使用半導體發光器件的顯示設備的制造方法【專利摘要】討論一種顯示設備，該顯示設備可以包括布線基板，該布線基板具有被形成在不同表面上的第一電極和第二電極；導電粘合層，該導電粘合層被構造成覆蓋布線基板；和子像素部分，該子像素部分被連接到導電粘合層以具有發射不同顏色的光的多個發光部分，其中子像素部分具有與多個發光部分相對應的多個第一導電電極，并且第二導電電極作為用于多個發光部分的公共電極，并且電極孔被形成在布線基板上以將第二電極電連接到第二導電電極。【專利說明】使用半導體發光器件的顯示設備
技術領域：
[0001]本發明的實施例涉及一種顯示設備，并且更具體地，涉及使用半導體發光器件的顯示設備。【
背景技術：
】[0002]近年來，在顯示
技術領域：
中已經開發出具有諸如低配置文件、柔性等優異特性的顯示設備。相反地，當前商用的主要顯示器以液晶顯示器(LCD)和有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)為代表。[0003]然而，在LCD的實例中存在諸如中等響應時間、難以實現柔性的問題，在AMOLED的實例中存在諸如短壽命、中等良率以及低柔性的缺陷。[0004]另一方面，發光二極管(LED)是用于將電流轉換成光的公知的發光器件，并且已經被用作在包括信息通信設備的電子設備中顯示圖像的光源，因為與基于GaP:N的綠色LED—起，使用GaAsP化合物半導體的紅色LED在1962年實現了商業上可用。因此，可以使用半導體發光器件實現柔性顯示器，從而提出用于解決這些問題的方案。[0005]此外，除此之外，能夠設想使用半導體發光器件在柔性顯示器中進一步簡化制造工藝的結構。【
發明內容】[0006]技術問題[0007]本發明的實施例提供其中半導體發光器件以細小的間距被排列的顯示設備。[0008]本發明的實施例提供具有新結構的倒裝芯片型半導體發光器件。[0009]技術方案[0010]為了完成本發明的實施例的前述任務，根據本發明的實施例的顯示設備可以包括布線基板，該布線基板具有被形成在不同的表面上的第一電極和第二電極;導電粘合層，該導電粘合層被構造成覆蓋布線基板;和子像素部分，該子像素部分被連接到導電粘合層以具有發射不同顏色的光的多個發光部分，其中子像素部分具有與多個發光部分相對應的多個第一導電電極，并且其中第二導電電極作為用于多個發光部分的公共電極，并且電極孔被形成在布線基板上以將第二電極電連接到第二導電電極。[0011]根據與本發明的實施例相關聯的示例，具有多個第一導電電極和第二導電電極的半導體發光器件可以被布置在子像素部分上，并且半導體發光器件可以具有分別在其上形成多個第一導電電極的多個第一導電半導體層，和在其上形成第二導電電極的第二導電半導體層。[0012]第二導電半導體層可以是單個半導體層，并且多個第一導電半導體層可以與單個半導體層重疊。有源層可以分別被形成在第二導電半導體層和多個第一導電半導體層之間，以沿著平行于單個半導體層的方向順序地形成多個發光部分。[0013]根據與本發明的實施例相關聯的另一示例，第二導電電極可以是單個導電電極。[0014]第二半導體層可以包括η型半導體層和η型接觸層，并且η型接觸層的厚度、η型接觸層的寬度、以及η型接觸層和多個第一導電電極之間的距離中的至少一個可以被不同地形成在多個發光部分上。[0015]多個發光部分可以被形成以分別發射紅光、綠光以及藍光。[0016]根據與本發明的實施例相關聯的另一示例，第一電極和第二電極可以分別具有第一電極線和第二電極線，并且第一電極線和第二電極線可以在彼此相交的方向中被形成，并且第一電極線和第二電極線中的至少部分可以被電連接到子像素部分。[0017]子像素部分可以被電連接到第一電極線的多個電極線，并且被電連接到第二電極線的單個電極線。[0018]根據與本發明的實施例相關聯的另一示例，沿著虛擬線可以對準多個第一導電電極，并且第二導電電極可以被布置成從虛擬線偏移。[0019]子像素部分可以是彼此相鄰的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一個，并且可以沿著垂直于線的方向順序地排列第一子像素部分的第二導電電極和第二子像素部分的第二導電電極。電極孔可以從第一子像素部分被延伸到第二子像素部分以覆蓋第一子像素部分的第二導電電極和第二子像素部分的第二導電電極。[0020]根據與本發明的實施例相關聯的另一示例，子像素部分可以是彼此相鄰的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一個，并且第一子像素部分和第二子像素部分可以被形成以共享單個第二導電電極。[0021]第一子像素部分和第二子像素部分可以在單個第二導電電極周圍以水平對稱或者垂直和水平對稱被形成。電極孔可以被形成以對應于單個第二導電電極。[0022]此外，根據本發明的實施例，公開一種顯示設備，包括:布線基板，該布線基板具有第一電極和第二電極;導電粘合層，該導電粘合層被構造以覆蓋布線基板;和半導體發光器件，該半導體發光器件被連接到導電粘合層，并且被構造成分別從彼此分離的多個發光部分發射光，其中半導體發光器件包括分別與多個發光部分相對應的多個第一導電半導體層;第二導電半導體層，該第二導電半導體層與多個第一導電半導體層重疊;多個第一導電電極，所述多個第一導電電極被電連接到第一電極，并且分別被形成在多個第一導電半導體層上；以及第二導電電極，該第二導電電極被電連接到第二電極并且被沉積在第二導電半導體層上。[0023]另外，根據本發明的實施例，公開一種半導體發光器件，該半導體發光器件包括多個第一導電半導體層;第二導電半導體層，該第二導電半導體層與多個第一導電半導體層重疊；多個有源層，所述多個有源層分別被形成在第二導電半導體層和多個第一導電半導體層之間；多個第一導電電極，所述多個第一導電電極分別被形成在多個第一導電半導體層上；以及單個第二導電電極，該單個第二導電電極被沉積在第二導電半導體層上。[0024]有益效果[0025]根據具有前述的構造的本發明的實施例，可以在細小的間距處布置半導體發光器件，并且導電粘合層具有柔韌性，從而實現可卷曲的顯示設備。[0026]此外，根據本發明的實施例，能夠通過具有新結構的倒裝芯片型半導體發光器件實現每個像素要求一個或者更少通孔的顯示設備。【附圖說明】[0027]附圖被包括以提供對本發明的進一步理解，并且被并入到本申請中且構成本說明書的一部分，附圖圖示本發明的實施例并且與描述一起用以說明本發明的原理。[0028]在附圖中:[0029]圖1是示出根據本發明的實施例的使用半導體發光器件的顯示設備的概念視圖；[0030]圖2是圖1中的部分“A”的部分放大視圖，并且圖3A和圖3B是沿著圖2中的線B-B和C-C截取的橫截面圖；[0031]圖4是示出圖3A中的倒裝芯片型半導體發光器件的概念視圖；[0032]圖5A至圖5C是示出結合倒裝芯片型半導體發光器件實現顏色的各種形式的概念視圖；[0033]圖6是示出根據本發明的使用半導體發光器件制造顯示設備的方法的橫截面圖；[0034]圖7是示出根據本發明的另一實施例的使用半導體發光器件的顯示設備的透視圖；[0035]圖8是沿著圖7中的線D-D截取的橫截面圖；[0036]圖9是示出圖8中的垂直型半導體發光器件的概念視圖；[0037]圖1OA和圖1OB是圖示應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖和部分分解視圖；[0038]圖1IA是沿著圖10中的線E-E截取的橫截面圖；[0039]圖1lB是沿著圖11中的線F-F截取的橫截面圖；[0040]圖1IC是沿著圖11中的線G-G截取的橫截面圖；[0041]圖12是圖示在圖1lA中的半導體發光器件的概念視圖；[0042]圖13A至圖13C是圖示實現與具有新結構的半導體發光器件相關聯的顏色的各種形式的概念視圖；[0043]圖14A和圖14B是應用不同類型的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖；[0044]圖15A至圖15C是圖示根據本發明的另一實施例的應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖；[0045]圖16A至圖16E是圖示根據本發明的又一實施例的應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖；以及[0046]圖17A至圖17C是圖示根據本發明的又一實施例的應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖。