2B的發光的開關元件發揮作用，按每個子像素2R、2G、2B設置。TFT12與配線14連接。層間膜13也作為平坦化膜發揮作用，以覆蓋TFT12和配線14的方式疊層在絕緣基板11上的顯示區域19的整個面上。在層間膜13上形成有第一電極21。第一電極21通過在層間膜13中形成的接觸孔13a與TFT12電連接。邊緣覆蓋物15以覆蓋第一電極21的圖案端部的方式形成在層間膜13上。邊緣覆蓋物15是用于防止由于在第一電極21的圖案端部有機EL層27變薄或發生電場集中而導致構成有機EL元件20的第一電極21與第二電極26短路的絕緣層。在邊緣覆蓋物15，按每個子像素2R、2G、2B設置有開口 15R、15G、15B。該邊緣覆蓋物15的開口 151 、156、158成為各子像素21 、26、28的發光區域。換言之，各子像素2R、2G、2B由具有絕緣性的邊緣覆蓋物15隔開。邊緣覆蓋物15也作為元件分離膜發揮作用。對有機EL元件20進行說明。有機EL元件20是能夠通過低電壓直流驅動進行高亮度發光的發光元件，依次具備第一電極21、有機EL層27和第二電極26。第一電極21是具有向有機EL層27注入(供給)空穴的功能的層。第一電極21如上述那樣通過接觸孔13a與TFT12連接。有機EL層27，如圖3所示，在第一電極21與第二電極26之間，從第一電極21側起依次具備空穴注入層兼空穴輸送層22、發光層23R、23G、23B、電子輸送層24和電子注入層25。在本實施方式中，將第一電極21設為陽極，將第二電極26設為陰極，但也可以將第一電極21設為陰極，將第二電極26設為陽極，在此情況下，構成有機EL層27的各層的順序相反。空穴注入層兼空穴輸送層22，兼具作為空穴注入層的功能和作為空穴輸送層的功能。空穴注入層是具有提高空穴向有機EL層27的注入效率的功能的層。空穴輸送層是具有提高空穴向發光層23R、23G、23B的輸送效率的功能的層。空穴注入層兼空穴輸送層22以覆蓋第一電極21和邊緣覆蓋物15的方式均勻地形成在TFT基板10的顯示區域19的整個面上。在本實施方式中，設置有空穴注入層與空穴輸送層一體化的空穴注入層兼空穴輸送層22，但本發明并不限定于此，空穴注入層與空穴輸送層可以形成為相互獨立的層。在空穴注入層兼空穴輸送層22上，發光層23R、23G、23B以覆蓋邊緣覆蓋物15的開口 15R、15G、15B的方式，分別與子像素2R 、2G、2B的列對應地形成。發光層23R、23G、23B是具有使從第一電極21側注入的空穴與從第二電極26側注入的電子復合而射出光的功能的層。發光層23R、23G、23B分別包含低分子熒光色素或金屬絡合物等發光效率高的材料層。電子輸送層24是具有提高從第二電極26向發光層23R、23G、23B的電子輸送效率的功能的層。電子注入層25是具有提高從第二電極26向有機EL層27的電子注入效率的功能的層。電子輸送層24，以覆蓋發光層23R、23G、23B和空穴注入層兼空穴輸送層22的方式，在發光層23R、23G、23B和空穴注入層兼空穴輸送層22上，遍及TFT基板10的顯示區域19的整個面均勻地形成。另外，電子注入層25，以覆蓋電子輸送層24的方式，在電子輸送層24上，遍及TFT基板10的顯示區域19的整個面均勻地形成。在本實施方式中，電子輸送層24與電子注入層25作為相互獨立的層設置，但本發明并不限定于此，也可以設置為兩者一體化的單一的層(即電子輸送層兼電子注入層)。第二電極26是具有向有機EL層27注入電子的功能的層。第二電極26，以覆蓋電子注入層25的方式，在電子注入層25上，遍及TFT基板10的顯示區域19的整個面均勻地形成。。此外，發光層23R、23G、23B以外的有機層，作為有機EL層27不是必須的，只要根據要求的有機EL元件20的特性來取舍選擇即可。另外，有機EL層27，根據需要還可以具有載流子阻擋層。例如，通過在發光層23R、23G、23B與電子輸送層24之間追加空穴阻擋層作為載流子阻擋層，能夠阻止空穴漏到電子輸送層24，提高發光效率。(有機EL顯示裝置的制造方法)接著，以下對 有機EL顯示裝置I的制造方法進行說明。圖4是按工序順序表示上述有機EL顯示裝置I的制造工序的流程圖。如圖4所示,本實施方式的有機EL顯示裝置I的制造方法,例如依次包括:TFT基板和第一電極的制作工序S1、空穴注入層和空穴輸送層的形成工序S2、發光層的形成工序S3、電子輸送層的形成工序S4、電子注入層的形成工序S5、第二電極的形成工序S6和密封工序S7。以下，對圖4的各工序進行說明。但是，以下所示的各構成要素的尺寸、材質、形狀等只不過是一個例子，本發明并不限定于此。另外，在本實施方式中，將第一電極21設為陽極，將第二電極26設為陰極，在與此相反將第一電極21設為陰極、將第二電極26設為陽極的情況下，有機EL層的疊層順序與以下說明的順序相反。同樣，構成第一電極21和第二電極26的材料也與以下的說明相反。首先，用公知的方法在絕緣基板上形成TFT12和配線14等。作為絕緣基板11，能夠使用例如透明的玻璃基板或塑料基板等。在一個實施例中，作為絕緣基板11，能夠使用厚度約為1mm、縱橫尺寸為500X400mm的矩形形狀的玻璃板。接著，以覆蓋TFT12和配線14的方式在絕緣基板11上涂敷感光性樹脂，利用光刻技術進行圖案化，由此形成層間膜13。作為層間膜13的材料，能夠使用例如丙烯酸酯樹脂和聚酰亞胺樹脂等絕緣性材料。但是，聚酰亞胺樹脂一般不透明，是有色的。因此，在制造圖3所示的那樣的底部發射型的有機EL顯示裝置I的情況下，作為層間膜13，優選使用丙烯酸酯樹脂透明性樹脂。層間膜13的厚度，只要能夠將TFT12的上表面的臺階消除即可，沒有特別限定。在一個實施例中，能夠使用丙烯酸酯樹脂形成厚度約為2 μ m的層間膜13。
接著，在層間膜13中形成用于將第一電極21與TFT12電連接的接觸孔13a。接著，在層間膜13上形成第一電極21。即，在層間膜13上形成導電膜(電極膜)。接著，在導電膜上涂敷光致抗蝕劑，使用光刻技術進行圖案化后，將氯化鐵作為蝕刻液，對導電膜進行蝕刻。然后，使用抗蝕劑剝離液將光致抗蝕劑剝離，再進行基板清洗。由此，在層間膜13上得到矩陣狀的第一電極21。作為在第一電極21中使用的導電膜材料,也能夠使用:IT0(Indium Tin Oxide:銦錫氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:銦鋅氧化物)、添加鎵的氧化鋅(GZO)等透明導電材料；和金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Pt)等金屬材料。作為導電膜的疊層方法，能夠使用派射法、真空蒸鍍法、CVD(chemical vapordeposition (化學氣相沉積)、化學蒸鍍)法、等離子體CVD法、印刷法等。在一個實施例中，能夠通過濺射法，使用ITO形成厚度約為IOOnm的第一電極21。接著，形成規定圖案的邊緣覆蓋物15。邊緣覆蓋物15能夠使用例如與層間膜13同樣的絕緣材料，能夠用與層間膜13同樣的方法進行圖案化。在一個實施例中，能夠使用丙烯酸酯樹脂形成厚度約為I μ m的邊緣覆蓋物15。通過以上工序，制作TFT基板10和第一電極21 (工序SI)。接著， 對經過工序SI的TFT基板10，進行減壓烘焙處理以脫水，再進行氧等離子體處理以洗凈第一電極21的表面。接著，在上述TFT基板10上，通過蒸鍍法在TFT基板10的顯示區域19的整個面上形成空穴注入層和空穴輸送層(在本實施方式中為空穴注入層兼空穴輸送層22) (S2)。具體而言,將顯示區域19的整個面開口的開放掩模(open mask)密合固定在TFT基板10上，在使TFT基板10與開放掩模一起旋轉的同時，通過開放掩模的開口向TFT基板10的顯示區域19的整個面上蒸鍍空穴注入層和空穴輸送層的材料。空穴注入層和空穴輸送層，如上述那樣可以一體化，也可以是相互獨立的層。層的厚度，每一層例如為10 100nm。作為空穴注入層和空穴輸送層的材料，例如可以列舉揮發油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、葸、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮雜苯并菲、和它們的衍生物、聚硅烷類化合物、乙烯基咔唑類化合物、噻吩類化合物、苯胺類化合物等雜環式或鏈狀式共軛類的單體、低聚物或聚合物等。