一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于半導體光刻工藝技術領域，涉及一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法。
【背景技術】
[0002]在半導體技術中，光刻的本質是把臨時電路結構復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。光刻使用光敏光刻膠材料和可控制的曝光，在硅片表面形成三維圖形。
[0003]光刻中一個重要的性能指標是每個圖形的分辨率。為了提高分辨率，更先進的浸潤式光刻得以發展。在傳統的光刻技術中，光刻機投影鏡頭與硅片上的光刻膠之間的介質是空氣。
[0004]浸潤式光刻是指在光刻機投影鏡頭與硅片之間用一種液體充滿，從而獲得更好的分辨率及增大鏡頭的數值孔徑，進而實現更小曝光尺寸的一種新型光刻技術。浸潤式光刻技術利用了光通過液體介質后光源波長縮短的原理來提高分辨率，其縮短的倍率即為液體介質的折射率。目前，主流的液體介質是超純水(Ultra pure water，UPW)，使用超純水作為浸潤介質的浸潤式光刻，可將投影光源的波長縮短約1.4倍(水的折射率約為1.4)，分辨率比傳統的光刻技術得到明顯提高。
[0005]但因為引入了液體介質，導致浸潤式光刻會帶來更多特有的缺陷，影響產品良率。在現有技術中，多娃片循環運動MLET (Multiple Lot Endurance Test)是浸沒式光刻機對硅片進行的曝光循環運動，目的是用多硅片循環運動帶走超純水中的微粒，通過帶走超純水中的微粒對浸沒式光刻機的缺陷控制和改善有至關重要的作用。
[0006]目前，如圖1所示，一般情況下，絕大部分的曝光文件只有單個曝光程序，即單個曝光影像，硅片只曝光一個循環。如圖2所示，如果采用多曝光程序，那么硅片曝光就會多次循環，循環次數和曝光程序的數量一致，采用這種方式進行曝光，可以實現MLET不斷循環曝光的效果。
[0007]業界的通常做法是將硅片盒內的各枚硅片依次傳送至載片臺，經過一輪曝光后再傳回硅片盒，當一盒硅片盒的硅片輪序曝光完成后，再重新從硅片盒內的第一枚硅片開始循環。該做法具有兩個缺陷:1.耗費機臺時間，由于需要將硅片盒內的硅片逐次傳送至硅片載片臺，因此，需要大量時間消耗在硅片傳送上，降低了機臺的使用效率；2.帶走微粒的效果較差，由于硅片經過一輪曝光，傳回硅片盒后，在進行下一輪硅片曝光時，重新對該硅片進行曝光，而此時硅片本身已經帶有微粒，經過多輪曝光后，硅片本身的微粒越積越多，導致帶走微粒的效果較差。
[0008]因此，本領域技術人員亟需提供一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，不僅節約機臺時間，同時可以更好的帶走超純水中的微粒。

【發明內容】

[0009]本發明所要解決的技術問題是提供一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，不僅節約機臺時間，同時可以更好的帶走超純水中的微粒。
[0010]為了解決上述技術問題，本發明提供了一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，包括以下步驟:
[0011]步驟S01、將硅片盒內的單枚硅片傳送至硅片載片臺；
[0012]步驟S02、對傳送至硅片載片臺上的硅片進行預設輪數的循環曝光，其中，循環曝光的輪數至少為2輪，且循環曝光的輪數與曝光程序中的曝光影像的數量相等；
[0013]步驟S03、將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒；
[0014]步驟S04、將硅片盒內的下一枚硅片傳送至硅片載片臺，并對其進行預設輪數的循環曝光，然后將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒，如此重復，直至硅片盒內的硅片全部完成循環曝光。
[0015]優選的，對硅片的曝光面積減少至預設面積。
[0016]優選的，不同曝光影像的曝光區域的面積大小不一致。
[0017]優選的，所述步驟S02中，對傳送至硅片載片臺上的硅片進行循環曝光的輪數為8?15輪。
[0018]優選的，所述步驟S02中，對傳送至硅片載片臺上的硅片進行循環曝光的輪數為12輪。
[0019]與現有的方案相比，本發明提供的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，通過改變硅片的循環曝光順序，減少了硅片傳送占用機臺的時間，同時具有更好的帶走超純水中微粒的效果，使超純水中的微粒聚集在單枚硅片上至飽和狀態，更換下一枚硅片繼續循環，使超純水中的微粒越來越少；同時，通過減少硅片的曝光面積，可以減少各曝光影像所產生的平坦度結果文件的大小，解決了由于平坦度結果文件過大而導致機臺宕機的問題。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1是現有技術中硅片單個曝光影像的示意圖；
[0022]圖2是現有技術中硅片多個曝光影像的示意圖；
[0023]圖3是本發明中基于多曝光程序的多硅片循環運動方法的流程示意圖；
[0024]圖4是本發明中硅片減小曝光區域面積的示意圖。
【具體實施方式】
[0025]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明的實施方式作進一步地詳細描述。本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
[0026]上述及其它技術特征和有益效果，將結合實施例及附圖3、4對本發明的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法進行詳細說明。圖3是本發明中基于多曝光程序的多硅片循環運動方法的流程示意圖；圖4是本發明中硅片減小曝光區域面積的示意圖。