【具體實施方式】[0047]下文中，將參照附圖詳細描述本文中公開的實施例，并且用相同的參考標號指定相同或類似的元件，而不管附圖中的標號如何，并且將省略對其的冗余描述。用于下面描述中公開的構成元件的后綴“模塊”或“單元”只是意在便于描述說明書，后綴本身并沒有提供任何特殊的含義或功能。此外，在描述本文公開的實施例中，當對本發明所屬公知技術的具體描述被判定為使本發明的主旨模糊不清時，將省略其詳細描述。另外，應該注意，圖示附圖僅是為了易于解釋本發明的概念，并且因此，它們不應該被理解為通過附圖來限制本文中公開的技術概念。[0048]此外，應該理解的是，當諸如層、區域或基板的元件被稱為“在”另一元件“上”時，它可以直接在另一元件上或者還可以在其間插入中間元件。[0049]本文中公開的顯示設備可以包括便攜式電話、智能電話、膝上型計算機、數字廣播終端、個人數字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、導航、板型PCXslatePC)、平板PC(tabletPC)、超級本、數字TV、臺式計算機等。然而，本領域的技術人員應該容易理解，本文中公開的構造可以應用于任何可顯示的設備，即便該設備是隨后將被開發出的新產品類型。[0050]圖1是示出根據本發明的實施例的使用半導體發光器件的顯示設備的概念視圖。[0051]根據附圖，可以使用柔性顯示器來顯示在顯示設備100的控制器中處理的信息。[0052]柔性顯示器可以包括柔性、可彎曲、可扭曲、可折疊和可卷起的顯示器。例如，在現有技術中，柔性顯示器可以是制造在薄柔性基板上的顯示器，該薄柔性基板可以像紙張一樣被卷曲、彎曲、折疊或卷起，同時保持平板顯示器的顯示特性。[0053]柔性顯示器的顯示區變成柔性顯示器不卷曲的構造(例如，具有無限曲率半徑的構造，下文中，被稱為“第一構造”)中的平面。其顯示區變成由第一構造中的外力卷曲柔性顯示器的構造(例如，具有有限曲率半徑的構造，下文中，被稱為“第二構造”)中的彎曲表面。如圖中所示，第二構造下顯示的信息可以是彎曲表面上顯示的可視信息。可以通過獨立控制以矩陣形式設置的子像素的發光來實現可視信息。子像素代表用于實現一種顏色的最小單元。[0054]可以通過半導體發光器件來實現柔性顯示器的子像素。根據本發明的實施例，發光二極管(LED)被圖示為一種類型半導體發光器件。發光二極管可以形成為小尺寸，以通過此甚至在第二構造中執行子像素的作用。[0055]下文中，將參照附圖來更詳細地描述使用發光二極管實現的柔性顯示器。[0056]圖2是圖1中的部分“A”的部分放大視圖，并且圖3A和圖3B是沿著圖2中的線B-B和C-C截取的橫截面圖，圖4是示出圖3A中的倒裝芯片型半導體發光器件的概念視圖，以及圖5A至圖5C是示出結合倒裝芯片型半導體發光芯片實現顏色的各種形式的概念視圖。[0057]根據在圖2、3A和3B中的附圖，通過示例使用無源矩陣(PM)型半導體發光器件的顯示設備100被圖示為使用半導體發光器件的顯示設備100。然而，下面的圖示也可以應用于其它的實施例中的有源矩陣(AM)型半導體發光器件。[0058]顯示設備100可以包括基板110、第一電極120、導電粘合層130、第二電極40和多個半導體發光器件150。[0059]基板110可以是柔性基板。基板110可以含有玻璃或聚酰亞胺(PI)以實現柔性顯示設備。另外，當是柔性材料時，可以使用諸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一種。此外，基板110可以是透明材料和非透明材料中的任意一種。[0060]基板110可以是設置有第一電極120的布線基板，因此第一電極120可以布置在基板110上。[0061]根據附圖，絕緣層160可以設置在放置有第一電極120的基板110上，輔助電極170可以放置在絕緣層160上。在這種情形下，絕緣層160被沉積在基板110上的構造可以是單個布線基板。更具體地，絕緣層160可以被合并在具有諸如聚酰亞胺(PI)、PET、PEN等的絕緣柔性材料的基板110中，以形成單個布線基板。[0062]作為用于將第一電極120電連接到半導體發光器件150的電極的輔助電極170被布置在絕緣層160上，并被設置成對應于第一電極120的位置。例如，輔助電極170具有點形狀，并且可以通過穿過絕緣層160的電極孔171被電連接到第一電極120。可以通過將導電材料填充在通孔中來形成電極孔171。[0063]參照附圖，導電粘合層130可以被形成在絕緣層160的一個表面上，但本發明的實施例可不必限于此。例如，還可能能夠具有在絕緣層160和導電粘合層130之間形成執行特定功能的層，或者導電粘合層130被布置在不具有絕緣層160的基板110上的結構。導電粘合層130可以在導電粘合層130被布置在基板110上的結構中執行絕緣層的作用。[0064]導電粘合層130可以是具有粘附性和導電性的層，為此，導電材料和粘合劑材料可以在導電粘合層130上被混合。此外，導電粘合層130可以具有柔性，從而允許顯示設備中的柔性功能。[0065]對于這樣的示例，導電粘合層130可以是各向異性導電膜(ACF)、各向異性導電膏、含有導電顆粒的溶液等。導電粘合層130可以允許穿過其厚度的z方向上的電互連，但可以被構造為在其水平x-y方向上具有電絕緣的層。因此，導電粘合層130可以被稱為z軸導電層(然而，下文中被稱為“導電粘合層”)。[0066]各向異性導電膜是具有各向異性導電介質與絕緣基體構件相混合的形式的膜，因此，當向其施加熱和壓力時，通過各向異性導電介質，僅各向異性導電膜的特定部分可以具有導電性。下文中，向各向異性導電膜施加熱和壓力，但其他方法也可以用于各向異性導電膜，以部分地具有導電性。這些方法可以包括向其只施加熱和壓力中的任一個、UV固化等。[0067]此外，各向異性導電介質可以是導電球或顆粒。根據附圖，在本實施例中，各向異性導電膜是具有各向異性導電介質與絕緣基體構件相混合的形式的膜，因此，當向其施加熱和壓力時，通過導電球，僅其特定部分可以具有導電性。各向異性導電膜可以處于其中具有導電材料的核包含由具有聚合物材料的絕緣層涂覆的多個顆粒的狀態，并且在這種情形下，在熱和壓力被施加到的部分上的絕緣層破裂時，通過核，各向異性導電膜可以具有導電性。在本實例中，核可以被轉變以實現具有對象在膜的厚度方向上接觸的兩個表面的層。[0068]至于更具體的示例，向各向異性導電膜整體施加熱和壓力，z軸方向上的電連接通過與使用各向異性導電膜粘附的配合對象的高度差而部分地形成。[0069]對于另一示例，各向異性導電膜可以處于包含其中導電材料被涂覆在絕緣核上的多個顆粒的狀態。在這種情形下，熱和壓力被施加到的部分可以被轉換(壓縮以及粘合)成導電材料，以在膜的厚度方向上具有導電性。對于又一個示例，它可以被形成為在其中導電材料在z方向上經過絕緣基體構件的膜的厚度方向上具有導電性。在此實例中，導電材料可以具有尖銳端部。[0070]根據附圖，各向異性導電膜可以是固定陣列各向異性導電膜(ACF)，被構造有導電球被插入絕緣基體構件的一個表面中的形式。更具體地，絕緣基體構件由粘合劑材料形成，導電球被密集地設置在絕緣基體構件的底部部分，并且當向其施加熱和壓力時，基體構件連同導電球一起被改變，從而在其垂直方向上具有導電性。[0071]然而，本發明的實施例可不必限于此，并且可以允許各向異性導電膜全部都具有導電球與絕緣基體構件隨機混合的形式或者被構造有其中導電球被設置在任一個層上的多個層(雙ACF)的形式等。[0072]作為連接膏體和導電球的形式的各向異性導電膏可以是其中導電球與絕緣粘合劑基體材料相混合的膏體。此外，含有導電顆粒的溶液可以是含有導電顆粒或納米粒子的形式的溶液。[0073]再參照該附圖，第二電極140位于絕緣層160處，與輔助電極170分開。換言之，導電粘合層130被設置在設有輔助電極170和第二電極140的絕緣層160上。[0074]當在輔助電極170和第二電極140被設置的狀態下形成導電粘合層130時，并且接著在施加熱和壓力的情況下以倒裝芯片形式將半導體發光器件150連接到導電粘合層130時，半導體發光器件150被電連接到第一電極120和第二電極140。[0075]參照圖4，半導體發光器件可以是倒裝芯片型半導體發光器件。[0076]例如，半導體發光器件可以包括P型電極156、形成有P型電極156的P型半導體層155、形成在P型半導體層155上的有源層154、形成在有源層154上的η型半導體層153、被設置成在η型半導體層153上的水平方向上與P型電極156分開的η型電極152。在這種情形下，P型電極156可以通過導電粘合層130被電連接到焊接部179，η型電極152可以被電連接到第二電極140。