饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法
【專利摘要】本發明公開一種饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法。所述液晶顯示器的饋通電壓補償電路包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另一個輸入端連接至低電平的補償電壓。本發明由于采用了切換開關對共通線進行切換，選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時，將共通線切到補償電壓的低電平信號；TFT閘極電壓為低電平，將共通線切到基準電壓的高電平信號，這樣就可以在TFT關閉時從將共通線給予一個壓升，來提升像素連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極端的電壓上升，以補償饋通電壓造成的壓降。
【專利說明】
饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法
技術領域
[0001]本發明涉及液晶顯示領域，更具體的說，涉及一種饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法。
【背景技術】
[0002]現有的液晶顯示裝置多采用TFT進行像素的顯示控制。
[0003]如圖1所示，TFT的閘極連接掃描線，源極連接數據線，漏極連接像素電極，像素電極與彩膜基板(CF-Vcom)之間形成像素電容C(LC)、像素電容并聯有補償電容C(St)，補償電容C(st)—端跟TFT的漏極連接，另一端連接有共通線Vcom。由于TFT的閘極和漏極之間存在寄生電容Cgs，在TFT關閉的瞬間C(gs)連接閘端的壓降造成像素兩端的電壓隨之降低，產生了饋通電壓，造成顯示亮度下降。饋通電壓不同，在顯示屏只有一個Vcom的情況下，對造成顯示屏不同位置，有不同的亮度。如圖2所示，對于雙邊驅動的液晶顯示裝置，常見的現象是顯示屏在低灰階畫面下，左右兩側畫面較亮。

【發明內容】

[0004]本發明所要解決的技術問題是提供一種可補償饋通電壓的饋通電壓補償電路、液晶顯示裝置和饋通電壓補償方法。
[0005]本發明的目的是通過以下技術方案來實現的:一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另一個輸入端連接至低電平的補償電壓。
[0006]優選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關。處于不同位置的像素，其參數有差異，每條共通線控制一組顯示像素，可以根據參數的差異設置不同的補償電壓，提高控制精度，進一步改善顯示品質。
[0007]優選的，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準電壓，第二薄膜晶體管的閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線。現有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。
[0008]優選的，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
[0009]優選的，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線。此為另一種具體的控制方式。
[0010]優選的，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。
[0011]優選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，閘極連接到所述基準電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線;兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。
[0012]優選的，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線，漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS 管。
[0013]一種液晶顯示裝置，包括上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路。
[0014]一種液晶顯示器的饋通電壓補償方法，包括步驟:在當前掃描線驅動時，通過切換開關將對應的共通線切換到低電平的補償電壓；當掃描線驅動撤銷時，將共通線切換到高電平的基準電壓。
[0015]本發明由于采用了切換開關對共通線進行切換，選擇電路在TFT閘極電壓為高電平時，將共通線切到補償電壓的低電平信號;TFT閘極電壓為低電平，將共通線切到基準電壓的高電平信號，這樣就可以在TFT關閉時從將共通線給予一個壓升，來提升像素兩端的電壓上升，提升顯示亮度。
【附圖說明】
[0016]圖1是現有的液晶顯示裝置驅動電路示意圖。
[0017]圖2是現有的一種液晶顯不裝置的兩極電壓的崎變不意圖。
[0018]圖3是本發明的原理示意圖。
[0019I圖4是本發明實施例一的原理示意圖。
[°02°]圖5是本發明實施例二的原理示意圖。
[0021]圖6是本發明驅動原理示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖和較佳的實施例對本發明作進一步說明。
[0023]如圖3所示，一種液晶顯示裝置，包括上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，該液晶顯示器的饋通電壓補償電路包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另一個輸入端連接至低電平的補償電壓。所述共通線可以是一條，也可以是多條，優選多條共通線，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關。這樣處于不同位置的像素，其參數有差異，每條共通線控制一組顯示像素，可以根據參數的差異設置不同的補償電壓，提尚控制精度，進一步改善顯不品質。
