光學鄰近修正方法
【專利摘要】一種光學鄰近修正方法，包括：提供目標圖形；在目標圖形上設置多個采樣點，采樣點位于目標圖形的邊或轉角上；設置初始圖形；獲得與初始圖形相對應的曝光圖形；獲得曝光圖形的邊緣位置誤差；判斷邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，當邊緣位置誤差小于或等于預先設定的閾值時，獲得修正圖形；當邊緣位置誤差大于預先設定的閾值時，調整初始圖形；對調整后的初始圖形重新執行上述獲得曝光圖形和比較的步驟，直至曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形。本發明通過增加采樣點，減少圖形在光學鄰近修正后發生圖形畸變，能夠避免由于圖形畸變而引起最終獲得的修正圖形的特征尺寸不足的問題。
【專利說明】
光學鄰近修正方法
技術領域
[0001]本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種光學鄰近修正方法。【背景技術】
[0002]在半導體制造過程中，為將集成電路(Integrated Circuit, 1C)的電路圖案轉移至半導體芯片上，需將集成電路的電路圖案設計為掩模版圖案，再將掩模版圖案從掩模版表面轉移至半導體芯片。然而隨著集成電路特征尺寸(Critical Dimens1n,⑶)的縮小，以及受到曝光機臺(Optical Exposure Tool, 0ET)的分辨率極限(Resolut1n Limit) 的影響，在對高密度排列的掩模版圖案進行曝光制程以進行圖案轉移時，便很容易產生光學鄰近效應(Optical Proximity Effect, 0PE)，使掩模板圖形轉移出現缺陷。針對光學鄰近效應的問題，目前業界普遍采用的一種方法為光學鄰近修正(Optical Proximity Correct1n，0PC)，其通過改變原始版圖圖形的形狀來減小曝光所獲得的光刻圖形的偏差。
[0003]參考圖1，示出了現有技術光學鄰近修正中目標圖形、光學鄰近修正后的修正圖形以及最終形成圖形的示意圖。此處，以針對形成接觸孔的圖形進行光學鄰近修正為例進行說明。
[0004]如圖1所示，其中目標圖形10為直角方形。所述目標圖形10上設置有4個采樣點20a、20b、20c和20d，直角方形每個邊上設置有1個采樣點。經過光學鄰近修正后，獲得修正圖形30,為了修正光學鄰近效應，所述修正圖形30為長方形。對所述修正圖形30進行曝光等步驟，獲得最終形成在晶片上的接觸孔圖形40。
[0005]現有光學鄰近修正方法中，提供目標圖形10之后，整個光學鄰近修正的過程包括多個循環(interat1n)，每次循環均對圖形進行修正獲得調整后的初始圖形，并計算每個采樣點的邊緣位置誤差(Edge Placement Err〇r，EPE)，通過判斷所述邊緣位置誤差是否達到標準以判斷修正是否完成，最終得到符合標準的修正圖形30。
[0006]但是現有技術中，經過光學鄰近修正后，最終形成的圖形往往會偏小，會出現所形成的半導體器件無法達到設計尺寸要求的問題。
【發明內容】

[0007]本發明解決的問題是提供一種光學鄰近修正方法，以保證所形成的半導體器件能夠達到設計的尺寸要求。
[0008]為解決上述問題，本發明提供一種光學鄰近修正方法，包括如下步驟:
[0009]提供目標圖形，所述目標圖形由多條邊圍成，所述目標圖形的邊在相交處形成轉角；
[0010]在所述目標圖形上設置多個采樣點，所述采樣點位于所述目標圖形的邊或轉角上；
[0011]設置初始圖形；
[0012]獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形；
[0013]比較所述曝光圖形與所述目標圖形在采樣點的位置差異，獲得曝光圖形的邊緣位祆差；
[0014]判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，當所述邊緣位置誤差小于或等于預先設定的閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形；
[0015] 當所述邊緣位置誤差大于預先設定的閾值時，調整初始圖形，以減小邊緣位置誤差與所述閾值的差異；對調整后的初始圖形重新執行上述獲得曝光圖形和比較的步驟，直至所述曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形。
[0016]可選的，所述目標圖形中的轉角為圓角。
[0017]可選的，在所述目標圖形上設置多個采樣點的步驟包括:所述目標圖形的每個邊上至少設置一個采樣點。
[0018]可選的，在所述目標圖形上設置多個采樣點的步驟還包括:所述目標圖形的每個轉角上至少設置兩個采樣點。
[0019]可選的，獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形的步驟包括:采用仿真的方法獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形。
