專利名稱：薄膜晶體管基板的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于顯示裝置的薄膜晶體管基板，更具體地說，涉 及一種通過向薄膜晶體管基板的整個表面穩定地施加一致的公共電壓而 將顯示裝置在顯示圖像時的閃爍或殘留圖像最小化的薄膜晶體管基板。
背景技術：
近來，諸如液晶顯示器(LCD)、 PDP (等離子顯示板)、OLED (有 機發光裝置)、電泳指示顯示器等的平板顯示裝置已發展為常規CRT的 替代。在眾多平板顯示裝置中，LCD因其相對CRT更薄、更輕且低能耗的 優點而被廣泛使用。通常，LCD通過改變兩電極(像素電極和公共電極)間的電勢所產 生的電場來控制液晶的排列狀態，并根據液晶的排列狀態來控制透光率， 從而顯示圖像。LCD包括液晶板，該液晶板包括具有濾色器的濾色器基 板、具有多個薄膜晶體管(TFT)的TFT基板、以及位于濾色器基板和 TFT基板之間的液晶層。在此，TFT基板1包括用于顯示圖像的顯示區(a)和不顯示圖像的 非顯示區(b)。顯示區(a)包括以矩陣形式形成的多個顯示像素Pl以 顯示圖像，并且非顯示區(b)包括用于保持濾色器基板和TFT基板1 接合時的單元間隙的偽像素(dummypixel) P2。與位于顯示區(a)的顯 示像素P1不同，不顯示圖像的偽像素P2不具有TFT，但具有與顯示像 素P1相同的結構。在此，如圖1所示，TFT 1包括形成為彼此交叉的選通配線2和數 據配線3。選通配線2包括大體上沿水平方向延伸的選通線2a，在選通 線2a末端部分形成的選通焊盤(未示出)，以及作為選通線2a的一部分而構成TFT的柵極2b。柵極2b所形成的寬度大于選通線2a。數據配線 3包括大體上沿垂直方向延伸的數據線3a和在數據線3a末端形成的數據 焊盤3b。選通線2a和數據線3a交叉的區域被限定為像素。例如，如圖 l所示，具有IPS (板內切換)結構的像素包括交替而重復形成的像素電 極4和公共電極5。沿像素邊緣設置的公共電壓線6，從而向公共電極5 施加公共電壓Vcom。公共電壓線6在選通線2a的延伸方向互連。然而，由于公共電壓線6的自身阻抗，導致施加到公共電壓線6的 公共電壓Vcom (壓降)被降低，從而造成公共電壓不能一致地施加到 TFT基板1的整個表面的問題。公共電壓的不一致性降低了畫面質量， 如殘留圖像或閃爍。發明內容因此，為了解決上述問題，在此構思所描述的各種特征。示例性實 施方式的一方面用于提供一種能夠在顯示裝置顯示圖像時通過向薄膜晶 體管基板的整個表面穩定地施加一致的公共電壓而將閃爍和殘留圖像最 小化的薄膜晶體管(TFT)基板。本說明書提供了一種TFT基板，該TFT基板包括多條選通配線； 多條數據配線，其與所述選通配線絕緣交叉以限定多個像素；多條公共 電壓線，其沿所述像素邊緣形成并且在所述選通配線的延伸方向上互連； 以及多個公共電極，其形成在所述像素處，所述多個公共電極與所述公 共電壓線部分交疊并且該所述多個公共電極在所述數據配線的延伸方向 上互連。這里，各像素包括顯示像素和偽像素，所述顯示像素位于形成圖像 的顯示區，而所述偽像素位于除顯示區以外的非顯示區，并且各公共電 極包括顯示部分公共電極、非顯示部分公共電極和公共電極連接單元， 所述顯示部分公共電極形成在所述顯示像素處，所述非顯示部分公共電 極形成在所述偽像素處，并且所述公共電極連接單元對所述顯示部分公 共電極和所述非顯示部分公共電極進行連接并對多個顯示部分公共電極 進行連接。所述顯示部分公共電極包括第一顯示部分公共電極和第二顯示部分 公共電極，所述第一顯示部分公共電極經由公共電壓接觸孔與所述公共 電壓線相連，所述第二顯示部分公共電極沿所述數據配線從所述第一顯 示部分公共電極延伸，所述非顯示部分公共電極被形成為覆蓋所述偽像 素的整個表面，并且經由所述公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連。