[0077]再參照圖2、3Α和3Β，輔助電極170可以在一個方向上以伸長方式形成，以電連接到多個半導體發光器件150。例如，包圍輔助電極的半導體發光器件的左和右P型電極可以被電連接到一個輔助電極。[0078]更具體地，半導體發光器件150被壓入導電粘合層130中，并且通過這樣，僅半導體發光器件150的P型電極156和輔助電極170之間的部分和半導體發光器件150的η型電極152和第二電極140之間的部分具有導電性，并且因為半導體發光器件沒有被下推，所以剩余部分沒有導電性。[0079]此外，多個半導體發光器件150構成發光陣列，并且磷光體層180被形成在發光陣列上。[0080]發光器件可以包括具有不同自發光值的多個半導體發光器件。半導體發光器件150中的每個構成子像素，并且電連接到第一電極120。例如，可以存在多個第一電極120，并且，例如，半導體發光器件被布置成多行，并且半導體發光器件的每行可以電連接到多個第一電極中的任一個。[0081]此外，半導體發光器件可以按倒裝芯片形式連接，并且因此，可以在透明電介質基板上生長半導體發光器件。此外，例如，半導體發光器件可以是氮化物半導體發光器件。半導體發光器件150具有優異的亮度特性，因此能夠構造甚至小尺寸的單個子像素。[0082]根據附圖，隔墻190可以形成在半導體發光器件150之間。在本實例中，隔墻190可以執行相互劃分單獨的子像素的任務，并且可以與導電粘合層130—起形成為一體化的主體。例如，當半導體發光器件150被插入到各向異性導電膜中時，各向異性導電膜的基體構件可以形成隔墻。[0083]此外，當各向異性導電膜的基體構件是黑色時，在與沒有另外的黑色絕緣體的情況下增大對比度的同時，隔墻190可以具有反射特性。[0084]對于另一示例，反射性隔墻可以分別設置有隔墻190。在這種情形下，根據顯示設備的目的，隔墻190可以包括黑色或白色絕緣體。當使用白色絕緣體的隔墻時，其可以具有強反射率的效果，并且在具有反射特性的同時增大對比度。[0085]磷光體層180可以位于半導體發光器件150的外表面處。例如，在本發明的一個實施例中，半導體發光器件150是發射藍色(B)光的藍色半導體發光器件，并且磷光體層180執行將藍色(B)光轉換成子像素顏色的作用。磷光體層180可以是構成單個像素的紅色磷光體層181或綠色磷光體層182。磷光體層180可以是其它顏色的磷光體層。[0086]換言之，能夠將藍色光轉換成紅色(R)光的紅色磷光體181可以在實現紅色子像素的位置處被沉積在藍色半導體發光器件上，并且能夠將藍色光轉換成綠色(G)光的綠色磷光體182可以在實現綠色子像素的位置處被沉積在藍色半導體發光器件上。另外，只有藍色半導體發光器件可以唯一地用在實現藍色子像素的位置處。在這種情形下，紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)子像素可以實現一個像素。更具體地，可以沿著第一電極120的每條線沉積一種顏色的磷光體。因此，第一電極120上的一條線可以是控制一種顏色的電極。即，可以順序地設置紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)，從而實現子像素。[0087]然而，本發明的實施例可不必限于此，半導體發光器件150可以與替代磷光體的量子點(QD)相結合，以實現諸如紅色(R)、綠色(G)和藍色⑶的子像素。[0088]此外，可以在每個磷光體層之間設置黑色矩陣191，以增強對比度。換言之，黑色矩陣191可以增強亮度的對比度。[0089]然而，本發明的實施例可不必限于此，用于實現藍色、紅色和綠色的另一種結構也可以被應用于此。[0090]參照圖5A，可以用高功率發光器件實現半導體發光器件150中的每個，高功率發光器件發射各種光，包括大多數使用氮化鎵(GaN)并且其中添加銦(In)和/或鋁(Al)的藍色。[0091]在這種情形下，半導體發光器件150可以分別是用于實現每個子像素的紅色、綠色和藍色半導體發光器件。例如，交替設置紅色、綠色和藍色半導體發光器件(R、G、B)，并且紅色、綠色和藍色子像素通過紅色、綠色和藍色半導體發光器件實現一個像素，從而實現全彩色顯示器。[0092]參照圖5B，對于每個元件，半導體發光器件可以具有設置有黃色磷光體層的白色發光器件(W)。在這種情形下，紅色磷光體層181、綠色磷光體層182和藍色磷光體層183可以被設置在白色發光器件(W)上，以實現子像素。此外，可以使用白色發光器件(W)上重復有紅色、綠色和藍色的濾色器來實現子像素。[0093]參照圖5C，還能夠具有其中紅色磷光體層181、綠色磷光體層182和藍色磷光體層183可以被設置在紫外光發光器件(UV)上的結構。以這樣的方式，半導體發光器件可以被使用在直到紫外光(UV)以及可見光的整個區域內，并且可以延伸到紫外光(UV)能夠用作激發源的半導體發光器件的形式。[0094]再考慮本示例，半導體發光器件150被設置在導電粘合層130上，以構造顯示設備中的子像素。半導體發光器件150可以具有優異的亮度特性，并因此能夠構造甚至具有其小尺寸的單個子像素。半導體發光器件150的尺寸在其一側的長度可以小于80μπι，并且形成有矩形或正方形形狀的元件。在矩形形狀的元件的情況下，其尺寸可以小于20Χ80μπι。[0095]此外，即使當具有邊長長度為1m的正方形形狀的半導體發光器件150被用于子像素時，也將呈現用于實現顯示器件的足夠亮度。因此，例如，在其中子像素的一個邊的尺寸是600m并且其剩余的一個邊是300m的矩形像素的情況下，半導體發光器件之間的相對距離變得充分大。因此，在這種情形下，能夠實現具有HD圖像質量的柔性顯示設備。[0096]將由新型制造方法來制造使用上述半導體發光器件的顯示設備。下文中，將參照圖6來描述該制造方法。[0097]圖6是示出根據本發明的實施例的使用半導體發光器件制造顯示設備的方法的橫截面圖。[0098]參照該附圖，首先，在設有輔助電極170和第二電極140的絕緣層160上，形成導電粘合層130。在第一基板110上沉積絕緣層160以形成一個基板(或布線基板)，并且在布線基板處設置第一電極120、輔助電極170和第二電極140。在這種情形下，第一電極120和第二電極140可以被設置在彼此垂直的方向上。此外，第一基板110和絕緣層160可以分別包含用于實現柔性顯示設備的玻璃或聚酰亞胺(PI)。[0099]例如，可以由各向異性導電膜來實現導電粘合層130，例如，并且因此，可以在設有絕緣層160的基板上涂覆各向異性導電膜。[0100]接下來，設有與輔助電極170和第二電極140的位置相對應并且構成單個像素的多個半導體發光器件150的第二基板112被設置，使得半導體發光器件150面對輔助電極170和第二電極140。[0101]在這種情形下，作為用于生長半導體發光器件150的生長基板的第二基板112可以是藍寶石基板或硅基板。[0102]半導體發光器件在以晶片為單元被形成時可以具有能夠實現顯示設備的間隙和尺寸，并因此被有效用于顯示設備。[0103]接下來，將布線基板熱壓縮到第二基板112。例如，可以通過應用ACF壓頭，將布線基板和第二基板112彼此熱壓縮。使用熱壓縮，將布線基板和第二基板112彼此粘結。僅半導體發光器件150與輔助電極170和第二電極140之間的一部分可以由于因熱壓縮而具有導電性的各向異性導電膜的特性而具有導電性，從而允許電極和半導體發光器件150彼此電連接。此時，半導體發光器件150可以被插入到各向異性導電膜中，從而形成半導體發光器件150之間的隔墻。[0104]接下來，去除第二基板112。例如，可以使用激光剝離(LLO)或化學剝離(CLO)方法來去除第二基板112。[0105]最終，去除第二基板112，以將半導體發光器件150暴露于外部。可以在連接到半導體發光器件150的布線基板上涂覆氧化硅(S1x)等以形成透明絕緣層。[0106]此外，可以進一步包括在半導體發光器件150的一個表面上形成磷光體層的過程。例如，半導體發光器件150可以是用于發射藍色(B)光的藍色半導體發光器件，并且用于將藍色(B)光轉換成子像素顏色的紅色或綠色的磷光體可以在藍色半導體發光器件的一個表面上形成層。[0107]可以按各種形式來修改使用上述半導體發光器件的顯示設備的制造方法或結構。對于這樣的示例，上述顯示設備可以被應用于垂直型半導體發光器件。下文中，將參照圖5和圖6描述垂直結構。[0108]此外，根據下面的修改示例或實施例，為與以上示例相同或類似的構造指定相同或類似的附圖標記，并且將用之前的描述取代對其的描述。[0109]圖7是示出根據本發明的另一實施例的使用半導體發光器件的顯示設備的透視圖。