[0020]可選的，獲得曝光圖形的邊緣位置誤差的步驟包括:當所述采樣點設置在圖形的邊上時，通過比較在采樣點位置，垂直于所述邊的方向上，所述曝光圖形與所述目標圖形之間的位置差異，獲得曝光圖形中相應采樣點的邊緣位置誤差。
[0021]可選的，對于設置于轉角上的采樣點，獲得曝光圖形的邊緣位置誤差的步驟包括: 當所述采樣點設置在圖形的轉角上時，通過比較在采樣點位置，沿轉角曲線徑向方向上，所述曝光圖形與所述目標圖形之間的位置差異，獲得曝光圖形中相應采樣點的邊緣位置誤差。
[0022]可選的，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值的步驟包括:根據所述曝光圖形中所有采樣點的邊緣位置誤差，獲得所述曝光圖形的邊緣位置誤差的平均值，作為平均邊緣位置誤差；判斷所述平均邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值。
[0023]可選的，當所述邊緣位置誤差大于所述閾值時，調整初始圖形的步驟包括:根據不同采樣點的邊緣位置誤差和所述閾值的差異大小，獲得大于所述閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形中所述采樣點相對應的邊，以減小邊緣位置誤差與所述閾值的差異，獲得調整后的初始圖形。
[0024]可選的，獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形的步驟包括:在工藝窗口限制下獲得曝光圖形，作為工藝窗口曝光圖形；不在工藝窗口限制下以標準工藝條件獲得曝光圖形，作為標準曝光圖形。
[0025]可選的，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值的步驟包括:判斷所述標準曝光圖形的邊緣位置誤差是否大于預先設定的標準閾值；在判斷所述標準曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述標準閾值時，判斷所述工藝窗口曝光圖形的邊緣位置誤差是否大于預先設定的工藝窗口閾值；所述工藝窗口閾值大于所述標準閾值。
[0026]可選的，當所述邊緣位置誤差大于所述閾值時，調整初始圖形的步驟包括:在判斷所述標準曝光圖形的邊緣位置誤差大于所述標準閾值時，根據不同采樣點的邊緣位置誤差和所述標準閾值的差異大小，獲得大于所述標準閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述標準閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形中所述采樣點相對應的邊，以減小邊緣位置誤差與標準閾值的差異，獲得調整后的初始圖形。
[0027] 可選的，當所述邊緣位置誤差大于所述閾值時，調整初始圖形的步驟包括:在判斷所述工藝窗口曝光圖形的邊緣位置誤差大于所述工藝窗口閾值時，根據所述工藝窗口曝光圖形中不同采樣點邊緣位置誤差和所述工藝窗口閾值的差異大小，獲得大于所述工藝窗口閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述工藝窗口閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形中所述采樣點相對應的邊，以減小所述工藝窗口曝光圖形的邊緣位置誤差與所述工藝窗口閾值的差異，獲得調整后的初始圖形。
[0028] 可選的，調整初始圖形中所述采樣點相對應的邊的步驟包括:當所述采樣點設置在圖形的邊上時，調整所述采樣點所在的邊。
[0029] 可選的，調整初始圖形中所述采樣點相對應的邊的步驟包括:當所述采樣點設置在轉角處時，調整距離所述采樣點最近的邊。
[0030] 與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點:
[0031]本發明中，本發明通過在所述目標圖形中的轉角處增加采樣點，獲取邊緣位置誤差，最終通過判斷每個圖形上所有采樣點邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，判斷光學鄰近修正是否完成。采樣點的增加，能夠減少圖形在光學鄰近修正后發生圖形畸變，能夠避免由于圖形畸變而引起的尺寸不足問題。
[0032] 可選方案中，由于光學鄰近效應的存在，最終在晶片上所形成的圖形中，直角轉角不可能維持直角，通常會形成圓角。所以本發明通過將所述目標圖形中的轉角設置為圓角， 減小了目標圖形和初始圖形之間的差異，有利于幫助光學鄰近修正實現收斂，有利于縮短光學鄰近修正的時間。
[0033] 可選方案中，本發明在判斷邊緣位置誤差是否符合標準時，還引入了工藝窗口限制，通過判斷邊緣位置誤差是否大于特定工藝窗口條件下圖形尺寸的最小值，使圖形的尺寸在一定極端工藝條件下達到最小值，從而避免由于光學鄰近修正造成的箍縮或橋接等缺陷，避免了光學鄰近修正引起良品率的損失。【附圖說明】
[0034]圖1是現有技術光學鄰近修正中目標圖形、光學鄰近修正后的修正圖形以及最終形成圖形的示意圖；
[0035]圖2是現有技術光學鄰近修正后，最終形成的圖形無法達到設計尺寸要求的示意圖；
[0036]圖3至圖10是本發明光學鄰近修正方法一實施例中各個步驟的示意圖；