在一個實施例中，能夠使用4，4’-二 [N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(a-NPD)形成厚度30nm的空穴注入層兼空穴輸送層22。接著，在空穴注入層兼空穴輸送層22上，以覆蓋邊緣覆蓋物15的開口 15R、15G、15B的方式，呈條狀形成發光層23R、23G、23B(S3)。發光層23R、23G、23B以按紅色、綠色、藍色的各顏色分涂規定區域的方式被蒸鍍(分涂蒸鍍)。作為發光層23R、23G、23B的材料，使用低分子熒光色素、金屬絡合物等發光效率高的材料。例如可以列舉葸、萘、茚、菲、芘、苯并萘、苯并菲、葸、二萘嵌苯、茜、熒葸、醋菲烯、戊芬、并五苯、暈苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、和它們的衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁絡合物、二(羥基苯并喹啉)鈹絡合物、三(聯苯甲酰甲基)菲羅啉銪絡合物、二甲苯基乙烯基聯苯等。發光層23R、23G、23B的厚度，能夠設為例如10 100nm。
本發明的蒸鍍方法和蒸鍍裝置，能夠特別適合用于該發光層23R、23G、23B的分涂蒸鍍。使用本發明的發光層23R、23G、23B的形成方法的詳細情況將在后面說明。接著，以覆蓋空穴注入層兼空穴輸送層22和發光層23R、23G、23B的方式，在TFT基板10的顯示區域19的整個面上，通過蒸鍍法形成電子輸送層24(S4)。電子輸送層24能夠通過與上述的空穴注入層和空穴輸送層的形成工序S2同樣的方法來形成。接著，以覆蓋電子輸送層24的方式，在TFT基板10的顯示區域19的整個面上，通過蒸鍍法形成電子注入層25 (S5)。電子注入層25能夠通過與上述的空穴注入層和空穴輸送層的形成工序S2同樣的方法來形成。作為電子輸送層24和電子注入層25的材料，例如能夠使用喹啉、二萘嵌苯、菲羅啉、聯苯乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮、和它們的衍生物或金屬絡合物、LiF (氟化鋰)等。如上述那樣電子輸送層24和電子注入層25可以形成為一體化的單一層，或者也可以形成為獨立的層。各層的厚度例如為I lOOnm。另外，電子輸送層24和電子注入層25的合計厚度例如為20 200nm。在一個實施例中，能夠使用Alq (三(8-羥基喹啉)鋁)形成厚度30nm的電子輸送層24，使用LiF (氟化鋰)形成厚度Inm的電子注入層25。接著，以覆蓋電子注入層25的方式，在TFT基板10的顯示區域19的整個面上，通過蒸鍍法形成第 二電極26 (S6)。第二電極26能夠通過與上述的空穴注入層和空穴輸送層的形成工序S2同樣的方法來形成。作為第二電極26的材料(電極材料)，適合使用功函數小的金屬等。作為這樣的電極材料，例如可以列舉鎂合金(MgAg等)、鋁合金(AlL1、AlCa、AlMg等)、金屬鈣等。第二電極26的厚度例如為50 lOOnm。在一個實施例中，能夠使用招形成厚度50nm的第二電極26。在第二電極26上，可以以覆蓋第二電極26的方式，進一步設置保護膜，以防止氧氣和水分從外部浸入到有機EL元件20內。作為保護膜的材料，能夠使用具有絕緣性或導電性的材料，例如可以列舉氮化硅和氧化硅。保護膜的厚度例如為100 lOOOnm。通過以上工序，能夠在TFT基板10上形成包括第一電極21、有機EL層27和第二電極26的有機EL元件20。接著，如圖1所示，將形成有有機EL元件20的TFT基板10和密封基板40用粘接層30貼合，將有機EL元件20密封。作為密封基板40，能夠使用例如厚度為0.4 1.1mm的玻璃基板或塑料基板等絕緣基板。這樣,得到有機EL顯示裝置I。在這樣的有機EL顯示裝置I中，當通過來自配線14的信號輸入使TFT12導通(ON)時，從第一電極21向有機EL層27注入空穴。另一方面，從第二電極26向有機EL層27注入電子。空穴和電子在發光層23R、23G、23B內復合能量失活時射出規定顏色的光。通過控制各子像素2R、2G、2B的發光亮度，能夠在顯示區域19顯示規定的圖像。以下，對通過分涂蒸鍍形成發光層23R、23G、23B的工序S3進行說明。(新蒸鍍法)作為分涂蒸鍍發光層23R、23G、23B的方法，本發明人代替專利文獻1、2那樣的在
蒸鍍時將與基板同等大小的掩模固定在基板上的蒸鍍方法，研究了在使基板相對于蒸鍍源和蒸鍍掩模移動的同時進行蒸鍍的新的蒸鍍方法(以下稱為“新蒸鍍法”)。圖5是表示新蒸鍍法的基本概念的立體圖。由蒸鍍源960和蒸鍍掩模970構成蒸鍍單元950。蒸鍍源960與蒸鍍掩模970的相對位置是固定的。基板10在相對于蒸鍍掩模970與蒸鍍源960相反的一側以固定速度在一個方向IOa上移動。在蒸鍍源960的上表面，形成有各自放出蒸鍍顆粒991的多個蒸鍍源開口 961，在蒸鍍掩模970上形成有多個掩模開口 971。從蒸鍍源開口 961放出的蒸鍍顆粒991，通過掩模開口 971附著在基板10上。通過按發光層23R、23G、23B的各顏色反復進行蒸鍍，能夠進行發光層23R、23G、23B的分涂蒸鍍。根據這樣的新蒸鍍方法，能夠與基板10的在基板10的移動方向IOa的尺寸無關地設定蒸鍍掩模970的在基板10的移動方向IOa的尺寸Lm。因此，能夠使用比基板10小的蒸鍍掩模970。因此，即使使基板10大型化也不需要使蒸鍍掩模970大型化，因此，不會發生蒸鍍掩模970的自重彎曲和伸長的問題。另外，蒸鍍掩模970和保持該蒸鍍掩模970的框架等也不會巨大化和重型化。因此，解決了專利文獻1、2中記載的以往的蒸鍍法的問題，能夠對大型基板進行分涂蒸鍍。但是，本發明人進一步研究的結果判明:圖5所示的新蒸鍍法，與專利文獻1、2的蒸鍍法相比，有容易在形成的覆膜(蒸鍍膜)的端緣產生模糊的問題。以下對該問題的產生原因進行說明。圖6是沿與基板10的移動方向IOa平行的方向觀看的、圖5的蒸鍍裝置的正面圖。多個蒸鍍源開口 961和多個掩模開口 971在圖6的紙面的左右方向排列。蒸鍍顆粒991從各蒸鍍源開口 961具有某一展寬(指向性)地被放出。即，在圖6中，從蒸鍍源開口961放出的蒸鍍顆粒991的數量，在蒸鍍源開口 961的正上方向最多，隨著與正上方向成的角度(出射角度)增大 而逐漸減少。從蒸鍍源開口 961放出的各蒸鍍顆粒991，向各自的放出方向直線行進。在圖6中，用箭頭概念性地表示出了從蒸鍍源開口 961放出的蒸鍍顆粒991的路徑。因此，在各掩模開口 971，從位于其正下方的蒸鍍源開口 961放出的蒸鍍顆粒991飛來得最多，但并不限定于此，從位于斜下方的蒸鍍源開口 961放出的蒸鍍顆粒991也飛來。圖7是由通過某個掩模開口 971的蒸鍍顆粒991在基板10上形成的覆膜990的、與圖6同樣沿與基板10的移動方向IOa平行的方向觀看的截面圖。如上述那樣，從各個方向飛來的蒸鍍顆粒991通過掩模開口 971。到達基板10的被蒸鍍面IOe的蒸鍍顆粒991的數量，在掩模開口 971的正上方的區域最多，隨著遠離該區域而逐漸減少。因此，如圖7所示，在基板10的被蒸鍍面10e，在將掩模開口 971向正上方向投影到基板10上的區域，形成厚并且具有大致固定厚度的覆膜主要部分990c，在其兩側形成隨著遠離覆膜主要部分990c而逐漸變薄的模糊部分990e。于是，該模糊部分990e使得產生覆膜990的端緣的模糊。為了使模糊部分990e的寬度We減小，只要使蒸鍍掩模970與基板10的間隔減小即可。但是，在新蒸鍍法中，需要使基板10相對于蒸鍍掩模970相對移動，因此，不能使蒸鍍掩模970與基板10的間隔為零。當模糊部分990e的寬度We變大、模糊部分990e達到相鄰的不同顏色的發光層區域時，會產生“混色”，有機EL元件的特性會劣化。為了使得模糊部分990e不達到相鄰的不同顏色的發光層區域以使得不產生混色，需要使像素(是指圖2的子像素2R、2G、2B)的開口寬度變窄，或者通過使像素的間距增大來使非發光區域增大。