所述顯示部分公共電極包括第一顯示部分公共電極和第二顯示部分 公共電極，所述第一顯示部分公共電極經由公共電壓接觸孔與所述公共 電壓線相連，而所述第二顯示部分公共電極沿所述數據配線從所述第一 顯示部分公共電極延伸，所述非顯示部分公共電極包括第一非顯示部分 公共電極和第二非顯示部分公共電極，所述第一非顯示部分公共電極和 第二非顯示部分公共電極分別形成在所述偽像素在所述數據配線的延伸 方向上的兩端，并且經由所述公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連。所述第一非顯示部分公共電極可以被形成為與所述數據配線的端部 相鄰，所述第二非顯示部分公共電極被形成為與所述顯示部分公共電極 相鄰，并且所述連接部分公共電極對彼此相鄰設置的所述第二非顯示部 分公共電極和所述第一顯示部分公共電極相連。所述連接部分公共電極在所述數據配線的延伸方向延伸以與所述選 通配線部分交疊。所述連接部分公共電極對所述顯示部分公共電極和所述非顯示部分 公共電極進行連接，所述顯示部分公共電極和所述非顯示部分公共電極 分別設置在各不同像素處并且在所述數據配線的延伸方向彼此相鄰。所述連接部分公共電極對所述第一顯示部分公共電極和所述第二顯 示部分公共電極進行連接，所述第一顯示部分公共電極和所述第二顯示 部分公共電極設置在各不同像素處并且在所述數據配線的延伸方向彼此 相鄰。所述TFT基板還包括形成在所述多條選通配線和所述多條數據配線的各交叉處的多個TFT，并且所述連接部分公共電極沿所述數據配線 形成從而與形成所述相鄰像素處的所述TFT的所述數據配線相鄰。 所述非顯示部分公共電極沿所述選通配線的延伸方向互連。所述TFT基板還包括多個像素電極，所述像素電極與所述顯示部分公共電極一起形成共平面場，并且各像素電極包括第一像素電極和第 二像素電極，所述第一像素電極形成為與所述選通配線相鄰以在所述顯 示像素處與所述公共電壓線交疊，所述第二像素電極位于所述多個第二 顯示部分公共電極之間以使所述像素電極重復地與所述第二顯示公共電 極一起交替設置。所述連接部分公共電極形成為不與所述像素電極交疊。 所述薄膜晶體管還包括源極和漏極，所述源極從所述數據配線分支， 所述漏極與所述源極分離并延伸以插入到所述公共電壓線和所述第一像 素電極之間，并且所述像素電極經漏接觸孔與所述漏極相連。所述公共電極和所述像素電極由ITO (銦錫氧化物)和IZO (銦鋅 氧化物)之一形成。所述偽像素設置在所述數據配線的兩端。與所述公共電壓線的公共電壓相同的公共電壓被施加到限定所述偽 像素的所述選通配線。所述連接部分公共電極與所述交疊選通配線電連接，從而向其提供 公共電壓。結合附圖，本發明的上述和其他目的、特征、方面和優點根據本發 明接下來的詳細說明將更清楚。


圖1為例示了根據現有技術的形成在薄膜晶體管(TFT)基板處的 像素的結構圖；圖2為根據本發明的TFT基板的設計圖；圖3a為示出了根據本發明的第一實施方式的形成在TFT基板處的像 素的結構圖；圖3b為沿圖3a線inb-nib截取的截面圖；圖4為示出了根據本發明第二實施方式的形成在TFT基板處的像素 的結構圖；圖5為示出了根據本發明第三實施方式的公共電極的結構圖。
具體實施方式