[0037]圖11是本發明光學鄰近修正方法另一實施例中所提供目標圖形的示意圖。【具體實施方式】
[0038]由【背景技術】可以知道，現有光學鄰近修正技術，會出現所形成的半導體器件無法達到設計尺寸要求的問題。現結合現有技術中，針對形成接觸孔的圖形進行光學鄰近修正分析問題的原因:
[0039]當完成光學鄰近修正之后，如果某個方向的邊緣位置誤差達到標準，這個方向上的尺寸也一定達到設計要求。然而現有技術中，在目標圖形的每條邊取一個采樣點的方法， 雖然光學鄰近修正之后，在采樣點所在的方向向上最終形成圖形的尺寸一定達到設計要求。但是在曝光過程中，圖形可能會發生畸變。當圖形發生畸變時，在未設置采樣點的方向上可能會出現尺寸不足的問題。
[0040]具體的，參考圖2,示出了現有技術光學鄰近修正后，由于圖形畸變而引起的修正圖形尺寸不足的示意圖:由于在4個采樣點21a、21b、21c以及21d方向上的邊緣位置誤差: EPEa、EPEb、EPEc以及EPEd，均小于預先設定的閾值，即光學鄰近修正能夠收斂完成。也就是說，在水平方向(bd方向)和垂直方向(ac方向)，根據所述修正圖形31所獲得的接觸孔圖形的尺寸能夠達到設計要求。但是由于圖形發生了畸變，最終獲得的接觸孔圖形41并不是一個正圓形，而是一個長圓形，而且所述長圓形的最短距離CDdla并不在垂直方向和水平方向，而在對角方向(dia方向)。所述接觸孔圖形41在對角方向的尺寸小于在垂直方向和水平方向的尺寸。因此，所述接觸孔圖形41在對角方向的尺寸也小于垂直方向和水平方向的尺寸，小于目標圖形11的設計尺寸，從而對于修正圖形31來說，其尺寸是不足的。
[0041]此外現有技術中，由于光學鄰近修正的迭代收斂性較差，在每邊設置一個采樣點， 可能使光學鄰近修正的迭代無法收斂，從而在圖形中某一個圖案的邊緣位置誤差無法達到標準，也會造成所獲得的修正圖形特征尺寸不足。
[0042]對于這種光學鄰近修正迭代無法收斂的情況，現有技術中，通常通過在采樣點位置擴大目標圖形以使最終形成接觸孔圖形的特征尺寸滿足設計要求。但是目標圖形的擴大，會使相鄰圖形之間的距離減小，當相鄰圖形之間的距離小于一定范圍內時，即可能違反設計規則檢查(Design Rule Check);此外，目標圖形的擴大也會使相應的修正圖形也擴大，用以形成最終接觸孔圖形的掩模圖形也相應會被擴大。掩模圖形的擴大，可能會造成相鄰圖形之間的距離變小。當相鄰圖形之間的距離小于的一定范圍時，將無法形成相應的掩模，即所述掩模違反了掩模規則檢查(Mask Rule Check)。
[0043]為解決所述技術問題，本發明提供一種光學鄰近修正方法，包括:
[0044]提供目標圖形，所述目標圖形由多條邊圍成，所述目標圖形的邊在相交處形成轉角；在所述目標圖形上設置多個采樣點，所述采樣點位于所述目標圖形的邊或轉角上；設置初始圖形；獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形；比較所述曝光圖形與所述目標圖形在采樣點的位置差異，獲得曝光圖形的邊緣位置誤差；判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，當所述邊緣位置誤差小于或等于預先設定的閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形；當所述邊緣位置誤差大于預先設定的閾值時，調整初始圖形，以減小邊緣位置誤差與所述閾值的差異；對調整后的初始圖形重新執行上述獲得曝光圖形和比較的步驟， 直至所述曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形。
[0045]本發明通過在所述目標圖形中的轉角處增加采樣點，獲取邊緣位置誤差，最終通過判斷每個圖形上所有采樣點邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，判斷光學鄰近修正是否完成。采樣點的增加，能夠減少圖形在光學鄰近修正后發生圖形畸變，能夠避免由于圖形畸變而引起的修正圖形尺寸不足的問題。此外，本發明還通過將所述目標圖形中的轉角設置為圓角，減小了目標圖形和初始圖形之間的差異，有利于幫助光學鄰近修正實現收斂，有利于縮短光學鄰近修正的時間。可選的，本發明在判斷邊緣位置誤差是否符合標準時，還引入了工藝窗口限制，通過判斷邊緣位置誤差是否大于特定工藝窗口條件下圖形尺寸的最小值，使圖形的尺寸在一定極端工藝條件下達到最小值，從而避免由于光學鄰近修正造成的箍縮或橋接等缺陷，避免了光學鄰近修正引起良品率的損失。
[0046]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。
[0047]圖3至圖10,是本發明所提供光學鄰近修正一實施例中各個步驟的示意圖。需要說明的是，本實施例以針對形成接觸孔的掩模圖形進行光學鄰近修正為例進行說明，不應以此限制本發明。
[0048]參考圖3,提供形成接觸孔的目標圖形100,所述目標圖形100為方形，由4條邊圍成，所述目標圖形1〇〇的4條邊在相交處形成4個轉角。
[0049]需要說明的是，本實施例中，整個掩模圖形包括3個用于形成接觸孔的目標圖形 100〇