圖8是沿著圖7中的線D-D截取的橫截面圖，并且圖9是示出圖8中的垂直型半導體發光器件的概念視圖。[0110]根據附圖，顯示設備可以是使用無源矩陣(PM)型的垂直型半導體發光器件的顯示設備，但是在其它的實施例中，有源矩陣(AP)型垂直發光器件可以被使用。[0111]顯示設備可以包括基板210、第一電極220、導電粘合層230、第二電極240和多個半導體發光器件250。[0112]作為設置有第一電極220的布線基板的基板210可以包括用于實現柔性顯示設備的聚酰亞胺(PD。另外，如果它是絕緣柔性材料的話，則可以使用任一種材料。[0113]第一電極220可以位于基板210上，并且形成有電極，該電極具有在一個方向上伸長的條。第一電極220可以被形成以執行數據電極的作用。[0114]導電粘合層230被形成在設有第一電極220的基板210上。類似于倒裝芯片型發光器件應用于其的顯示設備，導電粘合層230可以是各向異性導電膜(ACF)、各向異性導電膏、含有導電顆粒的溶液等。然而，本實施例示出由各向異性導電膜實現導電粘合層230的實例。[0115]當在第一電極220位于基板210上的狀態下定位各向異性導電膜并且接著施加熱和壓力以將半導體發光器件250連接到各向異性導電膜時，半導體發光器件250電連接到第一電極220。此時，半導體發光器件250可以優選地設置在第一電極220上。[0116]因為在如上所述施加熱和壓力時，各向異性導電膜部分地具有厚度方向上的導電性，所以產生電連接。因此，各向異性導電膜被分割成在厚度方向上具有導電性的部分和沒有導電性的部分。[0117]此外，各向異性導電膜含有粘合劑成分，并且因此，導電粘合層230實現半導體發光器件250和第一電極220之間的機械連接以及電連接。[0118]以這樣的方式，半導體發光器件250放置在導電粘合層230上，從而在顯示設備中構成單獨的子像素。半導體發光器件250可以具有優異的亮度特性，并且因此能夠構造甚至具有其小尺寸的單個子像素。單個半導體發光器件250的尺寸在其一側的長度可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形形狀的元件。在矩形形狀的元件的情況下，其尺寸可以小于20Χ80μπιο[0119]半導體發光器件250可以是垂直結構D[0120]設置在與第一電極220的長度方向交叉的方向上并且與垂直型半導體發光器件250電連接的多個第二電極240可以位于垂直型半導體發光器件之間。[0121]參照圖9，垂直型半導體發光器件可以包括P型電極256、形成有P型電極256的P型半導體層255、形成在P型半導體層255上的有源層254、形成在有源層254上的η型半導體層253、形成在η型半導體層253上的η型電極252。在這種情形下，位于其底部的P型電極256可以通過導電粘合層230電連接到第一電極220，并且位于其頂部的η型電極252可以電連接到隨后將描述的第二電極240。這些電極可以設置在垂直型半導體發光器件250中的向上/向下方向上，從而提供能夠減小芯片尺寸的顯著優勢。[0122]再參照圖8，磷光體層280可以形成在半導體發光器件250的一個表面上。例如，半導體發光器件250是發射藍色(B)光的藍色半導體發光器件251，并且可以在其上設置用于將藍色(B)光轉換成子像素顏色的磷光體層280。在這種情形下，磷光體層280可以是構成單個像素的紅色磷光體281和綠色磷光體282。[0123]換言之，能夠將藍色光轉換成紅色(R)光的紅色磷光體281可以在實現紅色子像素的位置處被沉積在藍色半導體發光器件251上，并且能夠將藍色光轉換成綠色(G)光的綠色磷光體282可以在實現綠色子像素的位置處被沉積在藍色半導體發光器件251上。此外，僅藍色半導體發光器件251可以唯一地使用在實現藍色子像素的位置處。在這種情形下，紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)子像素可以實現一個像素。[0124]然而，本發明的實施例可不必限于此，并且用于實現藍色、紅色和綠色的另一結構還可以如上所述被應用于應用倒裝芯片型發光器件的顯示設備中。[0125]再次考慮本實施例，第二電極240位于半導體發光器件250之間，并且電連接到半導體發光器件250。例如，半導體發光器件250可以被設置成多行，并且第二電極240可以位于半導體發光器件250的行之間。[0126]由于構成單個像素的半導體發光器件250之間的距離充分大，因此第二電極240可以位于半導體發光器件250之間。[0127]第二電極240可以形成有具有在一個方向上伸長的條的電極，并且被設置在與第一電極垂直的方向上。[0128]此外，第二電極240可以通過從第二電極240突出的連接電極被電連接到半導體發光器件250。更具體地，連接電極可以是半導體發光器件250的η型電極。例如，η型電極形成有用于歐姆接觸的歐姆電極，通過印刷或沉積使第二電極覆蓋歐姆電極的至少一部分。通過這樣，第二電極240可以電連接到半導體發光器件250的η型電極。[0129]根據附圖，第二電極240可以位于導電粘合層230上。根據情形，包含氧化硅(S1x)的透明絕緣層可以被形成在形成有半導體發光器件250的基板210上。當形成透明絕緣層并接著在其上放置第二電極240時，第二電極240可以位于透明絕緣層上。此外，第二電極240可以被形成為與導電粘合層230或透明絕緣層分開。[0130]如果使用諸如氧化銦錫(ITO)的透明電極將第二電極240設置在半導體發光器件250上，則ITO材料的問題是與η型半導體的粘附性差。因此，第二電極240可以被設置在半導體發光器件250之間，從而獲得不需要透明電極的優勢。因此，具有優良粘附性的η型半導體層和導電材料可以被用作水平電極，而不受選擇透明材料的限制，從而增強光提取效率。[0131]根據該附圖，隔墻290可以被形成在半導體發光器件250之間。即，隔墻290可以設置在垂直型半導體發光器件250之間，以將構成單個像素的半導體發光器件250隔離。在這種情形下，隔墻290可以執行將單個子像素相互劃分開的作用，并且與導電粘合層230—起形成為一體化的主體。例如，當半導體發光器件250被插入到各向異性導電膜中時，各向異性導電膜的基體構件可以形成隔墻。[0132]此外，當各向異性導電膜的基體構件是黑色時，在與沒有另外的黑色絕緣體的情況下增大對比度的同時，隔墻290可以具有反射特性。[0133]對于另一示例，反射性隔墻可以分別設置有隔墻290。在這種情形下，根據顯示設備的目的，隔墻290可以包括黑色或白色絕緣體。[0134]如果第二電極240精確地位于半導體發光器件250之間的導電粘合層230上，則隔墻290可以位于半導體發光器件250和第二電極240之間。因此，可以使用半導體發光器件250構造甚至具有小尺寸的單個子像素，并且半導體發光器件250之間的距離可以相對充分大，以將第二電極240放置在半導體發光器件250之間，從而具有實現具有HD圖像質量的柔性顯示設備的效果。[0135]此外，根據附圖，黑色矩陣291可以被設置在每個磷光體層之間，以增強對比度。即，黑色矩陣191能夠增強亮度的對比度。[0136]如上所述，半導體發光器件250位于導電粘合層230上，從而在顯示設備上構成單個像素。由于半導體發光器件250具有優異的亮度特性，因此構造甚至具有小尺寸的單個子像素。結果，能夠借助于半導體發光器件來實現其中紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的子像素實現一個像素的全彩色顯示器。[0137]當倒裝型被應用于如上所述的根據本發明的實施例的使用半導體發光器件的顯示設備時，使用經過絕緣層160的電極孔171(參見圖3A)，半導體發光器件被電連接到相同平面上的第一電極和第二電極。由于諸如布線連接結構，應為至少一對半導體發光器件提供一個電極孔，從而造成在顯示設備中細小的間距難于實現的問題。根據本發明的實施例，提出能夠解決此問題的新型半導體發光器件和布線連接結構。在下文中，將會更加詳細地描述應用新型半導體發光器件和布線連接結構的顯示設備。[0138]圖1OA和圖1OB是圖示應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖和部分分解視圖，并且圖1lA是沿著圖10中的線E-2截取的橫截面圖，并且圖1lB是沿著圖11中的線F-F截取的橫截面圖，，并且圖1lC是沿著圖1lC中的線G-G截取的橫截面圖，并且圖12是圖示在圖1lA中的半導體發光器件的概念視圖。