下面參照附圖對本發明的實施方式進行詳細描述。如果在不同膜(層)上形成(設置)特定膜(層)，其包括如下兩種 情況兩個膜(層)彼此接觸的情況，以及在該兩個膜(層)間存在另 一不相同的膜(層)的情況。圖2為根據本發明的薄膜晶體管(TFT)基板的設計圖，圖3a為示 出了根據本發明的第一實施方式的形成在TFT基板上的像素的結構圖， 圖3b為沿圖3a線IIIb-IIIb截取的截面圖。通常，如圖2所示，TFT基板100包括形成圖像的顯示區a以及非 顯示區。通常，左非顯示區b和右非顯示區b各有三個像素P2，并且上 非顯示區b和下非顯示區b各有一個或更多個像素P2。 g卩，位于顯示區 a的像素Pl被位于非顯示區b的像素P2所包圍。在TFT基板100的邊 緣形成像素P2的原因是為了當濾色器基板和TFT基板接合時而一致地保 持單元間隙。具體地說，在TFT基板100左部和右部設置三個像素P2的原因如 下。當使用單個掩模在濾色器基板上制造三色濾色器時，向左方向連續 地移動該單個掩模而制造藍、綠和紅色濾色器，從而在制造出的濾色器 基板的左部和右部需要對應于三個像素P2的額外間距。如果與顯示區a 的像素Pl相同的像素P2未被設置在與設置濾色器基板的額外間距相對 應的TFT基板的區域，當接合濾色器基板和TFT基板時，則兩基板間的 間隙在各個位置不相同。因而，單元間隙在總體上不一致，從而降低了 光學性能。由此，為了避免這種問題，與顯示區a相同的像素P2被設置 在TFT基板100的左部和右部，從而當接合濾色器基板和TFT基板時， 兩基板間的間隙在各個位置相同。這里，像素Pl和P2由形成為彼此交叉的選通配線121和123與數 據配線141和143來限定。位于顯示區a的像素P1是顯示像素，并且位 于非顯示區b的像素P2為偽像素。與位于顯示區a的像素Pl不同，不顯示圖像的偽像素P2不具有TFT。另外，根據本發明的偽像素P2的公 共電極170具有與顯示像素Pl的公共電極不同的形狀。下面參考圖3a 和3b來說明不同于顯示像素Pl的偽像素P2的結構。如圖3a和3b所示，TFT基板100包括選通配線121、 123和125， 公共電壓線128，與選通配線121、 123和125交叉的數據配線141、 143、 145和148，在選通配線121、 123和125與數據配線141、 143、 145和 148交叉處形成的多個TFT，以及在由選通配線121、 123和125與數據 配線141、 143、 145和148所限定的各像素處形成的像素電極160和公 共電極170，上述全部形成在絕緣基板110上。絕緣基板110由諸如玻璃、石英、陶瓷或塑料等的絕緣材料制成。選通配線121、 123和125包括沿水平方向延伸的選通線121、選通 焊盤123和柵極125，所述選通焊盤123與選通線121末端相連(參考圖 2)，從外部接收選通信號并向選通線121傳送該選通信號，所述柵極125 作為選通線121的一部分而構成TFT。如圖3a所示，柵極125可隨著選 通線121的寬度擴展而形成，或者另選地，可從選通線121分支柵極125。在其上形成有選通配線121、 123和125的同一層上形成公共電壓線 128。沿由彼此交叉的選通配線121、 123和125與數據配線141、 143、 145和148所限定的像素Pl和P2的邊緣形成公共電壓線128，并且該公 共電壓線128沿選通線121的延伸方向互連。公共電壓線128經由公共 電壓接觸孔131與公共電極170相連并向公共電極170施加公共電壓。 公共電壓線128由與選通配線121、 123和125相同的材料制成，但與其 物理上是分離的。在各像素Pl和P2中形成的公共電壓線128在選通線 121的延伸方向相連。選通配線121、 123和125與公共電壓線128可以被形成為金屬單層 或多層，并且可由鉬、錳、鎢、鎳、鋁、鉻、金、銀及其合金等制成。 以多層形成選通配線121、 123和125與公共電壓線128的原因是為了補 充各金屬或合金的不足之處并且獲得期望的物理特性。向限定偽像素P2的選通配線121 、 123和125施加與公共電壓線128的公共電壓相同的公共電壓。這是因為，與顯示像素Pl不同，不具有TFT的偽像素P2為不形成圖像的區域。在這種情況下，限定偽像素P2 的選通配線121、 123和125為非必要的額外配線。