[0050]所述目標圖形100為光學鄰近修正的目標，即理想狀態下，晶片上形成的接觸孔與所述目標圖形1〇〇—樣。
[0051]需要說明的是，雖然理想的接觸孔圖形為直角方形，但是由于光學鄰近效應的存在，最終在晶片上所形成的接觸孔圖案在轉角處不可能為直角，通常會形成圓角。為了減小采樣點位置的邊緣位置誤差，提高光學鄰近修正的收斂速度，本實施例中，所述目標圖形 100中的轉角均設置為圓角。因此所述目標圖形100為圓角方形。
[0052]參考圖4,在每個所述目標圖形100上設置多個采樣點，所述采樣點位于所述目標圖形100的邊或轉角上。
[0053]所述采樣點用于比較目標圖形100與后續設置的初始圖形之間的差異，獲得光學鄰近效應對所述目標圖形100的影響，用于獲得判斷光學鄰近修正是否完成的邊緣位置誤差。
[0054]由于圖形的線寬會影響到光學鄰近效應對圖案的影響，為了獲得在圖形邊緣位置，光學鄰近效應的影響，所述目標圖形的每個邊上至少設置一個采樣點。
[0055]本實施例中，在所述目標圖形100的每個邊上設置一個采樣點。具體的，在所述圓角方形的目標圖形100的四個邊:A、B、C以及D上分別設置1個采樣點:位于邊A上的A2、 位于邊B上的B2、位于邊C上的C2以及位于邊D上的D2。本實施例中，所述目標圖形100 邊上的采樣點位于相應邊的中點上。
[0056]此外，由于在圖形轉角處，光學鄰近效應對圖形的影響更加明顯，甚至光學鄰近效應會引起圖案的畸變，為了獲得在圖形轉角位置，光學鄰近效應的影響，所述目標圖形的每個轉角上至少設置兩個采樣點。
[0057]本實施例中，所述目標圖像的每個轉角上設置兩個采樣點。具體的，在所述目標圖形100的四個圓角上設置8個采樣點:A1和A3，B1和B3，C1和C3以及D1和D3。所以，本實施例中，所述目標圖形100中設置有12個采樣點。本實施例中，位于轉角處的采樣點平均分布在相應轉角的角平分線兩側。
[0058]需要說明的是，本實施例中采用邊線中點作為設置在圖形邊上的采樣點的做法僅為一示例，本發明對此不做限制。同樣，本實施例中，位于目標圖形100轉角處的采樣點平均分布在相應轉角角平分線兩側的做法也僅為示例，在本發明其他實施例中，可以根據所述目標圖形的變化，改變所述采樣點的位置，本發明對此不做限制。
[0059]參考圖5,設置初始圖形200。
[0060]所述初始圖形200,用于在后續光學鄰近修正中獲得曝光圖形和調整，以獲得光學鄰近效應對圖形的影響，并通過修改初始圖形200進行光學鄰近修正。
[0061]需要說明的是，本實施例中，光學鄰近修正的首次迭代中設置的初始圖形200與所述目標圖形1〇〇 —致，為圓角方形。
[0062]還需要說明的是，本實施例中，光學鄰近修正的首次迭代中設置的初始圖形200 與所述目標圖形1〇〇 —致的做法僅為一示例。在本發明其他實施例中，可以在所述初始圖形中引入部分光學鄰近修正，以進一步提高光學鄰近修正的收斂速度，本發明對此不做限制。
[0063]參考圖6,獲得與所述初始圖形200相對應的曝光圖形300。
[0064]具體的，采用仿真的方法獲得與所述初始圖形200相對應的曝光圖形300。
[0065]需要說明的是，本實施例中，為了避免由于光學鄰近修正造成的箍縮或橋接等缺陷，避免光學鄰近修正引起良品率的損失，本實施例在后續判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，進而判斷光學鄰近修正是否完成的過程中，引入了工藝窗口限制 (Process Window Constraints)。所述工藝窗口限制為:設定當工藝條件為±50nm散焦量，曝光光源的能量為標準值的97.5%時，所述曝光圖形的特征尺寸為最小。
[0066]在所述工藝窗口限制下，獲得與所述初始圖形200相對應的曝光圖形，作為工藝窗口曝光圖形301。此外，不在工藝窗口限制下，以標準工藝條件，本實施例中還獲得與所述初始圖形200相對應的曝光圖形，作為標準曝光圖形302。
[0067]具體的，通過光學鄰近修正模型進行光刻模擬成像，根據初始圖形200模擬掩模的制造，并根據掩模分別模擬工藝窗口限制下和標準工藝條件下的曝光、顯影和刻蝕等步驟，分別獲得工藝窗口曝光圖形301和標準曝光圖形302。所述工藝窗口曝光圖形301和標準曝光圖形302均為圓形，且工藝窗口曝光圖形301的尺寸小于所述標準曝光圖形302的尺寸。
[0068]需要說明的是，本實施例中采用仿真的方法獲得曝光圖形300的做法僅為一示例，本發明其他實施例中，還可以通過實際曝光過程，獲得曝光圖形，此處為現有技術，本發明對此不作贅述，也不做任何限定。
[0069]參考圖7,比較所述曝光圖形300與所述目標圖形100在采樣點的位置差異，獲得曝光圖形300的邊緣位置誤差。
[0070]具體的，本實施例中，分別比較所述工藝窗口曝光圖形301和標準曝光圖形302與目標圖形100在采樣點的位置差異，分別獲得所述工藝窗口曝光圖形301的工藝窗口邊緣位置誤差EPEPW和所述標準曝光圖形302的標準邊緣位置誤差EPE。
[0071]對于設置在目標圖形100邊上的采樣點的邊緣位置誤差，通過比較所述采樣點垂直于所述邊的方向上，與所述曝光圖形300之間的位置差異，獲得采樣點相對應的邊緣位PjJ、口 -y^置祆差。