然而，當使像素的開口寬度變窄時，發光區域變小，因此亮度降低。當為了得到需要的亮度而提高電流密度時，有機EL元件會壽命變短，或者會變得容易損傷，由此可靠性降低。另一方面，當使像素間距增大時，不能實現高精細顯示，顯示品質降低。像以上那樣，圖5所示的新蒸鍍法，雖然具有能夠對大型基板進行分涂蒸鍍的特長，但是，容易在覆膜(蒸鍍膜)的端緣產生模糊部分990e，而且難以使該模糊部分990e的寬度We減小。(新型蒸鍍法)作為解決圖5和圖6所示的新蒸鍍法的上述問題的分涂蒸鍍方法，本發明人對在蒸鍍源與蒸鍍掩模之間配置多個控制板的蒸鍍方法(以下稱為“新型蒸鍍法”)進行了研究。圖8是表示新型蒸鍍法的基本概念的立體圖。圖9是沿與基板的行走方向平行的方向觀看圖8所示的蒸鍍裝置的正面截面圖。在這些圖中，對與圖5、圖6所示的部件相同的部件標注相同的符號，并省略它們的說明。為以下說明方便起見，設定以沿基板10的寬度方向的水平方向軸 為X軸、以與X軸垂直的水平方向軸為Y軸、以與X軸和Y軸垂直的上下方向軸為Z軸的XYZ正交坐標系。Y軸與基板10的移動方向IOa平行，Z軸與基板10的被蒸鍍面IOe的法線方向平行。在蒸鍍源960與蒸鍍掩模970之間配置有具有多個控制板981的控制板單元980。各控制板981的主面(面積最大的面)與YZ面平行。多個控制板981與多個蒸鍍源開口961的配置方向(即X軸方向)平行地以固定間距配置。多個控制板981與框狀的保持體985通過例如焊接等方法保持為一體，該框狀的保持體985包括與X軸方向平行的一對第一保持部件986和與Y軸方向平行的一對第二保持部件987。對控制板981的作用進行說明。從各蒸鍍源開口 961具有某一展寬(指向性)地放出的蒸鍍顆粒991，入射到相鄰的控制板981之間的空間(以下稱為“控制空間982” )。蒸鍍顆粒991中速度矢量的X軸方向成分大的蒸鍍顆粒991，與控制板981碰撞并附著于其上，從而不能到達掩模開口 971。即，控制板981對入射到掩模開口 971的蒸鍍顆粒991的入射角度進行限制。在此，對掩模開口 971的“入射角度”，由在向XZ面的投影圖中，蒸鍍顆粒991的飛翔方向相對于Z軸所成的角度來定義。這樣，根據新型蒸鍍法，通過使用多個控制板981，能夠使X軸方向的蒸鍍顆粒991的指向性提高。因此，能夠使模糊部分990e的寬度We減小。另一方面，多個控制板981與YZ面平行，因此，即使是速度矢量的Y軸方向成分大的蒸鍍顆粒991，也不會被控制板981捕捉。因此，由使用多個控制板981引起的蒸鍍材料的利用效率和蒸鍍速率的降低是非常小的。在圖8和圖9所示的新型蒸鍍法中，為了使蒸鍍顆粒991從蒸鍍源開口 961放出，在蒸鍍時需要將蒸鍍源960維持為規定的高溫。因此，蒸鍍源960在從蒸鍍開始前的常溫升溫至蒸鍍時的高溫的過程中會熱膨脹。
另外，由于來自蒸鍍源960的輻射熱等，配置在蒸鍍源960附近的控制板單元980和蒸鍍掩模970等也升溫并熱膨脹。因此，當在蒸鍍源960與其周邊部件之間存在熱膨脹率差或溫度差(例如升溫速度差)時，在兩者間會產生熱膨脹量差。圖1OA是表示在蒸鍍源960與其周邊部件之間沒有產生熱膨脹量差的理想狀態下，在基板10形成的覆膜990的截面圖。在本例中，相對于I個控制空間982配置有I個蒸鍍源開口 961，在X軸方向，蒸鍍源開口 961配置在一對控制板981的中央位置。從蒸鍍源開口 961放出的蒸鍍顆粒991中依次通過控制空間982、掩模開口 971的蒸鍍顆粒991，附著于基板10形成覆膜990。圖1OB是表示在蒸鍍源960與控制板單元980和蒸鍍掩模970之間產生了熱膨脹量差的狀態下，在基板10形成的覆膜990的截面圖。在本例中，蒸鍍源960發生了熱膨脹，而控制板單元980和蒸鍍掩模970實質上沒有發生熱膨脹。其結果，相對于控制板981和蒸鍍掩模970,蒸鍍源開口 961向右方向發生了位置偏移。961’表不圖1OA所不的理想狀態下的蒸鍍源開口的位置。由于蒸鍍源開口 961相對于控制板981和蒸鍍掩模970相對地發生位置偏移，在基板10形成的覆膜990的位置，相對于圖1OA所示的理想狀態下的位置990’向左方向發生位置偏移。在新型蒸鍍法中，如圖1OB所示，由于蒸鍍源開口 61的相對的位置偏移，覆膜990發生位置偏移，這是因為放出向各掩模開口 971入射的蒸鍍顆粒991的蒸鍍源開口 961已由控制板981進行了選擇。為了使圖1OB所示的覆膜990的位置偏移量減小，只要使蒸鍍掩模970與基板10的間隔減小即可。但是，在新型蒸鍍法中，需要使基板10相對于蒸鍍掩模970相對移動，因此，不能使蒸鍍掩模970與基板10的間隔為零。當覆膜990的位置偏移量大時，蒸鍍材料會附著在相鄰的不同顏色的發光層而產生混色。為了使得不產生混色，需要使像素(是指圖2的子像素2R、2G、2B)的開口寬度變窄，或者通過使像素的間距增大，使非發光區域增大。然而，當使像素的開口寬度變窄時，發光區域變小，因此亮度降低。當為了得到需要的亮度而提高電流密度時，有機EL元件會壽命變短，或者會變得容易損傷，由此可靠性降低。另一方面，當使像素間距增大時，不能實現高精細顯示，顯示品質降低。本發明人為了解決新型蒸鍍法的上述問題進行了深入研究，完成了本發明。以下，對本發明的優選實施方式進行說明。(實施方式I)圖11是表示本發明的實施方式I的蒸鍍裝置的主要部分的立體圖。為以下說明方便起見，設定以沿基板10的寬度方向(第一方向)的水平方向軸為X軸、以與X軸垂直的水平方向軸為Y軸、以與X軸和Y軸垂直的上下方向軸為Z軸的XYZ正交坐標系。Z軸與基板10的被蒸鍍面的法線方向平行。為說明方便起見，將Z軸方向的箭頭側(圖11的紙面的上側)稱為“上側”。與蒸鍍源60在Z軸方向相對地配置有蒸鍍掩模70。
蒸鍍源60在其上表面(即與蒸鍍掩模70相對的表面)具備多個蒸鍍源開口 61。多個蒸鍍源開口 61沿與X軸方向大致平行的直線以固定間距配置。各蒸鍍源開口 61具有與Z軸平行地向上方開口的噴嘴形狀，向蒸鍍掩模70放出作為發光層的材料的蒸鍍顆粒91。蒸鍍掩模70是其主面(面積最大的面)與XY面平行的板狀物，沿X軸方向在X軸方向的不同位置形成有多個掩模開口 71。在本實施方式中，各掩模開口 71的開口形狀具有與Y軸平行的隙縫形狀，但本發明并不限定于此。全部掩模開口 71的形狀和尺寸可以相同，也可以不同。掩模開口 71的X軸方向間距可以固定，也可以不同。在蒸鍍源開口 61與蒸鍍掩模70之間配置有控制板單元80。控制板單元80包括沿X軸方向以固定間距配置的多個控制板81。多個控制板81是相同尺寸的薄板，其主面(面積最大的面)與Y軸和Z軸平行。在X軸方向相鄰的控制板81間的空間，為蒸鍍顆粒91通過的控制空間82。在圖11中，蒸鍍源開口 61和控制空間82的數量是4個，但本發明并不限定于此，可以比該數量多也可以比該數量少。另外，蒸鍍源開口 61和控制空間82不需要為相同數
量，可以任一者比另一者多。在本實施方式中，控制板單元80通過在大致長方體狀物中在X軸方向以固定間距形成在Z軸方向貫通的長方體狀的貫通孔而形成。各貫通孔成為控制空間82，相鄰的貫通孔間的間隔壁成為控制板81。但是，控制單元80的制造方法并不限定于此。例如，可以與圖8的控制單元980同樣，將分別制作的相同尺寸的多個控制板81通過焊接等以固定間距固定在大致矩形框狀的保持體上。在蒸鍍源60與控制板單元80之間，以主面與XY面平行的方式配置有包括薄板的閘門(shutter) 95。閘門95能夠在蒸鍍源60和控制板單元80之間的位置與從該位置退避的位置之間往返移動。將閘門95位于蒸鍍源60與控制板單元80之間的狀態稱為閘門95關閉的狀態，在該狀態下，從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91不能入射到控制空間82。將閘門95從蒸鍍源60與控制 板單元80之間退避的狀態稱為閘門95打開的狀態，在該狀態下，從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91入射到控制空間82。蒸鍍源開口 61與多個控制板81在Z軸方向分離，并且多個控制板81與蒸鍍掩模70在Z軸方向分離。