然而，在本發明中， 向限定偽像素P2的選通配線121、 123和125施加公共電壓Vcom，并且 雖未詳細示出，但是選通配線121和125以及連接部分公共電極173經 由接觸孔彼此接觸，從而穩定地向公共電極170傳輸公共電壓。在選通配線121、 123和125與公共電壓線128上以及未被選通配線 121、 123和125與公共電壓線128覆蓋的部分絕緣基板110上形成柵絕 緣層130。柵絕緣層130是由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等制 成的有機絕緣層。暴露部分公共電壓線128的公共電壓接觸孔131形成 在柵絕緣層130上。盡管未示出，但是在顯示像素P1，在選通配線121、 123和125與 數據配線141、 143、 145和148的交叉處形成TFT。 g卩，盡管未示出， 半導體層和電阻接觸層相繼層疊在柵極125上。半導體層可由諸如非晶 硅或者多晶硅等的半導體制成。由高密度摻雜有硅化物或者n型雜質的 n+氫化非晶硅制成的電阻接觸層被形成在半導體層上。數據配線141、 143、 145和148包括數據線141、數據焊盤143、源 極145和漏極148，該數據線141在絕緣層130上沿與選通線121交叉的 方向延伸，該數據焊盤143被設置在數據線141的末端并接收來自外部 的驅動信號或控制信號，該源極145從數據線141分支并向柵極125延 伸，并且該漏極148被設置為基于柵極123并與源極145分離。如圖3所示，數據線141可被形成為具有類似夾子的形狀(〈)的局 部彎曲形狀，并且盡管未示出，但是數據線141可具有線性形狀。漏極 148與源極145分離，在與柵極125相鄰的公共電壓線128上延伸，并且 被插入在公共電壓線128和第一像素電極160a之間。由此，制造了 TFT (T)。數據配線141、 143、 145和148可包括以下材料至少之一Al、 Cr、 Mo、 Au、 Pt、 Pd及其合金。數據配線141、 143、 145和148可被形成為 具有上述材料至少之一的單層或多層。數據線141絕緣地與選通線121 交叉以限定多個像素(顯示像素P1和偽像素P2)。柵極125上的源極145和漏極148之間的區域被限定為溝道區域。已說明了與普通顯示像素Pl相對應的數據配線141、 143、 145和 148，與偽像素P2相對應的數據配線141和143不包括源極145和漏極 148。這是因為偽像素P2形成于不形成圖像的區域，由此不需要TFT。 因此，如圖3a所示，在與偽像素P2相對應的柵極125上不形成源極145 和漏極148。鈍化膜150被形成在柵絕緣層130和數據配線141、 143、 145和148 上。在鈍化膜150形成露出漏極148的漏接觸孔151。鈍化膜可由有機絕 緣材料制成并且例如可包含丙烯酸聚合物。在鈍化膜150上形成像素電極160和公共電極170。首先，僅在顯示像素Pl而不在偽像素P2處形成像素電極160。形 成在顯示像素Pl的像素電極160包括第一像素電極160a和第二像素電 極160b，該第一像素電極160a形成為與柵極125相鄰以與部分公共電極 線128交疊，該第二像素電極160b沿數據線141延伸，與第一像素電極 160a相分離。第二像素電極160b具有與數據線141類似的局部彎曲形狀 并且與第二顯示部分公共電極171b交替而重復地設置。公共電極170被形成在像素(顯示像素Pl和偽像素P2)處從而使 其與公共電壓線128部分交疊，并且各公共電極170包括形成在顯示部 分P1的顯示部分公共電極171、形成在偽像素P2處的非顯示部分公共電 極175、以及對非顯示部分公共電極175和顯示部分公共電極171進行連 接以及對多個顯示部分公共電極171進行連接的連接部分公共電極173。