[0072]具體的，對于設置在目標圖形100邊C上的采樣點C2來說，在采樣點C2處有沿邊 C延伸的方向為第一方向(X方向)以及垂直所述第一方向(X方向)的第二方向(Y方向)，所述采樣點C2處的邊緣位置誤差即為沿第二方向(Y方向)，所述采樣點C2與所述曝光圖形300的位置差異。本實施例中，對于工藝窗口曝光圖形301，所述采樣點C2處的工藝窗口邊緣位置誤差為EPEe2pw;對于標準曝光圖形302，所述采樣點C2處的標準邊緣位置誤為EPEc20本實施例中，由于工藝窗口曝光圖形301的尺寸小于所述標準曝光圖形302的尺寸，且工藝窗口曝光圖形301位于所述標準曝光圖形302內部，因此所述工藝窗口邊緣位置誤差EPEe2pw大于所述標準邊緣位置誤差EPE C2。
[0073]對于設置在目標圖形100轉角處的采樣點，通過比較所述采樣點位置沿徑向與所述曝光圖形300之間的位置差異，獲得相應采樣點相對應的邊緣位置誤差。
[0074]具體的，對于設置在目標圖形100轉角處的采樣點Dl來說，在采樣點Dl處有沿轉角曲線切線延伸方向的切向(T方向)和垂直所述切向(T方向)的法向(R方向)，所述法向(R方向)即為所述曲線在采樣點Dl處的徑向方向。所述采樣點Dl處的邊緣位置誤差即為沿法向(R方向)，所述采樣點Dl與所述曝光圖形300的位置差異。本實施例中，對于工藝窗口曝光圖形301，所述采樣點Dl處的工藝窗口邊緣位置誤差為EPEdipw;對于標準曝光圖形302，所述采樣點D2處的標準邊緣位置誤差為EPED1。本實施例中，由于工藝窗口曝光圖形301的尺寸小于所述標準曝光圖形302的尺寸，且工藝窗口曝光圖形301位于所述標準曝光圖形302內部，因此所述工藝窗口邊緣位置誤差EPEdipw大于所述標準邊緣位置誤差 EPEdi。
[0075]參考圖8，本發明所提供光學鄰近修正方法對圖3所示目標圖形100進行修正的流程圖。
[0076]在執行步驟S50，獲得曝光圖形300的邊緣位置誤差后，執行步驟S60，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值。
[0077]需要說明的是，本實施例中，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值的步驟包括:根據所述曝光圖形300中所有采樣點的邊緣位置誤差，獲得所述曝光圖形300的邊緣位置誤差的平均值，作為所述曝光圖形300的平均邊緣位置誤差。因此本實施例中，在執行步驟S60，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值時，是判斷所述平均邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值。
[0078]具體的，本實施例中，根據工藝窗口曝光圖形301中所有采樣點的邊緣位置誤差，獲得所述工藝窗口曝光圖形301的邊緣位置誤差的平均值，作為所述工藝窗口曝光圖形301的平均工藝窗口邊緣位置誤差EPEpwavs;根據標準曝光圖形302中所有采樣點的邊緣位置誤差，獲得所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差的平均值，作為所述標準曝光圖形302的平均標準邊緣位置誤差EPEAV(j。
[0079]還需要說明的是，為了避免光學鄰近修正造成的箍縮或橋接等缺陷，避免光學鄰近修正引起良品率的損失，本實施例中引入了工藝窗口限制。因此步驟S60，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值的步驟還包括:判斷所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差是否大于預先設定的標準閾值；在判斷所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差小于或等于所述標準閾值時，判斷所述工藝窗口曝光圖形301的邊緣位置誤差是否大于預先設定的工藝窗口閾值。所述工藝窗口閾值大于所述標準閾值。
[0080]因此本實施例中，步驟S60，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值包括:判斷所述標準曝光圖形302的平均標準邊緣位置誤差EPEavs是否大于預先設定的標準閾值；在判斷所述標準曝光圖形302的平均標準邊緣位置誤差EPE-小于或等于所述標準閾值時，判斷所述工藝窗口曝光圖形301的平均工藝窗口邊緣位置誤差EPEpwavs是否大于預先設定的工藝窗口閾值。
[0081]繼續參考圖8，當判斷所述邊緣位置誤差不大于預先設定的閾值時，即所述邊緣位置誤差小于或等于預先設定的閾值時，光學鄰近修正完成，執行步驟S70，獲得修正圖形。
[0082]具體的，本實施例中，在判斷所述平均標準邊緣位置誤差EPEatc不大于預先設定的標準閾值時，且判斷所述平均工藝窗口邊緣位置誤差EPEpwatc不大于預先設定的工藝窗口閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形。也就是說在判斷所述平均標準邊緣位置誤差EPEAV(/j、于或等于預先設定的標準閾值時，且判斷所述平均工藝窗口邊緣位置誤差EPE PWAVG也小于或等于預先設定的工藝窗口閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形。