[0024]實施例一如圖4所示，切換開關包括第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2，第一薄膜晶體管Tl的源極和閘極連接至基準電壓A-Vcom;所述第二薄膜晶體管Τ2的源極連接至所述補償電壓A-Vcom-low，閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線Vcom。
[0025]優選的，所述第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2都為N型MOS管。當然兩個薄膜晶體管都為P型MOS管，或者一個為N型MOS管、另一個為P型MOS管也是可行的。
[0026]現有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。
[0027]實施例二
如圖5所述，切換開關包括第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2，所述第一薄膜晶體管Tl的源極連接至所述基準電壓A-Vcom，所述第二薄膜晶體管T2的源極連接至所述補償電壓A-Vcom-low，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線Vcom。所述第一薄膜晶體管Tl和第二薄膜晶體管T2的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線。此為另一種具體的控制方式。
[0028]優選的，所述第一薄膜晶體管Tl為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管T2為N型MOS管。當然兩個薄膜晶體管都為P型MOS管或N型MOS管、或者第一薄膜晶體管Tl為N型MOS管，第二薄膜晶體管12為?型編3管的技術方案也是可行的。
[0029]現有的液晶顯示面板大多采用薄膜晶體管來控制像素的顯示，因此采用薄膜晶體管作為切換開關，在薄膜晶體管制程過程中可同步形成切換開關的薄膜晶體管，有利于降低制造成本。
[0030]如圖6所述，上述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路通過改變共通線的電壓來補償對應掃描線的饋通電壓。具體來說，其驅動過程包括在當前掃描線驅動時，掃描線的電壓Vgate為高電平，此時通過切換開關將對應的共通線切換到低電平的補償電壓；當掃描線驅動撤銷時，掃描線的電壓Vgate為低電平，將共通線切換到高電平的基準電壓，經由調整共通線波形Vcom，達成饋通電壓的修正。如果共通線有多條，可以根據掃描線在不同位置處的RC阻容效應(Gate RC)的不同，設置不同的補償電壓。Gate RC較小時，饋通電壓修正的多。反之Gate RC較大時，饋通電壓修正的少。補償后，在同一掃描線不同位置對應的像素兩端的電壓(Vp ixe I)波形基本保持一致。
[0031]以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明，不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，包括共通線和存儲電容，所述存儲電容一端連接至液晶分子對應的薄膜晶體管的漏極，另一端連接到所述共通線，其特征在于，所述共通線連接有切換開關，所述切換開關包括兩個輸入端，一個輸入端連接至高電平的基準電壓，另一個輸入端連接至低電平的補償電壓。2.如權利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關。3.如權利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管的閘極連接到所述基準電壓，第二薄膜晶體管的閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線。4.如權利要求3所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。5.如權利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線。6.如權利要求5所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。7.如權利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓，閘極連接到所述基準電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，閘極連接到對應的液晶顯示器的掃描線;兩個薄膜晶體管的漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管都為N型MOS管。8.如權利要求1所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路，其特征在于，所述共通線至少有兩條，每條共通線連接一組所述存儲電容，每條共通線對應一個切換開關，所述切換開關包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的源極連接至所述基準電壓;所述第二薄膜晶體管的源極連接至所述補償電壓，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的閘極連接到同一條對應的液晶顯示器的掃描線，漏極共同連接到同一共通線，所述第一薄膜晶體管為P型MOS管，所述第二薄膜晶體管為N型MOS管。9.一種液晶顯示裝置，包括如權利要求1?8任一所述的一種液晶顯示器的饋通電壓補償電路。10.—種液晶顯示器的饋通電壓補償方法，包括步驟:在當前掃描線驅動時，通過切換開關將對應的共通線切換到低電平的補償電壓；當掃描線驅動撤銷時，將共通線切換到高電平的基準電壓。
【文檔編號】G09G3/36GK105913820SQ201610425505
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月15日
【發明人】熊勇軍
【申請人】蘇州眾顯電子科技有限公司