蒸鍍源60、控制板單元80和蒸鍍掩模70的相對位置，除了后述的用于進行校正的蒸鍍源60的位置調整以外，至少在進行分涂蒸鍍的期間中是固定的。蒸鍍源60、閘門95、控制板單元80和蒸鍍掩模70構成蒸鍍單元50。基板10，通過未圖示的移動機構，在蒸鍍掩模70的與蒸鍍源60相反的一側，在距離蒸鍍掩模70固定間隔的狀態下，以固定速度沿Y軸方向(第二方向)IOa掃描(移動)。當在已從蒸鍍源開口 61放出蒸鍍顆粒91的狀態下打開閘門95時，蒸鍍顆粒91依次通過控制板單元80的控制空間82、蒸鍍掩模70的掩模開口 71。蒸鍍顆粒91附著于在Y軸方向上行走的基板10的被蒸鍍面(即基板10的與蒸鍍掩模70相對的一側的面)IOe形成覆膜90 (參照后述的圖12)。覆膜90成為在Y軸方向延伸的條狀。形成覆膜90的蒸鍍顆粒91，一定通過控制空間82和掩模開口 71。可以將控制板單元80和蒸鍍掩模70設計成使得從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91不會不通過控制空間82和掩模開口 71就到達基板10的被蒸鍍面10e，并進一步根據需要設置妨礙蒸鍍顆粒91飛翔的防著板等(未圖示)。通過按紅色、綠色、藍色的各顏色改變蒸鍍材料91進行3次蒸鍍(分涂蒸鍍)，能夠在基板10的被蒸鍍面IOe形成與紅色、綠色、藍色的各顏色對應的條狀的覆膜90(即發光層 23R、23G、23B)。控制板81，與圖8和圖9所示的新型蒸鍍法中的控制板981同樣，通過使速度矢量的X軸方向成分大的蒸鍍顆粒91碰撞并附著，來限制在向XZ面的投影圖中，入射到掩模開口 71的蒸鍍顆粒91的入射角度。在此，對掩模開口 71的“入射角度”，由在向XZ面的投影圖中，蒸鍍顆粒91的飛翔方向相對于Z軸所成的角度來定義。其結果，以大的入射角度通過掩模開口 71的蒸鍍顆粒91減少。因此，圖7所示的模糊部分990e的寬度We減小，優選實質上不產生厚度逐漸減少的部分990e，因此，條狀的覆膜90兩側的端緣的模糊的產生被大幅抑制。其結果，在有機EL顯示裝置中，不再需要使發光區域間的非發光區域的寬度增大以使得不產生混色。因此，能夠以高亮度實現高精細的顯示。另外，不再需要為了提高亮度而提高發光層的電流密度。因此，能夠實現長壽命，可靠性提高。
圖12是沿與基板10的寬度方向垂直的方向觀看本實施方式I的蒸鍍裝置的正面截面圖。使用圖12對本實施方式I的蒸鍍裝置的詳細結構進行說明。在框架底板111上，隔著直線驅動機構121和旋轉驅動機構125設置有蒸鍍源60。直線驅動機構121使搭載在其上的旋轉驅動機構125和蒸鍍源60在X軸方向移動，對它們的X軸方向位置進行調整。直線驅動機構121的結構沒有特別限制，例如能夠使用直線電動機等公知的單軸方向定位裝置。旋轉驅動機構125使搭載在其上的蒸鍍源60在與XY面平行的面內旋轉，對蒸鍍源60在該面內的旋轉位置進行調整。旋轉驅動機構125的旋轉中心軸125a與Z軸平行，優選通過在蒸鍍源60形成的多個蒸鍍源開口 61中的X軸方向的兩端的蒸鍍源開口 61間的中央位置(將該位置稱為蒸鍍源60的X軸方向的中心位置)。在本例中，旋轉驅動機構125包括:能夠圍繞上述旋轉中心軸125a旋轉的大齒輪126 ;與該大齒輪126嚙合的小齒輪127 ;和使該小齒輪127旋轉的步進電動機128。蒸鍍源60搭載在大齒輪126上。但是，旋轉驅動機構125的結構并不限定于此，能夠使用公知的旋轉定位裝置。為了將蒸鍍源60加熱至規定溫度且維持在規定溫度、并且防止蒸鍍顆粒91附著于蒸鍍源60，在蒸鍍源60的周圍安裝有加熱器63。蒸鍍時的蒸鍍源60的溫度，根據蒸鍍顆粒91的種類等適當設定，例如為400°C左右。在腔室101的外側配置有蒸鍍顆粒發生裝置65。蒸鍍顆粒發生裝置65對蒸鍍材料進行加熱使其蒸發，將產生的蒸鍍材料的蒸氣通過配管輸送至腔室101內的蒸鍍源60。在配管的中途設置有用于容許蒸鍍源60的位置變化的撓性接頭67。蒸鍍材料的蒸氣從蒸鍍源60的蒸鍍源開口 61作為蒸鍍顆粒91放出。蒸鍍顆粒發生裝置65可以具有將2種以上的蒸鍍材料分別加熱使其蒸發，將它們的蒸氣混合后輸送至蒸鍍源60的功能。閘門95被能夠使閘門95在Y軸方向往返移動的未圖示的直線驅動機構保持在框架側板112。控制板單元80被從框架側板112延伸的臂保持。在蒸鍍源60的X軸方向的兩端形成有第一對準標記201。識別第一對準標記201的位置的第一識別部211與各對準標記201在Z軸方向相對。同樣，在控制板單元80的X軸方向的兩端形成有第二對準標記202。識別第二對準標記202的位置的第二識別部212與各對準標記202相對。第一識別部和第二識別部211、212被從框架側板112延伸的臂保持，其XY坐標位置不變。第一識別部和第二識別部211、212的結構，只要能夠分別識別第一對準標記和第二對準標記201、202即可，沒有特別限制，例如能夠使用公知的CXD攝像機。在此情況下，第一對準標記和第二對準標記201、202可以包括能夠通過使用CXD攝像機的圖像識別進行識別的任意的圖形或形狀或者它們的組合。為了使得配置在蒸鍍源60附近的第一識別部211不會被蒸鍍源60或加熱器63加熱，在第一識別部211與它們之間配置有遮熱板69。遮熱板69的結構沒有特別限制，能夠包括例如內置有水冷配管等的冷卻板。第一對準標記和第二對準標記201、202以及第一識別部和第二識別部211、212，優選配置在不能從蒸鍍源開口 61直接看到的位置，使得從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91難以附著。根據需要，可以設置用于防止蒸鍍顆粒91附著于第一對準標記和第二對準標記201、202以及第一識別部和第二識別部211、212的防著板(或遮蔽板)。可以與本例相反，將第一識別部211設置在蒸鍍源60的X軸方向的兩端，將第一對準標記201設置在從框架側板112延伸的臂上。同樣，可以將第二識別部212設置在控制板單元80的X軸方向的兩端，將第二對準標記202設置在從框架側板112延伸的臂上。在此情況下，優選根據需要，在第一識別部211與蒸鍍源60之間設置遮熱板(例如內置有水冷配管等的冷卻板)等，以使得特別是第一識別部211不會暴露于高溫。蒸鍍掩模70被保持在從框架側板112延伸的臂上。優選蒸鍍掩模70相對于控制板單元80特別在X軸方向被準確地定位。為了防止蒸鍍掩模70發生由自重弓丨起的彎曲或伸長，優選蒸鍍掩模70通過在與蒸鍍掩模70的主面平行的方向施加張力的張緊機構(未圖示)被保持。基板10由設置在框架側板112的直線輸送機構115沿Y軸方向輸送。直線輸送機構115的結構沒有特別限制，例如，能夠使用利用步進電動機經減速齒輪機構對搭載基板10的輥進行驅動的輸送機構。為了減少基板10的由自重引起的彎曲，可以在基板10的與被蒸鍍面IOe相反一側 的面安裝保持裝置，由直線輸送機構115輸送該保持裝置。作為保持裝置，例如能夠使用利用靜電力保持基板10的靜電吸盤。優選在蒸鍍時，基板10相對于蒸鍍掩模70在X軸方向的相對位置是正確的。為此，可以在蒸鍍掩模70和基板10形成與第一對準標記和第二對準標記201、202同樣的對準標記，通過未圖示的CXD攝像機等對其進行圖像識別，來控制基板10和蒸鍍掩模70在X軸方向的相對位置。上述的各種裝置被收納在真空腔室101內。真空腔室101是密閉的容器，其內部空間由真空泵102進行減壓而維持在規定的低壓力狀態(或真空狀態)。在本實施方式I的蒸鍍裝置中，使用第一對準標記和第二對準標記201、202與第一識別部和第二識別部211、212來檢測蒸鍍源60與控制板單元80之間的X軸方向的熱膨脹量差，接著，使用旋轉驅動機構125對上述熱膨脹量差進行校正。以下對此進行說明。當蒸鍍源60存在溫度不均勻時，從多個蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91的量等會產生不均勻。因此，為了減少溫度不均勻，蒸鍍源60—般使用以熱傳導率優異的銅作為基材、在其表面涂敷有鎳等的材料。銅的熱膨脹系數為16.8X10_6°C。蒸鍍時的蒸鍍源60的溫度一般為約400°C。