[0083]在判斷所述邊緣位置誤差大于預先設定的閾值時，執行步驟S80，調整初始圖形200，以減小邊緣位置誤差與所述閾值的差異。
[0084]需要說明的是，判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值的步驟包括:判斷所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差是否小于或等于預先設定的標準閾值和判斷所述工藝窗口曝光圖形301的邊緣位置誤差是否小于或等于預先設定的工藝窗口閾值。
[0085]所以，當判斷所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差大于預先設定的標準閾值時，或判斷所述工藝窗口曝光圖形301的邊緣位置誤差大于預先設定的工藝窗口閾值時，都需要執行步驟S80，需要對初始圖形200進行調整:當判斷所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差大于所述標準閾值時，執行步驟S80，調整初始圖形200，以減小邊緣位置誤差與標準閾值的差異；當判斷所述標準曝光圖形302的邊緣位置誤差小于或等于標準閾值，但是判斷所述工藝窗口曝光圖形301的邊緣位置誤差大于所述工藝窗口閾值時，也需要執行步驟S80，調整初始圖形200，以減小邊緣位置誤差與工藝窗口閾值的差異。
[0086]還需要說明的是，為了縮短光學鄰近修正的時間，提高修正效率，本實施例中采用平均邊緣位置誤差與所述閾值進行比較。所以本實施例中，當判斷所述平均標準邊緣位置誤差EPEavs大于所述標準閾值時，執行步驟S80，調整初始圖形200，以減小平均標準邊緣位置誤差EPEavs與標準閾值的差異；當判斷所述平均標準邊緣位置誤差EPE AV(/j、于或等于標準閾值，但是判斷平均工藝窗口邊緣位置誤差EPEpwatc大于所述工藝窗口閾值時，也需要執行步驟S80，調整初始圖形200，以減小平均工藝窗口邊緣位置誤差EPEpwavs與工藝窗口閾值的差異。
[0087]當判斷所述邊緣位置誤差大于預先設定的閾值時，調整初始圖形200的步驟包括:根據不同采樣點的邊緣位置誤差和所述閾值的差異大小，獲得大于所述閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形200中與所述采樣點相對應的邊，以減小邊緣位置誤差與所述閾值的差
B升。
[0088]具體的，本實施例中，在判斷所述平均標準邊緣位置誤差EPEavs大于所述標準閾值時，根據不同采樣點的邊緣位置誤差和所述標準閾值的差異大小，獲得大于所述標準閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述標準閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形200中所述采樣點相對應的邊，以減小平均標準邊緣位置誤差EPEavs與標準閾值的差異，獲得調整后的初始圖形201 ;在判斷所述平均工藝窗口邊緣位置誤差EPEpwatc大于所述工藝窗口閾值時，根據所述工藝窗口曝光圖形中不同采樣點邊緣位置誤差和所述工藝窗口閾值的差異大小，獲得大于所述工藝窗口閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述工藝窗口閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形200中所述采樣點相對應的邊，以減小所述工藝窗口平均值與所述工藝窗口閾值的差異，獲得調整后的初始圖形。
[0089]需要說明的是，調整與所述采樣點相對應的邊的步驟包括:當所述采樣點設置在圖形的邊上時，調整所述采樣點所位于的邊；當所述采樣點設置在轉角處時，調整距離所述采樣點最近的邊。
[0090]具體的，結合參考圖9，示出了圖6中所述工藝窗口曝光圖形301與初始圖形200之間部分采樣點以及邊的對應關系。與采樣點Cl、采樣點C2以及采樣點C3相對應的邊為邊C ;與采樣點D1、采樣點D2以及采樣點D3相對應的邊為邊D。與邊緣位置誤差EPEe2pwK對應的采樣點為C2，與采樣點C2相對應的邊為邊C，因此當邊緣位置誤差EPEε2PW大于所述工藝窗口閾值時，需要調整邊C ;與邊緣位置誤差EPED1P#；^i應的采樣點為Dl，與采樣點Dl相對應的邊為邊D，因此當邊緣位置誤差EPEdipw大于所述工藝窗口閾值時，需要調整邊D。
[0091]需要說明的是，本實施例中，具體對初始圖形200中相對應的邊進行調整的方向和調整量，是根據交叉掩模增強函數(Cross Mask Error Enhancement Funct1n, XMEEF)方法獲得的。