顯示部分公共電極171包括第一顯示部分公共電極171a、第二顯示 部分公共電極171b，該第一顯示部分公共電極171a經由公共電壓接觸孔 131與公共電壓線128相連，該第二顯示部分公共電極171b從第一顯示 部分公共電極171a沿數據線141延伸。第一顯示部分公共電極171a沿 選通線121延伸并從公共電壓線128接收公共電壓Vcom。第二顯示部分 公共電極171b與第二像素電極160b交替而重復地形成并且與第二像素 電極160b—起形成板內(水平)場。根據本發明第一實施方式的非顯示部分公共電極175被形成為覆蓋偽像素P2的整個表面。g卩，非顯示部分公共電極175被形成為具有與公 共電壓線128和顯示部分公共電極171相比而相當大的寬度。具體地說， 非顯示部分公共電極175被設置為覆蓋數據線141和選通線121所形成 的空間的內部，并且接收來自公共電壓線128的公共電壓Vcom。連接部分公共電極173在非顯示部分公共電極175和顯示部分公共 電極171之間以及多個顯示部分公共電極171之間沿數據線141的延伸 方向延伸，并且與在數據線141的延伸方向設置的顯示部分公共電極171 和非顯示部分公共電極175—體連接。即，連接部分公共電極173連接 位于不同像素(顯示像素Pl和偽像素P2)并且在數據線141的延伸方向 上彼此互鄰的非顯示部分公共電極175和顯示部分公共電極171，并且還 連接多個顯示部分公共電極171。具體地說，形成在與數據焊盤143相鄰的偽像素P2和顯示像素Pl 之間的連接部分公共電極173對非顯示部分公共電極175和第一顯示部 分公共電極171a進行連接。盡管未示出，但是形成在數據焊盤143相對 一側設置的偽像素P2和顯示像素Pl之間的連接部分公共電極173對非 顯示部分公共電極175和第二顯示部分公共電極171b進行連接。連接顯 示像素Pl的連接部分公共電極173對第一顯示部分公共電極171a和第 二顯示部分公共電極171b進行連接。這里，連接顯示像素P1的連接部 分公共電極173沿數據線141形成以與構成形成在相鄰顯示像素P1中的 TFT (T')的數據線141相鄰。連接部分公共電極173被形成為與選通配線121和125部分交疊， 并且被形成為不與像素電極160交疊。如上所述，同樣向限定偽像素P2 的選通配線121、 123和125施加公共電壓Vcom，并且盡管未詳細示出， 但是通過允許選通配線121和125與連接部分公共電極173(接下來說明) 彼此接觸而穩定地向公共電極170傳輸公共電壓。公共電極170和像素電極160由ITO和IZO其中之一制成。即，公 共電極170和像素電極160由相同材料制成。如此形成的多個公共電極170在數據線141的方向互連。多個公共 電壓線128在選通線121的方向互連。因此，流經公共電壓線128和公共電極170的公共電壓Vcom以類似網狀結構被傳輸。即，在現有技術 中，公共電壓Vcom僅沿公共電壓線128在選通線121的方向流通，而 根據公共電極170的結構，公共電壓Vcom還可在數據線141的方向流 通。因此，在TFT基板100的整個表面上流通的公共電壓Vcom的大小 偏差可被最小化并且可平滑且穩定地提供公共電壓Vcom。具體地說，由于在偽像素P2形成具有延伸寬度的非顯示部分公共電 極175并且向非顯示部分公共電極175施加公共電壓Vcom以使公共電 壓Vcom被傳輸到顯示部分公共電極171，從而顯著地減小了對于公共電 壓Vcom的流通的阻抗。因此，施加到多個顯示部分公共電極171的公 共電壓Vcom的大小偏差和施加時間偏差可被最小化。由此，因公共電 壓的不平衡而造成的諸如殘留圖像或閃爍的缺陷圖像質量可被最小化。參考附圖4來說明根據本發明第二實施方式的TFT基板。在本發明 的第二實施方式中，僅說明與第一實施方式中不同的特征部分，所省略 的說明參照本發明的第一實施方式。為了進行描述，對相同的元件給定 相同的附圖標記。