[0139]根據在圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC中的附圖，使用無源矩陣(PM)型半導體型發光器件的顯示設備100被圖示為使用半導體發光器件的顯示設備1000。然而，下面的圖示也可以被應用于有源矩陣(AM)型半導體發光器件。[0140]顯示設備1000可以包括基板1010、第一電極1020、導電粘合層1030、第二電極1040、以及多個半導體發光器件1050。在這樣的情況下，第一電極1020和第二電極1040可以分別包括多個電極線。[0141]作為布線基板的基板1010可以包括聚酰亞胺(PI)以實現柔性顯示設備。另外，如果其是絕緣和柔性材料，則任意一個可以被使用。[0142]根據附圖，絕緣層1060可以被布置在基板1010上，并且輔助電極1070可以被設置在絕緣層1060上。在這樣的情況下，其中絕緣層1060被沉積在基板1010上的構造可以是單布線基板。更加具體地，絕緣層1060可以被合并進具有諸如聚酰亞胺(PI)、PET、PEN等等的絕緣和柔性材料的基板1010以形成單個布線基板。[0143]根據附圖，第一電極1020可以位于絕緣層1060上，并且被形成有具有在一個方向中延長的條的電極。第一電極1020可以被形成以執行數據電極的作用。在這樣的情況下，第二電極1040位于基板1010上，并且被布置在與作為延長的條狀的電極的第一電極的長度方向相交的方向中。第二電極1040可以被形成以執行柵電極(掃描電極)的作用。然而，本發明的實施例可不必限于此，并且第一電極1020可以是掃描電極，并且第二電極1040可以是數據電極。[0144]作為用于將第二電極1040電連接到半導體發光器件1050的電極的輔助電極1070被設置在絕緣層1060上，并且被布置以對應于第二電極1040的位置。例如，輔助電極1070具有點形狀，并且可以借助于穿過絕緣層1060的電極孔1071被電連接到第二電極1040。通過在通孔中填充導電材料可以形成電極孔1071。[0145]參考該附圖，導電粘合層1030可以被形成在絕緣層1060的一個表面上，但是本發明的實施例可不必限于此。例如，還可能能夠具有執行特定的功能的層被形成在絕緣層1060和導電粘合層1030之間，或者導電粘合層1030被布置在不具有絕緣層1060的基板1010上的結構。導電粘合層1030可以在導電粘合層1030被布置在基板1010上的結構中執行絕緣層的作用。[0146]與應用前述的倒裝芯片型發光器件的顯示設備相似，導電粘合層1030可以是各向異性導電膜(ACF)、各向異性導電膏、包含導電顆粒的溶液等等。然而，本實施例圖示通過各向異性導電膜實現導電粘合層1030的實例。[0147]當各向異性導電膜位于基板1010上，并且然后熱和壓力被施加以連接半導體發光器件1050時，半導體發光器件1050被電連接到第一電極1020和輔助電極1070。這時，半導體發光器件1050可以被優選地布置在面向第一電極1020和輔助電極1070的位置處。[0148]產生電連接，因為當如上所述的熱和壓力被施加時在厚度方向中各向異性導電膜部分具有導電性。因此，在其厚度方向中各向異性導電膜被分割成具有導電性的部分和不具有導電性的部分。[0149]此外，各向異性導電膜包含粘合成分，并且因此導電粘合層1030實現在半導體發光器件1050和第一電極1020之間的機械連接以及電連接。[0150]根據前述的結構，半導體發光器件1050被連接到導電粘合層1030，并且被電連接到形成在不同的表面上的第一電極1020和第二電極1040。[0151]為了在前述的結構中實現細小的間距，根據本發明的實施例，半導體發光器件1050形成具有發射不同的光(例如，不同顏色的光)的多個發光部分1050a、1050b、1050c的子像素部分。換言之，一個半導體發光器件1050形成子像素部分。[0152]如上所述，形成子像素部分的新型半導體發光器件1050被電連接到第一電極1020和第二電極1040以實現具有細小的間距的顯示設備。更加具體地，具有多個第一電極1156a、1156b、1156c和單個第二導電電極1152的半導體發光器件被布置在子像素部分處。在下文中，將會更加詳細地描述前述的結構。[0153]如在附圖中所圖示，半導體發光器件1050被電連接到設置在第一電極1020中的多個電極線和被連接到第二電極1040的單個輔助電極。在這樣的情況下，設置在第二電極1040中的單個電極線可以被連接到單個輔助電極，并且由于此，半導體發光器件1050可以被電連接到設置在第二電極1040中的單個電極線。[0154]更加具體地，第一電極1020具有多個第一電極線，并且第二電極1040具有多個第二電極線，并且第一電極線和第二電極線被形成在彼此相交的方向中。[0155]第一電極線和第二電極線的至少部分被電連接到子像素部分。例如，子像素部分被電連接到第一電極線的多個電極線，并且被電連接到第二電極線的單個電極線。[0156]此外，一個半導體發光器件1050形成子像素部分，并且子像素部分具有與多個發光部分1050a、1050b、1050c相對應的第一導電電極1156a、1156b、1156c和是公共電極的第二導電電極1152。此外，電極孔1071被形成在布線基板上以將第二電極1040電連接到在其上形成第一電極1020的表面上的第二導電電極1152。電極孔1071可以是通過在其中填充導電材料形成的通孔。[Ο157]根據本發明的實施例的半導體發光器件1050被形成以從多個發光部分1050a、1050b、1050c發射光，并且為此，被連接到單個輔助電極1070和第一電極1020的多個電極線。因此，對于每個子像素部分僅要求一個通孔，從而具有實現細小間距顯示器的優點。在下文中，將會更加詳細地描述新半導體發光器件的結構。[0158]參考圖12，例如，半導體發光器件1050可以包括多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c和多個第一導電電極1156a、1156b、1156c。多個第一導電電極1155a、1155b、1155c可以分別被形成在多個第一導電半導體層上。此外，第一導電電極1156a、1156b、1156c以有規則的間隔被布置以相互分離。對于這樣的示例，多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c可以分別是P型半導體層，并且多個第一導電電極1156a、1156b、1156c分別可以是P型電極。[0159]根據附圖，第二導電半導體層1153與多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c重疊。例如，第二導電半導體層1153是單個半導體層，并且多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c與單個半導體層重疊。[0160]多個有源層1154a、1154b、1154c分別被形成在第二導電半導體層1153和多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c之間，并且第二導電電極1152被沉積在第二導電半導體層1153上。在這樣的情況下，第二導電電極1152可以是單導電電極。[0161]在本實例中，有源層1154a、1154b、1154c可以分別被形成在第二導電半導體層1153和多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c之間，以沿著平行于單個半導體層的方向順序地形成多個發光部分1050a、1050b、1050c。[0162]在這樣的情況下，第二導電電極1152和第二導電半導體層1153可以分別是η型電極和η型半導體層。然而，本發明的實施例可不必限于此，并且也可以具有其中第一導電類型是η型并且第二導電類型是P型的圖示。[0163]與圖10Α、圖10Β、圖11Α、圖1lB以及圖1lC一起再次參考圖12，多個發光部分1050a、1050b、1050c可以包括紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c以形成子像素部分。紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c被形成以分別發射紅、綠、以及藍光。[0164]紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b以及藍色輸出部分1050c可以全部被形成在第二導電半導體層1153的一個表面上。