[0092]繼續參考圖8，結合參考圖10，執行步驟S80，調整初始圖形200后，獲得調整后的初始圖形201，對調整后的初始圖形201重新執行上述獲得曝光圖形和比較的步驟，直至所述曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形400。圖10示出了圖5所示初始圖形200在光學鄰近修正過程中獲得的調整后的初始圖形201以及光學鄰近修正完成后獲得的修正圖形400。
[0093]具體的，獲得調整后的初始圖形201后，重新執行步驟S30設置初始圖形，將調整后的初始圖形201設置為初始圖形，并對新設定的初始圖形201重新執行步驟S40獲得曝光圖形、步驟S50獲得邊緣位置誤差以及步驟S60判斷邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，直至所述曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述閾值時，光學鄰近修正完成，執行步驟S70獲得修正圖形。
[0094]本實施例中，光學鄰近修正過程中獲得的調整后的初始圖形201和光學鄰近修正完成后獲得的修正圖形400均為圓角長方形。但是所述調整后的初始圖形201的長邊的長度比所述修正圖形400的長邊端；所述調整后的初始圖形201的短邊比所述修正圖形400的短邊長。
[0095]需要說明的是，本實施例中以針對形成接觸孔的圖形進行光學鄰近修正為例進行說明，接觸孔的尺寸一般不超過70nmX70nm，所以每條邊設置一個采樣點即可滿足修正要求，但是本發明對此并不做限制。當所述目標圖形為其他形狀時，目標圖形每條邊上設置的采樣點的數量可以大于一個。
[0096]參考圖11，示出了本發明所提供光學鄰近修正第二實施例中，針對形成柵極的圖形進行光學鄰近修正時所提供的目標圖形100a。
[0097]由于所述目標圖形10a用于形成柵極，柵極會有很長的長邊a。所述長邊a的長度可能是微米量級的。因此所述目標圖形10a的寬長比很大。所以需要在所述長邊a上設置多個采樣點。本實施例中，在所述長邊a上設置3個采樣點。
[0098]所述目標圖形10a中的轉角也設置為轉角，但是由于所述目標圖形10a的短邊b上已經設置有I個采樣點，且短邊b較短。因此，為了避免在短邊b上的采樣點設置過于密集造成資源浪費，也為了進一步提高對于長邊a的修正精度，本實施例中設置在轉角處的采樣點位于轉角角平分線偏向于長邊a —側。
[0099]綜上，本發明通過在所述目標圖形中的轉角處增加采樣點，獲取邊緣位置誤差，最終通過判斷每個圖形上所有采樣點邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，判斷光學鄰近修正是否完成。采樣點的增加，能夠減少圖形在光學鄰近修正后發生圖形畸變，能夠避免由于圖形畸變而引起的修正圖形尺寸不足的問題。此外，本發明還通過將所述目標圖形中的轉角設置為圓角，減小了目標圖形和初始圖形之間的差異，有利于幫助光學鄰近修正實現收斂，有利于縮短光學鄰近修正的時間。可選的，本發明在判斷邊緣位置誤差是否符合標準時，還引入了工藝窗口限制，通過判斷邊緣位置誤差是否大于特定工藝窗口條件下圖形尺寸的最小值，使圖形的尺寸在一定極端工藝條件下達到最小值，從而避免由于光學鄰近修正造成的箍縮或橋接等缺陷，避免了光學鄰近修正引起良品率的損失。
[0100]雖然本發明披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
【主權項】
1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括:提供目標圖形，所述目標圖形由多條邊圍成，所述目標圖形的邊在相交處形成轉角；在所述目標圖形上設置多個采樣點，所述采樣點位于所述目標圖形的邊或轉角上；設置初始圖形；獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形；比較所述曝光圖形與所述目標圖形在采樣點的位置差異，獲得曝光圖形的邊緣位置誤 差；判斷所述邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值，當所述邊緣位置誤差小于或等于預 先設定的閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形；當所述邊緣位置誤差大于預先設定的閾值時，調整初始圖形，以減小邊緣位置誤差與 所述閾值的差異；對調整后的初始圖形重新執行上述獲得曝光圖形和比較的步驟，直至所 述曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述閾值時，光學鄰近修正完成，獲得修正圖形。2.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述目標圖形中的轉角為圓 角。3.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，在所述目標圖形上設置多個 采樣點的步驟包括:所述目標圖形的每個邊上至少設置一個采樣點。4.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，在所述目標圖形上設置多個 采樣點的步驟還包括:所述目標圖形的每個轉角上至少設置兩個采樣點。