因此，例如在蒸鍍源60的X軸方向尺寸為Im的情況下，在為了進行蒸鍍而使蒸鍍源60從室溫(20°C )升溫至400°C的過程中，蒸鍍源60的X軸方向尺寸增力口 6.4mm η另一方面，當控制板單元80的形狀變化時，會產生多個條狀覆膜90的厚度不均勻和位置偏移。因此，為了減少由溫度變化引起的形狀變化，控制板單元80 —般使用熱膨脹系數小的殷鋼材料。殷鋼材料的熱膨脹系數為I 2X10_6°C。在蒸鍍時，有控制板單元80受到來自蒸鍍源60的輻射熱等而被加熱，升溫至例如220°C左右的情況。因此，例如在控制板單元80的X軸方向尺寸為Im的情況下，在進行蒸鍍時在控制板單元80從室溫(20°C )升溫至220°C的過程中，控制板單元80的X軸方向尺寸增加0.4mm。因此，就從蒸鍍前(室溫)到蒸鍍時的X軸方向的熱膨脹量而言，蒸鍍源60比控制板單元80大約大6mm。當像這樣在蒸鍍源60與控制板單元80之間產生熱膨脹量差時，蒸鍍源開口 61相對于控制板81的相對位置會發生變化。其結果，如已用圖1OB說明的那樣，覆膜90會在X軸方向發生位置偏移。在本實施方式中，蒸鍍源60的X軸方向的熱膨脹量使用第一對準標記201和第一識別部211來測定。控制板單元80的X軸方向的熱膨脹量使用第二對準標記202和第二識別部212來測定(詳細情況將在后面說明)。然后，根據它們的熱膨脹量求出蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差。接著，驅動旋轉驅動機構125使蒸鍍源60圍繞旋轉中心軸125a旋轉，對求出的熱膨脹量差進行校正。例如，為了將蒸鍍時伸長至1.0064m的蒸鍍源60的X軸方向尺寸校正(減少)0.6mm以使其與控制板單元80的X軸方向尺寸1.0004m 一致，只要使蒸鍍源60旋轉角度Θ =6.3。( Θ = cos^1 (1.0004/1.0064))即可。由此，能夠使由蒸鍍源60與控制板單元80之間的熱膨脹量差引起的、蒸鍍源開口 61相對于控制板81在X軸方向的位置偏移量減少。其結果，能夠使在基板10形成的覆膜90的X軸方向的位置偏移量減少。優選通過使蒸鍍源60旋轉，使多個蒸鍍源開口 61的全部蒸鍍源開口相對于控制板81的位置偏移量為零，但是實際上這可能是困難的。一般而言，只要對于全部的蒸鍍源開口 61使蒸鍍源開口 61與控制板81的X軸方向的位置偏移量為0.1mm以下，就能夠使覆膜90的X軸方向的位置偏移量在實質上沒有問題的范圍。通過使蒸鍍源60圍繞旋轉中心軸125a旋轉，各蒸鍍源開口 61的Y軸方向位置發生變化。在本實施方式中，蒸鍍源開口 61的在Y軸方向要求的位置精度，與X軸方向要求的位置精度相比極其寬松，因此，由蒸鍍源60的旋轉引起的蒸鍍源開口 61的Y軸方向位置的變化實質上不會成為問題。蒸鍍源60的旋轉的方向，在從上方觀看時可以是順時針方向和逆時針方向中的任一種。有在蒸鍍源60和控制板單元80分別熱膨脹的過程中，兩者在X軸方向的相對位置關系發生變化的情況。例如，有蒸鍍源60的X軸方向的中心位置與控制板單元80的X軸方向的中心位置在蒸鍍前的常溫下是一致的，但當升溫至蒸鍍溫度時變得不一致的情況。蒸鍍源開口 61相對于控制板81的相對位置也會由于這樣的蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的位置偏移而發生變化。在本實施方式中，該位置偏移能夠使用直線驅動機構121進行校正。例如，可以驅動直線驅動機構121對旋轉驅動機構122和蒸鍍源60的X軸方向位置進行調整，使得蒸鍍源60的X軸方向的中心位置(該中心位置優選與旋轉中心軸125a —致)與控制板單元80的X軸方向的中心位 置一致。由直線驅動機構121進行的X軸方向的位置調整，優選在通過旋轉驅動機構125使蒸鍍源60旋轉之前進行。由此，能夠對于全部的蒸鍍源開口 61，以小的旋轉角度Θ容易地對蒸鍍源開口 61與控制板81的X軸方向的位置偏移量進行校正。圖13是使用本實施方式I的蒸鍍裝置的蒸鍍方法的流程圖。使用圖13對本實施方式I的蒸鍍方法進行說明。首先，在常溫下檢測對準標記的初始位置(步驟S11)。即，用第一識別部211對第一對準標記201進行識別，并且，用第二識別部212對第二對準標記202進行識別，檢測識別出的第一對準標記和第二對準標記201、202各自的在XY坐標內的絕對位置。根據需要，可以使用旋轉驅動機構125使蒸鍍源60旋轉，以使得蒸鍍源60的多個蒸鍍源開口 61的配置方向與控制板單元80的多個控制板81的配置方向(即X軸方向)一致。另外，可以使用直線驅動機構121使蒸鍍源60在X軸方向移動，以使得旋轉中心軸125a與控制板單元80的X軸方向的中心位置一致。此外，優選蒸鍍源60以旋轉中心軸125a通過該蒸鍍源60的X軸方向的中心位置的方式設置在旋轉驅動機構125上。接著，將閘門95關閉(步驟S12)。此外，步驟Sll與步驟S12的順序可以顛倒。接著，用加熱器63對蒸鍍源60進行加熱。同時，在蒸鍍顆粒發生裝置65內對蒸鍍材料進行加熱使其蒸發，將蒸鍍材料蒸氣導入到蒸鍍源60 (步驟S13)。由此，開始從蒸鍍源開口 61放出蒸鍍顆粒91。對蒸鍍源60的溫度和從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91的放出量等進行監視，判斷是否已達到能夠蒸鍍的狀態(步驟S14)。當判斷為已達到能夠蒸鍍的狀態時，測定蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量(步驟S15) 。即，用第一識別部211檢測第一對準標記201的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的位置進行比較，由此，求出蒸鍍源60的X軸方向的中心位置的位移量。另外，用第二識別部212檢測第二對準標記202的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的位置進行比較，由此，求出控制板單元80的X軸方向的中心位置的位移量。然后，根據蒸鍍源60和控制板單元80的各中心位置的位移量，求出蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量。接著，判斷在步驟S15中測定的X軸方向的位置偏移量是否為預先設定的閾值以下(步驟S16)。閾值例如能夠考慮蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量的容許范圍來設定。在位置偏移量超過閾值的情況下，計算需要的校正量(步驟S17)。即，計算使上述位置偏移量減少至閾值以下所需要的蒸鍍源60的X軸方向的移動量。接著，根據在步驟S17中求出的校正量，使用直線驅動機構121使蒸鍍源60在X軸方向移動(步驟S18)。然后，返回到上述步驟S15，測定蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位
置偏移量。當在步驟S16中判斷為在步驟S15中測定的位置偏移量為閾值以下的情況下，測定蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差(步驟S19)。即，用第一識別部211檢測第一對準標記201的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的位置進行比較，由此，求出蒸鍍源60的X軸方向的熱膨脹量。另外，用第二識別部212檢測第二對準標記202的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的位置進行比較，由此，求出控制板單元80的X軸方向的熱膨脹量。然后，根據蒸鍍源60和控制板單元80的各熱膨脹量，求出蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差。接著，判斷在步驟S19中測定的熱膨脹量差是否為預先設定的閾值以下(步驟S20)。閾值例如能夠考慮蒸鍍源開口 61相對于控制板81的在X軸方向的位置偏移量的容許范圍來設定。在熱膨脹量差超過閾值的情況下，計算需要的校正量(步驟S21)。即，計算使上述熱膨脹量差減少至閾值以下所需要的蒸鍍源60圍繞旋轉中心軸125a的旋轉角度。接著，根據在步驟S21中求出的校正量，使用旋轉驅動機構125使蒸鍍源60旋轉(步驟S22)。然后，返回到上述步驟S19，測定蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨
脹量差。當在步驟S20中判斷為在步驟S19中測定的熱膨脹量差為閾值以下的情況下，將閘門95打開(步驟S23)，輸送基板10(步驟S24)，在基板10的被蒸鍍面IOe形成覆膜90 (參照圖12)。如以上那樣，根據本實施方式1，在形成覆膜90之前，檢測在從常溫升溫至蒸鍍時溫度的過程中產生的、蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差并對該熱膨脹量差進行校正，因此，能夠使由熱膨脹量差引起的蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量減少。其結果，能夠消除由于在蒸鍍源960與控制板單元980之間產生熱膨脹量差而導致在基板10形成的覆膜990在X軸方向發生位置偏移的新型蒸鍍法的問題(參照圖10B)。即，根據 本實施方式I，能夠減少在基板10上形成的覆膜90在X軸方向上的位置偏移量。 另外，在形成覆膜90之前，檢測在從常溫升溫至蒸鍍時溫度的過程中產生的、蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量并對該位置偏移量進行校正，因此，能夠使蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量進一步減少。其結果，能夠使在基板10上形成的覆膜90的X軸方向的位置偏移量進一步減少。另外，通過還考慮例如蒸鍍源60和控制板單元80的加工精度地設定在步驟S16和步驟S20中使用的閾值和在步驟S17、S21中計算的校正值，能夠緩和蒸鍍源60和控制板單元80的加工精度。由此，能夠使蒸鍍源60和控制板單元80的制作成本降低，能夠使有機EL顯示裝置的生產成本降低。此外，在本實施方式中，在能夠通過在設計上想辦法等，使在從常溫升溫至蒸鍍時溫度的過程中，蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量減小至能夠容許的程度的情況下，可以省略圖13所示的步驟S15 S18和圖12所示的直線驅動機構121。(實施方式2)圖14是本發明的實施方式2的蒸鍍裝置的沿基板10的掃描方向觀看的正面截面圖。在圖14中，對于與圖12所示的部件相同的部件標注相同的符號，并省略對它們的重復說明。以下，以與實施方式I的不同點為中心對本實施方式2進行說明。在本實施方式2中，代替實施方式I的第一對準標記和第二對準標記201、202以及第一識別部和第二識別部211、212，使用一對對準標記221和一對識別部222。
對準標記221形成在控制板單元80的X軸方向的兩端。識別部222設置在蒸鍍源60的X軸方向的兩端。各識別部222與對應的對準標記221在Z軸方向相對，使得能夠識別對準標記221的位置。識別部222設置于在蒸鍍源60或加熱器63設置的遮熱板69上，使得識別部222不會被蒸鍍源60或加熱器63加熱。遮熱板69，與實施方式I的遮熱板69同樣，例如能夠包括內置有水冷配管等的冷卻板。對準標記221和識別部222優選配置在不能從蒸鍍源開口 61直接看到的位置，以使得從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91難以附著。根據需要，可以設置用于防止蒸鍍顆粒91附著于對準標記221和識別部222的防著板(或遮蔽板)。對準標記221和識 別部222的結構，可以與在實施方式I中說明的第一對準標記和第二對準標記201、202以及第一識別部和第二識別部211、212相同。可以與本例相反，將對準標記221形成在蒸鍍源60的X軸方向的兩端，將識別部222設置在控制板單元80的X軸方向的兩端。在此情況下，識別部222暴露于高溫的可能性減少，因此，有能夠省略遮熱板69的可能。使用本實施方式2的蒸鍍裝置的蒸鍍，能夠與在實施方式I中說明的圖13同樣地進行。但是，步驟Sll、S15、S19變更為以下那樣。S卩，在實施方式I中，在圖13的步驟Sll中，檢測第一對準標記和第二對準標記201、202各自的在XY坐標內的絕對位置。與此相對，在本實施方式2中，在步驟Sll中，只用識別部222識別對準標記221即可。在本實施方式2的步驟S15中，用識別部222識別對準標記221，并將其位置與在步驟Sll中識別出的對準標記221的位置進行比較，由此，求出蒸鍍源60相對于控制板單兀80的X軸方向的位置偏移量。另外，在本實施方式2的步驟S19中，用識別部222識別對準標記221，并將其位置與在步驟Sll中識別出的對準標記221的位置進行比較，由此，求出蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差。除上述以外，能夠與在實施方式I中說明的圖13同樣地進行蒸鍍。根據本實施方式2，將識別部222和對準標記221設置于蒸鍍源60和控制板單元80，因此，不需要在實施方式I的圖13的步驟Sll中進行的、第一對準標記和第二對準標記的在XY坐標內的絕對位置的測定。即，能夠通過在識別部222拍攝的圖像內，將常溫時對準標記221的位置和升溫時對準標記221的位置進行比較，來求出蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差和X軸方向的位置偏移量。因此，能夠使運算簡化。另外，與實施方式I相比能夠減少需要的識別部和對準標記的數量，因此，能夠降低裝置成本。本實施方式2除了上述以外與實施方式I相同，能得到與在實施方式I中說明的效果同樣的效果。(實施方式3)圖15是本發明的實施方式3的蒸鍍裝置的沿基板10的掃描方向觀看的正面截面圖。在圖15中，對于與圖12所示的部件相同的部件標注相同的符號，并省略對它們的重復說明。以下，以與實施方式I的不同點為中心對本實施方式3進行說明。在本實施方式3中，使用一對識別部232代替實施方式I的第一識別部和第二識別部211、212。一對識別部232被從框架側板112延伸的保持控制板單元80的臂保持。在控制板單元80的形成有多個控制空間82的區域的X軸方向的兩外側，形成有一對偽控制空間82d。優選偽控制空間82d形成在從蒸鍍源開口 61放出的蒸鍍顆粒91幾乎不會入射的位置。另外，即使假設蒸鍍顆粒91入射到偽控制空間82d，該蒸鍍顆粒91也不會有助于形成覆膜90。在蒸鍍源60的形成有多個蒸鍍源開口 61的區域的X軸方向的兩外側，形成有一對偽蒸鍍源開口 61d。從偽蒸鍍源開口 61d不放出蒸鍍顆粒91。識別部232、偽控制空間82d和偽蒸鍍源開口 61d，大致沿與Z軸平行的一直線從上側向下側依次配置。識別部232在一個視野內識別偽控制空間82d的下側的開口端緣和偽蒸鍍源開口 61d。在本實施方式3中，偽控制空間82d的開口端緣和偽蒸鍍源開口 61d作為對準標記發揮功能。因此，在本實施方式3中，不使用實施方式I的第一對準標記和第二對準標記201、202。識別部232·配置在偽控制空間82d的上方，因此，蒸鍍顆粒91難以附著。但是，根據需要，可以設置用于防止蒸鍍顆粒91附著于識別部232的防著板(或遮蔽板)。識別部232的結構與在實施方式I中說明的第一識別部和第二識別部211、212相同。使用本實施方式3的蒸鍍裝置的蒸鍍，能夠與在實施方式I中說明的圖13同樣地進行。但是，步驟Sll、S15、S19變更為以下那樣。S卩，在實施方式I中，在圖13的步驟Sll中，檢測第一對準標記和第二對準標記201、202各自的在XY坐標內的絕對位置。與此相對，在本實施方式3中，在步驟Sll中，用共用的識別部232同時檢測偽控制空間82d的開口端緣和偽蒸鍍源開口 61d的在XY坐標內的絕對位置。在本實施方式3的步驟S15中，如以下那樣測定蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量。