根據本發明第二實施方式的非顯示部分公共電極175包括第一非顯 示部分公共電極175a和第二非顯示部分公共電極175b，其在數據線141 的延伸方向被分別形成在偽像素P2的兩端。在這種情況下，連接部分公 共電極173對第二非顯示部分公共電極175b和第一顯示部分公共電極 171a進行連接，該第二非顯示部分公共電極175b和第一顯示部分公共電 極171a被設置為互鄰。與第一實施方式中的不同，本發明的第二實施方式在以下方面進行 變型不一體地形成非顯示部分公共電極。在第二實施方式中，非顯示 部分公共電極175的寬度延伸并且公共電壓以類似網狀結構而流通，從 而在TFT基板100的整個表面上的公共電壓不平衡可被最小化。參考圖5來說明根據本發明第三實施方式的TFT基板。在本發明的 第三實施方式中，僅說明與第一實施方式中不同的特征部分，所省略的 說明參照本發明的第一實施方式。為了進行描述，對相同的元件給定相 同的附圖標記。圖5僅例示了根據本發明第三實施方式的公共電極170。與第一實 施方式不同，根據本發明第三實施方式的公共電極170包括連接圖案178。 即，公共電極170包括在選通線121的延伸方向連接非顯示部分公共電 極175的連接圖案178 (參考圖3a)。因此，在選通線121的方向，公共電壓Vcom可以更穩定地流通， 壓降最小。由此，在TFT基板100的整個表面上的公共電壓不平衡可被 最小化。如上所述，根據本發明的TFT基板具有如下優點由于可向TFT基 板的整個表面穩定地施加一致的公共電壓，從而當在顯示裝置上顯示圖 像時可將閃爍或殘留圖像最小化。由于在不背離本發明特征的情況下，本發明可以多種形式進行實施， 因此還應該理解的是，上述實施方式并不限于前述說明中的任何細節， 除非另有說明，上述實施方式應在所附權利要求定義的范圍內進行廣義 的解釋，并且因此本發明所附的權利要求希望包括所有落入權利要求的 范圍和范圍或者該邊界和范圍的等同物范圍內修改和變型。
權利要求
1、一種薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板包括多條選通配線；多條數據配線，其與所述選通配線絕緣交叉以限定多個像素；多條公共電壓線，其沿所述像素邊緣形成并且在所述選通配線的延伸方向上互連；以及多個公共電極，其形成在所述像素處，所述多個公共電極與所述公共電壓線部分交疊并且該所述多個公共電極在所述數據配線的延伸方向上互連。
2、 根據權利要求1所述的基板，其中，各像素包括顯示像素和偽像 素，所述顯示像素位于形成圖像的顯示區，而所述偽像素位于顯示區以 外的非顯示區，并且各公共電極包括顯示部分公共電極、非顯示部分公 共電極和公共電極連接單元，所述顯示部分公共電極形成在所述顯示像 素處，所述非顯示部分公共電極形成在所述偽像素處，并且所述公共電 極連接單元對所述顯示部分公共電極和所述非顯示部分公共電極進行連 接并對多個所述顯示部分公共電極進行連接。
3、 根據權利要求2所述的基板，其中，所述顯示部分公共電極包括 第一顯示部分公共電極和第二顯示部分公共電極，所述第一顯示部分公 共電極經由公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連，所述第二顯示部分 公共電極沿所述數據配線從所述第一顯示部分公共電極延伸，所述非顯 示部分公共電極被形成為覆蓋所述偽像素的整個表面，并且經由所述公 共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連。