5.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲得與所述初始圖形相對應 的曝光圖形的步驟包括:采用仿真的方法獲得與所述初始圖形相對應的曝光圖形。6.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲得曝光圖形的邊緣位置誤 差的步驟包括:當所述采樣點設置在圖形的邊上時，通過比較在采樣點位置，垂直于所述邊 的方向上，所述曝光圖形與所述目標圖形之間的位置差異，獲得曝光圖形中相應采樣點的 邊緣位置誤差。7.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，對于設置于轉角上的采樣點， 獲得曝光圖形的邊緣位置誤差的步驟包括:當所述采樣點設置在圖形的轉角上時，通過比 較在采樣點位置，沿轉角曲線徑向方向上，所述曝光圖形與所述目標圖形之間的位置差異， 獲得曝光圖形中相應采樣點的邊緣位置誤差。8.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，判斷所述邊緣位置誤差是否 大于預先設定的閾值的步驟包括:根據所述曝光圖形中所有采樣點的邊緣位置誤差，獲得所述曝光圖形的邊緣位置誤差 的平均值，作為平均邊緣位置誤差；判斷所述平均邊緣位置誤差是否大于預先設定的閾值。9.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，當所述邊緣位置誤差大于所 述閾值時，調整初始圖形的步驟包括:根據不同采樣點的邊緣位置誤差和所述閾值的差異大小，獲得大于所述閾值的邊緣位 置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形中所述采樣 點相對應的邊，以減小邊緣位置誤差與所述閾值的差異，獲得調整后的初始圖形。10.如權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲得與所述初始圖形相對應 的曝光圖形的步驟包括:在工藝窗口限制下獲得曝光圖形，作為工藝窗口曝光圖形；不在工藝窗口限制下以標準工藝條件獲得曝光圖形，作為標準曝光圖形。11.如權利要求10所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，判斷所述邊緣位置誤差是 否大于預先設定的閾值的步驟包括:判斷所述標準曝光圖形的邊緣位置誤差是否大于預先設定的標準閾值；在判斷所述標準曝光圖形的邊緣位置誤差小于或等于所述標準閾值時，判斷所述工藝 窗口曝光圖形的邊緣位置誤差是否大于預先設定的工藝窗口閾值；所述工藝窗口閾值大于 所述標準閾值。12.如權利要求11所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，當所述邊緣位置誤差大于 所述閾值時，調整初始圖形的步驟包括:在判斷所述標準曝光圖形的邊緣位置誤差大于所述標準閾值時，根據不同采樣點的邊 緣位置誤差和所述標準閾值的差異大小，獲得大于所述標準閾值的邊緣位置誤差所對應的 采樣點的位置；根據大于所述標準閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形中所述 采樣點相對應的邊，以減小邊緣位置誤差與標準閾值的差異，獲得調整后的初始圖形。13.如權利要求11所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，當所述邊緣位置誤差大于 所述閾值時，調整初始圖形的步驟包括:在判斷所述工藝窗口曝光圖形的邊緣位置誤差大于所述工藝窗口閾值時，根據所述工 藝窗口曝光圖形中不同采樣點邊緣位置誤差和所述工藝窗口閾值的差異大小，獲得大于所 述工藝窗口閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置；根據大于所述工藝窗口閾值的邊緣位置誤差所對應的采樣點的位置，調整初始圖形中 所述采樣點相對應的邊，以減小所述工藝窗口曝光圖形的邊緣位置誤差與所述工藝窗口閾 值的差異，獲得調整后的初始圖形。14.如權利要求9、12或13所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，調整初始圖形中所 述采樣點相對應的邊的步驟包括:當所述采樣點設置在圖形的邊上時，調整所述采樣點所 在的邊。15.如權利要求9、12或13所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，調整初始圖形中所 述采樣點相對應的邊的步驟包括:當所述采樣點設置在轉角處時，調整距離所述采樣點最 近的邊。
【文檔編號】G03F1/36GK106033170SQ201510104815
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月10日
【發明人】杜杳雋
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司