相反地，多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c可以被布置以分別對應于紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c。因此，多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c都被布置以覆蓋單個第二導電半導體層1153。[0165]顯示設備可以進一步包括磷光體層1080，該磷光體層1080被形成在半導體發光器件1050的一個表面上以允許半導體發光器件1050發射紅、綠以及藍光。例如，半導體發光器件1050是發射藍(B)光的藍色半導體發光器件，并且磷光體層1080執行將藍(B)光轉換成子像素顏色的功能。磷光體層1080可以是組成單獨的像素的紅色磷光體1081或者綠色磷光體1082。換言之，能夠將藍光轉換成紅(R)光的紅色磷光體1081可以被沉積在用于實現紅色子像素的紅色輸出部分1050a上，并且能夠將藍光轉換成綠(G)光的綠色磷光體1082可以被沉積在用于實現綠色子像素的位置處的綠色輸出部分1050b上。此外，在用于實現藍色子像素的部分上僅藍色輸出部分1050c可以被單獨地使用。在這樣的情況下，紅(R)、綠(G)以及藍(G)子像素可以形成一個像素。更加具體地，沿著第一電極1020的每條線可以沉積一種顏色磷光體。因此，沿著第一電極1020可以順序地沉積紅(R)、綠(G)以及藍(B)色，從而實現子像素。[0166]另一方面，顯示設備可以進一步包括被布置在每個磷光體之間的黑色矩陣1091，以增強磷光體層1080的對比度。黑色矩陣1091可以以在磷光體點之間形成間隙的方式被形成，并且黑色材料填充到間隙中。通過此，黑色矩陣1091可以增強在光和陰影之間的對比度同時吸收外部光反射。在其上沉積磷光體層1080的方向中，沿著第一電極，1020黑色矩陣1091位于每個磷光體之間。[0167]另一方面，參考圖1OA和圖10B，子像素部分可以是彼此相鄰的第一子像素部分2051和第二子像素部分2052中的任意一個。換言之，具有形成一個子像素的新結構的多個半導體發光器件被提供并且以矩陣的形式被排列。[0168]更加具體地，半導體發光器件的結構被形成以允許在一個半導體發光器件內的與子像素相對應的三個截面中的發光區域(P等離子體部分)與第二導電半導體層隔離。[0169]在這樣的情況下，沿著與線垂直的方向，第一子像素部分2051的第二導電電極和第二子像素部分2052的第二導電電極被順序地排列。換言之，三個第一導電電極的排列方向被形成以垂直于第二導電電極的排列方向。通過此，第一電極1020的三個第一電極線和第二電極1040的一個第二電極線相互垂直，并且通過被提供有一個通孔的結構，信號被提供給子像素。[0170]根據在圖2和圖3中的使用倒裝芯片型半導體發光器件的顯示設備，在半導體發光器件中的P焊盤(第一導電電極)和η焊盤(第二導電電極)存在于布線基板的一個側表面上。因此，在布線設計階段期間P電極導線(第一電極)的連接結構應被設置有通孔。更加具體地，η焊盤被連接到水平的η導線電極并且被連接到掃描線。P焊盤被連接到P導線端子(輔助電極)并且為此在布線基板上為每個像素(為每個半導體發光器件)提供一個通孔。其通過通孔被連接到垂直地排列在與布線基板相對的表面上的P導線電極并且被連接到數據線。對于另一示例，如在圖3中所圖示，兩個LED芯片被連接到具有通孔結構的一個P電極端子，并且因此，兩個LEDP焊盤被形成以共享一個P導線電極。[0171]當為每個像素提供一個通孔時，P導線端子的寬度應被實現以比大約40_50μπι的水平更窄。此外，隨著通孔的數目增加，需要大量的工藝時間和成本。根據如上所述的具有新結構的半導體發光器件，通孔的數目減少，從而解決前述的問題。此外，能夠實現細小間距的柔性顯示設備。[0172]在上面，已經描述了顯示設備包括發射藍(B)光的藍色半導體發光器件的顯示設備的實例，但是本發明的實施例可不必限于此，并且用于實現紅、綠以及藍色的另一結構也可以是可應用的。[0173]圖13Α至圖13C是圖示用于實現與具有新結構的半導體發光器件相關聯的顏色的各種形式的概念視圖。[0174]參考圖13Α，紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c可以被實現為高功率發光器件，其發射除了藍色之外的各種顏色的光，其中氮化鎵(GaN)被主要地使用，并且銦(In)和/或鋁(Al)被另外使用。[0175]在這樣的情況下，紅色輸出部分1050a、藍色輸出部分1050b以及藍色輸出部分1050c可以分別具有紅色、綠色以及藍色半導體發光器件的結構。例如，通過紅、綠以及藍色半導體發光器件(R，G，B)共享第二半導體層和第二導電電極，并且通過此，紅、綠以及藍色子像素在一個半導體發光器件中形成一個像素。[0176]以這樣的方式，當紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b以及藍色輸出部分1050c獨立地實現R、G以及B，附加的磷光體層可以不被設置在其中。以這樣的方式，具有不具有磷光體層的發射紅、綠以及藍光的紅色輸出部分1050a、藍色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c的半導體發光器件可以是分別參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC描述的具有新結構的半導體發光器件。通過前面的描述將會替代上面的結構的描述。[0177]另一方面，即使在這樣的情況下，對于對比度增強和外部反射，顯示設備可以進一步包括黑色矩陣，該黑色矩陣被布置在構造有紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c的多個列之間。黑色矩陣可以被布置以在水平方向中被相互分離。[0178]對于另一示例，參考圖13B，半導體發光器件可以包括白色輸出部分(W)，該白色輸出部分(W)被提供有黃色磷光體層。在這樣的情況下，白色輸出部分(W)具有發射白光的結構，并且磷光體層可以被形成在白色輸出部分(W)的上表面上。此外，為了實現子像素，紅色磷光體層1081、綠色磷光體層1082以及藍色磷光體層1083可以被設置在白色輸出部分(W)上。[0179]此外，使用其中紅色、綠色以及藍色在白色輸出部分(W)上被重復的濾色片可以執行子像素。甚至在這樣的結構中，與前述的描述相似，各個白色輸出部分(W)可以包括多個第一導電電極和第一導電半導體層，并且可以被形成在單個第二導電半導體層上。以這樣的方式，具有白色輸出部分(W)的半導體發光器件可以實現分別參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC描述的新結構的半導體發光器件。前述結構的描述將會由前面的描述被替代。[0180]另一方面，即使在這樣的情況下，顯示單元可以進一步包括黑色矩陣1091，該黑色矩陣1091被布置在構造有用于對比度和外部反射增強的磷光體的多個列。黑色矩陣1091可以被布置在紅色磷光體層1081、綠色磷光體層1082以及藍色磷光體層1083之間。[0181]對于又一示例，參考圖13C，其可以具有其中紅色磷光體層1081、綠色磷光體層1082以及藍色磷光體層1083被設置在發射紫外線的紫外線輸出部分(UV)上的結構。以這樣的方式，半導體發光器件可以被用于包括可視光以及紫外線(UV)的整個區域，并且可以被延伸到紫外線(UV)能夠被用作上磷光體的激勵源的半導體發光器件的形式。[0182]以這樣的方式，具有紫外線輸出部分(UV)的半導體發光器件可以實現參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC分別描述的具有新結構的半導體發光器件。前述的結構的描述將會由前面描述取代。[0183]另一方面，即使在這樣的情況下，顯示設備可以進一步包括黑色矩陣1091，該黑色矩陣1091被布置在構造有用于對比度增強和外部反射的磷光體的多個列之間。黑色矩陣1091可以被布置在紅色磷光體層1081、綠色磷光體層1082以及藍色磷光體層1083之間。[0184]在平面上前述的半導體發光器件可以被修改成其它形式。圖14A和圖14B是圖示應用不同類型的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖。在下文中，除非另有說明，根據本發明的實施例的結構，參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC描述的內容將會適用于應用新型半導體發光器件的顯示設備。