4、 根據權利要求2所述的基板，其中，所述顯示部分公共電極包括 第一顯示部分公共電極和第二顯示部分公共電極，所述第一顯示部分公 共電極經由公共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連，而所述第二顯示部 分公共電極沿所述數據配線從所述第一顯示部分公共電極延伸，所述非 顯示部分公共電極包括第一非顯示部分公共電極和第二非顯示部分公共 電極，所述第一非顯示部分公共電極和第二非顯示部分公共電極分別形成在所述偽像素在所述數據配線的延伸方向上的兩端，并且經由所述公 共電壓接觸孔與所述公共電壓線相連。
5、 根據權利要求4所述的基板，其中，所述第一非顯示部分公共電 極被形成為與所述數據配線的端部相鄰，所述第二非顯示部分公共電極 被形成為與所述顯示部分公共電極相鄰，并且所述連接部分公共電極對 彼此相鄰設置的所述第二非顯示部分公共電極和所述第一顯示部分公共 電極相連。
6、 根據權利要求2所述的基板，其中，所述連接部分公共電極在所 述數據配線的延伸方向延伸以與所述選通配線部分交疊。
7、 根據權利要求2所述的基板，其中，所述連接部分公共電極對所 述顯示部分公共電極和所述非顯示部分公共電極進行連接，所述顯示部 分公共電極和所述非顯示部分公共電極分別設置在各不同像素處并且在 所述數據配線的延伸方向彼此相鄰。
8、 根據權利要求3或4所述的基板，其中，所述連接部分公共電極對所述第一顯示部分公共電極和所述第二顯示部分公共電極進行連接， 所述第一顯示部分公共電極和所述第二顯示部分公共電極設置在各不同 像素處并且在所述數據配線的延伸方向彼此相鄰。
9、 根據權利要求8所述的基板，所述基板還包括 形成在所述多條選通配線和所述多條數據配線的各交叉處的多個TFT，并且所述連接部分公共電極沿所述數據配線形成從而與形成在所述 相鄰像素處形成的所述TFT的所述數據配線相鄰。
10、 根據權利要求2所述的基板，其中，所述非顯示部分公共電極 沿所述選通配線的延伸方向互連。
11、 根據權利要求3或4所述的基板，所述基板還包括 多個像素電極，所述像素電極與所述顯示部分公共電極一起形成板內場，并且各像素電極包括第一像素電極和第二像素電極，所述第一像 素電極形成為與所述選通配線相鄰以在所述顯示像素處與所述公共電壓 線交疊，所述第二像素電極位于所述多個第二顯示部分公共電極之間以 使所述像素電極重復地與所述第二顯示公共電極一起交替設置。
12、 根據權利要求ll所述的基板，其中，所述連接部分公共電極形 成為不與所述像素電極交疊。
13、 根據權利要求11所述的基板，其中，所述薄膜晶體管還包括源 極和漏極，所述源極從所述數據配線分支，所述漏極與所述源極分離并 延伸以插入到所述公共電壓線和所述第一像素電極之間，并且所述像素 電極經漏接觸孔與所述漏極相連。
14、 根據權利要求ll所述的基板，其中，所述公共電極和所述像素 電極由銦錫氧化物和銦鋅氧化物之一形成。
15、 根據權利要求2所述的基板，其中，所述偽像素設置在所述數 據配線的兩端。
16、 根據權利要求6所述的基板，其中，與所述公共電壓線的公共 電壓相同的公共電壓被施加到限定所述偽像素的所述選通配線。
17、 根據權利要求16所述的基板，其中，所述連接部分公共電極與 所述交疊選通配線電連接，從而向其提供公共電壓。
全文摘要
本發明涉及一種薄膜晶體管(TFT)基板，包括多條選通配線；多條數據配線，其與所述選通配線絕緣交叉以限定多個像素；多條公共電壓線，其沿所述像素邊緣形成并且在所述選通配線的延伸方向上互連；以及多個公共電極，其形成在所述像素處，以使得所述多個公共電極與所述公共電壓線部分交疊并且該所述多個公共電極在所述數據配線的延伸方向上互連。因此，一致的公共電壓可以被穩定地施加在TFT基板的整個表面上。
文檔編號G02F1/1362GK101236972SQ20071030655
公開日2008年8月6日 申請日期2007年12月29日 優先權日2007年1月30日
發明者宋武炯, 樸成珍, 洪性珍 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社