即，用識別部232檢測偽蒸鍍源開口 61d的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的偽蒸鍍源開口 61d的位置進行比較，由此，求出蒸鍍源60的X軸方向的中心位置的位移量。另外，用識別部232檢測偽控制空間82d的開口端緣的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的偽控制空間82d的開口端緣的位置進行比較，由此，求出控制板單元80的X軸方向的中心位置的位移量。然后，根據蒸鍍源60和控制板單元80的各中心位置的位移量，求出蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量。另外，在本實施方式3的步驟S19中，如以下那樣測定蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差。即，用識別部232檢測偽蒸鍍源開口 61d的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的偽蒸鍍源開口 61d的位置進行比較，由此，求出蒸鍍源60的X軸方向的熱膨脹量。另外，用識別部232檢測偽控制空間82d的開口端緣的位置，并將其與在步驟Sll中檢測出的偽控制空間82d的開口端緣的位置進行比較，由此，求出控制板單元80的X軸方向的熱膨脹量。然后，根據蒸鍍源60和控制板單元80的各熱膨脹量，求出蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差。除上述以外，能夠與在實施方式I中說明的圖13同樣地進行蒸鍍。根據本實施方式3，用共用的識別部232檢測作為對準標記發揮功能的偽控制空間82d的開口端緣和偽蒸鍍源開口 61d。因此，與分別用單獨的識別部識別設置于控制板單元80的第一對準標記201和設置于蒸鍍源60的第二對準標記202的實施方式I相比，能夠精度更高地求出蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的位置偏移量和X軸方向的熱膨脹量差。其結果，能夠使在基板10上形成的覆膜90的X軸方向的位置偏移量進一步減少。另外，與實施方式I相比能夠減少識別部的數量，因此，能夠降低裝置成本。另外，偽控制空間82和偽蒸鍍源開口 61d能夠通過與控制空間82和蒸鍍源開口61同樣的方法形成，因此，不需要用于形成它們的新工序。因此，在本實施方式3中，與形成對準標記201、202的實施方式I相比，裝置的制作容易，能夠降低其成本。本實施方式3除了上述以外與實施方式I相同，能得到與在實施方式I中說明的效果同樣的效果。(實施方式4)在實施方式I中，如用圖13說明的那樣，在對基板的蒸鍍開始前，對在從常溫升溫至蒸鍍時溫度的過程中產生的、蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差和X軸方向的位置偏移量進行校正。與此相對，在本實施方式4中，進一步，在開始對基板的蒸鍍之后，對在到蒸鍍結束為止的期間中產生的、蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差和X軸方向的位置偏移量進行校正。以下，以與實施方式I的不同點為中心對本實施方式4進行說明。圖16是使用本發明的實施方式4的蒸鍍裝置的蒸鍍方法的流程圖。在圖16中，從“開始”起至步驟S24 為止的步驟與圖13相同，因此，省略圖示。使用圖16對步驟S24以后的、即蒸鍍開始后的本實施方式4的蒸鍍方法進行說明。在步驟S30中，判斷是否已經過規定時間。所謂規定時間，是對熱膨脹量差和位置偏移量進行校正的時間間隔，能夠任意設定。當在步驟S30中確認已經過規定時間時，在步驟21中判斷對基板的蒸鍍是否在繼續。在對基板的蒸鍍在繼續的情況下，測定蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量(步驟S31)。位置偏移量的測定能夠與圖13的步驟S15同樣地進行。接著，判斷在步驟S31中測定的X軸方向的位置偏移量是否為預先設定的閾值以下(步驟S32)。閾值例如能夠考慮蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量的容許范圍來設定。例如，能夠使用在圖13的步驟S16中使用的值。在位置偏移量超過閾值的情況下，計算需要的校正量(步驟S34)。校正量的計算能夠與圖13的步驟S17同樣地進行。接著，根據在步驟S34中求出的校正量，使用直線驅動機構121使蒸鍍源60在X軸方向移動(步驟S35)。然后，返回到步驟S32，測定蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量。當在步驟S33中判斷為在步驟S32中測定的位置偏移量為閾值以下的情況下，測定蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差(步驟S36)。熱膨脹量差的測定能夠與圖13的步驟S19同樣地進行。接著，判斷在步驟S36中測定的熱膨脹量差是否為預先設定的閾值以下(步驟S37)。閾值例如能夠考慮蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量的容許范圍來設定。例如，能夠使用在圖13的步驟S20中使用的值。在熱膨脹量差超過閾值的情況下，計算需要的校正量(步驟S38)。校正量的計算能夠與圖13的步驟S21同樣地進行。接著，根據在步驟S38中求出的校正量，使用旋轉驅動機構125使蒸鍍源60旋轉(步驟S39)。然后，返回到上述步驟S36，測定蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨
脹量差。當在步驟S37中判斷為在步驟S36中測定的熱膨脹量差為閾值以下的情況下，返回到上述步驟S30。當在上述步驟S31中對基板的蒸鍍沒有在繼續的情況下，將閘門95關閉，蒸鍍工序結束。如以上所述，根據本實施方式4，在開始蒸鍍后，以規定時間間隔檢測蒸鍍源60和控制板單元80間的X軸方向的熱膨脹量差并對該熱膨脹量差進行校正，因此，能夠使由熱膨脹量差引起的蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量減少。其結果，能夠消除由于在蒸鍍源960與控制板單元980之間產生熱膨脹量差而導致在基板10形成的覆膜990在X軸方向發生位置偏移的新型蒸鍍法的問題(參照圖10B)。S卩，根據本實施方式4，能夠使在基板10上形成的覆膜90的X軸方向的位置偏移量進一步減少。另外，在開始蒸鍍后，以規定時間間隔檢測蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量并對該位置偏移量進行校正，因此，能夠使蒸鍍源開口 61相對于控制板81的X軸方向的位置偏移量進一步減少。其結果，能夠使在基板10上形成的覆膜90的X軸方向的位置偏移量進一步減少。這樣，本實施方式4即使在蒸鍍源60和控制板單元80的溫度在蒸鍍開始后也發生變化的情況下，也能夠抑制由那樣的溫度變化引起的覆膜90的X軸方向的位置偏移。在圖16中，能夠將步驟S30省略。在此情況下，總是檢測X軸方向的熱膨脹量差和X軸方向的位置偏移量并對該熱膨脹量差和該位置偏移量進行校正，因此，能夠使覆膜90的X軸方向的位置偏移量進一步減少。另一方面，通過設置步驟S30，能夠減輕運算處理所需要的負荷。在本實施方式4中，在能夠通過在設計上想辦法等，使在開始蒸鍍后的蒸鍍工序中，蒸鍍源60相對于控制板單元80的X軸方向的位置偏移量減小至能夠容許的程度的情況下，可以省略圖16所示的步驟S32 S35。在上述的說明中，說明了將在蒸鍍開始后對熱膨脹量差和位置偏移量進行校正的方式應用于實施方式I的情況，但也能夠應用于實施方式2、3。在此情況下，步驟S32、S36與在實施方式2、3中說明的步驟S15、S19的變更同樣地進行變更。上述的實施方式I 4是例示，本發明并不限定于這些實施方式，能夠適當變更。例如，在基板10的X軸方向尺寸大的情況下，可以使X軸方向位置和Y軸方向位置不同來配置圖11所示的多個蒸鍍單元50。