[Ο185]根據附圖，多個第一導電電極1156a、1156b、1156c被布置以規則的間隔被相互分離，并且分離的空間被形成在它們之間。為此，在第二導電半導體層1153上創建與分離的空間相對應的凹槽。[0186]此外，沿著線排列多個第一導電電極1156a、1156b、1156c。在這樣的情況下，線表示虛線，并且第二導電電極1152被布置以脫離該線(或者偏移該線)。通過此，在連接發光區域的虛擬線上第二導電電極1152可以是偏移的(或不對準的)。[0187]圖15A至圖15C是圖示根據本發明的另一實施例的應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖。在下文中，除非另有說明，根據本發明的實施例的結構，參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC描述的內容將會適用于應用新類型半導體發光器件的顯示設備。[0188]參考圖15A，半導體發光器件被形成以在紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b以及藍色輸出部分1050c上具有不同的發光區域。更加具體地，在輸出部分1050a、1050b、1050c中的每一個上的第一導電半導體層被形成以具有相互不同的區域，并且因此在各個輸出部分1050a、1050b、1050c上的有源層被形成以具有相互不同的區域。例如，紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c可以被形成使得它們的區域增加以便于靠近電極孔1071。[0189]由于這樣的結構，當具有相同的分辨率(水平方向)時發光區域可以被充分地增加，并且第一導電電極的位置被設計以被偏置于發光區域的任意一側，從而具有增加顯示設備的發光效率的效果。[0190]此外，在這樣的情況下，電極孔1071和第二導電電極1152可以被形成在任意一對紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c之間。然而，本發明的實施例可不必限于此，并且電極孔1071和第二導電電極1152可以被偏置在任意一個發光區域處并且因此位于半導體發光器件的邊緣處。[0191]此外，即使在這樣的情況下，多個第一導電電極1156a、1156b、1156c在半導體發光器件中被相互分離，但是第二導電電極1152被共享。多個第一導電電極可以被形成以具有相同的區域。然而，本發明的實施例可不必限于此，并且多個第一導電電極可以被形成以具有與第一導電半導體層相似的不同區域。[0192]參考圖15B和圖15C，半導體發光器件可以被形成使得分離的空間不存在于紅色輸出部分1050a、綠色輸出部分1050b、以及藍色輸出部分1050c之間。當輸出部分1050a、1050b、1050c具有相同的發光區域(參見圖15B)或者具有不同的區域(參見圖15C)時，各個輸出部分1050a、1050b、1050c被連接到鄰接輸出部分以在輸出部分1050a、1050b、1050c之間不具有分離的空間。換言之，盡管半導體發光器件的發光區域被相互分離，但是通過第一導電電極共享一個導電電極同時不與第二導電半導體層分離。換言之，僅實際的發光部分(P-臺面)被蝕刻并且被分離，并且通過此，蝕刻寬度能夠被管理以使其小于當被蝕刻到第二導電半導體層時。因此，根據本發明的實施例的結構，能夠進一步增加發光區域，從而增強發光效率。[0193]在圖15A-圖15B中示出的實施例中，在子像素部分中，第二導電電極1152可以被布置在多個發光部分1050a、1050b、1050c或者多個第一電極1120之間的中間位置處，或者可以被布置到多個發光部分1050a、1050b、1050c或者多個第一電極1120、或者兩者(參見圖15B)的一側。在相同的子像素部分內的多個發光部分1050a、1050b、1050c可以被對準或者偏移，并且在不同子像素部分內的多個發光部分1050a、1050b、1050c可以被對準、偏移或者兩者。[0194]圖16A至圖16C是圖示根據本發明的又一實施例的應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖。在下文中，除非另有說明，根據本發明的實施例的結構，參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC描述的內容將會適用于應用新型半導體發光器件的顯示設備。[0195]首先，參考圖16A，通過單個半導體發光器件形成的子像素部分以矩陣形式被排列。在這樣的情況下，半導體發光器件的排列可以以第一子像素部分2051和第二子像素部分2052被用作一對，并且沿著彼此垂直的方向重復所述一對的方式被布置。[0196]對于這樣的示例，對于一對子像素部分，兩個半導體發光器件的第二導電電極被布置以彼此相鄰。例如，第一子像素部分2051和第二子像素部分2052以垂直和水平對稱被布置。通過此，第一子像素部分2051和第二子像素部分2052的每個發光區域的排列在鄰接子像素部分處彼此相對，并且沿著第一電極被形成的方向以列的形式排列第二導電電極。因此，第一子像素部分2051和第二子像素部分2052的電極孔2071a、207Ib被以列的形式排列。在這樣的情況下，在水平方向中對于每兩個子像素部分可以要求有一個通孔，從而增加分辨力。[0197]根據本發明的實施例，針對每個子像素部分形成一個電極孔，但是另一示例也可以是可用的。更加具體地，如在圖16B中所圖示，其也是可用的結構，其中針對每對子像素部分形成一個電極孔。例如，可以將電極孔2071從第一子像素部分2051連接到第二子像素部分2052以覆蓋第一子像素部分2051的第二導電電極和第二子像素部分2052的第二導電電極中的每一個。在這樣的情況下，電極孔可以在一個方向中被形成為延長的形狀以覆蓋第一子像素部分2051和第二子像素部分2052的第二導電電極。[0198]換言之，兩個半導體發光器件被布置以與第二導電電極中的每一個相鄰，并且被電連接到一個電極孔(或者輔助電極)的第二電極被連接到兩個第二導電電極。[0199]對于另一不例，參考圖16C和圖16D，其也是可用的結構，其中一對子像素部分被相互連接。例如，兩個半導體發光器件被連接到一個第二導電電極。在這樣的情況下，可以針對每對子像素部分形成一個電極孔(或者輔助電極)。[0200]第一子像素部分和第二子像素部分被形成以共享單個第二導電電極，并且電極孔被形成以對應于單個第二導電電極。[0201]更加具體地，圖16C圖示其中兩個半導體發光器件被制造成一個單元，并且然后一個通孔導線端子(電極孔和第二導電電極的組合)被連接到一個第二導電電極的結構，并且圖16D圖示其中第一導電電極被平行地排列在水平方向中，并且通孔導線端子被連接在兩個子像素部分之間的結構。[0202]以這樣的方式，當兩個子像素部分被構造有一個半導體發光器件，并且第二導電電極通過一個電極孔被連接到第二電極線時，能夠另外確保用于每兩個像素的一個導線寬度。[0203]此外，第一子像素部分和第二子像素部分在單個第二導電電極周圍以水平對稱或者垂直和水平對稱被形成。在垂直和水平對稱的情況下在鄰接子像素部分中的發光區域可以被布置在彼此相對的方向中，并且在水平對稱的情況下被布置成彼此平行。[0204]對于另一示例，參考圖16E，半導體發光器件可以包括四個子像素部分，并且可以針對四個子像素部分提供一個第二導電電極。在這樣的情況下，在半導體發光器件內是發光區域的第一導電電極可以以彼此平行排列。[0205]在這樣的情況下，兩個子像素被布置在一個第二導電電極的左側和右側處，并且因此，一個半導體發光器件可以包括十二個發光區域和一個第一導電電極以負責總共十二個子像素。在其左側和右側處導線電極被形成有一個通孔導線電極和十二個條狀導線電極(第一電極線)。以這樣的方式，當通孔被連接到第二導電電極時，可能能夠連接用于四個或者更多個子像素部分的一個通孔導線端子。[0206]在圖16A-圖16E中示出的實施例中，在相同的子像素部分內的多個發光部分1050a、1050b、1050c可以被對準或者偏移，并且在不同的子像素部分內的多個發光部分1050a、1050b、1050c可以被對準、偏移或者兩者。此外，不同子像素部分的第二導電電極1152和第二導電電極層1153可以被對準、偏移或者兩者。[0207]鑒于圖12-圖16E，子像素部分包括經由多個第一導電半導體層1155a、1155b、1155c分別被連接到多個第一導電電極1156a、1156b、1156c的多個發光部分1050a、1050b、1050c。