[0027]如圖3所示，本發明提供了一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，包括以下步驟:
[0028]步驟S01、將娃片盒內的單枚娃片傳送至娃片載片臺。
[0029]步驟S02、對傳送至硅片載片臺上的硅片進行預設輪數的循環曝光，其中，循環曝光的輪數至少為2輪，且循環曝光的輪數與曝光程序中的曝光影像的數量相等。
[0030]在步驟S02中，對傳送至硅片載片臺上的硅片進行循環曝光的輪數優選為8?15輪；較佳的，循環曝光的輪數為12輪。在實際操作過程中，循環曝光的輪數根據曝光程序中的曝光影像的數量而定，在此不作限定。
[0031]步驟S03、將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒。
[0032]步驟S04、將硅片盒內的下一枚硅片傳送至硅片載片臺，并對其進行預設輪數的循環曝光，然后將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒，如此重復，直至硅片盒內的硅片全部完成循環曝光。
[0033]在步驟S04中，經過循環曝光后的硅片傳回硅片盒中即不再使用，而更換下一枚硅片繼續循環，保證每一節點都有干凈的硅片可以使用，即便是最后超純水中微粒較少的情況下，仍然有干凈的硅片來帶走剩余的微粒。
[0034]如圖4所示，為了解決平坦度結果文件過大而導致機臺宕機的問題，本發明對硅片的曝光面積減少至預設面積，具體面積大小視實際需要而定。而曝光影像中每個重復單元(shot)的大小不變，通過減少曝光區域的面積大小(如圖中shot內的小方框即為減小后的曝光面積)，可以減少每個曝光影像所產生的平坦度結果文件的大小，從而解決了平坦度結果文件過大而導致機臺宕機的問題。優選方案中，同一枚硅片曝光區域的面積大小可不一致，曝光區域的面積大小可根據機臺可容納平坦度結果文件的大小而定，同時不影響帶走水中的微粒效果即可。
[0035]綜上所述，本發明提供的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，通過改變硅片的循環曝光順序，減少了硅片傳送占用機臺的時間，相比現有的技術方案，節約時間50%以上，同時具有更好的帶走超純水中微粒的效果，使超純水中的微粒聚集在單枚硅片上至飽和狀態，更換下一枚硅片繼續循環，使超純水中的微粒越來越少；同時，通過減少硅片的曝光面積，可以減少各曝光影像所產生的平坦度結果文件的大小，解決了由于平坦度結果文件過大而導致機臺宕機的問題。
[0036]上述說明示出并描述了本發明的若干優選實施例，但如前所述，應當理解本發明并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合和修改，并能夠在本文所述發明構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本發明的精神和范圍，則都應在本發明所附權利要求的保護范圍內。
【主權項】
1.一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟S01、將硅片盒內的單枚硅片傳送至硅片載片臺； 步驟S02、對傳送至硅片載片臺上的硅片進行預設輪數的循環曝光，其中，循環曝光的輪數至少為2輪，且循環曝光的輪數與曝光程序中的曝光影像的數量相等； 步驟S03、將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒； 步驟S04、將硅片盒內的下一枚硅片傳送至硅片載片臺，并對其進行預設輪數的循環曝光，然后將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒，如此重復，直至硅片盒內的硅片全部完成循環曝光。2.根據權利要求1所述的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，其特征在于，對硅片的曝光面積減少至預設面積。3.根據權利要求1所述的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，其特征在于，不同曝光影像的曝光區域的面積大小不一致。4.根據權利要求1所述的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，其特征在于，所述步驟S02中，對傳送至硅片載片臺上的硅片進行循環曝光的輪數為8?15輪。5.根據權利要求4所述的基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，其特征在于，所述步驟S02中，對傳送至硅片載片臺上的硅片進行循環曝光的輪數為12輪。
【專利摘要】本發明公開了一種基于多曝光程序的多硅片循環運動方法，包括以下步驟：首先將硅片盒內的單枚硅片傳送至硅片載片臺；接著對傳送至硅片載片臺上的硅片進行預設輪數的循環曝光；然后將循環曝光后的硅片傳回至硅片盒；最后對硅片盒內的下一枚硅片進行預設輪數的循環曝光，直至硅片盒內的硅片全部完成循環曝光。本發明通過改變硅片的循環曝光順序，減少了硅片傳送占用機臺的時間，同時具有更好的帶走超純水中微粒的效果，使超純水中的微粒聚集在單枚硅片上至飽和狀態，使超純水中的微粒越來越少；同時，通過減少硅片的曝光面積，可以減少各曝光影像所產生的平坦度結果文件的大小，解決了由于平坦度結果文件過大而導致機臺宕機的問題。
【IPC分類】G03F7/20
【公開號】CN105093849
【申請號】CN201510488878
【發明人】李文亮, 吳鵬, 陳力鈞, 朱駿, 莫少文
【申請人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年8月11日