在上述的實施方式I 4中，基板10相對于不動的蒸鍍單元50移動，但本發明并不限定于此，只要使蒸鍍單元50和基板10中的一者相對于另一者相對移動即可。例如，可以使基板10的位置固定，使蒸鍍單元50移動，或者，可以使蒸鍍單元50和基板10兩者移動。在上述的實施方式I 4中，將基板10配置在蒸鍍單元50的上方，但是，蒸鍍單元50與基板10的相對位置關系并不限定于此。例如，可以將基板10配置在蒸鍍單元50的下方，或者，可以將蒸鍍單元50和基板10在水平方向相對配置。產業上的可利用性本發明的蒸鍍裝置和蒸鍍方法的利用領域沒有特別限制，能夠優選利用于形成有機EL顯示裝置的發光層。符號說明10 基板IOe被蒸鍍面20有機EL元件23R、23G、23B 發光層50蒸鍍單元60蒸鍍源61蒸鍍源開口70蒸鍍掩模
71掩模開口80控制板單元81控制板82控制空間90 覆膜91蒸鍍顆粒95 閘門115直線輸送機構(移動機構)121直線驅動機構125旋轉驅動機構201、202、221 對準標記211、212、222、232 識別部
權利要求
1.一種蒸鍍方法，其特征在于: 該蒸鍍方法是在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍方法， 所述蒸鍍方法具有使蒸鍍顆粒附著在所述基板上形成所述覆膜的蒸鍍工序， 所述蒸鍍工序是使用蒸鍍單元使所述蒸鍍顆粒附著在所述基板上的工序，所述蒸鍍單元具備:具備放出所述蒸鍍顆粒的多個蒸鍍源開口的蒸鍍源；配置在所述多個蒸鍍源開口與所述基板之間的蒸鍍掩模；和包括沿與所述基板的法線方向正交的第一方向配置的多個控制板，配置在所述蒸鍍源與所述蒸鍍掩模之間的控制板單元，在所述蒸鍍工序中，使用所述蒸鍍單元，在使所述基板與所述蒸鍍掩模隔開固定間隔的狀態下，使所述基板和所述蒸鍍單元中的一者，沿與所述基板的法線方向和所述第一方向正交的第二方向，相對于所述基板和所述蒸鍍單元中的另一者相對移動，同時使通過在所述第一方向相鄰的所述控制板間的空間和在所述蒸鍍掩模形成的多個掩模開口的所述蒸鍍顆粒附著在所述基板上， 所述蒸鍍方法還具有: 檢測所述蒸鍍源和所述控制板單元間的在所述第一方向的熱膨脹量差的工序；和 對所述熱膨脹量差進行校正的工序。
2.如權利要求1所述的蒸鍍方法，其特征在于: 通過使所述蒸鍍源在與所述第一方向和所述第二方向平行的面內旋轉，對所述熱膨脹量差進行校正。
3.如權利要求2所述的蒸鍍方法，其特征在于: 使所述蒸鍍源圍繞通過所述蒸鍍源的在所述第一方向的中心位置的旋轉中心軸旋轉。
4.如權利要求1 3中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 在所述基板上形成所述覆膜之前進行:檢測所述熱膨脹量差的工序；和對所述熱膨脹量差進行校正的工序。
5.如權利要求1 4中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 一邊在所述基板上形成所述覆膜，一邊進行:檢測所述熱膨脹量差的工序；和對所述熱膨脹量差進行校正的工序。
6.如權利要求1 5中任一項所述的蒸鍍方法,其特征在于: 從所述蒸鍍源和所述控制板單元以外的不同地點分別觀察所述蒸鍍源和所述控制板單元，檢測所述熱膨脹量差。
7.如權利要求1 5中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 從所述蒸鍍源和所述控制板單元以外的共同地點同時觀察所述蒸鍍源和所述控制板單元，檢測所述熱膨脹量差。
8.如權利要求1 5中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 從所述蒸鍍源和所述控制板單元中的一者觀察另一者，檢測所述熱膨脹量差。
9.如權利要求1 8中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于，還具有: 檢測所述蒸鍍源和所述控制板單元間的在所述第一方向的位置偏移量的工序；和 對所述位置偏移量進行校正的工序。
10.如權利要求9所述的蒸鍍方法，其特征在于: 通過使所述蒸鍍源在所述第一方向移動，對所述位置偏移量進行校正。
11.如權利要求9或10所述的蒸鍍方法，其特征在于:在對所述熱膨脹量差進行校正之前，對所述位置偏移量進行校正。
12.如權利要求9 11中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 在所述基板上形成所述覆膜之前進行:檢測所述位置偏移量的工序；和對所述位置偏移量進行校正的工序。
13.如權利要求9 12中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 一邊在所述基板上形成所述覆膜，一邊進行:檢測所述位置偏移量的工序；和對所述位置偏移量進行校正的工序。
14.如權利要求9 13中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 從所述蒸鍍源和所述控制板單元以外的不同地點分別觀察所述蒸鍍源和所述控制板單元，檢測所述位置偏移量。
15.如權利要求9 13中任一項所述的蒸鍍方法，其特征在于: 從所述蒸鍍源和所述控制板單元以外的共同地點同時觀察所述蒸鍍源和所述控制板單元，檢測所述位置偏移量。
16.如權利要求9 13中任一項所述的蒸鍍方法,其特征在于: 從所述蒸鍍源和所述控制板單元中的一者觀察另一者，檢測所述位置偏移量。
17.如權利要求1 16中任一項所述的蒸鍍方法,其特征在于: 所述覆膜是有機EL元件的發光層。
18.一種有機EL顯示裝置，其特征在于: 具備使用權利要求1 16中任一項所述的蒸鍍方法形成的發光層。
19.一種蒸鍍裝置，其特征在于: 該蒸鍍裝置是在基板上形成規定圖案的覆膜的蒸鍍裝置， 所述蒸鍍裝置具備蒸鍍單元、移動機構、檢測熱膨脹量差的單元和對所述熱膨脹量差進行校正的單元，其中， 所述蒸鍍單元具備:具備放出用于形成所述覆膜的蒸鍍顆粒的多個蒸鍍源開口的蒸鍍源；配置在所述多個蒸鍍源開口與所述基板之間的蒸鍍掩模；和包括沿與所述基板的法線方向正交的第一方向配置的多個控制板，配置在所述蒸鍍源與所述蒸鍍掩模之間的控制板單元， 所述移動機構在使所述基板與所述蒸鍍掩模隔開固定間隔的狀態下，使所述基板和所述蒸鍍單元中的一者，沿與所述基板的法線方向和所述第一方向正交的第二方向，相對于所述基板和所述蒸鍍單元中的另一者相對移動， 所述檢測熱膨脹量差的單元檢測所述蒸鍍源和所述控制板單元間的在所述第一方向的熱膨脹量差。
20.如權利要求19所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 對所述熱膨脹量差進行校正的單元包括使所述蒸鍍源在與所述第一方向和所述第二方向平行的面內旋轉的旋轉驅動機構。
21.如權利要求19或20所述的蒸鍍裝置，其特征在于，還具備: 檢測所述蒸鍍源和所述控制板單元間的在所述第一方向的位置偏移量的單元；和 對所述位置偏移量進行校正的單元。
22.如權利要求21所述的蒸鍍裝置，其特征在于:對所述位置偏移量進行校正的單元包括使所述蒸鍍源在所述第一方向移動的直線驅動機構。
23.如權利要求21或22所述的蒸鍍裝置，其特征在于: 檢測所述位置偏移量 的單元包括與對所述熱膨脹量差進行校正的單元共用的部件。
全文摘要
在使基板(10)相對于蒸鍍掩模(70)以隔開固定間隔的狀態相對移動的同時，使從蒸鍍源(60)的蒸鍍源開口(61)放出的蒸鍍顆粒(91)依次通過控制板單元(80)具有的多個控制板(81)間的空間和蒸鍍掩模的掩模開口(71)并附著在基板上形成覆膜(90)。檢測蒸鍍源和控制板單元間的熱膨脹量差并對該熱膨脹量差進行校正。由此，能夠在大型基板上的期望位置形成抑制了端緣的模糊及其偏差的覆膜。
文檔編號C23C14/24GK103189542SQ201180052599
公開日2013年7月3日 申請日期2011年10月11日 優先權日2010年10月29日
發明者井上智, 川戶伸一, 園田通 申請人:夏普株式會社