經由第二導電半導體層1153多個發光部分1050a、1050b、1050c也被共同地連接到第二導電電極1152。反之，多個第一導電電極1156a、1156b、1156c被連接到多個第一電極1120，并且第二導電電極1152被連接到第二電極1040。在本發明的實施例中，穿過第二導電半導體層1153的多個第一電極1120，和第二導電電極1152分別在垂直于多個第一電極1120和第二導電半導體層1153的延伸方向的方向中延伸。[0208]根據前述的實施例，距離分別從第二導電電極到是子像素的多個第一導電電極變化。由于此，在導線電阻之間出現差異。為了補償導線電阻之間的差異，根據實施例，被應用于數據線(第一電極線)的每個子像素的數據電壓變化。換言之，較大的導線電阻被應用于位于離第二導電電極更遠的子像素，并且因此相關子像素的數據電壓被控制的較高。[0209]對于另一解決方案，半導體發光器件的結構的變化也是可用的。圖17A至圖17C是圖示根據本發明的又一實施例的應用具有新結構的半導體發光器件的顯示設備的部分放大視圖。在下文中，除非另有明文規定，根據本發明的實施例的結構，參考圖10A、圖10B、圖11A、圖1lB以及圖1lC描述的內容將會適用于應用新型半導體發光器件的顯示設備。[0210]參考附圖，第一導電半導體層2155可以包括P型半導體層2155a，和P型接觸層2155b(P接觸層)，并且第二導電半導體層2153可以包括P型半導體層2153a，和η型接觸層2153b(n接觸層)。在這樣的情況下，接觸層可以是用于將電極連接到半導體層的歐姆接觸層。在這樣的情況下，η型接觸層2153b的厚度、η型接觸層2153b的寬度、η型接觸層2153b和多個第一導電電極1156a、1156b、1156c之間的距離中的至少一個可以以不同的方式被形成在多個發光部分上。[0211]參考圖17A，n型接觸層2153b的寬度或者沉積厚度可以被增加。當以正方形的形狀制造子像素部分時，η型接觸層2153b的寬度可以增加對于一個半導體發光器件所要求的η型接觸層2153b。[0212]η型接觸層的沉積厚度可以增加與P臺面中的P型接觸層的高度一樣厚。在這樣的情況下，第一導電電極和第二導電電極可以被沉積有相同的厚度。[0213]參考圖17B和圖17C，為了減少導線電阻之間的差異，以較小的導線電阻被應用于位于遠離第二導電電極1152的第一導電電極1156c并且較大的導線電阻被應用于更靠近第二導電電極1152的第一導電電極1156c的方式執行沉積。例如，如在圖17B中所圖示，η型接觸層2153b可以在分別面向多個第一導電電極1156a、1156b、1156c的部分處被形成以具有相互不同的寬度。[0214]對于另一示例，根據其中一個半導體發光器件負責如在圖15E中所圖示的四個或者多個像素的結構，位于遠離第二導電電極的像素的η型接觸層(第一導電電極)可以被沉積以比更靠近第二導電電極的像素的更厚。通過此，可能能夠克服導線電阻之間的差。[0215]如在上面的結構中所示的，可以以各種形式修改應用根據本發明的實施例的新型半導體發光器件的顯示設備。[0216]根據上述實施例的構造和方法將不會以被限制的方式適用于使用半導體發光器件的前述的顯示設備，并且每個實施例的全部或者部分可以被選擇性地組合并且被配置以對其進行各種修改。【主權項】1.一種顯不設備，包括:布線基板，所述布線基板具有被形成在不同表面上的第一電極和第二電極；導電粘合層，所述導電粘合層被構造成覆蓋所述布線基板;和子像素部分，所述子像素部分被連接到所述導電粘合層以具有發射不同顏色的光的多個發光部分，其中所述子像素部分具有與所述多個發光部分相對應的多個第一導電電極，并且第二導電電極作為用于所述多個發光部分的公共電極，并且其中電極孔被形成在所述布線基板上以將所述第二電極電連接到所述第二導電電極。2.根據權利要求1所述的顯示設備，其中具有所述多個第一導電電極和所述第二導電電極的半導體發光器件被布置在所述子像素部分上，并且所述半導體發光器件具有分別在其上形成所述多個第一導電電極的多個第一導電半導體層，和在其上形成所述第二導電電極的第二導電半導體層。3.根據權利要求2所述的顯示設備，其中所述第二導電半導體層是單個半導體層，并且所述多個第一導電半導體層與所述單個半導體層重疊。4.根據權利要求3所述的顯示設備，其中有源層分別被形成在所述第二導電半導體層和所述多個第一導電半導體層之間，以沿著平行于所述單個半導體層的方向順序地形成所述多個發光部分。5.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述第二導電電極是單個導電電極。6.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述第二半導體層包括η型半導體層和η型接觸層，并且所述η型接觸層的厚度、所述η型接觸層的寬度、以及所述η型接觸層和所述多個第一導電電極之間的距離中的至少一個被不同地形成在所述多個發光部分上。7.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述多個發光部分被形成以分別發射紅、綠以及藍光。8.根據權利要求1所述的顯示設備，其中所述第一電極和所述第二電極分別具有第一電極線和第二電極線，并且所述第一電極線和所述第二電極線在彼此相交的方向中被形成，并且所述第一電極線和所述第二電極線中的至少部分被電連接到所述子像素部分。9.根據權利要求8所述的顯示設備，其中所述子像素部分被電連接到所述第一電極線的多個電極線，并且被電連接到所述第二電極線的單個電極線。10.根據權利要求1所述的顯示設備，其中沿著虛擬線對準所述多個第一導電電極，并且所述第二導電電極被布置成從所述虛擬線偏移。11.根據權利要求10所述的顯示設備，其中所述子像素部分是彼此相鄰的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一個，并且沿著垂直于所述虛擬線的方向順序地排列所述第一子像素部分的第二導電電極和所述第二子像素部分的第二導電電極。12.根據權利要求11所述的顯示設備，其中所述電極孔從所述第一子像素部分被延伸到所述第二子像素部分以覆蓋所述第一子像素部分的所述第二導電電極和所述第二子像素部分的所述第二導電電極。13.根據權利要求10所述的顯示設備，其中所述子像素部分是彼此相鄰的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一個，并且所述第一子像素部分和所述第二子像素部分被形成以共享單個第二導電電極。14.根據權利要求13所述的顯示設備，其中所述第一子像素部分和所述第二子像素部分在所述單個第二導電電極周圍以水平對稱或者垂直和水平對稱被形成。15.根據權利要求13所述的顯示設備，其中所述電極孔被形成以對應于所述單個第二導電電極。16.一種顯不設備，包括:布線基板，所述布線基板具有第一電極和第二電極；導電粘合層，所述導電粘合層被構造以覆蓋所述布線基板;和半導體發光器件，所述半導體發光器件被連接到所述導電粘合層，并且被構造成分別從彼此分離的多個發光部分發射光，其中所述半導體發光器件包括:分別與所述多個發光部分相對應的多個第一導電半導體層；第二導電半導體層，所述第二導電半導體層與所述多個第一導電半導體層重疊；多個第一導電電極，所述多個第一導電電極被電連接到所述第一電極，并且分別被形成在所述多個第一導電半導體層上；以及第二導電電極，所述第二導電電極被電連接到所述第二電極并且被沉積在所述第二導電半導體層上。17.根據權利要求16所述的顯示設備，其中所述半導體發光器件形成發射紅光、綠光以及藍光的子像素部分，并且所述子像素部分具有所述多個第一導電電極和所述第二導電電極。18.根據權利要求17所述的顯示設備，其中與所述第二導電電極相對應的電極孔被形成在所述布線基板上以在形成所述第一電極的表面上將所述第二電極電連接所述第二導電電極。19.一種半導體發光器件，包括:多個第一導電半導體層；第二導電半導體層，所述第二導電半導體層與所述多個第一導電半導體層重疊；多個有源層，所述多個有源層分別被形成在所述第二導電半導體層和所述多個第一導電半導體層之間；多個第一導電電極，所述多個第一導電電極分別被形成在所述多個第一導電半導體層上；以及單個第二導電電極，所述單個第二導電電極被沉積在所述第二導電半導體層上。20.根據權利要求19所述的半導體發光器件，其中沿著虛擬線對準所述多個第一導電電極，并且所述第二導電電極被布置成從所述虛擬線偏移。【文檔編號】G09F9/33GK106062858SQ201480076802【公開日】2016年10月26日【申請日】2014年12月11日【發明人】金治璇【申請人】Lg電子株式會社